JP6957265B2 - 研磨液組成物 - Google Patents
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Description
通常、酸化セリウム粒子を砥粒として含有する研磨液組成物を用いた研磨では、窒化珪素膜等の研磨ストッパ膜が、水分子による加水分解を受けて酸化珪素膜等の被研磨膜と同等の組成になり、酸化セリウム粒子によって研磨されやすくなると考えられる。これに対し、本開示の研磨液組成物を用いた研磨では、特定のオリゴ糖Bが水分子と水和することにより、窒化珪素膜等の研磨ストッパ膜の加水分解を抑制し、酸化セリウムによる研磨を抑制できると推定される。さらに、本開示の研磨液組成物は、特定のオリゴ糖Bを含有することで、窒化珪素膜等の研磨ストッパ膜に対する研磨抑制能が高くなり、窒化珪素膜等の研磨ストッパ膜の研磨ムラ発生を抑制できると推測される。
但し、本開示は、これらのメカニズムに限定されて解釈されなくてもよい。
「オリゴ糖」とは、一般に、単糖と多糖との間に分類され、少量数の単糖がグリコシド結合した糖の総称である。オリゴ糖を構成する単糖の数(重合度)としては、例えば、2〜20程度が挙げられる。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨砥粒として酸化セリウム粒子A(以下、単に「粒子A」ともいう)を含有する。粒子Aの製造方法、形状、及び表面状態については特に限定されなくてもよい。粒子Aとしては、例えば、コロイダルセリア、不定形セリア、セリアコートシリカ等が挙げられる。コロイダルセリアは、例えば、特表2010−505735号公報の実施例1〜4に記載の方法で、ビルドアッププロセスにより得られうる。不定形セリアは、例えば、炭酸セリウムや硝酸セリウムなどのセリウム化合物を焼成、粉砕して得られうる。セリアコートシリカとしては、例えば、特開2015−63451号公報の実施例1〜14もしくは特開2013−119131号公報の実施例1〜4に記載の方法で、シリカ粒子表面の少なくとも一部が粒状セリアで被覆された構造を有する複合粒子が挙げられ、該複合粒子は、例えば、シリカ粒子にセリアを沈着させることで得られうる。研磨速度向上の観点からは、コロイダルセリアが好ましい。研磨後の残留物低減の観点からは、セリアコートシリカが好ましい。粒子Aは、1種類のセリア粒子であってもよいし、2種以上のセリア粒子の組合せであってもよい。
本開示に係る研磨液組成物は、オリゴ糖Bを含有する。オリゴ糖Bは、研磨速度の確保、研磨選択性の向上及び研磨ムラ抑制の観点から、3個以上5個以下のグルコースが結合した糖を含み、かつ、8個以上のグルコースが結合した糖の含有量が27質量%以下のオリゴ糖であって、環状を除く直鎖又は分岐鎖状のオリゴ糖であることが好ましい。前記3個以上5個以下のグルコースの結合は、好ましくはグルコシド結合である。前記3個以上5個以下のグルコースが結合した糖は、オリゴ糖Bの有効成分であることが好ましい。本開示におけるオリゴ糖Bを構成する単糖、すなわち、オリゴ糖Bの構成単位としては、研磨速度の確保、研磨選択性の向上及び研磨ムラ抑制の観点から、例えば、グルコースのみが好ましい。オリゴ糖Bは、1種類のオリゴ糖であってもよいし、2種以上のオリゴ糖の組合せであってもよい。本開示において、「8個以上のグルコースが結合した糖の含有量」とは、オリゴ糖B中の8個以上のグルコースが結合した糖の割合をいう。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度の確保及び研磨選択性の向上の観点から、研磨助剤として、アニオン性基を有する化合物C(以下、「化合物C」ともいう)を含有することが好ましい。化合物Cは、1種類でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
化合物Cがアニオン性ポリマーである場合の具体例としては、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、(メタ)アクリル酸とモノメトキシポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートとの共重合体、アニオン基を有する(メタ)アクリレートとモノメトキシポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートとの共重合体、アルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸とモノメトキシポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートとの共重合体、これらのアルカリ金属塩、及びこれらのアンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種が挙げられ、半導体基板の品質向上の観点から、ポリアクリル酸及びそのアンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
検出器:ショーデックスRI SE−61示差屈折率検出器
カラム:東ソー株式会社製のG4000PWXLとG2500PWXLを直列につないだものを使用した。
溶離液:0.2Mリン酸緩衝液/アセトニトリル=90/10(容量比)で0.5g/100mLの濃度に調整し、20μLを用いた。
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/min
標準ポリマー:分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
本開示に係る研磨液組成物は、媒体として水を含有する。該水は、半導体基板の品質向上の観点から、イオン交換水、蒸留水、超純水等の水からなるとより好ましい。本開示に係る研磨液組成物における水の含有量は、粒子A、オリゴ糖B、水、必要に応じて添加される化合物C及び下記任意成分の合計含有量を100質量%とすると、粒子A、オリゴ糖B、化合物C及び任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示に係る研磨液組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、pH調整剤、化合物C以外の界面活性剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、研磨速度向上剤等の任意成分を含有することができる。これらの任意成分の含有量は、研磨速度確保の観点から、0.001質量%以上が好ましく、0.0025質量%以上がより好ましく、0.01質量%以上が更に好ましく、研磨選択性向上の観点から、1質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましく、0.1質量%以下が更に好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、粒子A及び水を含むスラリー、オリゴ糖B、並びに、所望により化合物C及び任意成分等を公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。例えば、本開示に係る研磨液組成物は、少なくとも粒子A、オリゴ糖B及び水を配合してなるものとすることができる。本開示において「配合する」とは、粒子A、オリゴ糖B及び水、並びに必要に応じて化合物C及びその他の任意成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示に係る研磨液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示に係る研磨液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示に係る研磨液組成物が研磨の対象とする被研磨膜としては、例えば、酸化珪素膜が挙げられる。したがって、本開示に係る研磨液組成物は、半導体基板の素子分離構造を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨に好適に使用できる。
本開示は、研磨液組成物を製造するためのキットであって、前記粒子Aを含有する分散液が容器に収納された粒子A分散液、及び、前記粒子A分散液とは別の容器に収納された前記オリゴ糖Bを含む、研磨液キットに関する。本開示に係る研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨選択性の向上及び研磨ムラの抑制が可能な研磨液組成物が得られうる研磨液キットを提供できる。
本開示は、本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程(以下、「本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう)を含む、半導体基板の製造方法(以下、「本開示に係る半導体基板の製造方法」ともいう。)に関する。本開示に係る半導体基板の製造方法によれば、研磨工程における研磨速度を確保しつつ、研磨選択性の向上と研磨ムラの抑制が可能となるため、基板品質が向上した半導体基板を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示は、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程を含む、基板の研磨方法(以下、本開示に係る研磨方法ともいう)に関する。
<1> 酸化セリウム粒子Aと、オリゴ糖Bと、水とを含有し、
前記オリゴ糖Bは、3個以上5個以下のグルコースが結合した糖を含み、かつ、8個以上のグルコースが結合した糖の含有量が27質量%以下のオリゴ糖である、研磨液組成物。
<3> 粒子Aの平均一次粒子径は、300nm以下が好ましく、200nm以下がより好ましく、150nm以下が更に好ましい、<1>又は<2>に記載の研磨液組成物。
<4> 研磨液組成物中の粒子Aの含有量は、粒子A、オリゴ糖B、及び水の合計含有量を100質量%とすると、0.05質量%以上が好ましく、0.10質量%以上がより好ましく、0.20質量%以上が更に好ましい、<1>から<3>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<5> 研磨液組成物中の粒子Aの含有量は、粒子A、オリゴ糖B、及び水の合計含有量を100質量%とすると、10.0質量%以下が好ましく、7.5質量%以下がより好ましく、5.0質量%以下が更に好ましく、2.5質量%以下が更により好ましく、1.0質量%以下が更により好ましい、<1>から<4>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<6> オリゴ糖Bの構成単位は、グルコースのみである、<1>から<5>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<7> オリゴ糖Bは、ゲンチオオリゴ糖、イソマルトオリゴ糖、マルトオリゴ糖及びニゲロオリゴ糖から選ばれる少なくとも1種である、<1>から<6>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<8> オリゴ糖B中の分子量15,000以上の糖の含有量は、0質量%以上である、<1>から<7>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<9> オリゴ糖B中の分子量15,000以上の糖の含有量は、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、4質量%以下が更に好ましい、<1>から<8>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<10> オリゴ糖Bの含有量は、粒子A、オリゴ糖B、及び水の合計含有量を100質量%とすると、0.2質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.4質量%以上が更に好ましく、0.5質量%以上が更に好ましく、0.8質量%以上が更に好ましい、<1>から<9>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<11> オリゴ糖Bの含有量は、粒子A、オリゴ糖B、及び水の合計含有量を100質量%とすると、2.5質量%以下が好ましく、2.0質量%以下がより好ましく、1.5質量%以下が更に好ましく、1.1質量%以下が更に好ましい、<1>から<10>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<12> オリゴ糖Bの含有量が、好ましくは0.1質量%以上2.5質量%以下、より好ましくは0.3質量%以上2.5質量%以下、更に好ましくは0.4質量%以上2.0質量%以下、更に好ましくは0.5質量%以上1.5質量%以下である、<1>から<11>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<13> 3個以上5個以下のグルコースが結合した糖の含有量は、粒子A、オリゴ糖B、及び水の合計含有量を100質量%とすると、0.05質量%以上が好ましく、0.08質量%以上がより好ましく、0.10質量%以上が更に好ましく、0.12質量%以上が更に好ましく、0.15質量%以上が更に好ましく、0.25質量%以上が更に好ましく、0.35質量%以上が更に好ましい、<1>から<12>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<14> 3個以上5個以下のグルコースが結合した糖の含有量は、1.0質量%以下が好ましく、0.7質量%以下がより好ましく、0.5質量%以下が更に好ましい、<1>から<13>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<15> 粒子Aの含有量に対するオリゴ糖Bの含有量の比B/Aは、0.01以上が好ましく、0.1以上がより好ましく、0.3以上が更に好ましい、<1>から<14>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<16> 粒子Aの含有量に対するオリゴ糖Bの含有量の比B/Aは、20以下が好ましく、10以下がより好ましく、5以下が更に好ましい、<1>から<15>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<17> 粒子Aの含有量に対するオリゴ糖Bの含有量の比B/Aは、0.01以上20以下である、<1>から<16>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<18> オリゴ糖Bの重量平均分子量は、800未満が好ましく、750以下がより好ましく、700以下が更に好ましく、600以下が更に好ましい、<1>から<17>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<19> オリゴ糖Bの重量平均分子量は、300以上が好ましく、350以上がより好ましく、400以上が更に好ましい、<1>から<18>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<20> アニオン性基を有する化合物Cをさらに含有する、<1>から<19>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<21> 化合物Cの重量平均分子量は、1,000以上が好ましく、10,000以上がより好ましく、20,000以上が更に好ましい、<20>に記載の研磨液組成物。
<22> 化合物Cの重量平均分子量は、550万以下が好ましく、100万以下がより好ましく、10万以下が更に好ましい、<20>又は<21>に記載の研磨液組成物。
<23> 化合物Cが、1価のカルボン酸である、<20>に記載の研磨液組成物。
<24> 化合物Cが、レブリン酸、プロピオン酸、バニリン酸、p−ヒドロキシ安息香酸、及びギ酸から選ばれる少なくとも1種である、<23>に記載の研磨液組成物。
<25> 研磨液組成物中の化合物Cの含有量は、0.001質量%以上が好ましく、0.0015質量%以上がより好ましく、0.0025質量%以上が更に好ましい、<20>から<24>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<26> 研磨液組成物中の化合物Cの含有量は、1.0質量%以下が好ましく、0.8質量%以下がより好ましく、0.6質量%以下が更に好ましい、<20>から<25>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<27> 研磨液組成物中の粒子Aの含有量に対する化合物Cの含有量の比(C/A)は、0.0001以上が好ましく、0.0005以上がより好ましく、0.001以上が更に好ましい、<20>から<26>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<28> 研磨液組成物中の粒子Aの含有量に対する化合物Cの含有量の比(C/A)は、1以下が好ましく、0.1以下がより好ましく、0.01以下が更に好ましい、<20>から<27>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<29> 酸化珪素膜の研磨に用いられる、<1>から<28>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<30> pHは、4.0以上が好ましく、5.0以上がより好ましく、6.0以上が更に好ましい、<1>から<29>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<31> pHは、9.0以下が好ましく、9.0未満がより好ましく、8.5以下が更に好ましく、8.0以下が更に好ましい、<1>から<30>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<32> pHが4.0以上9.0未満である、<1>から<31>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<33> 粒子Aが水に混合された第1液と、オリゴ糖Bが水に混合された第2液とから構成され、使用時に第1液と第2液とが混合される、<1>から<32>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<34> <1>から<33>のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
<35> <1>から<33>のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板は、半導体基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
<36> <1>から<33>のいずれかに記載の研磨液組成物の半導体基板の製造への使用。
水と砥粒(粒子A)と添加剤(オリゴ糖B、化合物C)とを下記表1及び2に示す含有量となるように混合して実施例1〜23及び比較例1〜20の研磨液組成物を得た。研磨液組成物のpHは、0.1Nアンモニウム水溶液を用いて調整した。
化合物Cとしては、ポリアクリル酸アンモニウム塩(重量平均分子量:21,000)、クエン酸、レブリン酸、プロピオン酸、バニリン酸、p−ヒドロキシ安息香酸、及びギ酸を使用した。
B1:ゲンチオオリゴ糖類(製品名:ゲントース#45、日本食品化工製、構成成分:単糖〜五糖の直鎖オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B2:イソマルトオリゴ糖類(製品名:バイオトース#50、日本食品化工製、構成成分:三糖〜五糖の分岐鎖オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B3:イソマルトオリゴ糖(製品名:日食ブランチオリゴ、日本食品化工製、構成成分:三糖〜四糖の分岐鎖オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B4:マルトオリゴ糖類(製品名:フジオリゴ#450、日本食品化工製、構成成分:二糖〜十糖の直鎖オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B5:ニゲロオリゴ糖(製品名:テイストオリゴ、日本食品化工製、構成成分:単糖〜四糖の直鎖オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B6:グルコース(単糖)
B7:ガラクトース(単糖)
B8:キシリトール(単糖、糖アルコール、環状構造なし)
B9:D−マンニトール(単糖、糖アルコール、環状構造なし)
B10:スクロース(二糖の直鎖オリゴ糖、構成単位:グルコース+フルクトース)
B11:トレハロース(二糖の直鎖オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B12:ラフィノース(三糖の直鎖オリゴ糖、構成単位:フルクトース+ガラクトース+グルコース)
B13:ガラクトオリゴ糖(二〜五糖の直鎖オリゴ糖、主構成単位:ガラクトース)
B14:ショ糖ステアリン酸エステル(製品名:S−970、三菱化学フーズ製、二糖の直鎖オリゴ糖、構成単位:グルコース+フルクトース)
B15:α−シクロデキストリン(六糖の環状オリゴ糖、主構成単位:グルコース)
B16:キチンオリゴ糖(N−アセチルグルコサミンが数個連なったオリゴ糖)
研磨液組成物の25℃におけるpH値は、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を用いて測定した値であり、電極の研磨液組成物への浸漬後1分後の数値である。
粒子Aの平均一次粒径(nm)は、下記BET(窒素吸着)法によって得られる比表面積S(m2/g)を用い、セリア粒子の真密度を7.2g/cm3として算出した。
比表面積は、セリア粒子A分散液を120℃で3時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕しサンプルを得た。測定直前に120℃の雰囲気下で15分間乾燥した後、比表面積測定装置(マイクロメリティック自動比表面積測定装置 フローソーブIII2305、島津製作所製)を用いて窒素吸着法(BET法)により測定した。
<HPLC条件>
・カラム:ShodexAsahipak NH2P−50
・溶離液:アセトニトリルと水との混合溶液
・流速:0.8mL/min
・温度:30℃
・試料濃度:0.1%(溶媒:アセトニトリルと水との混合溶液)
・注入量:30μL
・検出:Q−Exactive(FT−MS)
[試験片の作製]
シリコンウェーハの片面に、TEOS−プラズマCVD法で厚さ2000nmの酸化珪素膜を形成したものから、40mm×40mmの正方形片を切り出し、酸化珪素膜試験片を得た。
同様に、シリコンウェーハの片面に、CVD法で厚さ300nmの窒化珪素膜を形成したものから、40mm×40mmの正方形片を切り出し、窒化珪素膜試験片を得た。
研磨装置として、定盤径300mmのムサシノ電子社製「MA−300」を用いた。また、研磨パッドとしては、ニッタ・ハース社製の硬質ウレタンパッド「IC−1000/Sub400」を用いた。前記研磨装置の定盤に、前記研磨パッドを貼り付けた。前記試験片をホルダーにセットし、試験片の酸化珪素膜を形成した面が下になるように(酸化珪素膜が研磨パッドに面するように)ホルダーを研磨パッドに載せた。さらに、試験片にかかる荷重が300g重/cm2となるように、錘をホルダーに載せた。研磨パッドを貼り付けた定盤の中心に、研磨液組成物を50mL/分の速度で滴下しながら、定盤及びホルダーのそれぞれを同じ回転方向に90r/分で1分間回転させて、酸化珪素膜試験片の研磨を行った。研磨後、超純水を用いて洗浄し、乾燥して、酸化珪素膜試験片を後述の光干渉式膜厚測定装置による測定対象とした。
・酸化珪素膜の研磨速度(Å/分)
=[研磨前の酸化珪素膜厚さ(Å)−研磨後の酸化珪素膜厚さ(Å)]/研磨時間(分)
試験片として酸化珪素膜試験片の代わりに窒化珪素膜試験片を用いること以外は、前記[酸化珪素膜の研磨速度の測定]と同様に、窒化珪素膜の研磨及び膜厚の測定を行った。窒化珪素膜の研磨速度は下記式により算出し、下記表1及び2に示した。
・窒化珪素膜の研磨速度(Å/分)
=[研磨前の窒化珪素膜厚さ(Å)−研磨後の窒化珪素膜厚さ(Å)]/研磨時間(分)
窒化珪素膜の研磨速度に対する酸化珪素膜の研磨速度の比を研磨速度比とし、下記式により算出し、下記表1及び2に示した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が高いことを示す。
・研磨速度比=酸化珪素膜の研磨速度(Å/分)/窒化珪素膜の研磨速度(Å/分)
研磨後の窒化珪素膜試験片上のムラの個数を測定するために、下記評価方法を用いた。まず窒化珪素膜試験片をNIKON製 COOLPIXS3700を用いて下記の条件に写真を撮影した。
・ISO感度:400
・画像モード:2M(1600×1200)
・ホワイトバランス:蛍光灯
・AFエリア選択:中央
・AFモード:AF−S シングルAF
・AF補助光:なし
・電子ズーム:しない
・マクロ:ON
測定基準単位を1pixelに設定し、撮影した写真をモノクロ画像化し、トリミングによりウェーハ内部の514pixed×514pixelの正方形領域を解析領域(以下、指定領域)に指定した。そして、指定領域の内側(実面積263952pixel)のグレースケール256階調を反転させ、研磨ムラが生じた部分の認識を容易にするため強調し、強調した部分を、ソフト機能「2つのしきい値による二値化」にて、しきい値80から184、透明度127で二値化した。その後、二値領域の形状特徴を計測し、色度の異なるムラの部分を研磨ムラの個数として測定した。測定結果を表1及び2に示す。
実施例15〜23の研磨液組成物を60℃で1ヶ月間静置させたときのpHを測定した。測定結果を表2に示した。1ヶ月経過後の研磨液組成物の研磨性能が確保されている場合には、保存安定性が良好であると判断できる。
Claims (14)
- 酸化セリウム粒子Aと、オリゴ糖Bと、水とを含有し、
前記オリゴ糖Bは、3個以上5個以下のグルコースが結合した糖を含み、かつ、8個以上のグルコースが結合した糖の含有量が27質量%以下の環状を除く直鎖又は分岐鎖状のオリゴ糖である、研磨液組成物。 - オリゴ糖Bの構成単位は、グルコースのみである、請求項1に記載の研磨液組成物。
- 酸化珪素膜の研磨に用いられる、請求項1又は2に記載の研磨液組成物。
- オリゴ糖Bは、ゲンチオオリゴ糖、イソマルトオリゴ糖、マルトオリゴ糖及びニゲロオリゴ糖から選ばれる少なくとも1種である、請求項1から3のいずれかに記載の研磨液組成物。
- オリゴ糖Bの含有量が、0.1質量%以上2.5質量%以下である、請求項1から4のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 酸化セリウム粒子Aの含有量に対するオリゴ糖Bの含有量の比B/Aは、0.01以上20以下である、請求項1から5のいずれかに記載の研磨液組成物。
- アニオン性基を有する化合物Cをさらに含有する、請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 化合物Cが、1価のカルボン酸である、請求項7に記載の研磨液組成物。
- 化合物Cが、レブリン酸、プロピオン酸、バニリン酸、p−ヒドロキシ安息香酸、及びギ酸から選ばれる少なくとも1種である、請求項8に記載の研磨液組成物。
- pHが4.0以上9.0未満である、請求項1から9のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 粒子Aが水に混合された第1液と、オリゴ糖Bが水に混合された第2液とから構成され、使用時に第1液と第2液とが混合される、請求項1から10のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 請求項1から11のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
- 請求項1から11のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板は、半導体基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
- 請求項1から11のいずれかに記載の研磨液組成物の半導体基板の製造への使用。
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