KR970071789A - 반도체 기억 장치 - Google Patents
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Abstract
공유되는 감지 증폭기 구성을 갖는 반도체 기억 장치는 페이지 비트율의 높은 주기억을 구현하는데 사용된다. 감지 증폭기 대(sense amplifier bands)(SA#1~SA#N)를 공유하기 위해 배치되는 각각의 메모리 블럭(MB#O~MB#N)과, 이 메모리 블럭에 공통적으로 제공되어 내부 데이타를 전송하는 전역 IO 버스(GIOB)와, 각각의 메모리 블럭에 대응하여 배치되는 로컬 IO 버스 버스(LIOn, /LIOn)의 접속은 열 선택 동작과 관련된 신호(Ø CD)에 기초하여 제어된다. 각각의 메모리 블럭이 뱅크로서 사용될 수 있도록 각각의 메모리 블럭은 서로 독립적으로 구동되며, 또한 하나의 메모리 블럭이 활성화 된 상태에서 다른 메모리 블럭에 액세스되더라도, 전역 IO 버스상에서는 데이타 충돌이 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 제4도에 도시된 감지 증폭기 대의 구성을 개략적으로 도시한 도면.
Claims (3)
- 반도체 기억 장치(a semionductor memory device)에 있어서, 제각기 행열 상태로 배열되는 다수의 메모리 셀을 갖는 다수의 메모리 블럭을 포함하는 메모리 어레이(a memory array)와; 상기 다수의 메모리 블럭 각각에 대응하여 제공되고, 제각기 대응하는 메모리 블럭내의 선택된 열과 데이타를 전송 및 수신하기 위한 다수의 로컬 입출력 버스(a plurality of local imput/output buses)와; 상기 다수의 메모리 블럭에 공통적으로 제공되는 전역 입출력 버스(a global imput/output bus)와; 상기 다수의 메모리 블럭 각각에 대응하여 제공되고, 제1뱅크 어드레스(a first bank address)및 동작 모드 지시 신호에 응답하여, 선택적 및 독립적으로 활성화되고, 활성화시 대응하는 메모리 블럭을 활성화하기 위한 뱅크 활성화 수단(bank activation means)과; 상기 다수의 각각의 로컬 입출력 버스와 상기 전역 입출력 버스 사이에 제공되고, 활성화시 대응하는 로컬 입출력 버스와 상기 전역 입출력 버스를 전기적으로 접속하기 위한 다수의 뱅크 선택 스위치(a plurality of bank select switches)와; 열 선택 동작 지시 신호(a column select operation instruction signal)및 상기 열 선택 동작 지시 신호와 동시에 제공되는 뱅크 어드레스 신호(a bank address singnal)에 응답하여, 상기 동시에 제공된 뱅크 어드레스 신호에 의해 지정되는 메모리 블럭에 대응하여 제공되는 로컬 입출력 버스의 뱅크 선택 스위치(a bank select switch)를 활성화하기 위한 뱅크 선택 제어수단(bank select control means)을 포함하는 반도체 기억 장치.
- 반도체 기억 장치에 있어서, 행열 상태로 배열된 다수의 메모리 셀을 제각기 포함하고 열 방향을 따라 정렬하여 배치되는 다수의 메모리 블럭을 포함하는 메모리 어레이와; 상기 메모리 어레이내의 인접 메모리 블럭 사이에 제공되고, 활성화시 선택적으로 인접 메모리 블럭들중 어느 하나와 접속되어, 대응하는 메모리 블럭의 열(column)상의 메모리 셀 데이타를 검출하여 증폭하기 위한 다수의 감지 증폭기 대(a plurality of sense amplifier bands)와; 상기 각각의 메모리 블럭과 상기 다수의 각각의 감지 증폭기 대 사이에 제공되고, 활성화시 대응하는 메모리 블럭의 각각의 열을 대응하는 감지 증폭기 대에 접속시키기 위한 다수의 블럭 분리/접속수단(a plurality of block isolation/connection means)과; 상기 메모리 어레이내의 메모리 블럭을 지정하는 뱅크 어드레스 신호에 응답하여, 어드레스 지정된 메모리 블럭과 감지 증폭기 대를 공유하는 메모리 블럭에 제공된 블럭 분리/접속 수단을 비활성화시키기 위한 분리/접속 제어 수단(isolation/connection countrol means)과; 각각의 상기 다수의 감지증폭기 대에 대응하여 제공되고, 상기 뱅크 어드레스 신호 및 감지 활성화신호에 응답하여, 상기 어드레스 지정된 메모리 블럭에 대하여 제공된 감지 증폭기 대를 활성화시키기 위한 감지 활성 제어수단(sense activation control means)을 포함하고, 상기 감지 활성 제어 수단은, (a)감지 증폭기 대를 가장 최근에 사용한 메모리 블럭을 지정하는 뱅크 어드레스 데이타를 기억하기 위한 기억 수단(storage means)과; (b)상기 기억 수단에 의해 기억된 뱅크 어드레스 에이타와 상기 뱅크 어드레스 신호의 일치/불일치를 판별하기 위한 판별 수단(determination means)을 포함하고; 또한, 상기 판별 수단이 불일치를 나타내는 경우, 어레이 구동 활성화 신호의 활성화에 응답하여, 대응하는 감지 증폭기 대를 비활성화시키기 위한 비활성화 수단(inactivation means)과; 상기 메모리 블럭 각각에 대응하여 제공되고, 상기 뱅크 어드레스 신호와, 행을 지정하기 위한 행 어드레스 신호와, 상기 어레이 구동 활성화 신호에 응답하여, 대응하는 메모리 블럭의 행을 선택 상태로 구동하고, 상기 감지 활성화 신호를 활성화하여 대응하는 감지 활성 제어 수단에 제공하기 위한 어레이 구동 수단(array driving means)을 포함하고, 상기 어레이 구동 수단 및 상기 블럭 분리/접속 수단은, 상기 비활성화 수단의 상기 대응하는 감지 증폭기 대의 비활성화에 응답하여, 대응하는 메모리 블럭을 비활성 상태로 구동하고, 상기 대응하는 감지 증폭기 대로부터 상기 대응하는 메모리 블럭을 분리시키는 수단을 포함하는 반도체 기억 장치.
- 반도체 기억 장치에 있어서, 행열 상태로 배열되는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 어레이와; 어레이 활성화 지시 신호에 응답하여 활성화하고, 제1어드레스 신호에 따라 상기 메모리 어레이의 행을 선택하기 위한 행 선택 수단(row selecting means)과; 판독 동작 지시 신호에 응답하여 활성화되고, 활성화시 제2어드레스 신호에 따라 상기 메모리 어레이의 열을 선택하고, 상기 선택된 열상의 메모리 셀의 데이타를 장치 외부로 판독하는 판독 수단(reading means)과; 상기 판독 동작 지시 신호에 응답하여, 상기 판독 수단으로부터 장치 외부로 판독되는 데이타가 유효한 것임을 나타내는 데이타 유효 신호를 장치 외부로 출력하기 위한 데이타 유효 신호 출력 수단(datd valid signal output means)을 포함하는 반도체 기억 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090910 Year of fee payment: 10 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |