KR970029874A - 불휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드회로 - Google Patents

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야; 불 휘발성 반도체 메모리에 데이타 리드회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제; 반도체 메모리 장치의 리드동작을 페이지 버퍼없이도 안정하게 보장할 수 있는 데이터 리드 회로를 제공함에 의해 칩의 사이즈를 줄인다.
3. 발명의 해결방법의 요지; 메모리 트랜지스터들이 행 방향의 워드라인과 열방향의 비트라인에 매트릭스형태로 배열되어 형성된 메모리 셀 어레이를 가지는 불 휘발성 반도체 메모리장치는 상기 비트라인의 양단에 각기 접속되어 상기 비트라인의 방전 및 제1기준전압에 응답하여 비트라인의 바이어스 레벨 설정을 담당하는 비트라인 방전 및 바이어스 설정부와, 상기 바이어스 설정부에 연결되며 제2기준전압에 응답하여 상기 비트라인을 프리 차아지하는 비트라인 프리차아지부와, 상기 프리차아지부의 출력단에 연결되며 칼럼 디코딩 신호에 응답하여 감지노드상에 선택된 메모리 셀의 문턱전압에 따른 상기 비트라인상의 전압을 패싱하는 칼럼 패스부와, 상기 감지노드를 프리차아지하는 데이타 라인 프리차아지부와, 상기 감지노드상의 전압을 센싱하여 선택된 메모리 셀의 데이터를 래치없이 리드하는 센스앰프를 포함하는 리드수단을 가진다.
4. 발명의 중요한 용도; 반도체 메모리의 개선된 리드 회로로서 적합하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리의 데이터 리드 회로.
제4도는 제3도에 따른 리드동작에서의 타이밍도.

Claims (5)

  1. 다수 메모리 트랜지스터들이 하나의 낸드셀 스트링을 구성하며, 상기 메모리 트랜지스터들이 행 방향의 워드라인과 열방향의 비트라인에 매트릭스형태로 배열되어 형성된 메모리 셀 어레이를 가지는 불 휘발성 반도체 메모리장치에 있어서; 상기 비트라인의 양단에 각기 접속되어 상기 비트라인의 방전 및 제1 기준전압에 응답하여 비트라인의 바이어스 레벨 설정을 담당하는 비트라인 방전 및 바이어스 설정부와, 상기 바이어스 설정부에 연결되며 제2 기준전압에 응답하여 상기 비트라인을 프리 차아지하는 비트라인 프리차아지부와, 상기 프리차아지부의 출력단에 연결되며 칼럼 디코딩 신호에 응답하여 감지노드상에 선택된 메모리 셀의 문턱전압에 따른 상기 비트라인상의 전압을 패싱하는 칼럼 패스부와, 감지노드를 프리차아지하는 데이터 라인 프리차아지부와, 상기 감지노드상의 전압을 센싱하여 선택된 메모리 셀의 데이터를 래치없이 리드하는 센스엠프를 포함하는 리드수단을 가짐을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비트라인 방전 및 바이어스 설정부는 엔형 모오스 트랜지스터들로 구성됨을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 비트라인 프리차아지부는 피형 모오스 트랜지스터들로 구성됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 데이터 라인 프리차아지부는 단일의 피형 모오스 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리 장치.
  5. 불 휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 리드방법에 있어서, 선택된 비트라인의 방전이후에 바이어스 레벨을 선정하고, 비트라인을 프리 차아지하여 감지노드상에 선택된 메모리 셀의 문턱전압에 따른 상기 비트라인상의 전압을 래치동작 없이 바로 센싱하는 것을 특징으로 하는 데이터 리드방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466981B1 (ko) * 2002-03-04 2005-01-24 삼성전자주식회사 저전압 불휘발성 반도체 메모리 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862074A (en) * 1996-10-04 1999-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit memory devices having reconfigurable nonvolatile multi-bit memory cells therein and methods of operating same
JP3730381B2 (ja) * 1997-10-21 2006-01-05 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR100266745B1 (ko) * 1997-12-29 2000-09-15 윤종용 멀티-비트 데이터를 저장하기 위한 반도체 메모리 장치
KR100290283B1 (ko) 1998-10-30 2001-05-15 윤종용 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그의 워드 라인 구동 방법
JP3863330B2 (ja) * 1999-09-28 2006-12-27 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
US6175523B1 (en) * 1999-10-25 2001-01-16 Advanced Micro Devices, Inc Precharging mechanism and method for NAND-based flash memory devices
KR100319559B1 (ko) * 1999-11-01 2002-01-05 윤종용 문턱 전압 분포들 사이의 마진을 일정하게 유지할 수 있는멀티-스테이트 불휘발성 반도체 메모리 장치
EP1324345A1 (en) 2001-12-27 2003-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Single supply voltage, nonvolatile memory device with cascoded column decoding
EP1326258B1 (en) * 2001-12-27 2016-03-23 STMicroelectronics Srl Single supply voltage, nonvolatile phase change memory device with cascoded column selection and simultaneous word read/write operations
DE10206186B4 (de) 2002-02-14 2010-01-28 Infineon Technologies Ag Speichermatrix und Verfahren zur Absicherung einer Speichermatrix
DE60323202D1 (de) 2003-02-21 2008-10-09 St Microelectronics Srl Phasenwechselspeicheranordnung
JP2004281032A (ja) * 2003-02-25 2004-10-07 Rohm Co Ltd 半導体記憶装置
US6977842B2 (en) * 2003-09-16 2005-12-20 Micron Technology, Inc. Boosted substrate/tub programming for flash memories
JP2006004514A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
DE602004010795T2 (de) * 2004-06-24 2008-12-11 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verbesserter Seitenspeicher für eine programmierbare Speichervorrichtung
US7379333B2 (en) 2004-10-28 2008-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Page-buffer and non-volatile semiconductor memory including page buffer
US7251160B2 (en) 2005-03-16 2007-07-31 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations
KR100680484B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 개선된 독출 동작 기능을 가지는 플래시 메모리 장치의페이지 버퍼 회로 및 그 독출 동작 제어 방법
KR100680486B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 향상된 동작 성능을 가지는 플래시 메모리 장치의 페이지버퍼 회로 및 그 독출 및 프로그램 동작 제어 방법
US7663922B2 (en) * 2006-02-02 2010-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory devices with lower and upper bit lines sharing a voltage control block, and memory cards and systems having the same
KR100666184B1 (ko) * 2006-02-02 2007-01-09 삼성전자주식회사 하부 비트라인들과 상부 비트라인들이 전압제어블락을공유하는 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치
KR100736408B1 (ko) * 2006-06-10 2007-07-09 삼성전자주식회사 비트 라인의 전압 강하를 보상할 수 있는 반도체 장치와 그보상 방법
CN102117657B (zh) * 2009-12-30 2014-05-28 上海华虹集成电路有限责任公司 Eeprom的读取电路
US9997250B2 (en) * 2016-03-17 2018-06-12 SK Hynix Inc. Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device
WO2021081973A1 (en) 2019-11-01 2021-05-06 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Sense amplifier for flash memory devices

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2504743B2 (ja) * 1985-03-18 1996-06-05 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US4999812A (en) * 1988-11-23 1991-03-12 National Semiconductor Corp. Architecture for a flash erase EEPROM memory
KR910007434B1 (ko) * 1988-12-15 1991-09-26 삼성전자 주식회사 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 반도체 메모리장치 및 그 소거 및 프로그램 방법
US5237534A (en) * 1989-04-27 1993-08-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Data sense circuit for a semiconductor nonvolatile memory device
JPH0371497A (ja) * 1989-08-11 1991-03-27 Casio Comput Co Ltd 半導体メモリの読出し方法
JP2723695B2 (ja) * 1991-07-02 1998-03-09 シャープ株式会社 半導体記憶装置
JP2991546B2 (ja) * 1991-10-07 1999-12-20 株式会社東芝 半導体集積回路
US5440506A (en) * 1992-08-14 1995-08-08 Harris Corporation Semiconductor ROM device and method
JP3011570B2 (ja) * 1993-04-30 2000-02-21 株式会社東芝 半導体メモリ
JPH0757491A (ja) * 1993-08-12 1995-03-03 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体記憶装置
KR0169420B1 (ko) * 1995-10-17 1999-02-01 김광호 불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466981B1 (ko) * 2002-03-04 2005-01-24 삼성전자주식회사 저전압 불휘발성 반도체 메모리 장치

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US5748529A (en) 1998-05-05
DE69630268T2 (de) 2004-08-26
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EP0776012A2 (en) 1997-05-28
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