Claims (9)
반도체 칩이 부착되는 다이 패드와, 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 복수의 내부 리드 및 상기 내부 리드와 일체형으로 형성되어 있는 복수의 외부 리드를 구비하는 리드 프레임에 있어서, 상기 내부리드와 반도체 칩은 본딩 와이어에 의해 연결되며, 상기 각각의 내부 리드 사이의 거리(=피치)는 소정의 위치에서만 더 큰 것을 특징으로 하는 리드 프레임.A lead frame comprising a die pad to which a semiconductor chip is attached, a plurality of internal leads electrically connected to the semiconductor chip, and a plurality of external leads integrally formed with the internal leads, wherein the internal lead and the semiconductor chip are A lead frame connected by a bonding wire, wherein the distance (= pitch) between each of the internal leads is larger only at a predetermined position.
제1항에 있어서, 상기 소정의 위치는 몰딩 공정에서 몰딩 컴 파운드가 주입되는 게이트를 기준으로 대각선 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The lead frame according to claim 1, wherein the predetermined position is located in a diagonal direction with respect to the gate into which the molding compound is injected in the molding process.
제1항에 있어서, 상기 다이 패드를 지지하는 타이 바를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The lead frame according to claim 1, further comprising a tie bar for supporting the die pad.
제3항에 있어서, 상기 소정의 위치는 몰딩 공정에서 몰딩 컴 파운드가 주입되는 게이트를 기준으로 상기 타이 바에서 멀리 위치한 것을 특징으로 하는 리드 프레임.4. The lead frame according to claim 3, wherein the predetermined position is located far from the tie bar with respect to a gate into which a molding compound is injected in a molding process.
제1항에 있어서, 상기 소정의 위치에 있는 내부 리드의 피치는 다른 위치에 있는 내부 리드의 피치보다 2배 이상인 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The lead frame according to claim 1, wherein the pitch of the inner lead at the predetermined position is twice or more than the pitch of the inner lead at the other position.
제1항에 있어서, 상기 다이 패드는 사각형이며, 상기 내부 리드는 상기 다이 패드의 네변에 모두 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The lead frame according to claim 1, wherein the die pad is rectangular and the inner leads are arranged on all four sides of the die pad.
A) 복수의 본딩 패드를 갖는 반도체 칩과, B) 상기 반도체 칩이 부착되는 다이 패드와, 복수의 리드를 갖는 리드 프레임과, C) 상기 반도체 칩의 본딩 패드와 상기 리드 프레임의 리드를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어와, D) 상기 반도체 칩을 봉지하는 몰딩 컴 파운드를 구비하는 패키지에 있어서, 상기 각각의 리드 사이의 거리(=피치)는 상기 몰딩 컴 파운드의 유동에 의해 충격을 많이 받는 위치에서 더 큰 것을 특징으로 하는 패키지.A) a semiconductor chip having a plurality of bonding pads, B) a die pad to which the semiconductor chip is attached, a lead frame having a plurality of leads, and C) a bonding pad of the semiconductor chip and a lead of the lead frame electrically. In a package including a bonding wire for connecting and D) a molding compound for encapsulating the semiconductor chip, the distance (= pitch) between the respective leads is at a location that is heavily impacted by the flow of the molding compound. Package characterized in that larger.
제7항에 있어서, 상기 리드 프레임은 다이 패드를 지지하는 타이 바를 더 구비하며, 타이 바 좌측에 있는 내부 리드의 피치는 다른 내부 리드의 피치보다 더 큰 것을 특징으로 하는 패키지.8. The package of claim 7, wherein the lead frame further comprises a tie bar supporting the die pad, wherein the pitch of the inner leads to the left of the tie bars is greater than the pitch of the other inner leads.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 더 큰 내부 리드의 피치는 다른 내부 리드의 피치의 2배 이상인 것을 특징으로 하는 패키지.9. A package according to claim 7 or 8, wherein the pitch of the larger inner leads is at least twice the pitch of the other inner leads.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.