KR980011612A

KR980011612A - 플라즈마 디스플레이판넬 및 그 격벽형성방법.

Info

Publication number: KR980011612A
Application number: KR1019960058156A
Authority: KR
Inventors: 다쓰토시 가나에; 마사유키 시라이시
Original assignee: 세키사와 다다시; 후지쓰 가부시키카이샤
Priority date: 1996-07-11
Filing date: 1996-11-27
Publication date: 1998-04-30
Also published as: FR2751127A1; US5990617A; FR2751127B1; KR100272741B1; TW382677B; JP3209925B2; JPH1027542A

Abstract

격벽의 박리를 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 기판상에 방전공간을 분할하는 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법에 있어서, 상기 기판의 격벽형성면을 소정의 깊이로 조면화하고, 조면화한 격벽형성면(바람직하게는 표면조도 4∼6㎛의 요철면)에 격벽재료층을 적층한후, 그 격벽재료층상에 대응한 마스킹패턴의 마스크를 설치하고 연마재의 불어 붙임으로써 격벽재료층을 부분으로 제거하여 마스크 아래에 격벽을 형성하고 그 마스크를 제고하는 것을 특지응로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽 형성 방법으로서 상기 과제를 해결한다.

Description

플라즈마 디스플레이판넬 및 그 격벽형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽(隔璧)형성방법을 도시한 개략단면공정도.

제2도는 본 발명에 의하여 형성된 격벽의 효과를 설명하기 위한 개략단면도.

제3도는 본 발명에 적용되는 AC구동형식의 3전극형 면방전 PDP의 개략사시도.

제4도는 제3도의 X-X 선의 개략단면도.

제5도는 제3도의 투명전극 및 버스전극부근의 Y-Y선 개략단면도.

본 발명은 플라즈마 디스플레이판넬 및 그의 격벽형성 방법에 관한 것이다. 더 상세히는 본 발명은, 격벽의 박리가 생기지 않는 격벽형성방 방법 및 플라즈마 디스플레이판넬에 관한 것이다.

근년, 표시장치에서의 표시화면의 박리화와 대형화의 요구가 커지고 있다. 각종의 표시장치중, 플라즈마 디스플레이판넬(이하 PDP라 칭한다)은 박형으로 칼라화 및 대면적화가 용이하고, 자기 발광형으로 시인성(視認性)이 우수하다, 그 때문에, 예를 들면, 대화면 벽걸이텔레비전의 최유력 후보로서 기대 되고 있다.

PDP는 한쌍의 기판을 설치하여 대향 배열하고, 주위를 봉지함으로써 내부에 방전공간을 형성한 표시장치이다.

일반적으로 PDP는 방전공간을 분할하기 위하여 한쪽의 기판상에 격벽이 설치되어 있다. 예를들면, 칼라표시에 적합한 PDP의 경우, 띠상의 격벽이 틈으로 기판상에 형성되고, 격벽사이에 형광체층이 배설되어 있다.

상기 격벽의 형성방법으로서, 유리 페이스트(paste)를 스크린 인쇄법으로서 도포하고, 그후 소성하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나 이 방법으로는 격벽의 폭과 배열피치의 축소가 곤란하고, 표시의 고정화(高精化)를 바랄수 없다. 또 표시면을 대형화하고자 하면, 스크린 마스크의 수축으로 기인하여 격벽과 전극간의 배치관계를 표시면의 전체에 걸쳐 균일하게 하는 것이 불가능하게 된다. 더욱이, 소정의 높이의 격벽을 얻기 위하여 10회정도의 겹치기 인쇄가 필요하고, 인쇄시와 소성시에 변형이 일어나가 쉽고 방전에 지장이 생기는 경우가 있다.

그리하여, 스크린 인쇄법에 대신하는 방법으로서, 샌드블라스트법(sandblast method)이 제안되어 실용화가 진행되어 있다. 이 방법은 기판상의 측벽형성면에 격벽재료층을 적층하고 그 위에 포토리소그래피법으로서 소정 격벽 패턴의 마스크를 형성한다. 이 후, 연마재를 바로 위에서 불어 붙여서 격벽재료층을 선택적으로 제거함으로써 마스크아래에 격벽을 형성한 후, 마스크를 박리하는 방법이다. 상기 샌드블라스트 법에 있어서는, 격벽의 폭이 가늘어지면 마스크를 제조할때에 격벽이 기판에서 박리하거나, 대향기판과의 중합시(판넬조립시)에 진동 등이 외력으로서 격벽이 기판에서 박리하는 문제가 있었다.

본 발명자등은 예의 검토한 결과, 마스크와 격벽사이의 밀착력으로, 격벽과 기판사이의 밀착력을 크게 함으로써 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.

이리하여 본 발명에 의하면, 기판상에 방전공간을 분할하는 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이판넬의 격벽형성방법에 있어서, 상기 기판의 격벽형성면을 소정의 깊이로 조면화하고, 조면화한 격벽형성면에 격벽재료층을 퇴적한 후, 그 격벽재료층상에서 격벽에 대응하는 마스킹 패턴의 마스크를 설치하고, 연마재의 불어붙이기로서 격벽재료층을 부분적으로 제거하여 마스크아래에 격벽을 형성하고, 그 마스크를 제거하는 것을 특징으로 하는 마스크 디스플레이 패널의 격벽형성방법이 제공된다.

또, 본 발명에 의하면, 기판의 표면에 설치한 복수의 전극을 유전체층으로서 피복하고, 그 유전체층상에 소정패턴의 격벽을 설치한 플라즈마 디스플레이판넬의격벽형성방법으로서,

상기 유전체층의 표면을 소정의 깊이로 조면화하는 공정과, 조면화한 유전체층상에 격벽재료층을 적층하는 공정과 그 격벽재료층상에 격벽에 대응한 마스킹패턴의 마스크를 설치하고, 연마재의 불어붙이기에 의하여 격벽재료층을 부분적으로 제거하여 마스크아래에 격벽을 형성하는 공정과, 그 마스크를 제거하는 공정을 포함하여서 되는것을 플라즈마 디스플레이판넬의 격벽 형성방법이 제공된다.

더우기, 본 발명에 의하면, 기판의 표면에 설치한 복수의 유전체층으로서 피복하고, 그 유전체층상에 방전공간을 분할하는 소정패턴의 격벽을 설치한 플라즈마 디스플레이판넬에 있어서, 상기 유전체층은 표면이 표면 조도 4∼6㎛의 요철면으로 형성되고, 상기 격벽은 그 유전체층 표면에 적충한 격벽재료층을 소정격벽패턴의 마스크를 덮고 그 마스크에서 노출되는 격벽재료층 성분을 샌드블라스트가공으로서 연삭하여 형성된 상기 기판면에 대하여 거의 수직의 벽으로서 되는 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬이 제공된다.

본 발명에서 말하는 기판상의 격벽형성면이란, 절연성기판의 표면과의 사이에 형성된 비활성화 막(passivation film)의 표면, 또는 전극을 방전공간에서 절연하기 위한 유전체층의 표면, 또는 전극 및 절연성기판을 샌드블라스트 가공에서 보호하기 위한 절삭방지막의 표면이다. 여기서 절연성기판으로서는 유리기판, 석영기판 등을 들수 있다. 이중, 유리기판이 염가이므로 바람직하다. 더욱이, 유전체층에 대해서는 AC구동형식의 3전극형 면방전 PDP를 대표예로서 하기에서 설명한다.

배면측의 한쪽의 절연성기판상에는, 전술한 바와 같이 소정의 틈으로 직선상의 어드레스 전극이 복수개 형성된다. 어드레스 전극에 사용되는 재료는 특히 한정되지 않고 공지의 전극재료를 할 수 있다. 예를 들면, Ag, Au, Cu, Cr 및 그들의 적층제, ITO등의 금속산화물을 들수가 있다. 이들중 Ag,Cr/Cu/Cr의 3층구조가 바람직하다. 또, 어드레스 전극의 두께는 1㎛ ∼ 1.5㎛, 폭은 50 ∼100㎛이고, 피치는 200∼400㎛가 바람직하다.

다음에, 격벽형성면에 소정의 깊이의 조면이 형성된다. 여기에서 소정의 깊이의 조면과는 표면조도 4∼6㎛의 요철인 것이 바람직하다.

여기에서, 절연기판의 표면에 상기 표면조도를 부여하기 위해서는 예를 들면, 샌드블라스트법등의 물리적 방법이나, 에칭 등의 화학적 방법이 들 수 있다. 이중 샌드블라스트 방법으로는, 탄소, 칼슘, 유리비드(glass beads) 등의 크기는 10∼30㎛의 입자를 1.5∼3kg/㎠ 정도의 압력으로 5 ∼15분간 불어붙임으로써 절연성 기판상에 상기 표면 조도가 부여된다. 또, 에칭으로서는 예를 들면 불소산계의 에천트에 1 ∼ 10분간 (에천트)의 종류에 따라 상위 하다) 침적하는 웨이트에칭법이 사용된다.

한편, 절연기판상에 형성되는 유전체층의 표면에 상기 표면조도의 요부를 부여하는데는, (1) 소정의 온도로 유전체층을 형성하거나, (2) 소정의 입경의 필러를 혼합한 후 소정의 온도로 유전체층을 형성함으로써 성취된다.

더우기, 유전체층은, 10∼20㎛의 두께로 도포되고, 후에 행해지는 소성에 의하여 약 절반의 두께로 된다.

(1) 소정의 온도로 유전체층을 형성하는 경우

유전체층의 형성에 사용되는 재료는, 특히 한정되지 않고, 공지의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들면, 저 융점 유리분말과 수지 바인더 (에틸 셀룰로스등)으로서 되는 저융점의 유리 페이스트를 들 수 있다. 더욱이, 본 발명에 있어서 저 융점이란 600℃보다 낮은 융점을 가리킨다. 이 저 융점 유리 페이스트를 공지의 기판상에 도포하고, 저 융점 유리분말의 유리화 온도보다 10 ∼ 20 ℃낮은 온도로서는, 구체적으로는 560 ∼ 570℃을 들 수 있다. 여기서, 560℃보다 낮은 경우, 유전체층의 내부가 포러스(porous)한 상태로 되므로, 그 단면방향으로는 다수의 관통공이 열리게 된다. 이 관통공으로서 패널내(방전공간내)에 충전된 방전가스가 감소하고, 다시 말해서 관통공에 방전가스가 누출하는 소위 슬로우 리크(slow leak)에 의한 점등불량이 생기므로 바람직하지 않다. 570℃보다 높은 경우, 표면조도가 감소하므로 바람직하지 않다.

(2) 소정의 입경의 필라를 혼입한 후 소정의 온도에서 유전체층을 형성하는 경우

이 경우, 상기 저 융점이 유리 페이스트에 소정의 입경의 필라가 더 혼입되는 페이스트를 공지의 방법으로 기판상에 도포 하여, 소성함으로써 형성된다.

여기에서 페이스트는, (a) 중심입경 1. 5 ∼ 5㎛(바람직하기는 1.5 ∼ 3㎛)이고, 입경 1㎛이하의 입자를 제거하는 필라를 6∼18중량%(바람직하기는 10 ∼ 15중량%)포함하는 페이스트와 (b) 중심입경 4 ∼ 10㎛(바람직하기는 4 ∼ 6㎛)의 필라를 10 ∼ 35중량%(바람직하기는 15 ∼ 25중량%)포함한 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다. (a)와 (b)의 어느 페이스트도, 소성함으로써 필라 유전체층의 표면에 일부 노출하여 소정의 깊이(바람직하게는 4 ∼ 6㎛)의 표면조도를 유전체층에 부여 할 수가 있다. 여기에서, 소성온도는 575∼595℃가 바람직하다. 575℃ 보다 낮은 경우, 소성이 충분히 행할수 없으므로 바람직하지 못하다, 한편, 595℃보다 높은 경우, 블리스터(blister ; 분화구형 돌기)가 생기고, 격벽을 그 위에 형성할수 없고, 또, 소망의 막두께로도 될수 없으므로 바람직하지 못하다. 더욱이, 페이스트 소성온도가 높을수록 점도가 낮게 되고, 필라르 혼합한 효과를 약화시키므로 특히 575∼580℃가 바람직하다.

상기 저융점 유리 페이스트는, 도포에 적합한 점도로 하기 위하여 용매(터피네올(terpineol)등)를 가하여도 좋다.

다음에, 격벽이 소정의 깊이의 표면조도(바람직하게는 4 ∼ 6㎛)의 기체(基體)상에 형성된다. 4㎛보다 작은 또는 6㎛보다 큰 경우, 접촉면적의 증가로서 엔커효과(anchoring effect)가 기대될수 없으므로 바람직하지 않다. 더욱이 표면조도 4.5∼5.5㎛가 바람직하다.

다음에, 격벽형성면상에 격벽재료층을 적층하고, 격벽재료층상에 격벽에 대응한 마스킹패턴의 마스크를 적층하고, 이어서 샌드블라스트법으로서 격벽재료층을 선택적으로 제거함으로써 마스크 아래에 격벽을 형성한 후, 마스크를 제거한다.

여기에서, 격벽재료로서는 특히 한정되지 않고, 공지의 재료를 어느것도 사용될 수 있다.

예를들면, 저융점 유리와 수지 바인더와르 도포에 적합한 점도로 되도록 용제로 희석한 저융점 유리페이스트를 들 수 있다. 저융점이 유리 페이스트에 포함되는 수지로서는, 에틸 셀루로스등의 셀룰로스계 수지를 들수 있다. 격벽재료층은, 150∼250㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 또 그 형성방법은 공지의 도포법을 어느것도 사용할 수가 있다.

또, 격벽재료층은 셀루로스계수지를 2 ∼ 4중량%함유하는 제 1격벽재료층과, 그 제 1격벽재료층상에 형성된 셀루로스계를 1∼2중량% 함유하는 제 2격벽재료층으로서 되어 있어도 좋다. 제 1격벽재료층과 제 2격벽재료층은, 13:1 ∼ 15: 1의 두께의 비를 가지고 있는 것이 바람직하다. 여기에서 제 1 격벽재료층은 소성시에 포함되는 수지가 탄화하고, 격벽형성면에 대한 밀착력을 향상시키는 역할을 달성한다. 한편, 제 2격벽재료층은 이하의 설명하는 샌드블라스트법에 가공을 보다 용이하게 역할을 달성한다.

다음에, 격벽재료층상에 형성되는 마스크는 예를들면, 드라이 필름 레지스트를 격벽재료층에 붙여 노광 및 현상하거나, 레지스트 용액을 도포하고, 노광 및 현상하거나 레지스트 용액을 스크린 인쇄 등의 방법으로서 제4거함으로써 형성된다.

이어서, 상기 샌드 블라스트법으로써 격벽 재료층을 마스크 아래만 남겨서 제거한다.샌드블라스트법은 탄산칼슘, 탄화규소, 유리비드 등의 크기 10 ∼ 30㎛의 입자를 1.5 ∼ 3kg/㎠정도의 압력으로 15 ∼ 30분간 불어 붙이는 것이 바람직하다.

이어서, 마스크를 제거(박리)하나, 박리용의 용액으로서 예를 들면 탄화나트륨 등을 0.1 ∼ 1.0 중량%포함한 약알칼리성 수용용액을 사용하는 것이 바람직하다. 이 용액을 사용하면, 종래 사용된 수산화 나트륨과 비교하여, 격벽과 격벽형성면의 박리를 더욱 방지할 수 있다. 박리는, 침지 또 스프레이 등의 공지의 방법으로서 행할 수가 있다.

이후, 격벽을 560℃의 소성에 붙임으로써 격벽을 가지는 기판구조체가 형성된다. 더욱이, 이 소성으로서 격벽은 100∼200㎛정도의 높이로 된다.

이 발명의 격벽형성방법은 PDP(AC형 및DC형 PDP를 포함한다) 만은 아니고, 예를들면 액정층과 가스 방전층을 적충하고, 가스 방전층을 스위칭 소자로서 이용하는 액티브 매트릭스형 액정표시장치에도 적용할 수 있다.

이하에서는 PDP이 격벽형성방법에 대하여 설명한다.

이하, 본 발명을 AC구동형식의 3 전극형 면방전 PDP에 적용한 실시예에 의하여 구체적으로 설명한다. 먼저, 이 면방전 PDP의 개략구조에 대하여 제 3도의 사시도와 제 4도 및 제 5도의 단면도를 참조하여 설명한다. 전면측의 유리기판 11의 내면에, 매트릭스 표시의 라인마다 1쌍의 유지전극 X, Y(소자전극이라고도 함)가 배열되어 있다. 유지전극 X, Y는 각각이 투명전극 41과 금속전극(버스전극) 42로서 되고, AC 구동을 위한 유전체층 17로 피복되어 있다. 유전체층 17의 표면에는 MgO로서 되는 보호막 18이 증착되어 있다.

한편, 배면측의 유리기판 21의 내면에는, 어드레스 전극 A, 유전체층 27, 격벽 29와 3 색(R, G, B)의 형고아체 28이 설치되어 있다. 각 격벽 29에는 평면적으로 보아서 직선상이다. 이들 격벽 29로서 방전공간 30이 매트릭스 표시의 라인 방향으로 서브 픽셀마다 구획되고, 또한 방전공간 30의 틈치수가 일정치로 규정되어 있다. 표시의 1 픽셀(화소)는, 라인 방향으로 연이어 놓는 3개의 서브픽셀로서 된다. 서브픽셀은 어드레스 전극 A오 유지전극 Y와의 교차부에 규정된 어드레스용 방전셀과, 유지전극 X, Y 사이에 규정된 표시용 방전셀의 조(組)로서 된다. 이 PDP에서는, 격벽 29의 배치 패턴이 이른바 스트라이프 패턴인 점에서, 방전공간 30 내의 각 열에 대응한 부분은, 모든 라인 L에 걸쳐서 열방향으로 연속되어 있다. 각 열내의 서브픽셀의 발광색은 동일하다. 더욱이 제 4도는 제 3도의 X-Y선의 단면도를 제 5도는 제 3도의 전면측의 기판구조체의 Y-Y선의 단면도를 표시하고 있다.

다음에 본 발명의 배면측 기판에 설치한 격박형성방법에 대하여 더 상세히 설명한다.

실시예 1 및 비교예 1

유리기판 1 상에 중착법으로서 Cr/Cu/Cr 을 이 순으로 1000Å/10000Å/2000Å되도록 퇴적시켰다. 이어서, 공지의 포토리소그라피 기술로서, 폭 70㎛, 피치 120㎛의 어드레스 기판 2를 형성 하였다.

다음에,로서 되고 하기 표 1에 표시한 중심 입경, 최대 입경 및 함유율의 필러(실시예 1에서는 입경 1㎛ 이하의 필러를 제거하고 있음), 저융점 유리와 수지와 터피네올로서 되는 용제를 포함한 저융점 유리 페이스트를 두께 15㎛로 도포하였다. 계속하여 575℃에서 10분간 소성함으로써 유전체층 3을 형성하였다. 여기에서 4 ∼ 6㎛의 요철이 제 2(b)도에 도시한 바와 같이 비교예 1 에서는 유전체층 표면에 2㎛이하의 요철이 각각 형성된다. 또 이들의 유전체층은 유리화 하여 있다. 이어서, 유전체층 3상에 있어서 저융점 유리페이스트를 두께 180㎛으로 도포하고 격벽재료층 4를 형성하였다. (제 1(a)도 참조) 다음에, 메타크릴산 메틸 함유 아크릴계 폴리머를 바인더 수지로 하는 드라이 필름 5를 첩포(첩포)하였다. (제 1(b)도 참조) 다음에, 드라이필름을 노광 현상 함으로써 어드레스 전극사이의 격벽재료층 상에 마스크 6을 형성하였다. (제 1(c)도 참조) 다음에, 10 ∼ 30㎛의 크기를 가지는 탄산칼슘 입자를 2.2kg/㎠정도의 압력으로 20분간 불어붙임(샌드블라스트법)으로써 마스크 이외의 격벽재료층을 제거함으로써 폭 70㎛, 높이 180㎛ 및 피치 220㎛의 격벽 7을 형성하였다. (제 1(d)도 참조) 계속하여 탄산 나트륨을 0.5∼2.0중량% 포함한 수용액을 상온에서, 압력 0.5∼3.0kgf/㎠, 3∼8분간 스프레이하고, 이어서 순수한 물을 압력 0.5∼3.0kgf/㎠, 2∼12분간 스프레이 함으로써 마스크 6을 제거 하였다. (제 1(e)도 참조) 이후 560℃로 소성 함으로써 배면측의 기판 구조체 8을 얻었다. (제 1(f)도 참조)

결과를 표 1에 표시한다.

[표1]

표중, NG는 격벽의 5∼30%가 박리한 상태를 의미하고, OK는 거의 박리가 없는 상태를 의미한다. (이하, 동일의미) 표 1에서, 표면조도가 4∼6㎛의 범위내에서 효과인 것을 알았다. 따라서 실시예 1 에 의하면 마스크 박리시에서의 격벽의 박리를 방지할 수가 있다. 또, 대향측의 전면측 기판구체와의 중합시에서의 진동 등에 의한 격벽박리를 방지할 수 있다. 더욱이 이 유전체층은 유리화하고 있으므로 방전 유리의 슬로우리크를 방지할 수 있다.

실시예 2 ∼ 4, 비교예 2 및 3

이 예에서는 어드레스 전극상에 유전체층을 형성하지 않고, 이와 같이 기판의 표면에 조면화치러르 베풀었다. 더욱이 조면화처리와는 실시예 1과 마찬가지이다. (1) 10 ∼ 30㎛의 크기를 가지는 탄산칼슘입자를 2.2kg/㎠정도의 압력에서 5∼10분간 불어붙임(샌드블라스트법)으로써, 기판표면을 조면화 하였다. (실시예 2) 불소사계의 에천트에 1∼10분간 침지함으로써, 기판표면을 조면화하였다. (실시예 3과 4, 비교예 3) 또, 미처리의 기판을 비교를 위하여 준비하였다. (비교예2)

결과를 표 2에 표시하였다.

[표 2]

표 2에 의하여, 기판 표면에 조면화 처리를 함으로써 격벽의 박리가 방지될 수 있음을 알았다.

실시예 5 와 6, 비교예 4∼7

필라의 입도분포가 종래의 그대로의 저융점이 유리 페이스트를 사용하고, 소성온도를 달리한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 행하였다.

결과를 표 3에 표시하였다.

[표 3]

표 3에 의하여, 소성온도 560∼570℃의 범위이면, 유전체층과 격벽의 밀착이 개선되는 것을 알았다.

실시예 7∼9

격벽재료층 전체에 셀루로스 수지를 1∼2중량% 함유시키고 (실시예 7), 전체에 셀루로스 수지를 2∼4 중량% 함유시키고 (실시예 8), 높이 1:13:1의 3층으로 하여 최상층 및 최하층에 셀루로스수지를 2∼4중량% 함유시키고, 중간층에 셀루로스 수지를 1∼2중량% 함유시키는 (실싱 9)것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 결과를 표 4에 표시한다, 더욱이, 표 4중 가공시간 및 밀착강도는 실시예 7을 1로하고, 그와 비교함으로써 평가하고 있다. 또, 밀착강도는 일정한 부하를 격벽에 부여 하였을때에 격벽이 벗겨지기 까지의 시간으로 평가하고 있다.

[표 4]

표 4에 의해, 셀룰로스 수지의 함유량을 변화 시키는 것이 효율이 좋고 밀착강도를 개선할 수 있어 바람직한 것을 알았다.

실시예 10∼15

표 5에 표시한 바와 같이 마스크의 박리액을 사용하는 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 행하였다.

결과를 표 5에 표시하였다.

[표 5]

표 5에 의하여 박리액에는 탄산나트륨과 같은 약알칼리를 포함한 수용액이 바람직하고, 더욱이 그 농도가 0.1∼10중량%의 경우가 더 바람직한 것으로 판명되었다.

실시예 16

격벽 재료층에 포함되는 필라를 입경 4㎛ 및 1∼2㎛의 것을 각각 15∼25중량% 및 3∼7중량%로 하고, 소성 온도를 575∼580℃한 것이외는 실시예 1과 마찬가지로 행하였다. 얻은 격박은 박리도 없고, 또 방전가스의 슬로우 리크도 발생하지 않았다.

비교예 8

격벽 재료층에 포함되는 필라를, 입경 1∼2㎛ 및 2∼3㎛의 것을 각각 5∼10중량% 및 6∼10중량%로 하고 소성온도를 560∼570℃로 한 것이외넨 실시예 1과 마찬가지로 행하였다. 얻은 격박은 30% 정도 박리하고 있었다.

실시예 17

실시예 16으로써 형성한 배면측기판구조체의 격벽사이에 스크린 인쇄법에 의하여 형광체를 배설하였다. 한편, 전면측의 유리기판상에 유지전극 (ITO, 두께 1000Å, 폭 180㎛, 간격 80㎛) 및 버스전극(Cr/Cu/Cr, 두께 1000Å/10000Å/2000/,Å 폭 70㎛, 한 개의 간격 220㎛)의 순으로 적층한 후 패터닝 함으로써 형성하였다. 이어서, 전면에 저융점 유리로서 되는 유전체층을 두께 28㎛로 적층 하였다. 더욱이 유전체층상에 MgO로서 되는 보호막을 두께 6000Å로 형성함으로써 전면측 기판구조체를 얻었다. 이어서, 배면측 기판구조체와 전면측기판구조체를 어드레스 전극과, 유지전극 및 버스 전극이 직교하도록 중합시켜, 주의를 기밀봉지 함으로써 제 2도 ∼ 제 4도에 도시한 PDP를 제조할 수가 있었다. 더욱이, 기판사이에 격벽으로써 형성된 공간에는, Ne(Xe를 4체적%포함함 (방전가스로 충전시키고 내부압력을 500Torr로 하였다. 이 PDP제조공정중에, 격벽의 박리는 전혀 발생하지 않고 또 완성한 PDP의 방전 가스의 슬로우 리크도 전혀 발생하지 않았다. 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽형성방법에 의하면, 격벽 재료층과 기판상의 격벽형성면 (기판표면 또는 유전체층 표면) 과의 밀착력을 강화할 수 있으므로, 샌드블라스트 가공으로써 격벽을 형성한 후 마스크 박리에 있어서 당해 격벽이 격벽 형성면에서 박리되는 것을 방지할 수가 있다. 또, 본 발명의 플라즈마 드시플레이 판넬에 의하면, 격벽과 유전체층과 밀착성을 강고히 할 수 있으므로 패널 조립시(기판중합시)의 외력에 의하여 격벽이 유전체층에서 박리되는 것을 방지 할 수가 있다.

Claims

기판상에 방전공간을 분할하는 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽형성방법에 있어서, 상기 기판의 격벽형성면을 소정의 깊이로 조면화 하고 조면화한 격벽형성면에 격벽재료층을 적층한 후, 그 적벽재료층상에 격벽에 대응한 마스킨패턴의 마스크를 설치하고, 연마재의 불어붙이기로서 격벽재료층을 부분적으로 제거하여 마스크 아래에 격벽을 형성하고, 그 마스크를 불어붙이기로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제1항에 있어서, 조면화한 격벽형성면이 표면조도 4㎛의 요철면인 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 격벽형성면에 요철이 샌드블라스트법 또는 에칭법에 의하여 형성되는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
기판의 표면에 설치한 복수의 전극을 유전체층으로서 피복하고, 그 유전체층상에 소정의 패턴의 격벽을 설치한 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방븝으로서, 상기 유전체층의 표면을 소정의 깊이 조면화하는 공정과 조면화한 유전체층상에 격벽재료층을 적층하는 공정과, 그 격벽재료층상에 격벽에 대응한 마스킹 패턴의 마스크를 설치하고, 연마재의 불어붙이기로서 격벽재료층을 부분으로 제거하여 마스크 아래에 격벽을 형성하는 공정과 그 마스크를 제거하는 공정을 포함하여 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제4항에 있어서, 조면화한 유전체층표면이 표면조도 4∼6㎛의 요철면인 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제5항에 있어서, 유전체층이, 저융점 유리 분말과 수지바이더로서 되는 저융점이 유리페이스트를 그 저융점 유리분말의 유리온도화보다 10∼20℃ 낮은 온도를 소성함으로써 형성되는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제5항에 있어서, 유전체층이, 저융점 유리분말, 수지패턴과 중심입경 1.5∼5㎛, 또한 입경 1㎛이하의 입자를 제거한 필러를 6∼18중량% 포함하는 저융점 유리페이스트를 소성함으로써 형성되는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제5항에 있어서, 유전체층이, 저융점 유리분말, 수지 바인더와 중심입경 4∼10㎛ 의 필라를 10∼35중량% 포함한 저융점 유리 페이스트를 소성함으로써 형성되는 플라즈마 디스플레이 판넬의 소성형성방법.
제7항 또는 제8항에 있어서, 소성이 575∼595℃로 행하여지는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 격벽재료층이 셀루로스계 2∼4중량% 함유하는 제1 격벽재료층과 그 제1 격벽재료층상에 형성된 셀루로스계 수지를 1∼2중량% 함유하는 제2 격벽재료층의 적어도 2층으로서 되는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제1항 내지 제10항중 어느 한항에 있어서, 마스크가 약알칼리성 수용액으로 제거되는 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
제11항에 있어서, 약알카리성 수용액이 탄산나트륨인 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽형성방법.
기판의 표면에 설치한 복수의 전극을 유전체층으로서 피복하고, 그 유전체으상에 방전공간을 분할하는 소정의 패턴의 격벽을 설치한 플라즈마 디스플레이 판넬에 있어서, 상기 유전체층상은 표면조도 4∼6㎛의 요철면에 형성되고, 상기 격벽은 그 유전체층 표면에 적층한 격벽재료층을 소정격벽 패턴의 마스크로 덮고 그 마스크에서 노출하는 격벽재료층부분을 샌드블라스트 가공으로서 연삭하여 형성한 상기 기판면에 대하여 거의 수직의 벽으로서 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.