RU2013115239A - Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств - Google Patents
Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013115239A RU2013115239A RU2013115239/05A RU2013115239A RU2013115239A RU 2013115239 A RU2013115239 A RU 2013115239A RU 2013115239/05 A RU2013115239/05 A RU 2013115239/05A RU 2013115239 A RU2013115239 A RU 2013115239A RU 2013115239 A RU2013115239 A RU 2013115239A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- water
- group
- polishing composition
- composition according
- aqueous polishing
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 27
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims abstract 15
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract 8
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims abstract 8
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims abstract 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical compound BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 4
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 claims 2
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims 2
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 claims 2
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 claims 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims 2
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 claims 2
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 claims 2
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 claims 2
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 claims 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims 2
- YAXKTBLXMTYWDQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-butanetriol Chemical compound CC(O)C(O)CO YAXKTBLXMTYWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidin-2-one Chemical compound C=CN1CCCCC1=O PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VOCDJQSAMZARGX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrrolidine-2,5-dione Chemical compound C=CN1C(=O)CCC1=O VOCDJQSAMZARGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-WHZQZERISA-N D-aldose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-WHZQZERISA-N 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-IVMDWMLBSA-N D-allopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-IVMDWMLBSA-N 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 claims 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims 1
- SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N Hexa-Ac-myo-Inositol Natural products CC(=O)OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC(C)=O SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 101000979578 Homo sapiens NK-tumor recognition protein Proteins 0.000 claims 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VSOAQEOCSA-N L-altropyranose Chemical compound OC[C@@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VSOAQEOCSA-N 0.000 claims 1
- 102100023384 NK-tumor recognition protein Human genes 0.000 claims 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 claims 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N alpha-D-galactose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims 1
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 claims 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 claims 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims 1
- 150000008266 deoxy sugars Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002016 disaccharides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims 1
- GXZJKZMEXXSLLD-UHFFFAOYSA-N ethene;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound C=C.CC(O)COC(C)CO GXZJKZMEXXSLLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RESSOZOGQXKCKT-UHFFFAOYSA-N ethene;propane-1,2-diol Chemical compound C=C.CC(O)CO RESSOZOGQXKCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XOSVFWZSSCUXGG-UHFFFAOYSA-N ethene;propane-1,2-diol Chemical compound C=C.C=C.CC(O)CO XOSVFWZSSCUXGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229930182830 galactose Natural products 0.000 claims 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002337 glycosamines Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002951 idosyl group Chemical class C1([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 claims 1
- CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N inositol Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N 0.000 claims 1
- 229960000367 inositol Drugs 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 1
- LMXGXHLURAYTMP-UHFFFAOYSA-N n-ethenylacetamide;1-ethenylpyrrolidin-2-one Chemical compound CC(=O)NC=C.C=CN1CCCC1=O LMXGXHLURAYTMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001542 oligosaccharide Polymers 0.000 claims 1
- 150000002482 oligosaccharides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 claims 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 claims 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Chemical group 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Chemical group 0.000 claims 1
- 239000012313 reversal agent Substances 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N scyllo-inosotol Natural products OC1C(O)C(O)C(O)C(O)C1O CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Chemical group 0.000 claims 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
1. Водная полирующая композиция, имеющая pH в интервале от 3 до 11 и содержащая(A) по меньшей мере, один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (В) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;(B) по меньшей мере, один анионный фосфатный диспергирующий агент; и(C) по меньшей мере, один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы, состоящей из(c1) многоатомных спиртов, выбранных из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, алифатических и циклоалифатических, мономерных, димерных и олигомерных многоатомных спиртов, имеющих, по меньшей мере, 4 гидроксигруппы, которые являются не диссоциируемыми в водной среде, где многоатомный спирт (c1) содержится в количествах от 0,005 до 5 мас.% в пересчете на общую массу указанной композиции;(c2) смеси, состоящей из(с21) по меньшей мере, одного многоатомного спирта, выбранного из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, алифатических и циклоалифатических многоатомных спиртов, имеющих,по меньшей мере, 2 гидроксигруппы, которые являются не диссоциируемыми в водной среде; и(c22) по меньшей мере, одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, выбранного из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов (с221); и линейных и разветвленных, алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) гомополимеров и сополимеров (с222); и(c3) смесей (c1) и (c2).2. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (A) являются неорганическими частицами, содержа�
Claims (15)
1. Водная полирующая композиция, имеющая pH в интервале от 3 до 11 и содержащая
(A) по меньшей мере, один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (В) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;
(B) по меньшей мере, один анионный фосфатный диспергирующий агент; и
(C) по меньшей мере, один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы, состоящей из
(c1) многоатомных спиртов, выбранных из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, алифатических и циклоалифатических, мономерных, димерных и олигомерных многоатомных спиртов, имеющих, по меньшей мере, 4 гидроксигруппы, которые являются не диссоциируемыми в водной среде, где многоатомный спирт (c1) содержится в количествах от 0,005 до 5 мас.% в пересчете на общую массу указанной композиции;
(c2) смеси, состоящей из
(с21) по меньшей мере, одного многоатомного спирта, выбранного из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, алифатических и циклоалифатических многоатомных спиртов, имеющих,
по меньшей мере, 2 гидроксигруппы, которые являются не диссоциируемыми в водной среде; и
(c22) по меньшей мере, одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, выбранного из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов (с221); и линейных и разветвленных, алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) гомополимеров и сополимеров (с222); и
(c3) смесей (c1) и (c2).
2. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (A) являются неорганическими частицами, содержащими или состоящими из диоксида церия.
3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что
- многоатомный спирт (c21) применяют в количествах от 0,05 до 5 мас.% в пересчете на общую массу указанной композиции, и
- полимер (с22) применяют в количествах от 0,005 до 5 мас.% в пересчете на общую массу указанной композиции.
4. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что анионный фосфатный диспергирующий агент (В) выбирают из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов.
5. Водная полирующая композиция по п.4, отличающаяся тем, что растворимый в воде конденсированный фосфат (В) выбран из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:
и полифосфатов общей формулы II и III:
где М является аммонием, натрием и калием, и индекс n равен от 2 до 10000.
6. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что растворимые в воде и диспергируемые в воде, алифатические и циклоалифатические, мономерные, димерные и олигомерные многоатомные спирты (c1), имеющие, по меньшей мере, 4 гидроксигруппы, которые являются не диссоциируемыми в водной среде, выбирают из группы, состоящей из эритрита, пентаэритрита, альдитов, циклитов, углеводов и димеров и олигомеров глицерина, эритрита, пентаэритрита, альдитов, циклитов.
7. Водная полирующая композиция по п.6, отличающаяся тем, что альдит (c1) выбран из группы, состоящей из тетритов, пентитов, гекситов, гептитов и октитов; циклит (c1) выбран из инозитов; и углевод (c1) выбран из группы, состоящей из моносахаридов, дисахаридов, олигосахаридов, полисахаридов, дезоксисахаров и аминосахаров.
8. Водная полирующая композиция по п.7, отличающаяся тем, что моносахарид (c1) выбран из группы, состоящей из аллозы, альтрозы, глюкозы, маннозы, идозы, галактозы и талозы.
9. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что растворимый в воде или диспергируемый в воде, алифатический или циклоалифатический многоатомный спирт (c21), имеющий 2-3 гидроксигруппы, которые являются не диссоциируемыми в водной среде, выбран из группы, состоящей из этиленгликоля, пропилен гликоля, диэтиленгликоля, триэтиленгликоля, дипропиленгликоля, трипропиленгликоля, этиленпропиленгликоля, диэтиленпропиленгликоля, этилендипропиленгликоля, глицерина, 1,2,3-тригидрокси-н-бутана, триметилолпропана и их смесей; тем, что растворимый в воде или диспергируемый в воде, линейный или разветвленный гомополимер или сополимер алкиленоксидов (c221) выбран из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров этиленоксида и пропиленоксида; и тем, что линейный или разветвленный, алифатический или циклоалифатический поли(N-виниламидный) гомополимер и сополимер (c222) выбран из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров алифатических и циклоалифатических N-виниламидных мономеров, выбранных из группы, состоящей из N-винилацетамида, N-винилпирролидона, N-винилвалеролактама, N-винилкапролактама, N-винилсукцинимида и их смесей.
10. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит, по меньшей мере, один агент, регулирующий pH, или буферный агент (E), отличающийся от компонентов (A), (B) и (C).
11. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит, по меньшей мере, один функциональный компонент (D), отличающийся от компонентов (A), (B) и (C), и где указанный функциональный компонент (D) выбран из группы, состоящей из органических, неорганических и гибридных органическо-неорганических абразивных частиц, отличающихся от частиц (A), материалов, имеющих нижнюю критическую температуру растворения (НКТР) или верхнюю критическую температуру растворения (ВКТР), окисляющих агентов, пассивирующих агентов, агентов для обращения заряда, комплексообразующих или хелатообразующих агентов, агентов, повышающих истирание, стабилизирующих агентов, агентов, регулирующих текучесть, поверхностно-активных веществ, биоцидов, катионов металлов и органических растворителей.
12. Водная полирующая композиция по п.11, отличающаяся тем, что биоцид (D) выбран из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде N-замещенных диазений диоксидов и солей N-замещенных N′-гидрокси-диазений оксидов.
13. Способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств путем контактирования подложки, по меньшей мере, один раз с водной полирующей композицией и полирования подложки до получения желаемой плоскостности, отличающийся тем, что применяют водную полирующую композицию, определенную в любом из пп.1-12.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что подложка содержит, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из, по меньшей мере, одного диэлектрического материала на основе оксида кремния, и, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из нитрида кремния.
15. Применение водной полирующей композиции, определенной в любом из пп.1-12, для производства электрических, механических и оптических устройств.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US38072110P | 2010-09-08 | 2010-09-08 | |
| US61/380,721 | 2010-09-08 | ||
| PCT/IB2011/053884 WO2012032461A1 (en) | 2010-09-08 | 2011-09-06 | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013115239A true RU2013115239A (ru) | 2014-10-20 |
| RU2607214C2 RU2607214C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=45810173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013115239A RU2607214C2 (ru) | 2010-09-08 | 2011-09-06 | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130200038A1 (ru) |
| EP (1) | EP2614121B1 (ru) |
| JP (1) | JP5965907B2 (ru) |
| KR (1) | KR101908280B1 (ru) |
| CN (1) | CN103097476B (ru) |
| IL (1) | IL224615B (ru) |
| MY (1) | MY170196A (ru) |
| RU (1) | RU2607214C2 (ru) |
| SG (2) | SG188206A1 (ru) |
| TW (1) | TWI538971B (ru) |
| WO (1) | WO2012032461A1 (ru) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2608890C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2017-01-26 | Басф Се | Водные полирующие композиции, содержащие n-замещенные диазений диоксиды и/или соли n -замещенных n'-гидрокси-диазений оксидов |
| EP2625236B1 (en) | 2010-10-07 | 2017-12-13 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers |
| EP2753670B1 (en) | 2011-09-07 | 2016-06-22 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a glycoside |
| JP6035346B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-11-30 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 半導体装置の製造方法及びｃｍｐ組成物の使用方法 |
| JP2016178099A (ja) * | 2013-08-09 | 2016-10-06 | コニカミノルタ株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液 |
| US9633831B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same |
| KR20160114709A (ko) * | 2014-01-31 | 2016-10-05 | 바스프 에스이 | 폴리（아미노산）을 포함하는 화학 기계적 연마（ｃｍｐ） 조성물 |
| TWI652336B (zh) * | 2014-05-08 | 2019-03-01 | 日商花王股份有限公司 | Sapphire plate slurry composition |
| KR20170039221A (ko) * | 2014-08-01 | 2017-04-10 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 폴리싱 용액 및 그의 사용 방법 |
| US9551075B2 (en) | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
| JP6393231B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2018-09-19 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法 |
| JP2017013183A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
| WO2017081835A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
| KR102574842B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2023-09-06 | 솔브레인 주식회사 | 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| KR102600276B1 (ko) * | 2016-03-01 | 2023-11-08 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 연마 방법 |
| JP6957265B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-11-02 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP2019050307A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法、ならびに研磨用組成物およびその製造方法 |
| US10428241B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-10-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions containing charged abrasive |
| JP7045171B2 (ja) | 2017-11-28 | 2022-03-31 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| KR102442600B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2022-09-14 | 주식회사 케이씨텍 | 연마용 슬러리 조성물 |
| US20200002607A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Versum Materials Us, Llc | Low Oxide Trench Dishing Chemical Mechanical Polishing |
| US11072726B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-07-27 | Versum Materials Us, Llc | Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing |
| US11078417B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-08-03 | Versum Materials Us, Llc | Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing |
| CN108587478B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-09-25 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用 |
| US11718767B2 (en) * | 2018-08-09 | 2023-08-08 | Versum Materials Us, Llc | Chemical mechanical planarization composition for polishing oxide materials and method of use thereof |
| CN109536038A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-29 | 东莞市晶博光电有限公司 | 一种抛光液及采用该抛光液的抛光方法 |
| US11326076B2 (en) | 2019-01-25 | 2022-05-10 | Versum Materials Us, Llc | Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives |
| CN113004802B (zh) * | 2019-12-20 | 2024-04-12 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN114621683A (zh) * | 2020-12-11 | 2022-06-14 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU490811A1 (ru) * | 1973-07-06 | 1975-11-05 | Харьковский Институт Радиоэлектроники | Паста дл доводки и полировки деталей |
| JP2000109816A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨剤スラリ−の調製方法 |
| US6206756B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| US6110832A (en) * | 1999-04-28 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for slurry polishing |
| US6471735B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-29 | Air Liquide America Corporation | Compositions for use in a chemical-mechanical planarization process |
| US6429133B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Composition compatible with aluminum planarization and methods therefore |
| US6540935B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-04-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same |
| KR100464429B1 (ko) * | 2002-08-16 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법 |
| US6616514B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-09-09 | Ferro Corporation | High selectivity CMP slurry |
| GB0222843D0 (en) * | 2002-10-02 | 2002-11-06 | Basf Ag | Microbicidal compositions and their use |
| WO2004037943A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry and polished substrate |
| CN1213118C (zh) * | 2002-12-13 | 2005-08-03 | 清华大学 | 一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料 |
| JP4202172B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-12-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| TWI415926B (zh) * | 2003-07-11 | 2013-11-21 | Grace W R & Co | 化學機械研磨用磨粒 |
| KR100637772B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-10-23 | 제일모직주식회사 | 반도체 ｓｔｉ 공정용 고선택비 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
| US20060216935A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Ferro Corporation | Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication |
| DE102005032427A1 (de) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Degussa Ag | Aluminiumoxid-Dispersion |
| US20070077865A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
| CN101291778B (zh) * | 2005-10-19 | 2012-06-20 | 日立化成工业株式会社 | 氧化铈浆料、氧化铈抛光浆料以及使用其抛光衬底的方法 |
| DE102006061891A1 (de) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Basf Se | Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid |
| KR101431299B1 (ko) * | 2007-03-26 | 2014-08-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마용 수계 분산체, 및 반도체 장치의 화학 기계 연마 방법 |
| CN101033374A (zh) * | 2007-04-13 | 2007-09-12 | 中国地质大学（武汉） | 一种高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法 |
| WO2009110729A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | Lg Chem, Ltd. | Cmp slurry and a polishing method using the same |
| KR101256551B1 (ko) * | 2008-03-06 | 2013-04-19 | 주식회사 엘지화학 | Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 |
| JP2011142284A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
| US20110244184A1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Solarworld Industries America, Inc. | Alkaline etching solution for texturing a silicon wafer surface |
-
2011
- 2011-09-06 RU RU2013115239A patent/RU2607214C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-09-06 SG SG2013010632A patent/SG188206A1/en unknown
- 2011-09-06 US US13/820,765 patent/US20130200038A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-06 KR KR1020137008871A patent/KR101908280B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-06 MY MYPI2013000777A patent/MY170196A/en unknown
- 2011-09-06 WO PCT/IB2011/053884 patent/WO2012032461A1/en active Application Filing
- 2011-09-06 JP JP2013527717A patent/JP5965907B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 EP EP11823139.8A patent/EP2614121B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-06 TW TW100132008A patent/TWI538971B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-09-06 SG SG10201506169XA patent/SG10201506169XA/en unknown
- 2011-09-06 CN CN201180043273.9A patent/CN103097476B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-07 IL IL224615A patent/IL224615B/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012032461A1 (en) | 2012-03-15 |
| US20130200038A1 (en) | 2013-08-08 |
| JP5965907B2 (ja) | 2016-08-10 |
| CN103097476B (zh) | 2016-02-17 |
| TWI538971B (zh) | 2016-06-21 |
| SG188206A1 (en) | 2013-04-30 |
| SG10201506169XA (en) | 2015-09-29 |
| KR101908280B1 (ko) | 2018-10-16 |
| IL224615B (en) | 2018-11-29 |
| EP2614121B1 (en) | 2019-03-06 |
| MY170196A (en) | 2019-07-09 |
| JP2013541609A (ja) | 2013-11-14 |
| RU2607214C2 (ru) | 2017-01-10 |
| EP2614121A4 (en) | 2016-03-09 |
| CN103097476A (zh) | 2013-05-08 |
| KR20130133174A (ko) | 2013-12-06 |
| EP2614121A1 (en) | 2013-07-17 |
| TW201213469A (en) | 2012-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013115239A (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств | |
| JP2013541609A5 (ru) | ||
| RU2013115236A (ru) | Водные полирующие композиции, содержащие n-замещенные диазений диоксиды и/или соли n-замещенных n'-замещенных n'-гидроксидиазений оксидов | |
| JP5689970B2 (ja) | 高速及び低欠陥性のシリコン研磨組成物 | |
| ES2661233T3 (es) | Formulación anticorrosiva acuosa a base de silano | |
| CA2806156C (en) | A biodegradable concentrated neutral detergent composition | |
| US7205431B2 (en) | Bis(3-alkoxyalkan-2-ol) sulfides, sulfones, and sulfoxides: new surface active agents | |
| CN102017091B (zh) | 研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法 | |
| US6717019B2 (en) | Glycidyl ether-capped acetylenic diol ethoxylate surfactants | |
| CN105814668B (zh) | 用于选择性移除硅氮化物的化学机械抛光组合物及方法 | |
| JP2013540850A5 (ru) | ||
| KR20130133177A (ko) | 수성 폴리싱 조성물, 및 전기적, 기계적 및 광학적 장치용 기판 재료의 화학적 기계적 폴리싱 방법 | |
| US20070031370A1 (en) | Amine N-oxide based surfactants | |
| CN101712907A (zh) | 一种水溶性硅料切削液的组成和应用组合 | |
| CN106905948B (zh) | 一种微残渣、弱伤害的瓜胶清洁压裂液 | |
| CN101906346A (zh) | 水性切削液和浆 | |
| KR20170048513A (ko) | 슬러리 조성물, 린스 조성물, 기판 연마 방법 및 린스 방법 | |
| EP3053978A1 (en) | Polishing composition and production method therefor | |
| EP3239284A1 (en) | Surfactant composition | |
| JP6916039B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| EP3658502A1 (en) | Metal containing formulations | |
| CN113939570B (zh) | 水系临时固定粘接剂以及使用了该水系临时固定粘接剂的各种构件或部件的制造方法 | |
| CN111356758A (zh) | 表面活性剂和含有表面活性剂的清洗剂 | |
| JP2012214706A (ja) | 潤滑油用基油および潤滑油組成物 | |
| KR20210143847A (ko) | 연마용 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190907 |