JPH08104981A - Ｐｖｄ装置 - Google Patents
Ｐｖｄ装置Info
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- JPH08104981A JPH08104981A JP26831394A JP26831394A JPH08104981A JP H08104981 A JPH08104981 A JP H08104981A JP 26831394 A JP26831394 A JP 26831394A JP 26831394 A JP26831394 A JP 26831394A JP H08104981 A JPH08104981 A JP H08104981A
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- Japan
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- crucible
- raw material
- vapor deposition
- melted
- film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大気圧でも成膜でき、かつ清浄で厚さの均一
な膜が得られるＰＶＤ装置を提供する。 【構成】 るつぼ５と、るつぼ５の上部に位置する基板
ホルダ７と、るつぼの外周に設けられた誘導コイル６と
を具える。誘導コイル６の電磁力により原料Ｍはるつぼ
内で浮揚して溶解されるため、原料の汚染がなく、高品
質な膜を得ることができる。また、電子ビームを用いな
いため、排気手段を必要とせず、大気中での蒸着が可能
である。
な膜が得られるＰＶＤ装置を提供する。 【構成】 るつぼ５と、るつぼ５の上部に位置する基板
ホルダ７と、るつぼの外周に設けられた誘導コイル６と
を具える。誘導コイル６の電磁力により原料Ｍはるつぼ
内で浮揚して溶解されるため、原料の汚染がなく、高品
質な膜を得ることができる。また、電子ビームを用いな
いため、排気手段を必要とせず、大気中での蒸着が可能
である。
Description
【０００１】本発明は、ＰＶＤ装置および蒸着方法に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体装置などの分野でＰＶＤ
（蒸着，イオンプレーティング）による成膜が利用され
ている。一般には、水冷銅に耐火物をはめ込んだり敷い
たりしたるつぼをチャンバー内に配置し、るつぼ内の原
料を電子ビームで溶融，蒸発させて、これを基板に堆積
して膜を形成している。一方、金属の溶解技術として、
コールドクルーシブル（金属製の水冷るつぼ）を用い、
その内部で加熱対象を電磁力により浮揚して溶解するコ
ールドクルーシブル法が知られている（電気学会誌，11
4 巻 ３号，1994年：156 頁以降）。
（蒸着，イオンプレーティング）による成膜が利用され
ている。一般には、水冷銅に耐火物をはめ込んだり敷い
たりしたるつぼをチャンバー内に配置し、るつぼ内の原
料を電子ビームで溶融，蒸発させて、これを基板に堆積
して膜を形成している。一方、金属の溶解技術として、
コールドクルーシブル（金属製の水冷るつぼ）を用い、
その内部で加熱対象を電磁力により浮揚して溶解するコ
ールドクルーシブル法が知られている（電気学会誌，11
4 巻 ３号，1994年：156 頁以降）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＰＶＤ
技術には以下のような欠点がある。 溶融された原料はるつぼ内面と接触しているため溶湯
に耐火物成分が混入し、形成された膜が不純物に汚染さ
れ易い。 電子ビームは約１０-4ｔｏｒｒ以下の低圧でしか作動
せず、この条件を得るために排気手段を必要とする。通
常はチャンバー内を１０-5ｔｏｒｒ以下にできる排気手
段が用いられる。
技術には以下のような欠点がある。 溶融された原料はるつぼ内面と接触しているため溶湯
に耐火物成分が混入し、形成された膜が不純物に汚染さ
れ易い。 電子ビームは約１０-4ｔｏｒｒ以下の低圧でしか作動
せず、この条件を得るために排気手段を必要とする。通
常はチャンバー内を１０-5ｔｏｒｒ以下にできる排気手
段が用いられる。
【０００４】膜厚の均一化を図るにはチャンバー内の
圧力を上げればよいが、電子ビームを使用する関係上、
この手段をとることができない。そのため、通常は基板
を自転，公転させており、基板の駆動手段を必要とす
る。 電子ビームは１点にエネルギーを集中するため、必然
的に溶湯表面に大きな温度分布を生じさせ、蒸発量も大
きくばらついてしまう。通常は電子ビームを溶湯上にス
キャンして蒸発量の均一化を図っているが、そのための
機構が必要となり、コスト高になる。
圧力を上げればよいが、電子ビームを使用する関係上、
この手段をとることができない。そのため、通常は基板
を自転，公転させており、基板の駆動手段を必要とす
る。 電子ビームは１点にエネルギーを集中するため、必然
的に溶湯表面に大きな温度分布を生じさせ、蒸発量も大
きくばらついてしまう。通常は電子ビームを溶湯上にス
キャンして蒸発量の均一化を図っているが、そのための
機構が必要となり、コスト高になる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、その要旨は前記コー
ルドクルーシブル法をＰＶＤ技術に適用したことにあ
る。即ち、本発明ＰＶＤ装置は、冷却機構を具えるるつ
ぼと、るつぼの上部に位置する基板ホルダと、るつぼの
外周に設けられた誘導加熱装置とを具えることを特徴と
する。ここで、るつぼと基板の中間において、るつぼで
溶解されて発生した原料の蒸気をイオン化する高周波コ
イルを設けてイオンプレーティング装置として用いても
よい。また、上記の各装置において、雰囲気ガス導入機
構，真空引き機構および加圧機構のうち少なくとも一つ
を具えることで、種々の雰囲気，圧力に調整して成膜す
ることができる。なお、るつぼの構成には、その側壁と
底面が一体化されたものと、両者が独立しているものと
が考えられ、ここでは前者を浮揚型、後者を半浮揚型と
する。
を解消するためになされたもので、その要旨は前記コー
ルドクルーシブル法をＰＶＤ技術に適用したことにあ
る。即ち、本発明ＰＶＤ装置は、冷却機構を具えるるつ
ぼと、るつぼの上部に位置する基板ホルダと、るつぼの
外周に設けられた誘導加熱装置とを具えることを特徴と
する。ここで、るつぼと基板の中間において、るつぼで
溶解されて発生した原料の蒸気をイオン化する高周波コ
イルを設けてイオンプレーティング装置として用いても
よい。また、上記の各装置において、雰囲気ガス導入機
構，真空引き機構および加圧機構のうち少なくとも一つ
を具えることで、種々の雰囲気，圧力に調整して成膜す
ることができる。なお、るつぼの構成には、その側壁と
底面が一体化されたものと、両者が独立しているものと
が考えられ、ここでは前者を浮揚型、後者を半浮揚型と
する。
【０００６】そして、これらの装置を用いることによっ
て、原料溶湯をるつぼ内で浮揚または起立させて蒸着を
行うことができる。即ち、本発明蒸着方法は、原料をる
つぼ内で溶解し、発生する蒸気をるつぼの上部に設置し
た基板に堆積して成膜する蒸着方法であって、誘導加熱
で溶融した原料をるつぼ側壁と非接触として蒸着するこ
とを特徴とする。ここでの雰囲気圧力は、１０-4ｔｏｒ
ｒ以上１気圧未満でもよいし、１気圧以上でもよい。な
お、イオンプレーティングを行う場合は、発生した原料
蒸気をイオン化すればよい。
て、原料溶湯をるつぼ内で浮揚または起立させて蒸着を
行うことができる。即ち、本発明蒸着方法は、原料をる
つぼ内で溶解し、発生する蒸気をるつぼの上部に設置し
た基板に堆積して成膜する蒸着方法であって、誘導加熱
で溶融した原料をるつぼ側壁と非接触として蒸着するこ
とを特徴とする。ここでの雰囲気圧力は、１０-4ｔｏｒ
ｒ以上１気圧未満でもよいし、１気圧以上でもよい。な
お、イオンプレーティングを行う場合は、発生した原料
蒸気をイオン化すればよい。
【０００７】
【作用】コールドクルーシブル法は金属を溶解する技術
なので、溶解条件に応じて金属蒸気を発生する。本発明
はこの蒸気を用いて成膜を行うものである。 （形成膜汚染の防止）るつぼの周囲に配置した誘導コイ
ルに交流電流（例えば、約１ｋＨｚの高周波）を印加す
ると交流磁界が発生し、るつぼとその内部の加熱対象
（蒸着原料）にうず電流が誘起される。ここで、両者に
は斥力が働くため、浮揚型では加熱対象はるつぼ内で浮
揚した状態に、半浮揚型では底面のみるつぼと接触し、
側壁とは非接触の起立状態になる。そして、誘起された
うず電流はジュール熱により加熱対象を溶解するのであ
る。従って、加熱対象はるつぼと非接触で又はごく僅か
な接触で溶解されるため、従来問題となったるつぼから
の汚染を抑制することができる。
なので、溶解条件に応じて金属蒸気を発生する。本発明
はこの蒸気を用いて成膜を行うものである。 （形成膜汚染の防止）るつぼの周囲に配置した誘導コイ
ルに交流電流（例えば、約１ｋＨｚの高周波）を印加す
ると交流磁界が発生し、るつぼとその内部の加熱対象
（蒸着原料）にうず電流が誘起される。ここで、両者に
は斥力が働くため、浮揚型では加熱対象はるつぼ内で浮
揚した状態に、半浮揚型では底面のみるつぼと接触し、
側壁とは非接触の起立状態になる。そして、誘起された
うず電流はジュール熱により加熱対象を溶解するのであ
る。従って、加熱対象はるつぼと非接触で又はごく僅か
な接触で溶解されるため、従来問題となったるつぼから
の汚染を抑制することができる。
【０００８】（溶湯の攪拌による成分の均一化）前述し
たるつぼ内面と加熱対象に働く斥力は、原料溶解後も作
用し続ける。うず電流は原料の電気抵抗が大きいほど表
面に集中する性質があるため、この斥力は溶湯の表面付
近で強く作用する。即ち、原料溶湯内では表面から中心
に向かう力として働き、溶湯内を攪拌することになる。
従って、複数成分の原料を用いた場合、この攪拌により
成分の均一化を図ることができる。また、原理的に溶湯
の全表面をほぼ均一に加熱するため、発生蒸気を均一に
分散し易く、電子ビームを用いた蒸着におけるスキャン
機構を必要としない。
たるつぼ内面と加熱対象に働く斥力は、原料溶解後も作
用し続ける。うず電流は原料の電気抵抗が大きいほど表
面に集中する性質があるため、この斥力は溶湯の表面付
近で強く作用する。即ち、原料溶湯内では表面から中心
に向かう力として働き、溶湯内を攪拌することになる。
従って、複数成分の原料を用いた場合、この攪拌により
成分の均一化を図ることができる。また、原理的に溶湯
の全表面をほぼ均一に加熱するため、発生蒸気を均一に
分散し易く、電子ビームを用いた蒸着におけるスキャン
機構を必要としない。
【０００９】（１０-4ｔｏｒｒ以上の圧力下における成
膜）さらに、電磁誘導による溶解なので、雰囲気を低圧
にする必要がない。このことは電子ビーム法と決定的に
異なる。チャンバー内の圧力を大きくすると蒸気粒子の
平均自由行程が短くなって散乱する結果、基板上の膜厚
分布が小さくなることが知られているが、電子ビームを
用いた蒸着の場合、チャンバー内の圧力を高めることは
できない。一方、コールドクルーシブル法を用いた本発
明による蒸着では、真空中はもちろん、１０-4ｔｏｒｒ
以上、特に大気圧以上でも成膜することができる。従っ
て、排気手段を用いなくとも蒸着を行うことができ、膜
厚の均一化を図ることができる。蒸着時における圧力や
雰囲気と必要な機構との関係を表１に示す。
膜）さらに、電磁誘導による溶解なので、雰囲気を低圧
にする必要がない。このことは電子ビーム法と決定的に
異なる。チャンバー内の圧力を大きくすると蒸気粒子の
平均自由行程が短くなって散乱する結果、基板上の膜厚
分布が小さくなることが知られているが、電子ビームを
用いた蒸着の場合、チャンバー内の圧力を高めることは
できない。一方、コールドクルーシブル法を用いた本発
明による蒸着では、真空中はもちろん、１０-4ｔｏｒｒ
以上、特に大気圧以上でも成膜することができる。従っ
て、排気手段を用いなくとも蒸着を行うことができ、膜
厚の均一化を図ることができる。蒸着時における圧力や
雰囲気と必要な機構との関係を表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （実施例１）まず、半浮揚型のＰＶＤ装置について説明
する。同図に示すように、蒸着原料Ｍを入れるるつぼ１
と、その外周に配置された誘導コイル２を具え、るつぼ
１の上部に基板ホルダ３が設けられている。るつぼ１は
筒状の側壁1Aと、これとは独立した底面1Bを具えるもの
である。一般には水冷銅に耐火物を取り付けたもので構
成することが好適であるが、基本的にはうず電流が発生
する導体が用いられていればよい。るつぼの底部は溶湯
を支持する部分で、形成される膜の汚染を抑制するた
め、原料Ｍと同じ材質、または反応しない材質で構成す
ることが好ましい。一方、基板ホルダ３は蒸着膜が形成
される基板Ｓを保持するもので、るつぼの開口面と平行
に基板Ｓを装着できるよう配置されている。
する。同図に示すように、蒸着原料Ｍを入れるるつぼ１
と、その外周に配置された誘導コイル２を具え、るつぼ
１の上部に基板ホルダ３が設けられている。るつぼ１は
筒状の側壁1Aと、これとは独立した底面1Bを具えるもの
である。一般には水冷銅に耐火物を取り付けたもので構
成することが好適であるが、基本的にはうず電流が発生
する導体が用いられていればよい。るつぼの底部は溶湯
を支持する部分で、形成される膜の汚染を抑制するた
め、原料Ｍと同じ材質、または反応しない材質で構成す
ることが好ましい。一方、基板ホルダ３は蒸着膜が形成
される基板Ｓを保持するもので、るつぼの開口面と平行
に基板Ｓを装着できるよう配置されている。
【００１２】このような装置において、誘導コイル２に
高周波電流を印加すると、交流磁界が発生し、るつぼ１
と原料Ｍにうず電流が誘起される。このとき、底面1Bに
は誘導コイル２からの交流磁界がほとんど及ばないため
原料Ｍは底面1Bで支持されているが、側壁1Aと原料Ｍと
の間は電磁力により反発し合うため、原料Ｍは側壁1Aと
非接触の状態となり、起立した状態で溶解される。溶解
された原料Ｍは、上部の液相部M1と、下部でるつぼ底面
に接する固相部M2に別れる。そして、溶解により発生し
た原料蒸気がホルダ３にセットされた基板Ｓに到達する
ことで膜が形成されるのである。本例の場合、原料Ｍは
浮揚してるつぼと完全な非接触となるわけではないが、
底面1Bと接触する原料は固相部M2であり、原料の蒸発が
起こる液相部M1への不純物の混入は極めて少ないと考え
られる。なお、基板側にバイアス電圧を印加してもよ
く、前記表１で示したように、雰囲気によって真空引き
機構や加圧機構をもうけてもよい。なお、表１におい
て、圧力が７６０Torr以上の雰囲気で「（真空引き）」
を記載しているのは、一端空気を抜くためなどに用いる
からである。このような半浮揚型の装置は、原料を浮揚
するほどのエネルギーを必要としないため、エネルギー
効率の点で優れる。
高周波電流を印加すると、交流磁界が発生し、るつぼ１
と原料Ｍにうず電流が誘起される。このとき、底面1Bに
は誘導コイル２からの交流磁界がほとんど及ばないため
原料Ｍは底面1Bで支持されているが、側壁1Aと原料Ｍと
の間は電磁力により反発し合うため、原料Ｍは側壁1Aと
非接触の状態となり、起立した状態で溶解される。溶解
された原料Ｍは、上部の液相部M1と、下部でるつぼ底面
に接する固相部M2に別れる。そして、溶解により発生し
た原料蒸気がホルダ３にセットされた基板Ｓに到達する
ことで膜が形成されるのである。本例の場合、原料Ｍは
浮揚してるつぼと完全な非接触となるわけではないが、
底面1Bと接触する原料は固相部M2であり、原料の蒸発が
起こる液相部M1への不純物の混入は極めて少ないと考え
られる。なお、基板側にバイアス電圧を印加してもよ
く、前記表１で示したように、雰囲気によって真空引き
機構や加圧機構をもうけてもよい。なお、表１におい
て、圧力が７６０Torr以上の雰囲気で「（真空引き）」
を記載しているのは、一端空気を抜くためなどに用いる
からである。このような半浮揚型の装置は、原料を浮揚
するほどのエネルギーを必要としないため、エネルギー
効率の点で優れる。
【００１３】（実施例２）次に、浮揚型のイオンプレー
ティング装置について説明する。基本的な構成は前記実
施例１と同様であるが、るつぼ５の構成と、基板Ｓとる
つぼ５の間に高周波コイル８を設けた点が異なる。本例
のるつぼ５は側壁と底面が一体化されており、蒸着時、
原料Ｍはるつぼ内で完全に浮揚される。るつぼ５の材質
は前記実施例１と同様である。また、図示していない
が、側壁から底面にかけてに軸方向のスリットを複数設
けてるつぼを分割してもよい。この分割数が多い方がよ
り大きい浮揚力と溶湯安定性を得ることができる。そし
て、スリット幅が広いと浮揚力は大きいが溶湯の安定性
が低下する傾向がある。
ティング装置について説明する。基本的な構成は前記実
施例１と同様であるが、るつぼ５の構成と、基板Ｓとる
つぼ５の間に高周波コイル８を設けた点が異なる。本例
のるつぼ５は側壁と底面が一体化されており、蒸着時、
原料Ｍはるつぼ内で完全に浮揚される。るつぼ５の材質
は前記実施例１と同様である。また、図示していない
が、側壁から底面にかけてに軸方向のスリットを複数設
けてるつぼを分割してもよい。この分割数が多い方がよ
り大きい浮揚力と溶湯安定性を得ることができる。そし
て、スリット幅が広いと浮揚力は大きいが溶湯の安定性
が低下する傾向がある。
【００１４】このような装置において誘導コイル６に高
周波電流を印加すると、るつぼ内面と原料Ｍの双方にう
ず電流が発生する。このとき、るつぼ内面に流れるうず
電流と原料Ｍに流れるうず電流は逆方向に流れるため、
これらのうず電流間に生じる電磁力の反発によって原料
Ｍは浮揚され、さらに原料Ｍのもつ固有抵抗によりジュ
ール熱を生じて加熱，溶解されるのである。溶解された
原料からは蒸気が発生するが、基板Ｓに達する途中で、
高周波コイル８の作用により励起され、イオン化されて
から基板Ｓに到達する。このように、本例によれば原料
Ｍはるつぼ５と完全に非接触となり、成膜の汚染を防止
することができる。本例の場合、適宜目的に応じたガス
を導入することで、基板上に蒸着原料との化合物を成膜
することも可能である。その場合、表１に示すたよう
に、ガス導入機構、真空引き機構または加圧機構を適宜
設ければよい。また、基板側にバイアス電圧を印加して
もよい。さらに、高周波の代わりに直流バイアスを用い
ることも原理的に可能である。
周波電流を印加すると、るつぼ内面と原料Ｍの双方にう
ず電流が発生する。このとき、るつぼ内面に流れるうず
電流と原料Ｍに流れるうず電流は逆方向に流れるため、
これらのうず電流間に生じる電磁力の反発によって原料
Ｍは浮揚され、さらに原料Ｍのもつ固有抵抗によりジュ
ール熱を生じて加熱，溶解されるのである。溶解された
原料からは蒸気が発生するが、基板Ｓに達する途中で、
高周波コイル８の作用により励起され、イオン化されて
から基板Ｓに到達する。このように、本例によれば原料
Ｍはるつぼ５と完全に非接触となり、成膜の汚染を防止
することができる。本例の場合、適宜目的に応じたガス
を導入することで、基板上に蒸着原料との化合物を成膜
することも可能である。その場合、表１に示すたよう
に、ガス導入機構、真空引き機構または加圧機構を適宜
設ければよい。また、基板側にバイアス電圧を印加して
もよい。さらに、高周波の代わりに直流バイアスを用い
ることも原理的に可能である。
【００１５】（試験例）図１の装置を用いて蒸着を行っ
てみた。主な条件は次の通りである。 原料材質：Ｆｅ 原料重量：９ｋｇ（初期） スカルの外径：１２７ｍｍ 基板材質：ＳＵＳ３０４ 溶湯温度：約１５５０℃ 雰囲気 ：大気 基板と溶湯間距離：約１５０ｍｍ 電力 ：１５０ｋｗ 周波数 ：９．９ｋＨｚ この条件で２分間成膜し、平均成膜速度２ｎｍ／ｓｅｃ
を得た。成膜中、溶湯はるつぼの底面にのみ接触し、側
壁には接触していなかった。そして、得られた膜を評価
したところ、一部に酸化がみられるものの、汚染の一種
である異常な介在物は存在しなかった。これらのことよ
り、本発明によれば大気中でも汚染のない成膜が十分可
能であることが確認された。
てみた。主な条件は次の通りである。 原料材質：Ｆｅ 原料重量：９ｋｇ（初期） スカルの外径：１２７ｍｍ 基板材質：ＳＵＳ３０４ 溶湯温度：約１５５０℃ 雰囲気 ：大気 基板と溶湯間距離：約１５０ｍｍ 電力 ：１５０ｋｗ 周波数 ：９．９ｋＨｚ この条件で２分間成膜し、平均成膜速度２ｎｍ／ｓｅｃ
を得た。成膜中、溶湯はるつぼの底面にのみ接触し、側
壁には接触していなかった。そして、得られた膜を評価
したところ、一部に酸化がみられるものの、汚染の一種
である異常な介在物は存在しなかった。これらのことよ
り、本発明によれば大気中でも汚染のない成膜が十分可
能であることが確認された。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により蒸着
原料をるつぼ内で浮揚または起立させた状態で溶解する
ことができる。そのため、原料とるつぼとの接触を最小
限に抑え、蒸着される膜の汚染を抑制することができ
る。また、原料が攪拌されることにより、成分の均質化
を図ることができ、得られる膜の均質化を図ることがで
きる。さらに、低圧力でなくとも蒸着ができるため、排
気手段を必要としない。特に大気中でも蒸着ができるた
め、装置の簡略化に伴うコスト低減や、膜厚の均一化が
可能となる。そして、原料を浮揚して溶解できるため、
耐火物の耐熱温度（約１７００℃）を越える高融点の金
属も蒸着材料に用いることができる。
原料をるつぼ内で浮揚または起立させた状態で溶解する
ことができる。そのため、原料とるつぼとの接触を最小
限に抑え、蒸着される膜の汚染を抑制することができ
る。また、原料が攪拌されることにより、成分の均質化
を図ることができ、得られる膜の均質化を図ることがで
きる。さらに、低圧力でなくとも蒸着ができるため、排
気手段を必要としない。特に大気中でも蒸着ができるた
め、装置の簡略化に伴うコスト低減や、膜厚の均一化が
可能となる。そして、原料を浮揚して溶解できるため、
耐火物の耐熱温度（約１７００℃）を越える高融点の金
属も蒸着材料に用いることができる。
【図１】半浮揚型の本発明ＰＶＤ装置の概略図である。
【図２】浮揚型の本発明イオンプレーティング装置の概
略図である。
略図である。
１ るつぼ 1A 側壁 1B 底面 ２ 誘導コイル ３ 基板ホルダ ５ るつぼ ６ 誘導コイル ７ 基板ホルダ ８ 高周波コイル Ｍ 原料 M1 液相部 M2 固相部 Ｓ 基板
Claims (8)
- 【請求項１】 冷却機構を具えるるつぼと、 るつぼの上部に位置する基板ホルダとるつぼの外周に設
けられた誘導加熱装置とを具えることを特徴とするＰＶ
Ｄ装置。 - 【請求項２】 冷却機構を具えるるつぼと、 るつぼの上部に位置する基板ホルダとるつぼと基板の中
間において、るつぼで溶解されて発生した原料の蒸気を
イオン化する高周波コイルと、 るつぼの外周に設けられた誘導加熱装置とを具えること
を特徴とするイオンプレーティング装置。 - 【請求項３】 雰囲気ガス導入機構、真空引き機構およ
び加圧機構のうち少なくとも一つを具えることを特徴と
する請求項１記載のＰＶＤ装置。 - 【請求項４】 雰囲気ガス導入機構、真空引き機構およ
び加圧機構のうち少なくとも一つを具えることを特徴と
する請求項２記載のイオンプレーティング装置。 - 【請求項５】 原料をるつぼ内で溶解し、発生する蒸気
をるつぼの上部に設置した基板に堆積して成膜する蒸着
方法であって、 誘導加熱で溶融した原料をるつぼ側壁と非接触とし、 １０-4ｔｏｒｒ以上１気圧未満の雰囲気で成膜すること
を特徴とする蒸着方法。 - 【請求項６】 原料をるつぼ内で溶解し、発生する蒸気
をるつぼの上部に設置した基板に堆積して成膜する蒸着
方法であって、 誘導加熱で溶融した原料をるつぼ側壁と非接触とし、 １気圧以上の雰囲気で成膜することを特徴とする蒸着方
法。 - 【請求項７】 原料をるつぼ内で溶解して蒸気を発生さ
せ、この蒸気をイオン化し、これをるつぼの上部に設置
した基板に堆積して成膜する蒸着方法であって、 誘導加熱で溶融した原料をるつぼ側壁と非接触とし、 １０-4ｔｏｒｒ以上１気圧未満の雰囲気で成膜すること
を特徴とする蒸着方法。 - 【請求項８】 原料をるつぼ内で溶解して蒸気を発生さ
せ、この蒸気をイオン化し、これをるつぼの上部に設置
した基板に堆積して成膜する蒸着方法であって、 誘導加熱で溶融した原料をるつぼ側壁と非接触とし、 １気圧以上の雰囲気で成膜することを特徴とする蒸着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26831394A JPH08104981A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | Ｐｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26831394A JPH08104981A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | Ｐｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08104981A true JPH08104981A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17456805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26831394A Pending JPH08104981A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | Ｐｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08104981A (ja) |
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