KR960043165A - 다수의 보호 소자를 포함하는 정전기 보호 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 반도체 장치는 제1 전원(Vcc) 배선, 제2 전원(Gnd) 배선, 제1, 제2 및 제3 보호 소자(3-1, 3-2 및 3-3),상기 제1, 제2 및 제3 보호 소자들의 한 단부들을 공통으로 접속하는 제1 접속 배선, 상기 제1, 제2 및 제3 보호 소자의다른 단부들을 접속하는 제2 접속 배선, 및 상기 제1 접속 배선과 상기 제1 전원배선을 접속하는 제3 접속 배선을 포함하고 있다.
상기 제3 접속 배선은 제1 접속 배선보다 큰 저항을 갖고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1 실시예를 보여주는 회로 다이어그램.
Claims (14)
- 제1 단자, 제2 단자, 다수의 보호 소자, 상기 다수의 보호 소자들의 한 단부들을 공통으로 접속하는 제1도전 라인, 상기 다수의 보호 소자의 다른 단부들을 상기 제1 단자에 접속하는 제2 도전 라인 및 상기 제1 도전 라인을상기 제2 단자에 접속하기 위한 제3 도전 라인을 포함하며, 상기 제3 도전 라인은 상기 제1 도전 라인의 저항보다 큰 저항을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 보호 소자들은 동일한 구조를 갖도록 형성되어 병렬로 배열되어 있는 것을특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인 각각은 제1 금속으로 형성되어 있으며, 상기제3 도전 라인은 상기 제1 금속보다 저항이 큰 제2 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄이고, 상기 제2 금속은 금속 실리사이드인 것을 특징으로 하는반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 도전 라인은 상기 제1 도전 라인보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 도전 라인은 상기 제1 도전 라인의 중앙 부분과 접촉하는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
- 제1 전원 배선, 제2 전원 배선, 제1 및 제2 보호 소자, 상기 제1 및 제2 보호 소자의 한 단부들을 공통으로 접속하는 제1 접속 배선, 상기 제1 및 제2 보호 소자의 다른 단부들을 공통으로 접속하는 제2 접속 배선, 상기 제1 접속 배선과 상기 제1 보호 소자의 상기 한 단부가 접속되어 있는 제1 노드와 상기 제1 전원 배선을 접속하는 제3 접속 배선, 및 상기 제2 접속 배선과 상기 제2 보호 소자의 상기 한 단부가 접속되어 있는 제2 노드와 상기 제2 전원 배선을 접속하는 제4 접속 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 전원 배선, 상기 제2 전원 배선, 상기 제1 접속 배선, 상기 제2 접속 배선, 상기 제3 접속 배선 및 상기 제4 접속 배선은 모두 동일한 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 전원 배선, 상기 제2 전원 배선, 상기 제1 접속 배선 및 상기 제2 접속 배선은알루미늄 배선이고, 상기 제3 접속 배선 및 상기 제4접속 배선은 적어도 이들의 일부분이 알루미늄보다 큰 저항을 갖고있는 배선 재료로 형성되어 있는 배선인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제3 및 상기 제4 접속 배선용 배선 재료는 금속 실리사이드인 것을 특징으로 하는반도체 장치.
- 제1 전원 배선, 제2 전원 배선, 병렬로 배열된 제1, 제2 및 제3 보호 소자, 상기 제1, 제2 및 제3 보호소자의 한 단부들을 공통으로 접속하는 제1 접속 배선, 상기 제1, 제2 및 제3 보호 소자의 다른 단부들을 상기 제2 전원배선에 접속하는 제2 접속 배선, 및 상기 제1 접속 배선을 상기 제1 전원 배선에 접속하는 제3 접속 배선을 포함하고, 상기 제3 접속 배선은 상기 제1 접속 배선의 저항보다 큰 저항을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 전원 배선, 상기 제2 전원 배선, 상기 제1 접속배선 및 상기 제2 접속 배선은알루미늄 배선이고, 상기 제3 접속 배선은 적어도 이들의 일부분이 알루미늄 저항보다 큰 저항을 갖고 있는 배선 재료로형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 전원 배선, 상기 제2 전원 배선, 상기 제1 접속 배선, 상기 제2 접속 배선 및상기 제3 접속 배선은 동일한 재료로 형성된 배선이며, 상기 제3 접속 배선의 배선 길이는 상기 제1 접속 배선의 배선 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제3 접속 배선의 한 단부는 상기 제2 보호 소자의 한 단부에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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