JP3229555B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの構造及びその製造方法に係り、特にプラズ
マ放電空間を画定する為にアドレス電極間に設けられる
バリアリブ（隔壁）の構造及びその製造方法に関する。
レイパネルの構造及びその製造方法に係り、特にプラズ
マ放電空間を画定する為にアドレス電極間に設けられる
バリアリブ（隔壁）の構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】３電極の面放電型のプラズマディスプレ
イパネルの構造は、前面側のガラス基板上に表示電極対
を表示ラインに沿って設け、背面側のガラス基板上に表
示電極対と交差する方向に複数のアドレス電極を設け、
両ガラス基板を放電空間をはさんで対向させて封止する
ものである。上記の表示電極対とアドレス電極との交差
部が表示セル領域となり、表示電極とアドレス電極との
間で放電（アドレス放電）させ、それにより発生した壁
電荷を利用して表示電極対間で維持放電が行われる。
イパネルの構造は、前面側のガラス基板上に表示電極対
を表示ラインに沿って設け、背面側のガラス基板上に表
示電極対と交差する方向に複数のアドレス電極を設け、
両ガラス基板を放電空間をはさんで対向させて封止する
ものである。上記の表示電極対とアドレス電極との交差
部が表示セル領域となり、表示電極とアドレス電極との
間で放電（アドレス放電）させ、それにより発生した壁
電荷を利用して表示電極対間で維持放電が行われる。
【０００３】アドレス電極の間にはアドレス放電時の隣
接セルへの影響を断つ為等の理由から、絶縁材料からな
る隔壁（バリアリブ）が形成される。そして、アドレス
電極の上であって、隔壁の間に形成した蛍光体に、プラ
ズマ放電により発生する紫外線をあてその蛍光体からそ
れぞれの色の光を発っすることで表示を行う。
接セルへの影響を断つ為等の理由から、絶縁材料からな
る隔壁（バリアリブ）が形成される。そして、アドレス
電極の上であって、隔壁の間に形成した蛍光体に、プラ
ズマ放電により発生する紫外線をあてその蛍光体からそ
れぞれの色の光を発っすることで表示を行う。
【０００４】図６は、通常の隔壁を形成する製造プロセ
スを示す要部断面図である。上記した通り、背面側のガ
ラス基板６上に複数のアドレス電極７が形成され、その
上に誘電体層１０がガラスペーストのスクリーン印刷、
その焼成により形成される。そして、その上に低融点ガ
ラスペーストからなる隔壁層８をスクリーン印刷で塗布
し、乾燥させ、更にその上に感光性材料からなるドライ
フィルムを貼り付け、露光、現像して、隔壁を形成する
領域にドライフィルム層１１を残す。図６（Ａ）の断面
図がその状態である。
スを示す要部断面図である。上記した通り、背面側のガ
ラス基板６上に複数のアドレス電極７が形成され、その
上に誘電体層１０がガラスペーストのスクリーン印刷、
その焼成により形成される。そして、その上に低融点ガ
ラスペーストからなる隔壁層８をスクリーン印刷で塗布
し、乾燥させ、更にその上に感光性材料からなるドライ
フィルムを貼り付け、露光、現像して、隔壁を形成する
領域にドライフィルム層１１を残す。図６（Ａ）の断面
図がその状態である。
【０００５】その後、乾燥したガラスペーストからなる
厚い隔壁層８をパターニングする為に、図６（Ｂ）に示
される様に、アルミナやシリカ等の粉末粒子１３をエア
ーノズル１２から吹きつけて、露出された隔壁層８の部
分をエッチングして除去する。この方法はサンドブラス
ト法として広く知られており、比較的厚く隔壁を形成す
るのに適した方法である。
厚い隔壁層８をパターニングする為に、図６（Ｂ）に示
される様に、アルミナやシリカ等の粉末粒子１３をエア
ーノズル１２から吹きつけて、露出された隔壁層８の部
分をエッチングして除去する。この方法はサンドブラス
ト法として広く知られており、比較的厚く隔壁を形成す
るのに適した方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このサ
ンドブラスト法では吹きつけられる粒子が隔壁層８に衝
突して接触帯電を起こし、粒子と隔壁層表面が例えば負
と正に帯電してしまう。その結果、図７のサンドブラス
ト工程終了時の断面図に示される通り、アドレス電極７
の上側に隔壁材料または吹きつけられた粒子が残渣８ａ
として残ってしまう現象が生じる。
ンドブラスト法では吹きつけられる粒子が隔壁層８に衝
突して接触帯電を起こし、粒子と隔壁層表面が例えば負
と正に帯電してしまう。その結果、図７のサンドブラス
ト工程終了時の断面図に示される通り、アドレス電極７
の上側に隔壁材料または吹きつけられた粒子が残渣８ａ
として残ってしまう現象が生じる。
【０００７】この残渣８ａが残る理由は、接触帯電が原
因であることはおおよそ確認されるが、接触帯電により
どの様にしてアドレス電極７上に残るのかは必ずしも正
確には把握されていない。但し、図７に示される通り、
アドレス電極７の上で多くの残渣が残っているところか
ら、アドレス電極７による電位の影響で電荷または帯電
した粒子が何らかの振る舞いを起こし、その結果エッチ
ングレートに差が生じてしまったものと予想される。
因であることはおおよそ確認されるが、接触帯電により
どの様にしてアドレス電極７上に残るのかは必ずしも正
確には把握されていない。但し、図７に示される通り、
アドレス電極７の上で多くの残渣が残っているところか
ら、アドレス電極７による電位の影響で電荷または帯電
した粒子が何らかの振る舞いを起こし、その結果エッチ
ングレートに差が生じてしまったものと予想される。
【０００８】この様にエッチング除去されないで残った
残渣８ａは、なかなか除去できず、前面側ガラス基板と
組み立てられて表示電極とアドレス電極の交差部のセル
の特性を不均一なものにする。
残渣８ａは、なかなか除去できず、前面側ガラス基板と
組み立てられて表示電極とアドレス電極の交差部のセル
の特性を不均一なものにする。
【０００９】そこで、本発明の目的は、隔壁層をパター
ニングする時に利用されるサンドブラスト法において残
渣が生じない様な製造方法およびそのプラズマディスプ
レイパネルを提供することにある。
ニングする時に利用されるサンドブラスト法において残
渣が生じない様な製造方法およびそのプラズマディスプ
レイパネルを提供することにある。
【００１０】更に、本発明の目的は、隔壁層をパターニ
ングする時のサンドブラスト法において、そのエッチン
グレートが均一になるようにすることができる製造方法
及びそのプラズマディスプレイパネルを提供することに
ある。
ングする時のサンドブラスト法において、そのエッチン
グレートが均一になるようにすることができる製造方法
及びそのプラズマディスプレイパネルを提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、本発明に
よれば、放電空間を介して対向する１対の絶縁基板を有
し、該絶縁基板上に形成した電極間でプラズマ放電させ
て表示を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法に
おいて、絶縁基板上に複数本の電極を形成する工程と、
該絶縁基板上であって前記複数本の電極を被覆する様
に、導電性のペースト層を形成する工程と、該ペースト
層上に前記複数本の電極の間の位置にマスク膜を形成す
る工程と、該ペースト層に粒子を吹きつけて該マスク膜
が形成されていない該ペースト層部分をエッチングする
工程と、該ペースト層を焼成雰囲気にさらして該複数本
の電極の間に隔壁を形成する工程とを有することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供す
ることにより達成される。
よれば、放電空間を介して対向する１対の絶縁基板を有
し、該絶縁基板上に形成した電極間でプラズマ放電させ
て表示を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法に
おいて、絶縁基板上に複数本の電極を形成する工程と、
該絶縁基板上であって前記複数本の電極を被覆する様
に、導電性のペースト層を形成する工程と、該ペースト
層上に前記複数本の電極の間の位置にマスク膜を形成す
る工程と、該ペースト層に粒子を吹きつけて該マスク膜
が形成されていない該ペースト層部分をエッチングする
工程と、該ペースト層を焼成雰囲気にさらして該複数本
の電極の間に隔壁を形成する工程とを有することを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供す
ることにより達成される。
【００１２】また、上記の目的は、本発明によれば放電
空間を介して対向する１対の絶縁基板を有し、該絶縁基
板上に形成した電極間でプラズマ放電させて表示を行う
プラズマディスプレイパネルの製造方法において、絶縁
基板上に複数本の電極を形成する工程と、該絶縁基板上
であって前記複数本の電極を被覆する様に、導電性薄膜
を形成する工程と、該導電性薄膜上にペースト層を形成
する工程と、該ペースト層上に前記複数本の電極の間の
位置にマスク膜を形成する工程と、該ペースト層に粒子
を吹きつけて該マスク膜が形成されていない該ペースト
層部分をエッチングする工程と、該ペースト層を焼成雰
囲気にさらして該複数本の電極の間に隔壁を形成する工
程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法を提供することにより達成される。
空間を介して対向する１対の絶縁基板を有し、該絶縁基
板上に形成した電極間でプラズマ放電させて表示を行う
プラズマディスプレイパネルの製造方法において、絶縁
基板上に複数本の電極を形成する工程と、該絶縁基板上
であって前記複数本の電極を被覆する様に、導電性薄膜
を形成する工程と、該導電性薄膜上にペースト層を形成
する工程と、該ペースト層上に前記複数本の電極の間の
位置にマスク膜を形成する工程と、該ペースト層に粒子
を吹きつけて該マスク膜が形成されていない該ペースト
層部分をエッチングする工程と、該ペースト層を焼成雰
囲気にさらして該複数本の電極の間に隔壁を形成する工
程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法を提供することにより達成される。
【００１３】更に好ましくは、前記の焼成工程において
導電性が低下する様にする。
導電性が低下する様にする。
【００１４】かかる製造方法によれば、バリアリブ層を
形成するサンドブラスト工程においてそのペースト層の
導電性またはペースト層の下に形成した導電性薄膜によ
り、衝突帯電の結果生成された電荷を自由に移動し、ア
ドレス電極の有無にかかわらずエッチングレートを均一
にすることができる。
形成するサンドブラスト工程においてそのペースト層の
導電性またはペースト層の下に形成した導電性薄膜によ
り、衝突帯電の結果生成された電荷を自由に移動し、ア
ドレス電極の有無にかかわらずエッチングレートを均一
にすることができる。
【００１５】導電性材料としては、高分子有機材料、電
子供与体と電子受容体からなる電荷移動錯体の有機材
料、酸化物導電材料、金属材料等を使用することができ
る。
子供与体と電子受容体からなる電荷移動錯体の有機材
料、酸化物導電材料、金属材料等を使用することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例に
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
【００１７】図１は、本発明の実施の形態の３電極の面
放電型のプラズマディスプレイパネルの概略的な構造を
示す分解斜視図である。また、図２は、そのＰＤＰの表
示電極対に沿った断面図である。両方の図を参照してそ
の基本的な構造について説明する。
放電型のプラズマディスプレイパネルの概略的な構造を
示す分解斜視図である。また、図２は、そのＰＤＰの表
示電極対に沿った断面図である。両方の図を参照してそ
の基本的な構造について説明する。
【００１８】１は表示側の絶縁基板である前面ガラス基
板で、図の上側の方向に光が出ていく。６は背面側の絶
縁基板であるガラス基板である。この背面基板は必ずし
も透明基板である必要がなく、セラミック基板でもよ
い。これらのガラス基板はいずれも絶縁基板である。表
示側のガラス基板１上には、透明電極２とその上（図面
上は下）に形成された導電性の高いバス電極３からなる
表示電極対としてのＸ電極とＹ電極が形成され、ＰｂＯ
等の低融点ガラスからなる誘電体層４とＭｇＯからなる
保護層５で覆われている。バス電極３は、透明電極２の
導電性を補うために、Ｘ電極とＹ電極の反対側端部に沿
って設けられる。透明電極２は、例えばＩＴＯにより形
成され、バス電極３は例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構
造よりなる。
板で、図の上側の方向に光が出ていく。６は背面側の絶
縁基板であるガラス基板である。この背面基板は必ずし
も透明基板である必要がなく、セラミック基板でもよ
い。これらのガラス基板はいずれも絶縁基板である。表
示側のガラス基板１上には、透明電極２とその上（図面
上は下）に形成された導電性の高いバス電極３からなる
表示電極対としてのＸ電極とＹ電極が形成され、ＰｂＯ
等の低融点ガラスからなる誘電体層４とＭｇＯからなる
保護層５で覆われている。バス電極３は、透明電極２の
導電性を補うために、Ｘ電極とＹ電極の反対側端部に沿
って設けられる。透明電極２は、例えばＩＴＯにより形
成され、バス電極３は例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構
造よりなる。
【００１９】背面ガラス基板６上には、例えばシリコン
酸化膜からなる下地のパッシベーション膜（図示せず）
上に、ストライプ状のアドレス電極７が設けられ、誘電
体層（図示せず）で覆われている。アドレス電極７は、
例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造よりなり、誘電体層
はＰｂＯ等の低融点ガラスからなる。また、アドレス電
極７に隣接するようにストライプ状の隔壁（バリアリ
ブ）８が形成される。この隔壁８は、ＰｂＯ等の低融点
ガラスからなり、アドレス放電時の隣接セルへの影響を
断つためにと光のクロストークを防ぐための二つの機能
を有する。隣接するバリアリブ８間に赤、青、緑の蛍光
体９がアドレス電極上及びバリアリブ壁面を被覆するよ
うに塗り分けられている。
酸化膜からなる下地のパッシベーション膜（図示せず）
上に、ストライプ状のアドレス電極７が設けられ、誘電
体層（図示せず）で覆われている。アドレス電極７は、
例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造よりなり、誘電体層
はＰｂＯ等の低融点ガラスからなる。また、アドレス電
極７に隣接するようにストライプ状の隔壁（バリアリ
ブ）８が形成される。この隔壁８は、ＰｂＯ等の低融点
ガラスからなり、アドレス放電時の隣接セルへの影響を
断つためにと光のクロストークを防ぐための二つの機能
を有する。隣接するバリアリブ８間に赤、青、緑の蛍光
体９がアドレス電極上及びバリアリブ壁面を被覆するよ
うに塗り分けられている。
【００２０】また、図２に示される通り、表示側基板１
と背面側基板６とは約１００μｍ程度のギャップを保っ
て組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅの放
電用の混合ガスが封入される。
と背面側基板６とは約１００μｍ程度のギャップを保っ
て組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅの放
電用の混合ガスが封入される。
【００２１】図３は、上記の３電極面放電型のＰＤＰの
Ｘ，Ｙ電極とアドレス電極との関係を示すパネルの平面
図である。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ１０は横方向に並行して配列
されかつ基板端部において共通接続され、Ｙ電極Ｙ１〜
Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設けられかつ個別に基板
端部に導出されている。これらのＸ，Ｙ電極はそれぞれ
対になって表示ラインを形成し、表示のための維持放電
電圧が交互に印加される。尚、ＸＤ１，ＸＤ２及びＹＤ
１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領域の外側に設けられる
ダミー電極であり、パネルの周辺部分の製造プロセスに
よる非線形性の特性を緩和する為に設けられている。図
３中は、上下左右に１本または１対づつ設けられている
が、これらのダミー電極の数は適宜選択される。そし
て、表示側基板１０上に設けられるアドレス電極Ａ１〜
Ａ１４は、Ｘ，Ｙ電極と直交して設けられる。
Ｘ，Ｙ電極とアドレス電極との関係を示すパネルの平面
図である。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ１０は横方向に並行して配列
されかつ基板端部において共通接続され、Ｙ電極Ｙ１〜
Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設けられかつ個別に基板
端部に導出されている。これらのＸ，Ｙ電極はそれぞれ
対になって表示ラインを形成し、表示のための維持放電
電圧が交互に印加される。尚、ＸＤ１，ＸＤ２及びＹＤ
１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領域の外側に設けられる
ダミー電極であり、パネルの周辺部分の製造プロセスに
よる非線形性の特性を緩和する為に設けられている。図
３中は、上下左右に１本または１対づつ設けられている
が、これらのダミー電極の数は適宜選択される。そし
て、表示側基板１０上に設けられるアドレス電極Ａ１〜
Ａ１４は、Ｘ，Ｙ電極と直交して設けられる。
【００２２】Ｘ，Ｙ電極はペアになって維持放電電圧が
交互に印加され、またＹ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でプラズマ放電が発生され
る。従って、アドレス電極には１セル分の放電電流しか
流す必要がない。また、その放電電圧は、Ｙ電極との組
み合わせで決まるので、比較的低電圧での駆動が可能で
ある。このような低電流、低電圧駆動が、大表示画面を
可能にしている。
交互に印加され、またＹ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でプラズマ放電が発生され
る。従って、アドレス電極には１セル分の放電電流しか
流す必要がない。また、その放電電圧は、Ｙ電極との組
み合わせで決まるので、比較的低電圧での駆動が可能で
ある。このような低電流、低電圧駆動が、大表示画面を
可能にしている。
【００２３】そして、アドレス電極７とＹ電極との間で
発生したアドレス放電により生成された壁電荷が誘電体
層４上に残り、その後の表示電極対２、３間での面放電
による維持放電に利用される。
発生したアドレス放電により生成された壁電荷が誘電体
層４上に残り、その後の表示電極対２、３間での面放電
による維持放電に利用される。
【００２４】図４は、本発明の第一の実施の形態による
背面ガラス基板の製造プロセスを示す断面図である。本
発明実施の形態例では、隔壁層８０内に導電性材料を含
ませて、サンドブラスト工程時に起こる衝突帯電により
発生した電荷が、導電性材料により均一に広がり、エッ
チングレートが均一になるようにする。導電性材料を例
えば導電性の有機材料等を選択することで、サンドブラ
スト工程のエッチング後の焼成工程でその導電性を低下
またはなくすことができる。即ち、サンドブラスト工程
時は隔壁層８０は導電性を有し、焼成後は絶縁性の隔壁
になるのである。上記の導電性材料は後で詳述する。
背面ガラス基板の製造プロセスを示す断面図である。本
発明実施の形態例では、隔壁層８０内に導電性材料を含
ませて、サンドブラスト工程時に起こる衝突帯電により
発生した電荷が、導電性材料により均一に広がり、エッ
チングレートが均一になるようにする。導電性材料を例
えば導電性の有機材料等を選択することで、サンドブラ
スト工程のエッチング後の焼成工程でその導電性を低下
またはなくすことができる。即ち、サンドブラスト工程
時は隔壁層８０は導電性を有し、焼成後は絶縁性の隔壁
になるのである。上記の導電性材料は後で詳述する。
【００２５】導電性材料として、例えば導電性有機ポリ
マーであるポリアニリンを用いたとすると、その材料は
次の様に生成される。先ず、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンにポリアニリンを５ｗｔ％溶解させた溶液を、ガラス
基板上にスピンコートして薄膜化し、そのポリアニリン
薄膜を塗布したガラス基板を４０℃の５％硫酸溶液に２
分間程度浸した後、冷水で洗浄する。硫酸に浸すことで
ポリアニリン内に電荷が取り込まれてドーピングされ導
電性が高くなる。そして、その導電性が付与されたポリ
アニリン薄膜をガラス基板から削り取り、粉末状態にし
て、従来からの隔壁材料である酸化鉛等のガラスペース
トに５ｗｔ％添加し、障壁材料のペーストとして利用す
る。
マーであるポリアニリンを用いたとすると、その材料は
次の様に生成される。先ず、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンにポリアニリンを５ｗｔ％溶解させた溶液を、ガラス
基板上にスピンコートして薄膜化し、そのポリアニリン
薄膜を塗布したガラス基板を４０℃の５％硫酸溶液に２
分間程度浸した後、冷水で洗浄する。硫酸に浸すことで
ポリアニリン内に電荷が取り込まれてドーピングされ導
電性が高くなる。そして、その導電性が付与されたポリ
アニリン薄膜をガラス基板から削り取り、粉末状態にし
て、従来からの隔壁材料である酸化鉛等のガラスペース
トに５ｗｔ％添加し、障壁材料のペーストとして利用す
る。
【００２６】図４に戻り、図４（Ａ）に示される通り、
ガラス基板６上に図示しない下層パッシベーション層の
上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のアドレス電極膜をス
パッタリング法により形成し、通常のリソグラフィ工程
によりパターニングしてアドレス電極７を形成する。そ
して、図４（Ｂ）に示される通り、酸化鉛を主成分とす
る低融点ガラス層を約１０μｍ塗布し、焼成して誘電体
層１０を形成する。
ガラス基板６上に図示しない下層パッシベーション層の
上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のアドレス電極膜をス
パッタリング法により形成し、通常のリソグラフィ工程
によりパターニングしてアドレス電極７を形成する。そ
して、図４（Ｂ）に示される通り、酸化鉛を主成分とす
る低融点ガラス層を約１０μｍ塗布し、焼成して誘電体
層１０を形成する。
【００２７】図４（Ｃ）に示される通り、上述したポリ
アニリンを添加した隔壁材料層８０を乾燥状態で約１３
０μｍになるようにスクリーン印刷して、乾燥させる。
その後、隔壁材料層８０上に感光性のドライフィルムを
貼り付け、フォトリソグラフィ法により露光、現像し
て、マスク膜１１を形成する。そして、フィルム１１を
マスクにしてサンドブラスト法により隔壁材料層８０を
パターニングする。このパターニング工程では、隔壁材
料層８０が導電性を有するので、衝突帯電が起きても電
荷が隔壁材料層８０内を自由に移動することができる。
従って、ほぼ均一に電荷が分散し、電荷の不均一性に伴
うと思われるエッチングレートの差がなくなる。その結
果、図４（Ｄ）に示される通り、隔壁８０がアドレス電
極７上に残渣が残ることなく形成される。
アニリンを添加した隔壁材料層８０を乾燥状態で約１３
０μｍになるようにスクリーン印刷して、乾燥させる。
その後、隔壁材料層８０上に感光性のドライフィルムを
貼り付け、フォトリソグラフィ法により露光、現像し
て、マスク膜１１を形成する。そして、フィルム１１を
マスクにしてサンドブラスト法により隔壁材料層８０を
パターニングする。このパターニング工程では、隔壁材
料層８０が導電性を有するので、衝突帯電が起きても電
荷が隔壁材料層８０内を自由に移動することができる。
従って、ほぼ均一に電荷が分散し、電荷の不均一性に伴
うと思われるエッチングレートの差がなくなる。その結
果、図４（Ｄ）に示される通り、隔壁８０がアドレス電
極７上に残渣が残ることなく形成される。
【００２８】その後、５００℃程度の温度で６０分間焼
成を行うことで、隔壁８０内に含ませた導電性の有機ポ
リマーであるポリアニリンが分解され絶縁体に変換され
る。本発明者は、焼成後のポリアニリン薄膜に対して熱
重量分析（ＴＧＡ）の結果、焼成温度にさらされた結果
分解して重量が変化したことを確認した。この焼成温度
は、有機物の導電性ペーストを使用する場合は、例えば
４００℃以上の温度が好ましい。その場合、ガラス基板
を使用する時は６００℃程度より低い温度にすることが
ガラス基板の損傷等を考慮すると好ましい。また、絶縁
基板としてセラミック基板を利用する時は、耐熱性が高
いことから１０００℃程度まで高くすることができる。
かかる温度で焼成することにより、導電性が失われる。
成を行うことで、隔壁８０内に含ませた導電性の有機ポ
リマーであるポリアニリンが分解され絶縁体に変換され
る。本発明者は、焼成後のポリアニリン薄膜に対して熱
重量分析（ＴＧＡ）の結果、焼成温度にさらされた結果
分解して重量が変化したことを確認した。この焼成温度
は、有機物の導電性ペーストを使用する場合は、例えば
４００℃以上の温度が好ましい。その場合、ガラス基板
を使用する時は６００℃程度より低い温度にすることが
ガラス基板の損傷等を考慮すると好ましい。また、絶縁
基板としてセラミック基板を利用する時は、耐熱性が高
いことから１０００℃程度まで高くすることができる。
かかる温度で焼成することにより、導電性が失われる。
【００２９】その後、赤、青、緑の蛍光体を印刷により
誘電体層１０及び隔壁８０上に形成し、ガス出しを行っ
て、背面ガラス基板側が完成する。
誘電体層１０及び隔壁８０上に形成し、ガス出しを行っ
て、背面ガラス基板側が完成する。
【００３０】図５は、本発明の第二の実施の形態による
背面ガラス基板の製造プロセスを示す断面図である。こ
の例では、隔壁材料内に導電性材料を含ませるのではな
く、従来の隔壁材料層と誘電体層１０との間に導電性材
料層８１を形成し、サンドブラスト工程終了後にその導
電性材料層を分解等により非導電性に置換する。隔壁層
内に含ませるよりも製造工程が簡単になる。
背面ガラス基板の製造プロセスを示す断面図である。こ
の例では、隔壁材料内に導電性材料を含ませるのではな
く、従来の隔壁材料層と誘電体層１０との間に導電性材
料層８１を形成し、サンドブラスト工程終了後にその導
電性材料層を分解等により非導電性に置換する。隔壁層
内に含ませるよりも製造工程が簡単になる。
【００３１】図５（Ａ）に示される通り、誘電体層１０
を形成した後に、前述したポリアニリンの粉末をトルエ
ンを主成分とする溶剤に１ｗｔ％程度溶かし込んだ導電
体材料層８１を形成する。その形成方法は、例えば、ス
ピンコート法で、厚みは約０．５μｍ程度にする。
を形成した後に、前述したポリアニリンの粉末をトルエ
ンを主成分とする溶剤に１ｗｔ％程度溶かし込んだ導電
体材料層８１を形成する。その形成方法は、例えば、ス
ピンコート法で、厚みは約０．５μｍ程度にする。
【００３２】図５（Ｂ）に示される通り、その上に、従
来と同等の酸化鉛を主成分とする低融点ガラスペースト
を印刷して１００μｍ程度の隔壁材料層８２を形成す
る。隔壁材料層８２を乾燥させた後に、ドライフィルム
のマスク１１を形成し、その後前述したサンドブラスト
法により隔壁材料層８２をエッチングする。その時、吹
きつけられる粒子が衝突することによる帯電が生じて
も、導電材料層８１の存在により帯電による電荷が自由
に移動し、エッチングレートの均一性が保たれる。
来と同等の酸化鉛を主成分とする低融点ガラスペースト
を印刷して１００μｍ程度の隔壁材料層８２を形成す
る。隔壁材料層８２を乾燥させた後に、ドライフィルム
のマスク１１を形成し、その後前述したサンドブラスト
法により隔壁材料層８２をエッチングする。その時、吹
きつけられる粒子が衝突することによる帯電が生じて
も、導電材料層８１の存在により帯電による電荷が自由
に移動し、エッチングレートの均一性が保たれる。
【００３３】従って、図５（Ｃ）に示される通り、アド
レス電極７上に残渣が残ることなく隔壁８２が形成され
る。その後、５８０℃程度の温度で３０分間程度の雰囲
気に隔壁層８２をさらすことにより焼成される。その時
の焼成温度により、ポリアニリンを含む導電材料層８１
は、分解して絶縁性に変換される。この焼成温度も、前
述した通り、ガラス基板では４００〜６００℃程度、セ
ラミック基板では５００〜１０００℃程度が好ましい。
その後、同様にして赤、青、緑の蛍光体層を印刷してガ
ス出しすることで背面側基板が完成する。 最後に、完
成した背面基板と前面基板とが対向してガラス封止さ
れ、内部にＮｅとＸｅ等の放電用のガスが封入され、エ
ージング工程を経てプラズマディスプレイパネルが完成
する。
レス電極７上に残渣が残ることなく隔壁８２が形成され
る。その後、５８０℃程度の温度で３０分間程度の雰囲
気に隔壁層８２をさらすことにより焼成される。その時
の焼成温度により、ポリアニリンを含む導電材料層８１
は、分解して絶縁性に変換される。この焼成温度も、前
述した通り、ガラス基板では４００〜６００℃程度、セ
ラミック基板では５００〜１０００℃程度が好ましい。
その後、同様にして赤、青、緑の蛍光体層を印刷してガ
ス出しすることで背面側基板が完成する。 最後に、完
成した背面基板と前面基板とが対向してガラス封止さ
れ、内部にＮｅとＸｅ等の放電用のガスが封入され、エ
ージング工程を経てプラズマディスプレイパネルが完成
する。
【００３４】［導電性材料］上記の実施の形態例では、
導電性材料としてポリアニリンの有機ポリマーを利用し
た例を示した。以下、それ以外の材料の例を説明する。
導電性材料としてポリアニリンの有機ポリマーを利用し
た例を示した。以下、それ以外の材料の例を説明する。
【００３５】高分子の有機材料以外に、電子供与体と電
子受容体からなる電荷移動錯体を利用することもでき
る。この様な物質でも、焼成温度にさらされることで分
解して導電性を失うことが知られている。この様な無機
材料の場合は、焼成温度は５００℃以上が好ましい。従
って、ガラス基板を使用する時は、５００〜６００℃程
度、セラミック基板を使用する時は、５００〜１０００
℃程度が好ましい。
子受容体からなる電荷移動錯体を利用することもでき
る。この様な物質でも、焼成温度にさらされることで分
解して導電性を失うことが知られている。この様な無機
材料の場合は、焼成温度は５００℃以上が好ましい。従
って、ガラス基板を使用する時は、５００〜６００℃程
度、セラミック基板を使用する時は、５００〜１０００
℃程度が好ましい。
【００３６】上記の有機導電材料の場合は、隔壁の焼成
過程で分解して絶縁性に変換する。しかし、プラズマデ
ィスプレイパネルの電気特性に影響しない程度の導電性
を残した隔壁でも、隔壁の機能を果たすことができる。
その場合は、例えば、導電材料として酸化物導電材料、
金属材料、或いはそれらの混合物を利用することができ
る。
過程で分解して絶縁性に変換する。しかし、プラズマデ
ィスプレイパネルの電気特性に影響しない程度の導電性
を残した隔壁でも、隔壁の機能を果たすことができる。
その場合は、例えば、導電材料として酸化物導電材料、
金属材料、或いはそれらの混合物を利用することができ
る。
【００３７】その様な酸化物導電材料や金属材料であっ
ても、隔壁の焼成工程で酸化物導電材料の酸素結合構造
が変化して絶縁性材料に変化したり、金属材料が酸化し
て絶縁材料に変化したりする。従って、図４或いは図５
のいずれのプロセスであっても、サンドブラスト工程の
時は導電性が高く、焼成工程を経るとその導電性は低く
なる。
ても、隔壁の焼成工程で酸化物導電材料の酸素結合構造
が変化して絶縁性材料に変化したり、金属材料が酸化し
て絶縁材料に変化したりする。従って、図４或いは図５
のいずれのプロセスであっても、サンドブラスト工程の
時は導電性が高く、焼成工程を経るとその導電性は低く
なる。
【００３８】高分子の有機材料の例としては、ポリアニ
リン、ポリチアジル、ポリアセチレン、ポリパラフェニ
レン、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリフェニレン
オキシド、ポリビニレンスルフィド、ポリベンゾチオフ
ィド、ポリパラフェニレンビニレン、ポリ（２，５−チ
エニレンビニレン）、ポリアズレン、ポリピロール、ポ
リチオフェン、ポリチオフェンビニレン、ポリセレノフ
ェン、ポリフラン、ポリ（３−アルキルチオフェン）ポ
リフラン、ポリトリフェニル−アミンポリピリジノピリ
ジン、ポリピラジノピラジン、ポリメチンイミン、ポリ
オキサジアゾール、或いはこれらの２種類以上の混合物
が適切である。
リン、ポリチアジル、ポリアセチレン、ポリパラフェニ
レン、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリフェニレン
オキシド、ポリビニレンスルフィド、ポリベンゾチオフ
ィド、ポリパラフェニレンビニレン、ポリ（２，５−チ
エニレンビニレン）、ポリアズレン、ポリピロール、ポ
リチオフェン、ポリチオフェンビニレン、ポリセレノフ
ェン、ポリフラン、ポリ（３−アルキルチオフェン）ポ
リフラン、ポリトリフェニル−アミンポリピリジノピリ
ジン、ポリピラジノピラジン、ポリメチンイミン、ポリ
オキサジアゾール、或いはこれらの２種類以上の混合物
が適切である。
【００３９】電荷移動錯体を利用した有機材料の例とし
ては、テトラチオフルバレン、テトラチオテトラセン、
テトラメチルテトラセノフルバレン、フェノチアジル或
いはこれらの類縁体の１または２種類以上を有する電子
供与体と、テトラシアノキノジメタン、フルオラニル、
トリニトロフルオレノン、ヘキサシアノブタジエン或い
はこれらの類縁体の１または２種類以上を有する電子受
容体を含む電荷移動錯体が適切である。
ては、テトラチオフルバレン、テトラチオテトラセン、
テトラメチルテトラセノフルバレン、フェノチアジル或
いはこれらの類縁体の１または２種類以上を有する電子
供与体と、テトラシアノキノジメタン、フルオラニル、
トリニトロフルオレノン、ヘキサシアノブタジエン或い
はこれらの類縁体の１または２種類以上を有する電子受
容体を含む電荷移動錯体が適切である。
【００４０】更に、上記の酸化物導電材料の例として
は、ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｔｌ2 Ｏ 3 ，ＴｌＯＦ，Ｓ
ｒＴｉＯ3 ，ＲｅＯ3 ，ＴｉＯ，ＬａＮｉＯ3 ，ＬａＣ
ｕＯ3，ＣｕＲｕＯ3 ，ＳｒＩｒＯ3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，
ＲｕＯ2 ，ＯｓＯ2 ，ＩｒＯ2，ＭｏＯ2 ，ＷＯ2 ，Ｒ
ｅＯ2 ，ＲｈＯ2 ，βＰｔＯ2 ，Ｖ2 Ｏ3 ，Ｆｅ
3 Ｏ4，ＶＯ2 ，Ｔｉ2 Ｏ3 ，ＶＯ，ＣｒＯ2 ，ＳｒＶ
Ｏ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，ＣａＦｅＯ3 ，ＳｒＦｅＯ3 ，Ｓ
ｒＣｏＯ3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬｕＮｉＯ3 ，ＣａＲｕＯ
3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，Ｌａ2 ＮｉＯ4 ，Ｎｄ2 ＮｉＯ4 ，
ＣａＯ，ＮｉＯの１または２種類以上を有する酸化物導
電材料が適切である。
は、ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｔｌ2 Ｏ 3 ，ＴｌＯＦ，Ｓ
ｒＴｉＯ3 ，ＲｅＯ3 ，ＴｉＯ，ＬａＮｉＯ3 ，ＬａＣ
ｕＯ3，ＣｕＲｕＯ3 ，ＳｒＩｒＯ3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，
ＲｕＯ2 ，ＯｓＯ2 ，ＩｒＯ2，ＭｏＯ2 ，ＷＯ2 ，Ｒ
ｅＯ2 ，ＲｈＯ2 ，βＰｔＯ2 ，Ｖ2 Ｏ3 ，Ｆｅ
3 Ｏ4，ＶＯ2 ，Ｔｉ2 Ｏ3 ，ＶＯ，ＣｒＯ2 ，ＳｒＶ
Ｏ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，ＣａＦｅＯ3 ，ＳｒＦｅＯ3 ，Ｓ
ｒＣｏＯ3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬｕＮｉＯ3 ，ＣａＲｕＯ
3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，Ｌａ2 ＮｉＯ4 ，Ｎｄ2 ＮｉＯ4 ，
ＣａＯ，ＮｉＯの１または２種類以上を有する酸化物導
電材料が適切である。
【００４１】金属材料としては、Ｍｏ等が適切である。
この金属材料は、焼成工程によって絶縁性の酸化物に変
換されるものが好ましい。
この金属材料は、焼成工程によって絶縁性の酸化物に変
換されるものが好ましい。
【００４２】本発明者は、比較の為に、図４（Ｃ）に示
したポリアニリンの導電材料を含んだ隔壁層８０を、ア
ドレス電極７を形成した第一のサンプルと形成しない第
二のサンプル上に形成した。また、別の第三のサンプル
として導電材料を含んでいない隔壁層８０をアドレス電
極７上に形成した。そして、３つのサンプルに対してサ
ンドブラスト法でエッチングしたところ、第一、第二の
サンプルでは残渣が残らなかった。しかし、第三のサン
プルでは残渣が残った。従って、導電材料を含んだ隔壁
層を利用すれば、アドレス電極の有無に係わらずそのエ
ッチングレート（ブラストレート）は均一にすることが
できることが確認された。
したポリアニリンの導電材料を含んだ隔壁層８０を、ア
ドレス電極７を形成した第一のサンプルと形成しない第
二のサンプル上に形成した。また、別の第三のサンプル
として導電材料を含んでいない隔壁層８０をアドレス電
極７上に形成した。そして、３つのサンプルに対してサ
ンドブラスト法でエッチングしたところ、第一、第二の
サンプルでは残渣が残らなかった。しかし、第三のサン
プルでは残渣が残った。従って、導電材料を含んだ隔壁
層を利用すれば、アドレス電極の有無に係わらずそのエ
ッチングレート（ブラストレート）は均一にすることが
できることが確認された。
【００４３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ラズマディスプレイパネルの隔壁（バリアリブ）を形成
するサンドブラスト工程で、ブラストによって帯電した
電荷を導電材料を介して拡散させることができるので、
アドレス電極が存在していてもブラストレート（エッチ
ングレート）が変化しないで均一になる。従って、均一
なセル構造を得ることができ、プラズマディスプレイパ
ネルの性能向上に寄与するところが大きい。
ラズマディスプレイパネルの隔壁（バリアリブ）を形成
するサンドブラスト工程で、ブラストによって帯電した
電荷を導電材料を介して拡散させることができるので、
アドレス電極が存在していてもブラストレート（エッチ
ングレート）が変化しないで均一になる。従って、均一
なセル構造を得ることができ、プラズマディスプレイパ
ネルの性能向上に寄与するところが大きい。
【図１】３電極の面放電型のプラズマディスプレイパネ
ルの概略的な構造を示す分解斜視図である。
ルの概略的な構造を示す分解斜視図である。
【図２】ＰＤＰの表示電極対に沿った断面図である。
【図３】上記の３電極面放電型のＰＤＰのＸ，Ｙ電極と
アドレス電極との関係を示すパネルの平面図である。
アドレス電極との関係を示すパネルの平面図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態による背面ガラス基
板の製造プロセスを示す断面図である。
板の製造プロセスを示す断面図である。
【図５】本発明の第二の実施の形態による背面ガラス基
板の製造プロセスを示す断面図である。
板の製造プロセスを示す断面図である。
【図６】通常の隔壁を形成する製造プロセスを示す要部
断面図である。
断面図である。
【図７】サンドブラスト工程終了時の断面図である。
１、６ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ バス電極 ４、１０ 誘電体 ７ アドレス電極 ８ 隔壁、バリアリブ ９ 蛍光体
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 11/02
Claims (11)
- 【請求項１】放電空間を介して対向する１対の絶縁基板
を有し、該絶縁基板上に形成した電極間でプラズマ放電
させて表示を行うプラズマディスプレイパネルの製造方
法において、 絶縁基板上に複数本の電極を形成する工程と、 該絶縁基板上であって前記複数本の電極を被覆する様
に、導電性のペースト層を形成する工程と、 該ペースト層上に前記複数本の電極の間の位置にマスク
膜を形成する工程と、該ペースト層に粒子を吹きつけて
該マスク膜が形成されていない該ペースト層部分をエッ
チングする工程と、 該ペースト層を焼成雰囲気にさらして、前記導電性ペー
スト層の導電性を下げて、該複数本の電極の間に隔壁を
形成する工程とを有することを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】放電空間を介して対向する１対の絶縁基板
を有し、該絶縁基板上に形成した電極間でプラズマ放電
させて表示を行うプラズマディスプレイパネルの製造方
法において、 絶縁基板上に複数本の電極を形成する工程と、 該絶縁基板上であって前記複数本の電極を被覆する様
に、導電性薄膜を形成する工程と、 該導電性薄膜上にペースト層を形成する工程と、 該ペースト層上に前記複数本の電極の間の位置にマスク
膜を形成する工程と、 該ペースト層に粒子を吹きつけて該マスク膜が形成され
ていない該ペースト層部分をエッチングする工程と、 該ペースト層を焼成雰囲気にさらして該複数本の電極の
間に隔壁を形成する工程とを有することを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の製造方法において、 前記焼成工程により、前記導電性薄膜の導電性を下げる
ことを特徴とする。 - 【請求項４】請求項２または３のいずれかに記載の製造
方法において、 前記導電性薄膜は、導電性材料を有することを特徴とす
る。 - 【請求項５】請求項４記載の製造方法において、 該導電性材料として、導電性の高分子有機材料を使用す
ることを特徴とする。 - 【請求項６】請求項５記載の製造方法において、 該高分子有機材料は、ポリアニリン、ポリチアジル、ポ
リアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンオキシド、ポリビニレン
スルフィド、ポリベンゾチオフィド、ポリパラフェニレ
ンビニレン、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）、ポ
リアズレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリチオ
フェンビニレン、ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリ
（３−アルキルチオフェン）ポリフラン、ポリトリフェ
ニル−アミンポリピリジノピリジン、ポリピラジノピラ
ジン、ポリメチンイミン、ポリオキサジアゾール、或い
はこれらの２種類以上の混合物の何れかを含むことを特
徴とする。 - 【請求項７】請求項４記載の製造方法において、 該導電性材料は、電子供与体と電子受容体を含む電荷移
動錯体を有することを特徴とする。 - 【請求項８】請求項７記載の製造方法において、 前記電荷移動錯体は、テトラチオフルバレン、テトラチ
オテトラセン、テトラメチルテトラセノフルバレン、フ
ェノチアジル或いはこれらの類縁体の１または２種類以
上を有する電子供与体と、テトラシアノキノジメタン、
フルオラニル、トリニトロフルオレノン、ヘキサシアノ
ブタジエン或いはこれらの類縁体の１または２種類以上
を有する電子受容体を含むことを特徴とする。 - 【請求項９】請求項４記載の製造方法において、 該導電性材料は、酸化物導電体を有することを特徴とす
る。 - 【請求項１０】請求項９記載の製造方法において、 前記酸化物導電体は、ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｔｌ2 Ｏ
3 ，ＴｌＯＦ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＲｅＯ3 ，ＴｉＯ，Ｌａ
ＮｉＯ3 ，ＬａＣｕＯ3 ，ＣｕＲｕＯ3 ，ＳｒＩｒＯ
3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，ＲｕＯ2 ，ＯｓＯ2 ，ＩｒＯ2 ，Ｍ
ｏＯ2 ，ＷＯ2 ，ＲｅＯ2 ，ＲｈＯ2 ，βＰｔＯ2 ，Ｖ
2 Ｏ3 ，Ｆｅ3 Ｏ4 ，ＶＯ2 ，Ｔｉ2 Ｏ3，ＶＯ，Ｃｒ
Ｏ2 ，ＳｒＶＯ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，ＣａＦｅＯ3 ，Ｓｒ
ＦｅＯ3 ，ＳｒＣｏＯ3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬｕＮｉＯ
3 ，ＣａＲｕＯ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，Ｌａ2 ＮｉＯ4 ，Ｎ
ｄ2 ＮｉＯ4 ，ＣａＯ，ＮｉＯの１または２種類以上を
有することを特徴とする。 - 【請求項１１】請求項４記載の製造方法において、 該導電性材料は、金属材料を含むことを特徴とする。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27200096A JP3229555B2 (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US08/812,046 US5860843A (en) | 1996-10-15 | 1997-03-06 | Method of manufacturing a plasma display panel |
| FR9708488A FR2754634B1 (fr) | 1996-10-15 | 1997-07-04 | Panneau d'affichage plasma et son procede de fabrication |
| KR1019970052808A KR100301353B1 (ko) | 1996-10-15 | 1997-10-15 | 플라즈마디스플레이패널및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27200096A JP3229555B2 (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116563A JPH10116563A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3229555B2 true JP3229555B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17507757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27200096A Expired - Fee Related JP3229555B2 (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5860843A (ja) |
| JP (1) | JP3229555B2 (ja) |
| KR (1) | KR100301353B1 (ja) |
| FR (1) | FR2754634B1 (ja) |
Families Citing this family (20)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3209925B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2001-09-17 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその隔壁形成方法 |
| JP3454654B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | 表示パネルの隔壁形成方法 |
| JP4036507B2 (ja) * | 1997-02-12 | 2008-01-23 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法 |
| JPH10269935A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | パネルディスプレイ製造方法及び製造装置 |
| JPH10319875A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Sony Corp | プラズマアドレス表示装置の製造方法 |
| JP3778234B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2006-05-24 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | 表示パネル用基板の蛍光体形成方法および装置 |
| US6384802B1 (en) * | 1998-06-27 | 2002-05-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and apparatus and method for driving the same |
| KR100520392B1 (ko) * | 1999-04-19 | 2005-10-12 | 현대 프라즈마 주식회사 | 실린더 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
| KR100484100B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2005-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 기판 제조방법 |
| JP2001312972A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレーパネル及びその隔壁製造方法 |
| TW466537B (en) * | 2000-07-14 | 2001-12-01 | Acer Display Tech Inc | Plasma display panel and the manufacturing method thereof |
| US6679747B1 (en) * | 2000-08-11 | 2004-01-20 | Au Optronics Corp. | Conducting carrier of sand blasting device for removing elestrostatic charge generated during sand blasting process |
| CN100378895C (zh) * | 2001-02-28 | 2008-04-02 | 友达光电股份有限公司 | 等离子显示器的不对称阻隔壁结构的制作方法 |
| TW490708B (en) * | 2001-03-13 | 2002-06-11 | Acer Display Tech Inc | Manufacture method of rib of plasma display panel and rear panel structure of plasma display panel |
| WO2004066336A1 (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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