KR970013427A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 낮은 오프 전류(Ioff)를 유지하면서, 높은 전계 효과 이동도를 갖도록 하여 온 전류(Ion)를 높일 수 있도록 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 게이트 절연막 위에 채널층인 미세 결정질 실리콘막이 형성되어 있으며, 상기 미세 결정질 실리콘막 위에 비정질 실리콘막이 형성되어 있으며, 상기 비정질 실리콘막 위에 중앙부가 식각된 형태로 외인성 반도체막이 형성되어 있고, 상기 외인성 반도체막 위에 중앙부가 식각된 형태로 형성되어 있는 도전 물질로 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 다른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터를 나타낸 단면도이고,
제4도의 (가)-(바)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막트랜지스터의 제조 공정 순서를 나타낸 단면도이다.

Claims (17)

  1. 기판, 상기 기판 위에 도전 물질로 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 채널층인 미세 결정질 실리콘막, 상기 미세 결정질 실리콘막 위에 형성되어 있는 비정질 실리콘막, 상기 비정질 실리콘막과 접하고 있는 서로 분리되어 있는 도전 물질로 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에서, 상기 게이트 전극과 상기 게이트 절연막 사이에 형성되어 있는 양극 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터.
  3. 제1항에서, 상기 비정질 실리콘막 위에 서로 분리되게 형성되어 있는 외인성 반도체막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터.
  4. 제1항에서, 상기 게이트 전극은 알루미늄으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터.
  5. 제1항에서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 크롬으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터.
  6. 제1항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막의 두께는 300Å 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터.
  7. 제1항에서, 상기 비정질 실리콘막의 도포 두께는 700Å 내지 2000Å인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터.
  8. 기판 위에 도전 물질로 게이트 전극을 형성하는 제1공정, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 제2공정, 상기 게이트 절연막 위에 미세 결정질 실리콘막 및 비정질 실리콘막을 연속하여 적층하고 식각하여 채널층을 형성하는 제3공정, 상기 비정질 실리콘막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 제4공정, 상기 외인성 반도체막 위에 도전 물질을 적층하고 상기 외인성 반도체막과 함께 식각하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제6공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제7항에서, 상기 제1공정과 상기 제2공정 사이에 상기 게이트 전극을 양극 산화시켜 양극 산화막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  10. 제7항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 수소 희석법을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  11. 제9항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 RF화학 기상 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  12. 제10항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 RF파워를 300W 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  13. 제11항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 사용 가스를 SiH4, : H2를 15sccm : 1000sccm으로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  14. 제12항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 온도를 250℃ 내지 350℃로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  15. 제13항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 압력은 80Pa 내지 150Pa으로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  16. 제7항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 두께를 300Å 내지 700Å으로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  17. 제7항 또는 제15항에서, 상기 미세 결정립 실리콘막 형성시 두께를 700Å 내지 2000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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