NL1024530C2 - Het voorkomen van braamvorming bij een stansproces van een dwarselement voor een duwband voor een continu variabele transmissie. - Google Patents

Description

*

Titel: Het voorkomen van braamvorming bij een stansproces van een dwarselement voor een duwband voor een continu variabele transmissie

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vormen van een dwarselement dat bestemd is om deel uit te maken van een duwband voor een continu variabele transmissie, welk dwarselement twee hoofdlichaamsvlakken en een zich tussen de hoofd-5 lichaamsvlakken uitstrekkend omtreksvlak heeft, waarbij het dwarselement tijdens een stansbeweging uit basismateriaal wordt gestanst onder toepassing van een snijorgaan, een ondersteuningsorgaan en een matrijs met een opneemruimte voor het opnemen van het te stansen dwarselement, het ondersteuningsorgaan en 10 een uiteinde van het snijorgaan; waarbij tijdens een stansbeweging het te stansen dwarselement is ingeklemd tussen het snijorgaan en het ondersteuningsorgaan, waarbij het snijorgaan, het te stansen dwarselement en het ondersteuningsorgaan enerzijds en de matrijs anderzijds ten opzichte van elkaar 15 worden bewogen; en

Waarbij het omtreksvlak van het te stansen dwarselement bij het binnengaan van de opneemruimte van de matrijs langs een afgeschuinde omtreksrand van de matrijs wordt bewogen.

20 Een duwband voor een continu variabele transmissie is algemeen bekend. Een dergelijke duwband omvat doorgaans twee oneindige, in zichzelf gesloten lintvormige dragers voor het dragen van een relatief groot aantal dwarselementen. De dwarselementen zijn beweegbaar over de gehele omtrek van de dragers aangebracht, waarbij 25 ze tijdens bedrijf in staat zijn tot het doorgeven van krachten die samenhangen met een beweging van de duwband.

In de hiernavolgende beschrijving van het dwarselement refereren de genoemde richtingen aan de situatie waarin het dwars-element deel uitmaakt van de duwband. Een lengterichting van het 30 dwarselement komt overeen met een omtreksrichting van de duwband.

Een hoogteriehting van het dwarselement komt overeen met een radiale richting van de duwband. Een breedterichting van het dwarselement .1024530

I 2 I

I komt overeen met een richting haaks op zowel de lengterichting als I

I de hoogterichting. De aanduiding van een willekeurig dwarselement I

I als volgend dwarselement of vorig dwarselement ten opzichte van een I

I aangrenzend dwarselement houdt verband met een bewegingsrichting van I

I 5 de duwband. I

I Het dwarselement is in breedterichting aan weerszijden voorzien I

I van uitsparingen voor het opnemen van de dragers. Ten behoeve van I

I het ondersteunen van de dragers omvat het dwarselement drager- I

I vlakken. Ten behoeve van contact tussen het dwarselement en poelie- I

I 10 schijven van een poelie van een continu variabele transmissie is het I

I dwarselement in breedterichting aan weerszijden voorzien van in de I

I richting van de dragervlakken divergerende poelieschijf-contact- I

I vlakken. De in het hiernavolgende gebezigde begrippen "boven" en I

I "onder" zijn gerelateerd aan de richting van divergentie; deze wordt I

I 15 gedefinieerd als van onder naar boven. I

I Het dwarselement omvat in hoogterichting van onder naar boven I

I achtereenvolgens een basisgedeelte, een nekgedeelte en een top- I

I gedeelte, waarbij de afmetingen in breedterichting van het nek- I

I gedeelte relatief klein zijn. Het basisgedeelte omvat de drager- I

I 20 vlakken en de poelieschijf-contactvlakken. In de duwband bevindt het I

I basisgedeelte zich aan de zijde van de binnenomtrek van de duwband, I

I terwijl het topgedeelte zich aan de zijde van de buitenomtrek van de I

I duwband bevindt. I

I Het dwarselement heeft twee hoofdlichaamsvlakken, te weten een I

I 25 voorvlak en een achtervlak, die zich in hoofdzaak evenwijdig ten I

I opzichte van elkaar uitstrekken, in hoofdzaak haaks op de lengte- I

I richting. Ten minste een gedeelte van het voorvlak van het dwars- I

I element is bestemd om in de duwband aan te liggen tegen ten minste I

I een gedeelte van het achtervlak van een volgend dwarselement, I

I 30 terwijl ten minste een gedeelte van het achtervlak van het dwars- I

I element is bestemd om in de duwband aan te liggen tegen ten minste I

I een gedeelte van het voorvlak van een vorig dwarselement. I

I Tussen de twee hoofdlichaamsvlakken strekt zich een omtreksvlak I

I uit, waar de dragervlakken en de poelieschijf-contactvlakken deel I

I 35 van uitmaken. Een ander vlak dat deel uitmaakt van het omtreksvlak I

I is een ondervlak dat zich tussen de twee poelieschijf-contactvlakken I

I uitstrekt, en dat zich aan een onderzijde van het dwarselement I

I bevindt. I

I J024530 I

3

Het dwarselement wordt door middel van een stansproces vervaardigd uit plaatvormig basismateriaal. Bij het stansproces worden een snijorgaan en een ondersteuningsorgaan toegepast, waarbij het snijorgaan is bestemd om het dwarselement uit het basismateriaal 5 te snijden onder invloed van een snijkracht, en waarbij het ondersteuningsorgaan is bestemd om het dwarselement tijdens het stansproces te ondersteunen met een ondersteuningskracht. De omtrek van zowel het ondersteuningsvlak als het snijvlak is in hoo£dzaak gelijk aan de omtrek van het dwarselement. Tijdens het stansproces dringt 10 het snijorgaan onder druk door het basismateriaal, waarbij een onderlinge beweging van het te stansen dwarselement en het basismateriaal wordt toegestaan. Het te stansen dwarselement is dan ingeklemd tussen het snijorgaan en het ondersteuningsorgaan.

Voorts wordt bij het stansproces een matrijs toegepast, die is 15 voorzien van een opneemruimte voor het opnemen van het te stansen dwarselement, het ondersteuningsorgaan en een uiteinde van het snij-orgaan. De binnenomtrek van de opneemruimte correspondeert in hoofdzaak met de omtrek van zowel het snijorgaan, het ondersteuningsorgaan en het te stansen dwarselement, zodat de opneem-20 ruimte in staat is om het snijorgaan, het ondersteuningsorgaan en het te stansen dwarselement praktisch zonder speling op te nemen.

De matrijs heeft een matrijsvlak voor het ondersteunen van het basismateriaal dat het te stansen dwarselement omringt. Het matrijsvlak en het binnenoppervlak van de opneemruimte sluiten via een 25 omtreksrand op elkaar aan. Teneinde te waarborgen dat tijdens het stansproces een goede oppervlaktekwaliteit van het omtreksvlak van het dwarselement wordt verkregen, is de omtreksrand afgeschuind, dat wil zeggen dat zich een afschuiningsvlak tussen het matrijsvlak en het binnenoppervlak van de opneemruimte bevindt, waar anders een 30 scherpe rand tussen het matrijsvlak en het binnenoppervlak van de opneemruimte aanwezig zou zijn. De oppervlaktekwaliteit is gerelateerd aan de ruwheid van het desbetreffende oppervlak. In het algemeen geldt, dat hoe ruwer het oppervlak, hoe lager de oppervlaktekwaliteit.

35 Wanneer de omtreksrand scherp zou zijn, dan zou tijdens het stansproces slechts een deel van het dwarselement door middel van snijden van het basismateriaal worden losgemaakt, terwijl een ander deel van het dwarselement door middel van scheuren van het basismateriaal zou worden losgemaakt. Het zal duidelijk zijn dat een los-.40 gescheurd deel een relatief slechte oppervlaktekwaliteit heeft.

1024530

I 4 I

I Onder toepassing van een matrijs met een afgeschuinde omtreksrand I

I wordt het losscheuren van het dwarselement van het basismateriaal I

I tot een minimum gereduceerd of zelfs helemaal voorkomen. I

I 5 In de praktijk is gebleken, dat tijdens het stansproces bramen I

I ontstaan, waarbij met het begrip "bramen" relatief smalle, losse I

I stroken basismateriaal worden bedoeld. Voorts is gebleken, dat de I

I bramen vooral bij de onderzijde van het dwarselement ontstaan. I

I Een braam ontstaat doordat in de praktijk tijdens het stans- I

I 10 proces de positie van het snij orgaan enigszins afwijkt ten opzichte I

I van de positie van de opneemruimte van de matrijs. Deze afwijking I

I treedt vooral op wanneer tijdens het stansproces meerdere dwars- I

I elementen tegelijkertijd worden gevormd. Bij een dergelijk stans- I

I proces worden meerdere snij organen, meerdere ondersteuningsorganen I

I 15 en een matrijs met meerdere opneemruimtes toegepast, waarbij de I

I snijorganen op vaste afstand van elkaar zijn opgesteld. In de I

I praktijk komt het doorgaans voor, dat de kwaliteit van de I

I positionering van het snijorgaan ten opzichte van de bijbehorende I

I opneemruimte in de matrijs per snijorgaan anders is. Bij het snij- I

I 20 orgaan dat relatief slecht ten opzichte van de bijbehorende opneem- I

I ruimte is gepositioneerd, met andere woorden, bij het snijorgaan I

I waarvan de positie in relatief hoge mate afwijkt van de positie van I

I de bijbehorende opneemruimte, is aan één kant van het snijorgaan een I

I relatief grote speling aanwezig tussen de omtrek van het snijorgaan I

I 25 en een overgang tussen het matrijsvlak en het afschuiningsvlak. In I

I het hiernavolgende zal de speling tussen de omtrek van het snij- I

I orgaan en de overgang tussen het matrijsvlak en het afschuiningsvlak I

I worden aangeduid als snijspeling. De relatief grote snijspeling is I

I er de oorzaak van, dat in een vroeg stadium van een stansbeweging I

I 30 een breuk in het basismateriaal ontstaat. Wanneer tijdens een later I

I stadium van de stansbeweging de positie van het snijorgaan door de I

I omtreksrand van de matrijs wordt gecorrigeerd, zodat het snijorgaan I

I in staat is om in de opneemruimte te bewegen, wordt het basis- I

I materiaal bij een overgang tussen het afschuiningsvlak en het I

I 35 binnenoppervlak van de opneemruimte doorgesneden. Doordat de plaats I

I waarop het basismateriaal wordt doorgesneden afwijkt van de plaats I

I waarop de breuk in het basismateriaal zich bevindt, is na het door- I

I snijden het basismateriaal een losse braam ontstaan. I

I Er is gebleken, dat de afwijking van de positie van het snij- I

I 40 orgaan doorgaans zodanig is, dat de relatief grote snijspeling zich I

I 1024530 I

5 aan de kant van de onderzijde van het te stansen dwareelement bevindt. De braam die als gevolg hiervan wordt gevormd, wordt losgesneden van het ondervlak van het te stansen dwarselement.

In het hiernavolgende wordt er vanuit gegaan, dat de mate van 5 afschuining van de omtreksrand van de matrijs is gerelateerd aan de afmetingen van het afschuiningsvlak van de matrijs in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak, dat wil zeggen in een richting in hoofdzaak haaks op de bewegingsrichting van het snij-orgaan tijdens het stansproces ofwel een richting in hoofdzaak haaks 10 op de bewegingsrichting van het te stansen dwarselement tijdens het stansproces. De omtreksrand heeft een relatief grote afschuining wanneer de afmeting van het afschuiningsvlak in genoemde richting relatief groot is, terwijl de omtreksrand een relatief kleine afschuining heeft wanneer de afmeting van het afschuiningsvlak in 15 genoemde richting relatief klein is.

In het algemeen geldt, dat hoe groter de afschuining van de omtreksrand van de matrijs, hoe groter de snijspeling kan zijn, en hoe groter de kans is op het ontstaan van bramen. Voorts geldt, dat de kans op het ontstaan van bramen toeneemt naarmate de omtreksrand 20 van de matrijs meer versleten raakt.

Het ontstaan van bramen is op zich geen probleem. Echter, wanneer er geen voorzieningen zijn om de bramen te verwijderen uit het gebied waar het stansproces plaatsvindt, dan is er een groot gevaar dat één of meer bramen van eerder gestanste dwarselementen in 25 het oppervlak van een volgend te stansen dwarselement worden gedrukt. Hierbij kunnen de bramen zowel in één of beide hoofd-lichaamsvlakken als in het omtreksvlak van het dwarselement terechtkomen. Het is ook mogelijk dat de bramen krassen op het oppervlak van een te stansen dwarselement veroorzaken.

30 Wanneer de bramen in het oppervlak van het dwarselement zijn gedrukt, dan kunnen de bramen op een gegeven moment weer losbreken uit het oppervlak van het dwarselement, waardoor een holte in het oppervlak ontstaat. Het losbreken van de bramen kan plaatsvinden tijdens nabewerkingen van het dwarselement, bijvoorbeeld tijdens een 35 trommelproces, maar kan ook plaatsvinden tijdens bedrijf van een duwband waarin het dwarselement is toegepast. Vooral in het laatste geval is er een reële kans dat de levensduur van de duwband wezenlijk wordt verkort.

Wanneer een dragervlak van het dwarselement door de bramen 40 beschadigd is, en het dwarselement in een duwband wordt toegepast, 1024530

I 6 I

I dan is er een reële kans dat een drager van de duwband wordt I

I beschadigd, hetgeen tot breuk van de drager en falen van de duwband I

I kan leiden. I

I 5 Het is een doel van de onderhavige uitvinding om het ontstaan I

I van bramen tijdens het stansproces van de dwarselementen te I

I voorkomen, met name bramen die volgens de stand van de techniek bij I

I de onderzijde van het de dwarselementen ontstaan. Het gestelde doel I

I kan volgens de onderhavige uitvinding worden bereikt door het I

I 10 reduceren van de mate waarin een gedeelte van de omtreksrand van de I

I matrijs, in ieder geval het gedeelte waar het ondervlak van de te I

I stansen dwarselementen tijdens het stansproces langs beweegt, is af- I

I geschuind. In het hiernavolgende zal dit gedeelte ook worden aan- I

I geduid als ondervlak-contactgedeelte. I

I 15 Het is een bijkomend doel van de onderhavige uitvinding om te I

I waarborgen, dat de oppervlaktekwaliteit van oppervlakken waarvoor I

I geldt dat de oppervlaktekwaliteit relatief hoog dient te zijn, niet I

I wordt verminderd als gevolg van maatregelen om het ontstaan van I

I bramen te voorkomen. Oppervlakken waarvoor dit in ieder geldt, zijn I

I 20 de dragervlakken. Volgens de onderhavige uitvinding behouden daarom I

I de gedeeltes van de omtreksrand van de matrijs waar de dragervlakken I

I van de te stansen dwarselementen tijdens het stansproces langs I

I bewegen, een relatief grote afschuining. In het hiernavolgende I

I zullen deze gedeeltes ook worden aangeduid als dragervlak-contact- I

I 25 gedeeltes. I

I Door enerzijds de mate van afschuining van het ondervlak- I

I contactgedeelte van de omtreksrand van de matrijs te reduceren en I

I anderzijds de mate van afschuining van de dragervlak-contact- I

I gedeeltes van de omtreksrand van de matrijs te handhaven wordt I

I 30 bereikt, dat tijdens het stansen van de dwarselementen het ondervlak I

I van de te stansen dwarselementen langs een gedeelte van de omtreks- I

I rand met een relatief kleine afschuining wordt bewogen, terwijl de I

I dragervlakken van de te stansen dwarselementen langs gedeeltes van I

I de omtreksrand met een relatief grote afschuining worden bewogen. Op I

I 35 deze wijze wordt de vorming van bramen aan de onderzijde van het te I

I stansen dwarselement voorkomen, zodat beschadiging van het oppervlak I

I van het te stansen dwarselement als gevolg van dergelijke bramen I

I niet meer optreedt. I

I Een ander gevolg is dat de verkregen oppervlaktekwaliteit van I

I 40 het ondervlak lager is dan bij een dwarselement dat wordt gevormd I

1024530 I

7 onder toepassing van een matrijs met een ondervlak-contactgedeelte met een relatief grote afschuining. Dit wordt veroorzaakt door het gegeven dat bij een relatief scherpe omtreksrand slechts een gedeelte van het ondervlak door middel van snijden van het basis-5 materiaal wordt losgemaakt, terwijl een ander gedeelte door middel van scheuren van het basismateriaal wordt losgemaakt. Het los-gescheurde gedeelte heeft een lage oppervlaktekwaliteit. De oppervlaktekwaliteit van het ondervlak van het dwarselement heeft echter geen invloed op het functioneren van het dwarselement in een 10 duwband, zodat het toepassen in een duwband van dwarselementen die met behulp van een matrijs met een relatief scherp ondervlak-contactgedeelte zijn gevormd geen negatieve gevolgen voor de levensduur van de duwband heeft.

Doordat de dragervlakken van het te vormen dwarselement tijdens 15 het stansproces langs de dragervlak-contactgedeeltes van de matrijs worden bewogen, welke dragervlak-contactgedeeltes volgens de onderhavige uitvinding een relatief grote afschuining hebben, worden dragervlakken met een hoge oppervlaktekwaliteit verkregen. Dit is belangrijk, omdat dragervlakken met een relatief lage oppervlakte-20 kwaliteit beschadigingen aan de dragers van een duwband kunnen veroorzaken.

Binnen het kader van de onderhavige uitvinding is het mogelijk dat alleen het ondervlak-contactgedeelte van de matrijs een relatief kleine afschuining heeft. In een dergelijk geval worden weliswaar 25 geen bramen van de onderzijde van het te vormen dwarselement af-gesneden, maar kan het voorkomen dat op andere plaatsen van het te vormen dwarselement bramen ontstaan. Deze bramen zijn relatief kort, zodat de kans op beschadiging van het oppervlak van het dwarselement relatief klein is. In het bijzonder is de kans op beschadiging van 30 een dragervlak relatief klein, omdat relatief kleine bramen niet in staat zijn om bijvoorbeeld de afstand tussen het ondervlak-contactgedeelte en één van de dragervlak-contactgedeeltes te overbruggen wanneer ze tijdens het stansproces op het matrijsvlak blijven liggen.

35 Binnen het kader van de onderhavige uitvinding is het ook mogelijk dat meer gedeeltes van de omtreksrand van de matrijs dan het ondervlak-contactgedeelte een relatief kleine afschuining hebben. In feite geldt, dat alle gedeeltes van de omtreksrand waar tijdens het stansproces een gedeelte van het omtreksvlak van het te 40 stansen dwarselement langs beweegt waarvoor geen hoge oppervlakte- 1024530

kwaliteit is vereist, relatief scherp kunnen zijn, zonder dat dit I

gevolgen heeft voor het functioneren van het dwarselement in een I

duwband. I

5 In het algemeen wordt door de onderhavige uitvinding I

bewerkstelligd, dat tijdens het stansproces ten minste één gedeelte I

van het omtreksvlak van het te stansen dwarselement langs een I

gedeelte van de omtreksrand van de matrijs met een relatief kleine I

afschuining wordt bewogen, en dat het overige gedeelte van het I

10 omtreksvlak van het te stansen dwarselement langs een gedeelte van I

de omtreksrand van de matrijs met een relatief grote afschuining I

wordt bewogen. Bij het gedeelte van het omtreksvlak dat langs de I

omtreksrand met de relatief kleine afschuining wordt bewogen, wordt I

het optreden van braamvorming voorkomen, terwijl de verkregen I

15 oppervlaktekwaliteit van het desbetreffende gedeelte relatief laag I

is. I

De onderhavige uitvinding zal nader worden toegelicht aan de

hand van de hiernavolgende beschrijving van de uitvinding onder I

20 verwijzing naar de tekening, waarin gelijke verwijzingscijfers I

gelijke of vergelijkbare onderdelen aanduiden, en waarin: I

figuur l schematisch een zijaanzicht toont van een continu variabele I

transmissie met duwband; I

figuur 2 een vooraanzicht toont van een dwarselement voor een duw- I

25 band voor een continu variabele transmissie; I

figuur 3 een zijaanzicht toont van het in figuur 2 getoonde dwars- I

element;

figuur 4 een schematische langsdoorsnede toont van een stansgébied I

van een stansinrichting alsmede daarin geplaatst basismateriaal; I

30 figuur 5a schematisch een eerste stadium van een stansbeweging I

toont; figuur 5b schematisch een tweede stadium van de stansbeweging I

toont; figuur 5c schematisch een derde stadium van de stansbeweging I

toont; en figuur 5d schematisch een vierde stadium van de stans- I

beweging toont; I

35 figuren 6a tot en met 6c schematisch het ontstaan van een braam I

tijdens de stansbeweging illustreren,- I

figuur 7 een bovenaanzicht is van een matrijs die tijdens de stans-

beweging wordt toegepast, waarbij een braam is getoond die zich op I

een matrijsvlak van de matrijs bevindt; I

1024530 I

9 figuur 8 een vooraanzicht is van een dwarselement dat tijdens de stansbeweging in contact is geweest met een braam; figuur 9 schematisch een bovenaanzicht toont van een matrijs volgens een eerste voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 5 figuur 10 schematisch een langsdoorsnede toont van de in figuur 9 getoonde matrijs volgens de lijn A-A in figuur 9; figuur 11 schematisch een bovenaanzicht toont van een matrijs volgens een tweede voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; en 10 figuur 12 schematisch een langsdoorsnede toont van de in figuur 11 getoonde matrijs volgens de lijn B-B in figuur 11.

Figuur 1 toont schematisch een continu variabele transmissie, zoals voor gebruik in een motorvoertuig. De continu variabele 15 transmissie is in zijn algemeenheid aangeduid met het verwijzings-cijfer 1.

De continu variabele transmissie 1 omvat twee op afzonderlijke poelie-assen 2, 3 aangebrachte poelies 4, 5. Een oneindige, in zichzelf gesloten duwband 6 is om de poelies 4, 5 aangebracht en dient 20 voor het overdragen van koppel tussen de poelie-assen 2, 3. Elk van de poelies 4, 5 omvat twee poelieschijven, waarbij de duwband 6 tussen genoemde twee poelieschijven is gepositioneerd en ingeklemd, zodat met behulp van wrijving een kracht tussen de poelies 4, 5 en de duwband 6 kan worden overgedragen.

25 De duwband 6 omvat ten minste één oneindige drager 7 die doorgaans is opgebouwd uit een aantal ringen. Over de gehele lengte van de drager 7 zijn dwarselementen 10 aangebracht, waarbij de dwarselementen 10 onderling tegen elkaar aanliggen en in omtreks-richting beweegbaar ten opzichte van de drager 7 zijn. Ter wille van 30 de eenvoud is in figuur 1 slechts een aantal van deze dwarselementen 10 getoond.

Figuren 2 en 3 tonen een dwarselement 10. Een voorvlak van het dwarselement 10 is in zijn algemeenheid aangeduid met het 35 verwijzingscijfer 11, terwijl een achtervlak van het dwarselement 10 in zijn algemeenheid is aangeduid met het verwijzingscijfer 12. In het hiernavolgende wordt zowel het voorvlak 11 als het achtervlak 12 ook wel aangeduid als hoofdlichaamsvlak 11, 12. Tussen de hoofd-lichaamsvlakken 11, 12 strekt zich een omtreksvlak 19 uit.

1024530

10 I

Het dwarselement 10 omvat in hoogterichting achtereenvolgens I

een basisgedeelte 13, een relatief smal nekgedeelte 14 en een pijl- I

puntvormig topgedeelte 15. In de duwband 6 bevindt het basisgedeelte I

13 zich aan de zijde van de binnenomtrek van de duwband 6, terwijl I

5 het topgedeelte 15 zich asm de zijde van de buitenomtrek van de duw- I

band 6 bevindt. Voorts ligt in een duwband 6 ten minste een gedeelte I

van het voorvlak 11 van het dwarselement 10 aan tegen ten minste een I

gedeelte van het achtervlak 12 van een volgend dwarselement 10, I

terwijl ten minste een gedeelte van het achtervlak 12 van het dwars- I

10 element 10 aanligt tegen ten minste een gedeelte van het voorvlak 11 I

van een voorgaand dwarselement 10. Het basisgedeelte 13 van het I

dwarselement 10 zoals getoond in figuur 2 omvat bij de overgang naar I

het nekgedeelte 14 twee dragervlakken 16 die dienen voor het onder- I

steunen van twee dragers 7. Voorts omvat het basisgedeelte 13 twee I

15 poelieschijf-contactvlakken 17. Wanneer het dwarselement 10 over de I

poelie 4, 5 beweegt, wordt via genoemde poelieschijf-contactvlakken I

17 contact tussen het dwarselement 10 en contactvlakken van de I

poelieschijven bewerkstelligd. Tussen de poelieschijf-contactvlakken I

17 strekt zich een ondervlak 18 uit. Zowel de dragervlakken 16, de I

20 poelieschijf-contactvlakken 17 en het ondervlak 18 maken deel uit I

van het omtreksvlak 19. I

Op het voorvlak 11 van het dwarselement 10 is een nop 21 aan- I

gebracht. De nop 21 bevindt zich in het getoonde voorbeeld op het I

topgedeelte 15, en correspondeert met een kuil in het achtervlak 12. I

25 De kuil is in figuur 3 door middel van stippellijnen weergegeven en I

aangeduid met het verwijzingscijfer 22. In de duwband 6 bevindt de I

nop 21 van het dwarselement 10 zich althans gedeeltelijk in de kuil I

22 van een volgend dwarselement 10. De nop 21 en de corresponderende I

kuil 22 dienen om onderlinge verschuiving van aangrenzende dwars- I

30 elementen 10 in een vlak haaks op de omtreksrichting van de duwband I

6 te voorkomen. I

Het topgedeelte 15 omvat twee opsluitvlakken 23 die tegenover I

de dragervlakken 16 zijn gelegen. Wanneer het dwarselement 10 in een I

duwband 6 is opgenomen, wordt een positie van de dragers 7 in I

35 radiale richting afgebakend door de dragervlakken 16 enerzijds en I

door de opsluitvlakken 23 anderzijds. Voorts omvat het topgedeelte I

15 twee op elkaar aansluitende bovenvlakken 24, die elk bij een I

uiteinde aansluiten op een opsluitvlak 23 van het topgedeelte 15. I

Zowel de opsluitvlakken 23 als de bovenvlakken 24 maken deel uit van I

40 het omtreksvlak 19. I

1024530 I

11

Hieronder zal een op zich bekend stansproces van het dwars-element 10 worden uitgelegd aan de hand van figuren 4 en 5a tot en met 5d.

5 In figuur 4 zijn een stansgebied van een stansinrichting 60 en daarin geplaatst plaatvormig basismateriaal 50 schematisch weergegeven. De stansinrichting 60 omvat een snijorgaan 30 dat is bestemd voor het uitsnijden van het dwarselement 10 uit het basismateriaal 50. Het snijorgaan 30 is opgenomen in een geleidingsruimte 10 36 in een geleidingsplaat 35 die als belangrijke functie het geleiden van het snijorgaan 30 tijdens een stansbeweging heeft. In het verlengde van het snijorgaan 30 is een ondersteuningsorgaan 40 opgesteld, dat is bestemd om het dwarselement 10 tijdens het stansproces te ondersteunen. De omtrek van zowel het snijorgaan 30 als 15 het ondersteuningsorgaan 40 correspondeert in hoofdzaak met de omtrek van het te stansen dwarselement 10. Het ondersteuningsorgaan 40 is opgenomen in een opneemruimte 46 in een matrijs 45 die als belangrijke functie het tijdens een stansbeweging geleiden van zowel het snijorgaan 30, het ondersteuningsorgaan 40 en het dwarselement 20 10 heeft. De binnenomtrek van de opneemruimte 46 correspondeert in hoofdzaak met de omtrek van zowel het snijorgaan 30, het ondersteuningsorgaan 40 en het dwarselement 10. Het basismateriaal 50 bevindt zich initieel tussen het snijorgaan 30 en de geleidingsplaat 35 enerzijds en het ondersteuningsorgaan 40 en de matrijs 45 ander-25 zijds. Een gedeelte van het basismateriaal 50 dat zich tussen het snijorgaan 30 en het ondersteuningsorgaan 40 bevindt, is bestemd om het dwarselement 10 te vormen, en zal hiernavolgend worden aangeduid als stansgedeelte 51. Een ander gedeelte van het basismateriaal 50, namelijk het gedeelte dat zich tussen de geleidingsplaat 35 en de 30 matrijs 45 bevindt, zal hiernavolgend worden aangeduid als rest-gedeelte 52.

De matrijs 45 omvat een matrijsvlak 47 dat als belangrijke functie het ondersteunen van het restgedeelte 52 van het basismateriaal 50 heeft. Een binnenoppervlak van de opneemruimte 46 van 35 de matrijs 45 sluit via een omtreksrand 48 aan op het matrijsvlak 47. De omtreksrand 48 is afgeschuind, dat wil zeggen dat zich een afschuiningsvlak 49 tussen het matrijsvlak 47 en het binnenoppervlak van de opneemruimte 46 uitstrekt. Zonder het afschuiningsvlak 49 zouden het matrijsvlak 47 en het binnenoppervlak van de opneemruimte 40 46 over een scherpe hoek van in hoofdzaak 90“ op elkaar aansluiten.

1024530

I 12 I

I Zoals reeds eerder opgemerkt, zou onder toepassing van een matrijs I

I 45 met een schede omtreksrand 48 een dwarselement 10 worden I

I verkregen waarvan het omtreksvlak 19 een lage oppervlaktekwaliteit I

I heeft. I

I 5 I

I In het hiernavolgende wordt een stansbeweging beschreven aan de I

I hand van figuren 5a tot en met 5d, waarin schematisch verschillende I

I opeenvolgende stadia van de stansbeweging zijn weergegeven. I

I In een eerste stadium of beginstadium, zoals schematisch I

I 10 getoond in figuur 5a, is het stansgedeelte 51 van het basismateriaal I

I 50 ingeklemd tussen het snijorgaan 30 en het ondersteuningsorgaan I

I 40, terwijl het restgedeelte 52 is ingeklemd tussen een geleidings- I

I vlak 37 van de geleidingsplaat 35 en het matrijsvlak 47 van de I

I matrijs 45. Hierbij werken de klemkrachten in een richting in I

I 15 hoofdzaak haaks op het geleidingsvlak 37 en het matrijsvlak 47. I

I In een tweede stadium, zoals schematisch getoond in figuur 5b, I

I wordt het geheel van snijorgaan 30, stansgedeelte 51 en onder- I

I steuningsorgaan 40 onder druk bewogen ten opzichte van de I

I geleidingsplaat 35, het restgedeelte 52 en de matrijs 45. Hierbij is I

I 20 de bewegingsrichting in hoofdzaak haaks op het geleidingsvlak 37 en I

I het matrijsvlak 47. Als gevolg van de onderlinge beweging dringt het I

I snijorgaan 30 in het basismateriaal 50 en wordt het stansgedeelte 51 I

I in de opneemruimte 46 van de matrijs 45 gedrukt. I

I In een derde stadium, zoals schematisch getoond in figuur 5c, I

I 25 raakt als gevolg van de voortgaande onderlinge beweging het stans- I

I gedeelte 51 helemaal los van het restgedeelte 52. Hierna worden de I

I geleidingsplaat 35 en het snijorgaan 30 ten opzichte van de matrijs I

I 45 en het ondersteuningsorgaan 40 teruggetrokken, waarbij het rest- I

I gedeelte 52 contact blijft houden met het geleidingsvlak 37 en het I

I 30 contact met het matrijsvlak 47 verliest. I

I In een vierde stadium, zoals schematisch getoond in figuur 5d, I

I is als gevolg van de onderlinge beweging van de geleidingsplaat 35 I

I en het snijorgaan 30 enerzijds en de matrijs 45 en het onder- I

I steuningsorgaan 40 anderzijds het restgedeelte 52 op afstand van het I

I 35 matrijsvlak 47 komen te liggen. Op deze positie kan het restgedeelte I

I 52 worden uitgenomen. Voorts is het ondersteuningsorgaan 40 zodanig I

I ten opzichte van de matrijs 45 bewogen, dat het stansgedeelte 51 I

I boven het niveau van het matrijsvlak 47 is komen te liggen, zodat I

I het stansgedeelte 51 eveneens kan worden uitgenomen. Hierbij kan het I

I 40 ondersteuningsorgaan 40 als uitstootorgaan fungeren. I

1024530 I

13

In de praktijk kan het tijdens het stansproces van het dwars-element 10 voorkomen dat één of meer bramen van het restgedeelte 52 worden afgesneden. Een belangrijke oorzaak hiervoor is een afwijking van de positie van het snijorgaan 30 ten opzichte van de positie van 5 de opneemruimte 46 van de matrijs 45, die aanwezig kan zijn voordat tijdens de stansbeweging een uiteinde van het snijorgaan 30 de opneemruimte 46 binnengaat. Wanneer een dergelijke afwijking aanwezig is, wordt de positie van het snijorgaan 30 tijdens de stansbeweging gecorrigeerd door de omtreksrand 48 van de matrijs 45. Voorafgaand 10 aan de correctie kan een breuk in het restgedeelte 52 zijn ontstaan, die leidt tot de vorming van een braam, op een wijze zoals hieronder aan de hand van figuren 6a tot en met 6c zal worden verduidelijkt.

Figuren 6a tot en met 6c tonen schematisch verschillende stadia 15 van een stansbeweging. Ter wille van de overzichtelijkheid is de geleidingsplaat 35 niet in de figuren getoond.

In figuur 6a is schematisch het beginstadium van de stansbeweging getoond, waarbij op een overdreven wijze een afwijking van de positie van het snijorgaan 30 ten opzichte van de opneemruimte 46 20 van de matrijs 45 is weergegeven. Aan één kant bevindt zich een relatief grote speling tussen de omtrek van het snijorgaan 30 en een overgang 44 tussen het matrijsvlak 47 en het afschuiningsvlak 49. Deze speling is in figuur 6a schematisch aangeduid door middel van een dubbele pijl, en wordt in het hiernavolgende aangeduid als snij-25 speling.

In figuur 6b is schematisch een volgend stadium getoond, waarin het snijorgaan 30 en de matrijs 45 zover naar elkaar toe zijn bewogen, dat het uiteinde van het snijorgaan 30 in contact is met het afschuiningsvlak 49 van de matrijs 45. Als gevolg van de 30 relatief grote snij speling is tijdens deze beweging een breuk 54 in het basismateriaal 50 gevormd, die zich vanaf het afschuiningsvlak 49 uitstrekt tot de omtrek van het snijorgaan 30.

Zodra het snijorgaan 30 het afschuiningsvlak 49 raakt, begint onder invloed van de druk die op het snijorgaan 30 wordt uitgeoefend 35 een proces waarin de positie van het snijorgaan 30 zodanig wordt gecorrigeerd, dat dit in staat is om in de opneemruimte 46 van de matrijs 45 te bewegen. Tijdens deze beweging wordt het stansgedeelte 51 losgesneden van het restgedeelte 52. Zodra het stansgedeelte 51 en het restgedeelte 52 helemaal los van elkaar zijn, is een losse 40 braam 53 verkregen in de vorm van een relatief klein gedeelte van 1024530

I 14 I

I het restgedeelte 52 dat door de breuk 54 van het overige gedeelte I

I van het restgedeelte 52 gescheiden is. Figuur 6c toont schematisch I

I een stadium van de stansbeweging waarin de braam 53 en het dwars- I

I element 10 zojuist zijn gevormd. I

I 5 Wanneer de braam 53 niet uit het stansgebied wordt verwijderd, I

I en bijvoorbeeld tegen het matrijsvlak 47 blijft plakken onder I

I invloed van de aldaar aanwezige smeermiddelen, dan kan de braam 53 I

I tijdens een volgende stansbeweging bijvoorbeeld tussen het basis- I

I materiaal 50 en het ondersteuningsorgaan 40 terechtkomen en onder I

I 10 invloed van de tijdens de stansbeweging heersende druk een I

I beschadiging van het voorvlak 11 van het te stansen dwarselement 10 I

I veroorzaken. I

I In figuur 7 is een willekeurig voorbeeld getoond van de positie I

I die de braam 53 op het matrijsvlak 47 ten opzichte van de omtreks- I

I 15 rand 48 kan innemen. I

I In figuur 7 is te zien dat de omtreksrand 48 van de matrijs 45 I

I verschillende gedeeltes omvat, waaronder een ondervlak-contact- I

I gedeelte 71 waar tijdens het stansproces het ondervlak 18 van het te I

I vormen dwarselement 10 langs beweegt, twee dragervlak-contact- I

I 20 gedeeltes 72 waar tijdens het stansproces de dragervlakken 16 van I

I het te vormen dwarselement 10 langs bewegen, en twee bovenvlak- I

I contactgedeeltes 73 waar tijdens het stansproces de bovenvlakken 24 I

I van het te vormen dwarselement 10 langs bewegen. I

I 25 In figuur 8 is een voorbeeld getoond van een dwarselement 10 I

I waarvan het voorvlak 11 door een braam 53 beschadigd is. De I

I beschadiging is ontstaan doordat tijdens het stansproces de braam 53 I

I in het voorvlak 11 is gedrukt en vervolgens tijdens een nabewerking I

I van het dwarselement 10 weer is losgekomen. Op deze wijze zijn twee I

I 30 sleufvormige holtes 25 op het voorvlak 11 van het dwarselement 10 I

I ontstaan. I

I Voornamelijk als gevolg van de wijze waarop in de praktijk het I

I snijorgaan 30 tijdens de stansbeweging wordt belast, is de afwijking I

I 35 van de positie van het snijorgaan 30 ten opzichte van de opneem- I

I ruimte 46 van de matrijs 45 doorgaans zodanig, dat aan de kant van I

I het ondervlak 18 van het dwarselement 10 een braam 53 wordt los- I

I gesneden. Een dergelijke braam 53 is relatief lang en kan I

I beschadigingen van de dragervlakken 16 veroorzaken, die zo ernstig I

1024530 I

15 zijn, dat het verkregen dwarselement 10 ongeschikt is om in een duw-band 6 te worden toegepast.

Volgens de onderhavige uitvinding wordt door middel van een reductie van de afschuining van één of meer gedeeltes van de 5 omtreksrand 48, met andere woorden een verkleining van de afmeting van het afschuiningsvlak 49 in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak 47 ter plaatse van één of meer gedeeltes, de vorming van bramen 53 bij genoemde één of meer gedeeltes voorkomen. Aangezien in het algemeen geldt dat een reductie van de afschuining 10 een verslechtering van de oppervlaktekwaliteit met zich meebrengt, doordat tijdens het stansproces een groter gedeelte van het desbetreffende oppervlak van omringend materiaal wordt losgescheurd in plaats van losgesneden, is het belangrijk dat de afschuining niet bij alle gedeeltes van de omtreksrand 48 wordt verkleind. In het 15 bijzonder dienen de dragervlak-contactgedeeltes 72 een relatief grote afschuining te behouden, omdat het voor het functioneren van het dwarselement 10 in een duwband 6 belangrijk is dat de drager-vlakken 16 van het dwarselement 10 een hoge oppervlaktekwaliteit hebben. In het algemeen geldt, dat gedeeltes van de omtreksrand 48 20 die tijdens het stansproces in contact komen met vlakken van het te vormen dwarselement 10 die een hoge oppervlaktekwaliteit dienen te verkrijgen, een relatief grote afschuining dienen te hebben. Het zijn normaliter niet alleen de dragervlakken 16 die een hoge oppervlaktekwaliteit dienen te verkrijgen, maar bijvoorbeeld ook de 25 opsluitvlakken 23.

Bij gangbare afmetingen van het dwarselement 10 geldt voor de matrijs 45 die wordt toegepast tijdens het stansproces van het dwarselement 10 dat de afmeting van het afschuiningsvlak 49 in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak 47 bij een 30 relatief grote afschuining bijvoorbeeld is gelegen tussen 0,2 mm en 0,25 mm, terwijl genoemde afmeting bij een relatief kleine afschuining bijvoorbeeld is gelegen tussen 0,05 mm en 0,1 mm.

Binnen het kader van de onderhavige uitvinding is het tevens mogelijk om een afmeting van het afschuiningsvlak 49 in een richting 35 in hoofdzaak haaks op het matrijsvlak 47, dat wil zeggen in een richting in hoofdzaak parallel met de bewegingsrichting van het snijorgaan tijdens het stansproces ofwel een richting in hoofdzaak parallel met de bewegingsrichting van het te stansen dwarselement tijdens het stansproces, te reduceren. Dit is echter niet nood-40 zakelijk, omdat deze afmeting van het afschuiningsvlak 49 niet is 1024530

I 16 I

I gerelateerd aan de grootte van de snijspeling. Echter, wanneer er I

I bijvoorbeeld voor wordt gekozen om de afschuining te reduceren en I

I tegelijkertijd een hoek tussen het matrijsvlak 47 en het af- I

I schuiningsvlak 49 te handhaven, dan wordt zowel de afmeting van het I

I 5 afschuiningsvlak 49 in een richting in hoofdzaak parallel met het I

I matrijsvlak 47 als de afmeting van het afschuiningsvlak 49 in een I

I richting in hoofdzaak haaks op het matrijsvlak 47 gereduceerd. In I

I dat geval wordt een matrijs 45 verkregen, waarbij een hoek tussen I

I het matrijsvlak 47 en het afschuiningsvlak 49 voor alle gedeeltes I

I 10 van de omtreksrand 48 in hoofdzaak gelijk is, en waarbij de I

I gedeeltes van de omtreksrand 48 met een relatief kleine afschuining I

I tevens een relatief kleine afmeting in een richting in hoofdzaak I

I haaks op het matrijsvlak 47 hebben. I

I 15 In figuren 9 en 10 wordt een matrijs 45 volgens een eerste I

I voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding getoond. In I

I deze matrijs 45 is de afschuining van het ondervlak-contactgedeelte I

I 71 kleiner dan de afschuining van de overige gedeeltes van de I

I omtreksrand 48, met andere woorden, de afmeting van het af- I

I 20 schuiningsvlak 49 in een richting in hoofdzaak parallel met het I

I matrijsvlak 47 is bij het ondervlak-contactgedeelte 71 kleiner dan I

I bij de overige gedeeltes van de omtreksrand 48. I

I Doordat het ondervlak-contactgedeelte 71 een relatief kleine I

I afschuining heeft, wordt tijdens een stansproces waarin de matrijs I

I 25 45 wordt toegepast, braamvorming bij het ondervlak-contactgedeelte I

I 71 voorkomen. Een ondervlak 18 van een dwarselement 10 dat onder I

I toepassing van de matrijs 45 wordt verkregen, heeft een lagere I

I oppervlaktekwaliteit dan de overige vlakken die deel uitmaken van I

I het omtreksvlak 19 van het dwarselement 10. I

I 30 I

I In figuren 11 en 12 wordt een matrijs 45 volgens een tweede I

I voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding getoond. In I

I deze matrijs 45 zijn de afschuining van het ondervlak-contact- I

I gedeelte 71 en de afschuining van de bovenvlak-contactgedeeltes 73 I

I 35 kleiner dan de afschuining van de overige gedeeltes van de omtreks- I

I rand 48, met andere woorden, de afmeting van het afschuiningsvlak 49 I

I in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak 47 is bij I

I het ondervlak-contactgedeelte 71 en de bovenvlak-contactgedeeltes 73 I

I kleiner dan bij de overige gedeeltes van de omtreksrand 48. I

.1024530 I

17

Doordat het ondervlak-contactgedeelte 71 en de bovenvlak-contactgedeeltes 73 een relatief kleine afschuining hebben, wordt tijdens een stansproces waarin de matrijs 45 wordt toegepast, braam-vorming bij het ondervlak-contactgedeelte 71 en de bovenvlak-5 contactgedeeltes 73 voorkomen. Een ondervlak 18 en bovenvlakken 24 van een dwarselement 10 dat onder toepassing van de matrijs 45 wordt verkregen, hebben een lagere oppervlaktekwaliteit dan de overige vlakken die deel uitmaken van het omtreksvlak 19 van het dwarselement 10.

10 Het is niet nodig dat de afmeting van het afschuiningsvlak 49 in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak 47 bij het ondervlak-contactgedeelte 71 gelijk is aan genoemde afmeting bij de bovenvlak-contactgedeeltes 73. Het is belangrijk dat genoemde afmeting zowel bij het ondervlak-contactgedeelte 71 als bij de boven-15 vlak-contactgedeeltes 73 kleiner is dan bij de overige gedeeltes van de omtreksrand 48.

De toepassing van de matrijs 45 volgens de eerste voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding heeft ten opzichte van 20 de toepassing van de matrijs 45 volgens de tweede voorkeursuitvoeringsvorm de voorkeur in situaties waarin een goede oppervlaktekwaliteit van de bovenvlakken 24 van het dwarselement 10 vereist is. Dit is bijvoorbeeld het geval wanneer ter markering van het dwarselement 10 een stempel op de bovenvlakken 24 wordt aan-25 gebracht.

Wanneer de onderhavige uitvinding tijdens het stansproces van een dwarselement 10 wordt toegepast, dan wordt het probleem van het ontstaan van bramen 53 bij vlakken van het omtreksvlak 19 van het 30 dwarselement 10 opgelost, waarbij een lagere oppervlaktekwaliteit van de desbetreffende vlakken wordt verkregen. De lagere oppervlaktekwaliteit vormt echter geen nieuw probleem zolang deze niet wordt verkregen voor vlakken van het omtreksvlak 19 waarvoor het belangrijk is dat de oppervlaktekwaliteit hoog is, bijvoorbeeld 35 de dragervlakken 16 die dienen om in een duwband 6 de dragers 7 van de duwband 6 te ondersteunen, en de opsluitvlakken 23 die dienen om in een duwband een positie van de dragers 7 van de duwband 6 in radiale richting van de duwband 6 af te bakenen.

1024530

I 18 I

I Het zal voor een deskundige duidelijk zijn dat de ontvang van de I

I onderhavige uitvinding niet is beperkt tot de in het voorgaande I

I besproken voorbeelden, maar dat diverse wijzigingen en modificaties I

I daarvan mogelijk zijn zonder af te wijken van de ontvang van de I

I 5 uitvinding zoals gedefinieerd in de aangehechte conclusies. I

I In het voorgaande is een werkwijze beschreven, die geschikt is I

I om te worden toegepast voor het vormen van een dwarselement 10 dat I

I bestemd is om deel uit te maken van een duwband 6 voor een continu I

I 10 variabele transmissie 1, welk dwarselement 10 twee hoofdlichaams- I

I vlakken 11, 12 en een omtreksvlak 19 heeft. Het dwarselement 10 I

I wordt tijdens een stansbeweging uit basismateriaal 50 gestanst, I

I waarbij onder meer een matrijs 45 met een opneemruimte 46 wordt I

I toegepast. Wanneer het dwarselement 10 tijdens de stansbeweging de I

I 15 opneemruimte 46 binnengaat, beweegt het omtreksvlak 19 van het I

I dwarselement 10 langs een afgeschuinde omtreksrand 48 van de matrijs I

I 45. I

I Ten minste één gedeelte van de omtreksrand 48 van de matrijs 45 I

I heeft een relatief kleine afschuining, terwijl het overige gedeelte I

I 20 van de omtreksrand 48 een relatief grote afschuining heeft. Bij het I

I eerstgenoemde gedeelte van de omtreksrand 48 wordt braamvorming I

I tijdens de stansbeweging voorkomen, terwijl bij het laatstgenoemde I

I gedeelte van de omtreksrand 48 een relatief hoge oppervlakte- I

I kwaliteit van het omtreksvlak 19 van het dwarselement 10 wordt I

I 25 verkregen. I

I 1024530 I

Claims (13)

1. Werkwijze voor het vormen van een dwarselement (10) dat bestemd is om deel uit te maken van een duwband (6) voor een continu variabele transmissie (1), welk dwarselement (10) twee hoofd-lichaamsvlakken (11, 12) en een zich tussen de hoofdlichaamsvlakken 5 (11, 12) uitstrekkend omtreksvlak (19) heeft, waarbij het dwarselement (10) tijdens een stansbeweging uit basismateriaal (50) wordt gestanst onder toepassing van een snijorgaan (30), een ondersteuningsorgaan (40) en een matrijs (45) met een op-neemruimte (46) voor het opnemen van het te stansen dwarselement 10 (10), het ondersteuningsorgaan (40) en een uiteinde van het snijorgaan (30); waarbij tijdens een stansbeweging het te stansen dwarselement (10) is ingeklemd tussen het snijorgaan (30) en het ondersteuningsorgaan (40), waarbij het snijorgaan (30), het te stansen dwarselement (10) 15 en het ondersteuningsorgaan (40) enerzijds en de matrijs (45) anderzijds ten opzichte van elkaar worden bewogen; en waarbij het omtreksvlak (19) van het te stansen dwarselement (10) bij het binnengaan van de opneemruimte (46) van de matrijs (45) langs een afgeschuinde omtreksrand (48) van de matrijs (45) wordt 20 bewogen, waarbij ten minste één gedeelte van het omtreksvlak (19) van het te stansen dwarselement (10) langs een gedeelte van de omtreksrand (48) van de matrijs (45) met een relatief kleine af-schuining wordt bewogen, en waarbij het overige gedeelte van het omtreksvlak (19) van het te stansen dwarselement (10) langs een 25 gedeelte van de omtreksrand (48) van de matrijs (45) met een relatief grote afschuining wordt bewogen.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, geschikt om te worden toegepast ten behoeve van het vormen van een dwarselement (10) waarvan het 30 omtreksvlak (19) de volgende vlakken omvat: - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen drager-vlakken (16) voor het ondersteunen van dragers (7) van de duwband (6); - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen poelie- 35 schijf-contactvlakken (17) voor het tot stand brengen van contact tussen het dwarselement (10) en poelieschijven van een poelie (4, 5) van een continu variabele transmissie (1); en 1024530

20 I - een ondervlak (18); I waarbij de poelieschijf-contactvlakken (17) enerzijds aansluiten op I de dragervlakken (16) en anderzijds aansluiten op het ondervlak I (18); I 5 waarbij tijdens de stansbeweging bij het binnengaan van de opneem- I ruimte (46) van de matrijs (45) het ondervlak (18) van het te I stansen dwarselement (10) langs een gedeelte (71) van de omtreksrand I (48) met een relatief kleine afschuining wordt bewogen, en de I dragervlakken (16) van het te stansen dwarselement (10) langs I 10 gedeeltes (72) van de omtreksrand (48) met een relatief grote I afschuining worden bewogen. I

3. Werkwijze volgens conclusie l of 2, geschikt om te worden toe- I gepast ten behoeve van het vormen van een dwarselement (10) waarvan I 15 het omtreksvlak (19) de volgende vlakken omvat: I - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen opsluit- I vlakken (23) voor het in radiale richting van de duwband (6) af- I bakenen van een positie van dragers (7) van de duwband (6); en I - twee op elkaar aansluitende bovenvlakken (24), die elk bij een I 20 uiteinde aansluiten op een opsluitvlak (23); I waarbij tijdens de stansbeweging bij het binnengaan van de opneem- I ruimte (46) van de matrijs (45) de bovenvlakken (24) van het te I stansen dwarselement (10) langs een gedeelte (73) van de omtreksrand I (48) met een relatief kleine afschuining wordt bewogen, en de op- I 25 sluitvlakken (23) van het te stansen dwarselement (10) langs I gedeeltes van de omtreksrand (48) met een relatief grote afschuining I worden bewogen. I

4. Werkwijze volgens een willekeurige der conclusies 1-3, waarbij I 30 het gedeelte van de omtreksrand (48) van de matrijs (45) met de I relatief kleine afschuining, waar ten minste één gedeelte van het I omtreksvlak (19) van het te stansen dwarselement (10) langs wordt I bewogen, een relatief kleine afmeting in een richting in hoofdzaak I parallel met een bewegingsrichting van het te stansen dwarselement I 35 (10) heeft, en waarbij het gedeelte van de omtreksrand (48) van de I matrijs (45) met de relatief grote afschuining, waar het overige I gedeelte van het omtreksvlak (19) van het te stansen dwarselement I (10) langs wordt bewogen, een relatief grote afmeting in een I richting in hoofdzaak parallel met de bewegingsrichting van het te I 40 stansen dwarselement (10) heeft. I 1024530 I

5. Matrijs (45), geschikt om te worden toegepast ten behoeve van een stansproces waarin een dwarselement (10) voor een duwband (6) voor een continu variabele transmissie (1) tijdens een stansbeweging uit basismateriaal (50) wordt gestanst onder verdere toepassing van 5 een snijorgaan (30) en een ondersteuningsorgaan (40), waarbij tijdens een stansbeweging het te stansen dwarselement (10) is ingeklemd tussen het snijorgaan (30) en het ondersteuningsorgaan (40), waarbij het snijorgaan (30), het te stansen dwarselement (10) en het ondersteuningsorgaan (40) enerzijds en de matrijs (45) anderzijds 10 ten opzichte van elkaar worden bewogen; welke matrijs (45) een opneemruimte (46) voor het opnemen van het te stansen dwarselement (10), het ondersteuningsorgaan (40) en een uiteinde van het snijorgaan (30) heeft, alsmede een matrijsvlak (47) voor het ondersteunen van materiaal (52) dat het te stansen dwars-15 element (10) omringt, waarbij het matrijsvlak (47) en een binnen-oppervlak van de opneemruimte (46) via een afschuiningsvlak (49) op elkaar aansluiten; waarbij een afmeting van ten minste één gedeelte van het afschuiningsvlak (49) in een richting in hoofdzaak parallel met het 20 matrijsvlak (47) relatief klein is, en waarbij een afmeting van het overige gedeelte van het afschuiningsvlak (49) in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak (47) relatief groot is.

6. Matrijs (45) volgens conclusie 5, geschikt om te worden toe-25 gepast ten behoeve van een stansproces voor het vormen van een dwarselement (10) met twee hoofdlichaamsvlakken (11, 12) en een zich tussen de hoofdlichaamsvlakken (11, 12) uitstrekkend omtreksvlak (19), waarbij het omtreksvlak (19) de volgende vlakken omvat: - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen drager-30 vlakken (16) voor het ondersteunen van dragers (7) van de duwband (6) ; - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen poelie-schijf-contactvlakken (17) voor het tot stand brengen van contact tussen het dwarselement (10) en poelieschijven van een poelie (4, 5) 3. van een continu variabele transmissie (1); en - een ondervlak (18) ; waarbij de poelieschijf-contactvlakken (17) enerzijds aansluiten op de dragervlakken (16) en anderzijds aansluiten op het ondervlak (18); 1024530 I 22 I I waarbij een afmeting van het afschuiningsvlak (49) in een richting I I in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak (47) ter plaatse van een I I gedeelte (71) van de omtreksrand (48) dat is bestemd om tijdens de I I stansbeweging in contact te komen met het ondervlak (18) van het te I I 5 stansen dwarselement (10), relatief klein is, en een afmeting van I I het afschuiningsvlak (49) in een richting in hoofdzaak parallel met I I het matrijsvlak (47) ter plaatse van gedeeltes (72) van de omtreks- I I rand (48) die zijn bestemd om tijdens de stansbeweging in contact te I I komen met de dragervlakken (16) van het te stansen dwarselement I I 10 (10), relatief groot is. I

7. Matrijs (45) volgens conclusie 5 of 6, geschikt om te worden I I toegepast ten behoeve van een stansproces voor het vormen van een I I dwarselement (10) met twee hoofdlichaamsvlakken (11, 12) en een zich I I 15 tussen de hoofdlichaamsvlakken (11, 12) uitstrekkend omtreksvlak I I (19), waarbij het omtreksvlak (19) de volgende vlakken omvat: I I - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen opsluit- I I vlakken (23) voor het in radiale richting van de duwband (6) af- I I bakenen van een positie van dragers (7) van de duwband (6); en I I 20 twee op elkaar aansluitende bovenvlakken (24), die elk bij een I I uiteinde aansluiten op een opsluitvlak (23); I I waarbij een afmeting van het afschuiningsvlak (49) in een richting I I in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak (47) ter plaatse van een I I gedeelte (73) van de omtreksrand (48) dat is bestemd om tijdens de I I 25 stansbeweging in contact te komen met de bovenvlakken (24) van het I I te stansen dwarselement (10), relatief klein is, en een afmeting van I I het afschuiningsvlak (49) in een richting in hoofdzaak parallel met I I het matrijsvlak (47) ter plaatse van gedeeltes van de omtreksrand I I (48) die zijn bestemd om tijdens de stansbeweging in contact te I I 30 komen met de opsluitvlakken (23) van het te stansen dwarselement I I (10), relatief groot is. I

8. Matrijs (45) een willekeurige der conclusies 5-7, waarbij de I I relatief kleine afmeting van het afschuiningsvlak (49) in een I I 35 richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak (47) is gelegen I I in een bereik van 0,05 mm tot 0,1 mm, en waarbij de relatief grote I I afmeting van het afschuiningsvlak (49) in een richting in hoofdzaak I I parallel met het matrijsvlak (47) is gelegen in een bereik van 0,2 I I mm tot 0,25 mm. I .1024530 I

9. Matrijs (45) volgens een willekeurige der conclusies 5-8, waarbij het gedeelte van het afschuiningsvlak (49) dat in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak (47) een relatief kleine afmeting heeft, tevens in een richting in hoofdzaak haaks op 5 het matrijsvlak (47) een relatief kleine afmeting heeft, en waarbij het gedeelte van het afschuiningsvlak (49) dat in een richting in hoofdzaak parallel met het matrijsvlak (47) een relatief grote afmeting heeft, tevens in een richting in hoofdzaak haaks op het matrijsvlak (47) een relatief grote afmeting heeft. 10

10. Matrijs (45) volgens een willekeurige der conclusies 5-9, waarbij een hoek tussen het matrijsvlak (47) en het afschuiningsvlak (49) voor een willekeurig gedeelte van het afschuiningsvlak (49) in hoofdzaak gelijk is aan genoemde hoek voor een willekeurig einder 15 gedeelte van het afschuiningsvlak (49).

11. Dwarselement (10), bestemd om deel uit te maken van een duwband (6) voor een continu variabele transmissie (1), omvattende twee hoofdlichaamsvlakken (11, 12) en een zich tussen de hoofdlichaams- 20 vlakken (11, 12) uitstrekkend omtreksvlak (19), waarbij een oppervlaktekwaliteit van ten minste één gedeelte van het omtreksvlak (19) lager is dan een oppervlaktekwaliteit van het overige gedeelte van het omtreksvlak (19).

12. Dwarselement (10) volgens conclusie 11, omvattende: - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen drager-vlakken (16) voor het ondersteunen van dragers (7) van de duwband (6); - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen poelie-30 schijf-contactvlakken (17) voor het tot stand brengen van contact tussen het dwarselement (10) en poelieschijven van een poelie (4, 5) van een continu variabele transmissie (1); en - een ondervlak (18); waarbij de poelieschijf-contactvlakken (17) enerzijds aansluiten op 35 de dragervlakken (16) en anderzijds aansluiten op het ondervlak (18); waarbij een oppervlaktekwaliteit van het ondervlak (18) lager is dan een oppervlaktekwaliteit van de dragervlakken (16) . .1024530 I 24 I

13. Dwarselement (10) volgens conclusie 11 of 12, omvattende: I I - twee aan weerszijden van het dwarselement (10) gelegen opsluit- I I vlakken (23) voor het in radiale richting van de duwband (6) af- I I bakenen van een positie van dragers (7) van de duwband (6); en I I 5 twee op elkaar aansluitende bovenvlakken (24), die elk bij een I I uiteinde aansluiten op een opsluitvlak (23); I I waarbij een oppervlaktekwaliteit van de bovenvlakken (24) lager is I I dan een oppervlaktekwaliteit van de opsluitvlakken (23). I f024530 I