KR960026780A - 단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법 - Google Patents

단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960026780A
KR960026780A KR1019950046002A KR19950046002A KR960026780A KR 960026780 A KR960026780 A KR 960026780A KR 1019950046002 A KR1019950046002 A KR 1019950046002A KR 19950046002 A KR19950046002 A KR 19950046002A KR 960026780 A KR960026780 A KR 960026780A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pin
dimm
circuit board
printed circuit
connector
Prior art date
Application number
KR1019950046002A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100192187B1 (ko
Inventor
제이 델 티모시
소하일 파라 리나
쳉-쿠 펭 조지
윌리엄 켈로그 마크
Original Assignee
윌리엄 티. 엘리스
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 티. 엘리스, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 윌리엄 티. 엘리스
Publication of KR960026780A publication Critical patent/KR960026780A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100192187B1 publication Critical patent/KR100192187B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

다수의 동기식 다이나믹 RAM(SDRAMs: Synchronous Dynamic Random Access Memories)는 단일/이중 인-라인 메모리 모듈(single/dual in-line memory modules)에 패킹된(packaged)된 다이나믹 RAM(DRAMs)과 유사한 물리적 및 구조적인 특성을 가지는 단일 또는 이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징된다. 종래의 커넥터, 플래너 또는 메모리 제어 소자(connector, planar or memory controller components)를 수정할 필요가 없는 168 핀 SDRAM DIMM 패밀리가 개시되어 있다. 이 168 핀 SDRAM DIMM 패밀리는 64비트 무패리티(non-parity), 72비트 패리티, 72비트 ECC 및 80비트 ECC 메모리 구성을 포함한다. 읽기와 쓰기 동작 동안의 동시의 스위칭 노이즈(simultaneous switching noises during read and write operations)를 감소시키기 위하여 이 모듈에 포함된 SDRAM 및 버퍼 칩에 대하여 디커플링 캐패시터가 또한 특별히 배치되고 배선된다. 배선 인덕턴스(wiring inductance)를 감소시키기 위하여 디커플링 캐패시터를 위한 특별한 배선 방법(wiring scheme)이 채용되었다.

Description

단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 동기식 DRAM(SDRAMs:Synchronous Dynamic Random Access Memories)을 위하여 본 발명에 따라 설계된 168 핀 이중 인-라인 메모리 모듈(DIMM:Dual In-Line Memory Module)을 도시한 블록 다이어그램.

Claims (23)

  1. 이중 인-라인 메모리 모듈(DIMM:Dual In-line Memory Module)에 있어서, 전면부 및 배면부 및 168개의 커넥터 핀 위치(168 connector pin locations)를 가지는 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 상기 전면부 및 상기 배면부에 장착되는 다수의 동기식 다이나믹 램(SDRAMs:Synchronous Dynamic Random Access Memories), 및 상기 다수의 SDRAMs을 상기 168커넥터 핀 위치에 전기적으로 연결하여 상기 SRAM에 대해 기능적 DIMM이 정의되도록 하기 위한 연결 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 커넥터 핀 위치 1 내지 84는 상기 인쇄 회로 기판의 전면부에 있고, 상기 커넥터핀 위치 85 내지 168은 상기 인쇄 회로 기판의 배면부에 있으며, 상기 컨넥터 핀 위치 42 및 125는 제1클럭 신호(CLKO) 핀 및 제2클럭 신호(CLK1) 핀을 각 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 CLK0 핀 및 상기 CLK1 핀 각각에 인접하게 할당된 상기 커넥터 핀 위치는 전압 핀 또는 접지 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라이 메모리 모듈.
  4. 제3항에 있어서, 상기 커넥터 핀 위치는 41은 기준 전압(Vref) 핀을 포함하고, 상기 커넥터 핀 위치 43은 접지(Vss) 핀을 포함하고, 상기 커넥터 핀 위치 124는 파워 공급 전압(Vcc)핀을 포함하고, 상기 커넥터 핀 위치 126은 할당되지 않으며(unassigned), 상기 커넥터 핀 위치 127은 접지(Vss) 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 상기 커넥터 핀 위치 1 내지 84는 상기 인쇄 회로 기판의 전면부에 배치되며, 커넥터 핀 위치 85 내지 168은 상기 인쇄회로 기판의 배면부에 배치되며, 상기 커넥터 핀 위치 28,29,46,47,112,113,130 및 131은 데이타 입력/출력 마스크(DQM)핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  6. 제5도에 있어서, 상기 커넥터 핀 위치 30,45,114 및 129는 칩 선택(CS:Chaip Select)핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 커넥터 핀 위치 111 및 115는 각각 동기식 컬럼 어드레스 스트로브(SCAS:Synchronous Column Address Strobe) 핀 및 동기식 로우 어드레스 스트로브(SRAS:Synchronous Row Address Strobe)핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  8. 제7항에 있어서, 상기 커넥터 핀 위치 42는 제1클럭(CLK0) 핀을 포함하여, 상기 커넥터 핀 위치 125는 제2클럭(CLK1) 핀을 포함하며, 상기 커넥터 핀 위치 128은 클럭 인에이블(CKE:clock enable) 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  9. 제8항에 있어서, 상기 DIMM은 ×64 무패리티 SDRAM DIMM, ×72 패리티 SDRAM DIMM, ×72 ECC SDRAM DIMM, 및 ×80 ECC SDRAM DIMM 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인 -라인 메모리 모듈.
  10. 제1면, 제2면, 및 상기 제1면 및 상기 제2면에 다수의 전기적 접점(electrical contacts)을 가지는 커넥터단부(connector edge)을 구비하는 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1면에 배열되는 제1메모리 소자들의 세트, 상기 인쇄 회로 기판의 제2면에 배열되는 제2메모리 소자들의 세트, 및 다수의 제1용량 수단(capacitive means) 및 다수의 제2용량 수단을 포함하여, 상기 제1메모리 소자들 중의 적어도 일부는 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 다수의 전기적 접점 중에서 선택된 전기적 접점들에 결합되는 데이타 라인(data lines) 및 제어 라인(control lines)를 구비하며, 상기 제2메모리 소자들 중의 적어도 일부는 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 다수의 전기적 접점 중에서 선택된 전기적 접점들에 결합되는 데이타 라인 및 제어 라인을 또한 구비하며, 각각의 제1용량 수단은 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 선택된 전기적 접점들에 결합된 상기 테이타 라인 및 상기 제어라인을 구비하는 상기 적어도 일부의 제1메모리 소자 및 상기 적어도 일부의 제2메모리 소자 중의 어느 한 소자와 결합되어 있으며, 각각의 제2용량 수단은 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 선택된 전기적 접점들에 결합된 상기 데이타 라인 및 상기 제어 라인을 구비하는 상기 적어도 일부의 제1메모리 소자 및 상기 적어도 일부의 제2메모리 소자 중의 어느 한 소자와 또한 결합되어 있으며, 상기 적어도 일부의 제1메모리 소자들과 상기 적어도 일부의 제2메모리 소자들의 각각은 제1용량 수단 및 제2용량 수단 모두와 결합하며, 상기 결합된 제1용량 수단은 데이타 라인 디커플링 캐패시터로서 가능하도록 배치되어 연결되며, 상기 결합된 제2용량 수단은 제어 라인 디커플링 캐패시터로서, 기능하도록 배치되어 연결되는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1메모리 소자들의 세트 및 상기 제2메모리 소자들의 세트의 각각의 메모리 소자는 제1단부 및 제2단부를 가지며, 각각의 제1용량 수단은 상기 결합된 메모리 소자의 상기 제1단부에 배치되며, 각각의 제2용량 수단은 상기 제1용량 수단 및 제2용량 수단 모두와 결합되는 상기 적어도 일부의 제1메모리 소자들과 상기 적어도 일부의 제2메모리 소자들의 상기 결합된 메모리 소자의 상기 제2단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  12. 제11항에 있어서, 제1세트의 전기적 연결부(electrical interconnects) 및 제2세트의 전기적 연결부를 더 포함하며, 상기 제1세트의 전기적 연결부는 상기 적어도 일부의 제1메모리 소자 및 상기 적어도 일부의 제2메모리 소자의 상기 데이타 라인 및 제어라인을 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부 상의 상기 다수의 전기적 접점(electrical contacts)중의 상기 선택된 전기적 접점으로 전기적으로 연결하도록 배치되며, 상기 제2세트의 전기적 연결부는 각각의 제1용량 수단 및 제2용량 수단을 상기 제1용량 수단 및 제2용량 수단 모두와 결합되는 상기 적어도 일부의 제1메모리 소자들과 상기 적어도 일부의 제2메모리 소자들 중의 상기 결합된 하나의 소자들로 전기적으로 연결하도록 배치되며, 상기 제2세트 전기적 연결부의 각각의 전기적 연결부는 동일한 단면적(cross-sectional area)을 가지며 상기 제1세트의 전기적 연결부의 각각의 전기적 연결부는 동일한 단면적을 가지며, 상기 제2세트의 전기적 연결부의 상기 전기적 연결부의 상기 단면적은 상기 제1세트의 전기적 연결부의 상기 전기적 연결부의 상기 단면적보다 큰 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2세트의 전기적 연결부의 상기 전기적 연결부의 상기 단면적이 상기 제1세트의 전기적 연결부의 상기 전기적 연결부의 상기 단면적의 약3배인 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2세트의 전기적 연결부의 상기 전기적 연결부 중의 적어도 일부는 다중 접속점(multiple contact points)에서 상기 결합된 메모리 소자로 연결되어 배선 인덕턴스(wiring inductance)가 감소되도록 하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  15. 제10항에 있어서, 상기 제1메모리 소자 및 상기 제2메모리 소자는 동기식 DRAM(SDRAMs:Synchronous Dynamic Random Access Memories)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  16. 제15항에 있어서, 상기 DIMM은 ×64 무패리티 SDRAM DIMM, ×72 패리티 SDRAM DIMM, ×72 ECC SDRAM DIMM, 및 ×80 ECC SDRAM DIMM 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  17. 플래너 표면(planar surface), 및 다수의 전기적 접점을 가지는 커넥터 단부를 구비하는 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 상기 플래너 표면에 배열된 메모리 소자들의 세트, 및 다수의 제1용량 수단 및 다수의 제2용량 수단을 포함하며, 상기 적어도 일부의 메모리 소자는 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 다수의 전기적 접점 중에서 선택된 전기적 접점으로 결합된 데이타 라인(data lines) 및 제어라인(control lines)를 구비하며, 각각의 제1용량 수단은 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 선택된 전기적 접점으로 결합된 데이타 라인 및 제어 라인을 구비하는 상기 적어도 일부의 메모리 소자들과 연결되며, 각각의 제2용량 수단을 또한 상기 인쇄 회로 기판의 상기 커넥터 단부에 있는 상기 선택된 전기적 접점으로 결합된 데이타 라인 및 제어 라인을 구비하는 상기 적어도 일부의 메모리 소자들 중의 하나와 연결되며, 각각의 상기 적어도 일부의 메모리 소자들은 상기 다수의 제1용량 수단의 제1용량 수단 및 상기 다수의 제2용량 수단의 제2용량 수단과 연결되며, 각각의 결합된 제1용량 수단은 데이타 라인 디커플링 캐패시터로서 동작하도록 배치되어 연결되며 각각의 결합된 제2용량 수단은 제어 라인 디커플링 캐패시터로서 기능하도록 배치되어 연결되는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  18. 제17항에 있어서, 상기 메모리 소자는 동기식 DRAM(SDRAMs)을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 인-라인 메모리 모듈.
  19. 제18항에 있어서, 각각의 메모리 소자는 제1단부 및 제2단부를 가지며, 각각의 제1용량 수단은 상기 결합된 메모리 소자의 상기 제1단부에 배치되며 각각의 제2용량 수단은 상기 결합된 메모리 소자의 제2단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 이중 인-라인 메모리 모듈.
  20. 컬럼 인에이블(CE:Column Enable) 핀 및 로우 인에이블(RE:Row Enable) 핀을 구비하는 다이나믹 RAM(DRAMs)용 “x” 핀 이중 인-라인 메모리 모듈(DIMM:Dual In-line Memory Module)로부터 동기식 다이나믹 RAM(SDRAMs)용 “x”핀 DIMM을 정의하기 위한 방법에 있어서, (a) 상기 DRAM용 “x”핀 DIMM 설계의 상기 컬럼 인에이블(CE) 핀 및 상기 로우 인에이블(RE) 핀을 데이타 입력/출력 마스크(DQMs:data input/output mask)핀 및 컬럼 선택(CS:Column Select)핀으로 각각 재할당하는 단계, (b) 상기 DRAM용 “x”핀 DIMM 설계의 하나 이상의 핀을 동기 클럭(CLK, synchronous clock) 핀을 포함하도록 재할당하는 단계, 및 (c) 상기 DRAM용 “x”핀 DIMM 설계의 하나 이상의 핀을 동기식 컬럼 어드레스 스트로브(SCAS:Synchronous Column Address Strobe) 핀을 포함하도록 재할당하고 상기 DRAM용 “x” 핀 DIMM 설계의 하나 이상의 핀을 동기식 로우 어드레스 스트로브(SRAS:Synchronous Row Address Strobe) 핀을 포함하도록 재할당하고, 상기 (a) 내지 (c)단계가 완료될 때 SDRAM용 기능적 “x”핀 DIMM 설계는 DRAM용 표준 “x”핀 DIMM 설계로부터 정의되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SDRAM용 “x”핀 DIMM 정의 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 정의 방법이 168 핀 DRAM DIMM으로부터 168 핀 SDRAM DIMM을 정의하는 단계를 포함하도록 “x”는 168과 동일하고, 상기 재할당하는 단계 (b)는 제1동기 클럭(CLK0) 핀을 포함하도록 상기 168 DRAM DIMM의 제1비할당 핀을 할당하는 단계, 제2동기 클럭(CLK1) 핀을 포함하도록 상기 168 DRAM DIMM의 제2비할당 핀을 할당하는 단계, 및 클럭 인에이블(CLK, clock enable)핀을 포함하도록 상기 168 핀 DRAM DIMM의 제3비할당 핀을 할당하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SDRAM용 “x”핀 DIMM 정의 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 168 핀 DRAM DIMM은 인쇄 회로 기판의 제1면에 배치되는 핀 1 내지 84 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2면에 배치되는 핀 85 내지 168을 포함하며, 상기 재할당되는 단계 (b)는 핀 42 및 125를 상기 제1동기 클럭(CLK0) 및 제2동기 클럭(CLK1) 핀을 각각 포함하도록 할당하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SDRAM용 “x”핀 DIMM 정의 방법.
  23. 제20항에 있어서, 상기 표준 “x”핀 DRAM DIMM으로부터 형성된 상기 “x”핀 SDRAM DIMM의 각각의 SDRAM에 결합하여 제1캐패시터(capacitor) 및 제2캐패시터 쌍을 제공하는 단계를 포함하며, 각각의 제1캐패시터 및 제2캐패시터 쌍의 상기 제1캐패시터 및 상기 제2캐패시터는 데이타 라인 디커플링 캐패시터(data line decoupling capacitor) 및 제어 라인(control line) 디커플링 캐패시터로서 기능하도록 연결된 디커플링 캐패시터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 SDRAM용 “x”핀 DIMM 정의 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950046002A 1994-12-02 1995-12-01 단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법 KR100192187B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8/349,154 1994-12-02
US08/349,154 1994-12-02
US08/349,154 US5513135A (en) 1994-12-02 1994-12-02 Synchronous memory packaged in single/dual in-line memory module and method of fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026780A true KR960026780A (ko) 1996-07-22
KR100192187B1 KR100192187B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=23371129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950046002A KR100192187B1 (ko) 1994-12-02 1995-12-01 단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5513135A (ko)
KR (1) KR100192187B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100564621B1 (ko) * 2004-04-08 2006-03-28 삼성전자주식회사 버퍼형 메모리 모듈 패키지 및 이를 포함하는 버퍼형메모리 모듈 스택 패키지
US7106613B2 (en) 2004-02-24 2006-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module and a method of arranging a signal line of the same

Families Citing this family (251)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5867721A (en) * 1995-02-07 1999-02-02 Intel Corporation Selecting an integrated circuit from different integrated circuit array configurations
US5686730A (en) * 1995-05-15 1997-11-11 Silicon Graphics, Inc. Dimm pair with data memory and state memory
IN188196B (ko) * 1995-05-15 2002-08-31 Silicon Graphics Inc
US5724288A (en) * 1995-08-30 1998-03-03 Micron Technology, Inc. Data communication for memory
US5862320A (en) * 1995-12-22 1999-01-19 Cirrus Logic, Inc. SDRAM DIMM presence detect interface
JP3718008B2 (ja) * 1996-02-26 2005-11-16 株式会社日立製作所 メモリモジュールおよびその製造方法
US5802395A (en) * 1996-07-08 1998-09-01 International Business Machines Corporation High density memory modules with improved data bus performance
JP3761635B2 (ja) * 1996-07-12 2006-03-29 株式会社ダックス メモリボード、メモリアクセス方法及びメモリアクセス装置
US5991850A (en) 1996-08-15 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Synchronous DRAM modules including multiple clock out signals for increasing processing speed
JPH10173122A (ja) * 1996-12-06 1998-06-26 Mitsubishi Electric Corp メモリモジュール
US6148380A (en) * 1997-01-02 2000-11-14 Intel Corporation Method and apparatus for controlling data transfer between a synchronous DRAM-type memory and a system bus
JPH10241362A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置及び論理半導体装置
US5867448A (en) * 1997-06-11 1999-02-02 Cypress Semiconductor Corp. Buffer for memory modules with trace delay compensation
US6159764A (en) * 1997-07-02 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages
US6092146A (en) * 1997-07-31 2000-07-18 Ibm Dynamically configurable memory adapter using electronic presence detects
US5896346A (en) * 1997-08-21 1999-04-20 International Business Machines Corporation High speed and low cost SDRAM memory subsystem
US6067594A (en) * 1997-09-26 2000-05-23 Rambus, Inc. High frequency bus system
US6108228A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Quad in-line memory module
KR100364127B1 (ko) 1997-12-29 2003-04-11 주식회사 하이닉스반도체 칩-세트
JP3957237B2 (ja) * 1998-01-19 2007-08-15 富士通株式会社 集積回路装置モジュール
US6021048A (en) * 1998-02-17 2000-02-01 Smith; Gary W. High speed memory module
US6108730A (en) * 1998-02-27 2000-08-22 International Business Machines Corporation Memory card adapter insertable into a motherboard memory card socket comprising a memory card receiving socket having the same configuration as the motherboard memory card socket
US6314527B1 (en) 1998-03-05 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Recovery of useful areas of partially defective synchronous memory components
US6332183B1 (en) 1998-03-05 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method for recovery of useful areas of partially defective synchronous memory components
JPH11251539A (ja) * 1998-03-06 1999-09-17 Mitsubishi Electric Corp 回路モジュール
SG80586A1 (en) * 1998-03-24 2001-05-22 Texas Instr Singapore Pte Ltd Modifying memory device organization in high density packages
US6094355A (en) * 1998-04-04 2000-07-25 Viking Components High-density computer modules with double-layer packaging
US5870325A (en) * 1998-04-14 1999-02-09 Silicon Graphics, Inc. Memory system with multiple addressing and control busses
US6381708B1 (en) 1998-04-28 2002-04-30 Micron Technology, Inc. Method for decoding addresses for a defective memory array
US6381707B1 (en) 1998-04-28 2002-04-30 Micron Technology, Inc. System for decoding addresses for a defective memory array
US6353539B1 (en) * 1998-07-21 2002-03-05 Intel Corporation Method and apparatus for matched length routing of back-to-back package placement
US6081862A (en) * 1998-08-26 2000-06-27 International Business Machines Corporation Switching system for optimization of signal reflection
US5953243A (en) * 1998-09-30 1999-09-14 International Business Machines Corporation Memory module identification
US6496876B1 (en) 1998-12-21 2002-12-17 Micron Technology, Inc. System and method for storing a tag to identify a functional storage location in a memory device
US6115278A (en) 1999-02-09 2000-09-05 Silicon Graphics, Inc. Memory system with switching for data isolation
KR100287190B1 (ko) * 1999-04-07 2001-04-16 윤종용 선택되는 메모리 모듈만을 데이터 라인에 연결하는 메모리 모듈 시스템 및 이를 이용한 데이터 입출력 방법
US6243272B1 (en) * 1999-06-18 2001-06-05 Intel Corporation Method and apparatus for interconnecting multiple devices on a circuit board
KR100299565B1 (ko) 1999-06-29 2001-11-01 박종섭 반도체 메모리장치
JP2001053243A (ja) * 1999-08-06 2001-02-23 Hitachi Ltd 半導体記憶装置とメモリモジュール
US6425062B1 (en) 1999-09-14 2002-07-23 Intel Corporation Controlling burst sequence in synchronous memories
US6683372B1 (en) * 1999-11-18 2004-01-27 Sun Microsystems, Inc. Memory expansion module with stacked memory packages and a serial storage unit
US6643752B1 (en) * 1999-12-09 2003-11-04 Rambus Inc. Transceiver with latency alignment circuitry
US20050010737A1 (en) * 2000-01-05 2005-01-13 Fred Ware Configurable width buffered module having splitter elements
US7363422B2 (en) * 2000-01-05 2008-04-22 Rambus Inc. Configurable width buffered module
US7356639B2 (en) * 2000-01-05 2008-04-08 Rambus Inc. Configurable width buffered module having a bypass circuit
US7017002B2 (en) * 2000-01-05 2006-03-21 Rambus, Inc. System featuring a master device, a buffer device and a plurality of integrated circuit memory devices
US6502161B1 (en) 2000-01-05 2002-12-31 Rambus Inc. Memory system including a point-to-point linked memory subsystem
US7266634B2 (en) * 2000-01-05 2007-09-04 Rambus Inc. Configurable width buffered module having flyby elements
US7404032B2 (en) * 2000-01-05 2008-07-22 Rambus Inc. Configurable width buffered module having switch elements
US6578157B1 (en) 2000-03-06 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for recovery of useful areas of partially defective direct rambus rimm components
US7269765B1 (en) * 2000-04-13 2007-09-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for storing failing part locations in a module
KR100335501B1 (ko) * 2000-06-09 2002-05-08 윤종용 향상된 데이터 버스 성능을 갖는 메모리 모듈
JP3923715B2 (ja) * 2000-09-29 2007-06-06 株式会社東芝 メモリカード
US6721185B2 (en) * 2001-05-01 2004-04-13 Sun Microsystems, Inc. Memory module having balanced data I/O contacts pads
DE10122701A1 (de) * 2001-05-10 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Schaltungsmodul
US20030090879A1 (en) * 2001-06-14 2003-05-15 Doblar Drew G. Dual inline memory module
US20030023958A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-30 Patel Mukesh K. Intermediate language accelerator chip
KR100429878B1 (ko) * 2001-09-10 2004-05-03 삼성전자주식회사 메모리 모듈과 그에 사용되는 인쇄회로기판
US20030163769A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Sun Microsystems, Inc. Memory module including an error detection mechanism for address and control signals
US6751113B2 (en) * 2002-03-07 2004-06-15 Netlist, Inc. Arrangement of integrated circuits in a memory module
US7073099B1 (en) * 2002-05-30 2006-07-04 Marvell International Ltd. Method and apparatus for improving memory operation and yield
DE10245037B4 (de) * 2002-09-26 2007-08-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Entwurf von DRAM-Halbleiter-Speicherbauelementen
US7234099B2 (en) * 2003-04-14 2007-06-19 International Business Machines Corporation High reliability memory module with a fault tolerant address and command bus
EP1471778A1 (en) * 2003-04-24 2004-10-27 Infineon Technologies AG Memory module having space-saving arrangement of memory chips and memory chip therefor
KR100532432B1 (ko) * 2003-05-02 2005-11-30 삼성전자주식회사 커맨드 신호와 어드레스 신호의 고속 전송이 가능한메모리 시스템
US6982892B2 (en) 2003-05-08 2006-01-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for a physical layout of simultaneously sub-accessible memory modules
US20040237001A1 (en) * 2003-05-21 2004-11-25 Sun Microsystems, Inc. Memory integrated circuit including an error detection mechanism for detecting errors in address and control signals
US20060118950A1 (en) * 2003-07-03 2006-06-08 Smart Modular Technologies, Inc., A California Corporation Multi function module
US7646649B2 (en) * 2003-11-18 2010-01-12 International Business Machines Corporation Memory device with programmable receivers to improve performance
US20050138267A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-23 Bains Kuljit S. Integral memory buffer and serial presence detect capability for fully-buffered memory modules
US8250295B2 (en) 2004-01-05 2012-08-21 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US6988237B1 (en) 2004-01-06 2006-01-17 Marvell Semiconductor Israel Ltd. Error-correction memory architecture for testing production errors
US20050018495A1 (en) * 2004-01-29 2005-01-27 Netlist, Inc. Arrangement of integrated circuits in a memory module
US7289386B2 (en) 2004-03-05 2007-10-30 Netlist, Inc. Memory module decoder
US7916574B1 (en) 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
US7254036B2 (en) * 2004-04-09 2007-08-07 Netlist, Inc. High density memory module using stacked printed circuit boards
US7099221B2 (en) 2004-05-06 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Memory controller method and system compensating for memory cell data losses
US20060010339A1 (en) * 2004-06-24 2006-01-12 Klein Dean A Memory system and method having selective ECC during low power refresh
US7340668B2 (en) * 2004-06-25 2008-03-04 Micron Technology, Inc. Low power cost-effective ECC memory system and method
US7116602B2 (en) * 2004-07-15 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method and system for controlling refresh to avoid memory cell data losses
US7266635B1 (en) 2004-07-22 2007-09-04 Marvell Semiconductor Israel Ltd. Address lookup apparatus having memory and content addressable memory
US7539800B2 (en) * 2004-07-30 2009-05-26 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing segment level sparing
US7296129B2 (en) 2004-07-30 2007-11-13 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a serialized memory interface with a bus repeater
US20060036826A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-16 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a bus speed multiplier
US7224595B2 (en) * 2004-07-30 2007-05-29 International Business Machines Corporation 276-Pin buffered memory module with enhanced fault tolerance
US7389375B2 (en) * 2004-07-30 2008-06-17 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a multi-mode memory buffer device
US6965537B1 (en) 2004-08-31 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Memory system and method using ECC to achieve low power refresh
US7511968B2 (en) * 2004-09-03 2009-03-31 Entorian Technologies, Lp Buffered thin module system and method
US7616452B2 (en) * 2004-09-03 2009-11-10 Entorian Technologies, Lp Flex circuit constructions for high capacity circuit module systems and methods
US7443023B2 (en) * 2004-09-03 2008-10-28 Entorian Technologies, Lp High capacity thin module system
US20060095620A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for merging bus data in a memory subsystem
US7441060B2 (en) * 2004-10-29 2008-10-21 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a service interface to a memory system
US7395476B2 (en) 2004-10-29 2008-07-01 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a high speed test interface to a memory subsystem
US7277988B2 (en) * 2004-10-29 2007-10-02 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing data caching and data compression in a memory subsystem
US7512762B2 (en) * 2004-10-29 2009-03-31 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a memory subsystem with positional read data latency
US7331010B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing fault detection and correction in a memory subsystem
US7356737B2 (en) 2004-10-29 2008-04-08 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for testing a memory module
US7305574B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for bus calibration in a memory subsystem
US7299313B2 (en) * 2004-10-29 2007-11-20 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a memory subsystem command interface
US20060129712A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Siva Raghuram Buffer chip for a multi-rank dual inline memory module (DIMM)
JP2006293657A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Murata Mach Ltd 電子機器
US7545651B2 (en) * 2005-04-18 2009-06-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory module with a predetermined arrangement of pins
US8060774B2 (en) * 2005-06-24 2011-11-15 Google Inc. Memory systems and memory modules
US8077535B2 (en) 2006-07-31 2011-12-13 Google Inc. Memory refresh apparatus and method
KR101377305B1 (ko) * 2005-06-24 2014-03-25 구글 인코포레이티드 집적 메모리 코어 및 메모리 인터페이스 회로
US7386656B2 (en) 2006-07-31 2008-06-10 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit
US8041881B2 (en) 2006-07-31 2011-10-18 Google Inc. Memory device with emulated characteristics
US8130560B1 (en) 2006-11-13 2012-03-06 Google Inc. Multi-rank partial width memory modules
US8335894B1 (en) 2008-07-25 2012-12-18 Google Inc. Configurable memory system with interface circuit
US8090897B2 (en) 2006-07-31 2012-01-03 Google Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US9507739B2 (en) 2005-06-24 2016-11-29 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US8089795B2 (en) 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US8796830B1 (en) 2006-09-01 2014-08-05 Google Inc. Stackable low-profile lead frame package
US9542352B2 (en) * 2006-02-09 2017-01-10 Google Inc. System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits
US10013371B2 (en) 2005-06-24 2018-07-03 Google Llc Configurable memory circuit system and method
US7609567B2 (en) 2005-06-24 2009-10-27 Metaram, Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US8397013B1 (en) 2006-10-05 2013-03-12 Google Inc. Hybrid memory module
US8359187B2 (en) 2005-06-24 2013-01-22 Google Inc. Simulating a different number of memory circuit devices
US8055833B2 (en) 2006-10-05 2011-11-08 Google Inc. System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage
US20080028136A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Schakel Keith R Method and apparatus for refresh management of memory modules
US8327104B2 (en) 2006-07-31 2012-12-04 Google Inc. Adjusting the timing of signals associated with a memory system
US8386722B1 (en) 2008-06-23 2013-02-26 Google Inc. Stacked DIMM memory interface
US8244971B2 (en) 2006-07-31 2012-08-14 Google Inc. Memory circuit system and method
US8111566B1 (en) 2007-11-16 2012-02-07 Google, Inc. Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface
US8438328B2 (en) 2008-02-21 2013-05-07 Google Inc. Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs
US8081474B1 (en) 2007-12-18 2011-12-20 Google Inc. Embossed heat spreader
US9171585B2 (en) 2005-06-24 2015-10-27 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US20080082763A1 (en) 2006-10-02 2008-04-03 Metaram, Inc. Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof
US7442050B1 (en) 2005-08-29 2008-10-28 Netlist, Inc. Circuit card with flexible connection for memory module with heat spreader
WO2007028109A2 (en) 2005-09-02 2007-03-08 Metaram, Inc. Methods and apparatus of stacking drams
US7464225B2 (en) 2005-09-26 2008-12-09 Rambus Inc. Memory module including a plurality of integrated circuit memory devices and a plurality of buffer devices in a matrix topology
US11328764B2 (en) 2005-09-26 2022-05-10 Rambus Inc. Memory system topologies including a memory die stack
US7562271B2 (en) 2005-09-26 2009-07-14 Rambus Inc. Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device
US7478259B2 (en) * 2005-10-31 2009-01-13 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for deriving clocks in a memory system
US7685392B2 (en) 2005-11-28 2010-03-23 International Business Machines Corporation Providing indeterminate read data latency in a memory system
US9632929B2 (en) 2006-02-09 2017-04-25 Google Inc. Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits
US7619893B1 (en) 2006-02-17 2009-11-17 Netlist, Inc. Heat spreader for electronic modules
US7636813B2 (en) * 2006-05-22 2009-12-22 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing remote pre-fetch buffers
US7640386B2 (en) * 2006-05-24 2009-12-29 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing memory modules with multiple hub devices
US7594055B2 (en) * 2006-05-24 2009-09-22 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing distributed technology independent memory controllers
US7584336B2 (en) * 2006-06-08 2009-09-01 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing data modification operations in memory subsystems
US7617367B2 (en) * 2006-06-27 2009-11-10 International Business Machines Corporation Memory system including a two-on-one link memory subsystem interconnection
US7724589B2 (en) 2006-07-31 2010-05-25 Google Inc. System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits
US7493439B2 (en) * 2006-08-01 2009-02-17 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing performance monitoring in a memory system
US7669086B2 (en) * 2006-08-02 2010-02-23 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing collision detection in a memory system
US7581073B2 (en) * 2006-08-09 2009-08-25 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing distributed autonomous power management in a memory system
US7587559B2 (en) * 2006-08-10 2009-09-08 International Business Machines Corporation Systems and methods for memory module power management
US7539842B2 (en) 2006-08-15 2009-05-26 International Business Machines Corporation Computer memory system for selecting memory buses according to physical memory organization information stored in virtual address translation tables
US7490217B2 (en) 2006-08-15 2009-02-10 International Business Machines Corporation Design structure for selecting memory busses according to physical memory organization information stored in virtual address translation tables
US7613265B2 (en) * 2006-09-05 2009-11-03 International Business Machines Corporation Systems, methods and computer program products for high speed data transfer using an external clock signal
US8098784B2 (en) * 2006-09-05 2012-01-17 International Business Machines Corporation Systems, methods and computer program products for high speed data transfer using a plurality of external clock signals
US7894289B2 (en) * 2006-10-11 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Memory system and method using partial ECC to achieve low power refresh and fast access to data
US7493456B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 International Business Machines Corporation Memory queue with supplemental locations for consecutive addresses
CN101166401B (zh) * 2006-10-16 2011-11-30 辉达公司 用于在高速***中放置多个负载的方法和***
US7900120B2 (en) 2006-10-18 2011-03-01 Micron Technology, Inc. Memory system and method using ECC with flag bit to identify modified data
US7870459B2 (en) * 2006-10-23 2011-01-11 International Business Machines Corporation High density high reliability memory module with power gating and a fault tolerant address and command bus
US7477522B2 (en) * 2006-10-23 2009-01-13 International Business Machines Corporation High density high reliability memory module with a fault tolerant address and command bus
DE102006051514B4 (de) * 2006-10-31 2010-01-21 Qimonda Ag Speichermodul und Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls
US20080123305A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-channel memory modules for computing devices
US7474529B2 (en) * 2006-11-29 2009-01-06 International Business Machines Corporation Folded-sheet-metal heatsinks for closely packaged heat-producing devices
US7721140B2 (en) * 2007-01-02 2010-05-18 International Business Machines Corporation Systems and methods for improving serviceability of a memory system
US7949931B2 (en) * 2007-01-02 2011-05-24 International Business Machines Corporation Systems and methods for error detection in a memory system
KR100834826B1 (ko) * 2007-01-25 2008-06-03 삼성전자주식회사 취급손상을 줄인 집적회로 모듈의 구조 및 모듈의 종단저항 배치방법
US7603526B2 (en) * 2007-01-29 2009-10-13 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing dynamic memory pre-fetch
US7606988B2 (en) * 2007-01-29 2009-10-20 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing a dynamic memory bank page policy
US7644216B2 (en) * 2007-04-16 2010-01-05 International Business Machines Corporation System and method for providing an adapter for re-use of legacy DIMMS in a fully buffered memory environment
US7624244B2 (en) * 2007-06-22 2009-11-24 International Business Machines Corporation System for providing a slow command decode over an untrained high-speed interface
US7979616B2 (en) * 2007-06-22 2011-07-12 International Business Machines Corporation System and method for providing a configurable command sequence for a memory interface device
US8041989B2 (en) * 2007-06-28 2011-10-18 International Business Machines Corporation System and method for providing a high fault tolerant memory system
US8041990B2 (en) * 2007-06-28 2011-10-18 International Business Machines Corporation System and method for error correction and detection in a memory system
US8209479B2 (en) 2007-07-18 2012-06-26 Google Inc. Memory circuit system and method
US8055976B2 (en) * 2007-08-13 2011-11-08 International Business Machines Corporation System and method for providing error correction and detection in a memory system
US7683725B2 (en) * 2007-08-14 2010-03-23 International Business Machines Corporation System for generating a multiple phase clock
US8024642B2 (en) * 2007-08-29 2011-09-20 International Business Machines Corporation System and method for providing constrained transmission and storage in a random access memory
US7471219B1 (en) 2007-08-29 2008-12-30 International Business Machines Corporation Low latency constrained coding for parallel busses
US7899983B2 (en) 2007-08-31 2011-03-01 International Business Machines Corporation Buffered memory module supporting double the memory device data width in the same physical space as a conventional memory module
US7840748B2 (en) * 2007-08-31 2010-11-23 International Business Machines Corporation Buffered memory module with multiple memory device data interface ports supporting double the memory capacity
US8086936B2 (en) * 2007-08-31 2011-12-27 International Business Machines Corporation Performing error correction at a memory device level that is transparent to a memory channel
US7865674B2 (en) * 2007-08-31 2011-01-04 International Business Machines Corporation System for enhancing the memory bandwidth available through a memory module
US7861014B2 (en) * 2007-08-31 2010-12-28 International Business Machines Corporation System for supporting partial cache line read operations to a memory module to reduce read data traffic on a memory channel
US7584308B2 (en) * 2007-08-31 2009-09-01 International Business Machines Corporation System for supporting partial cache line write operations to a memory module to reduce write data traffic on a memory channel
US8082482B2 (en) * 2007-08-31 2011-12-20 International Business Machines Corporation System for performing error correction operations in a memory hub device of a memory module
US7818497B2 (en) * 2007-08-31 2010-10-19 International Business Machines Corporation Buffered memory module supporting two independent memory channels
US7984329B2 (en) * 2007-09-04 2011-07-19 International Business Machines Corporation System and method for providing DRAM device-level repair via address remappings external to the device
US7558887B2 (en) * 2007-09-05 2009-07-07 International Business Machines Corporation Method for supporting partial cache line read and write operations to a memory module to reduce read and write data traffic on a memory channel
US8019919B2 (en) * 2007-09-05 2011-09-13 International Business Machines Corporation Method for enhancing the memory bandwidth available through a memory module
US8080874B1 (en) 2007-09-14 2011-12-20 Google Inc. Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween
US20090119114A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-07 David Alaniz Systems and Methods for Enabling Customer Service
US7593288B2 (en) * 2007-12-19 2009-09-22 International Business Machines Corporation System for providing read clock sharing between memory devices
CN101472386B (zh) * 2007-12-26 2012-03-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 印刷电路板
US8359521B2 (en) * 2008-01-22 2013-01-22 International Business Machines Corporation Providing a memory device having a shared error feedback pin
US7930470B2 (en) * 2008-01-24 2011-04-19 International Business Machines Corporation System to enable a memory hub device to manage thermal conditions at a memory device level transparent to a memory controller
US7925826B2 (en) * 2008-01-24 2011-04-12 International Business Machines Corporation System to increase the overall bandwidth of a memory channel by allowing the memory channel to operate at a frequency independent from a memory device frequency
US7925825B2 (en) * 2008-01-24 2011-04-12 International Business Machines Corporation System to support a full asynchronous interface within a memory hub device
US7930469B2 (en) 2008-01-24 2011-04-19 International Business Machines Corporation System to provide memory system power reduction without reducing overall memory system performance
US7770077B2 (en) * 2008-01-24 2010-08-03 International Business Machines Corporation Using cache that is embedded in a memory hub to replace failed memory cells in a memory subsystem
US7925824B2 (en) * 2008-01-24 2011-04-12 International Business Machines Corporation System to reduce latency by running a memory channel frequency fully asynchronous from a memory device frequency
US8140936B2 (en) * 2008-01-24 2012-03-20 International Business Machines Corporation System for a combined error correction code and cyclic redundancy check code for a memory channel
US8015426B2 (en) * 2008-03-27 2011-09-06 International Business Machines Corporation System and method for providing voltage power gating
US8023358B2 (en) * 2008-04-02 2011-09-20 International Business Machines Corporation System and method for providing a non-power-of-two burst length in a memory system
US20110235260A1 (en) * 2008-04-09 2011-09-29 Apacer Technology Inc. Dram module with solid state disk
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US8516185B2 (en) 2009-07-16 2013-08-20 Netlist, Inc. System and method utilizing distributed byte-wise buffers on a memory module
US8255783B2 (en) * 2008-04-23 2012-08-28 International Business Machines Corporation Apparatus, system and method for providing error protection for data-masking bits
US8018723B1 (en) 2008-04-30 2011-09-13 Netlist, Inc. Heat dissipation for electronic modules
US7715197B2 (en) * 2008-06-05 2010-05-11 International Business Machines Corporation Coined-sheet-metal heatsinks for closely packaged heat-producing devices such as dual in-line memory modules (DIMMs)
US8234540B2 (en) * 2008-07-01 2012-07-31 International Business Machines Corporation Error correcting code protected quasi-static bit communication on a high-speed bus
US8082475B2 (en) * 2008-07-01 2011-12-20 International Business Machines Corporation Enhanced microprocessor interconnect with bit shadowing
US20100005206A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation Automatic read data flow control in a cascade interconnect memory system
US20100005212A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation Providing a variable frame format protocol in a cascade interconnected memory system
US20100005218A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation Enhanced cascade interconnected memory system
US20100005214A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation Enhancing bus efficiency in a memory system
US20100005219A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features
US20100005335A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation Microprocessor interface with dynamic segment sparing and repair
US7710144B2 (en) * 2008-07-01 2010-05-04 International Business Machines Corporation Controlling for variable impedance and voltage in a memory system
US8139430B2 (en) * 2008-07-01 2012-03-20 International Business Machines Corporation Power-on initialization and test for a cascade interconnect memory system
US7717752B2 (en) * 2008-07-01 2010-05-18 International Business Machines Corporation 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features
US8201069B2 (en) * 2008-07-01 2012-06-12 International Business Machines Corporation Cyclical redundancy code for use in a high-speed serial link
US8082474B2 (en) * 2008-07-01 2011-12-20 International Business Machines Corporation Bit shadowing in a memory system
US7895374B2 (en) * 2008-07-01 2011-02-22 International Business Machines Corporation Dynamic segment sparing and repair in a memory system
US20100005220A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 International Business Machines Corporation 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features
US8245105B2 (en) * 2008-07-01 2012-08-14 International Business Machines Corporation Cascade interconnect memory system with enhanced reliability
US8089813B2 (en) * 2008-07-18 2012-01-03 International Business Machines Corporation Controllable voltage reference driver for a memory system
US7932705B2 (en) * 2008-07-24 2011-04-26 International Business Machines Corporation Variable input voltage regulator
US10236032B2 (en) * 2008-09-18 2019-03-19 Novachips Canada Inc. Mass data storage system with non-volatile memory modules
US8639874B2 (en) * 2008-12-22 2014-01-28 International Business Machines Corporation Power management of a spare DRAM on a buffered DIMM by issuing a power on/off command to the DRAM device
US20100162037A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 International Business Machines Corporation Memory System having Spare Memory Devices Attached to a Local Interface Bus
US7979759B2 (en) * 2009-01-08 2011-07-12 International Business Machines Corporation Test and bring-up of an enhanced cascade interconnect memory system
US20100180154A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 International Business Machines Corporation Built In Self-Test of Memory Stressor
WO2010144624A1 (en) 2009-06-09 2010-12-16 Google Inc. Programming of dimm termination resistance values
US9128632B2 (en) 2009-07-16 2015-09-08 Netlist, Inc. Memory module with distributed data buffers and method of operation
US8631271B2 (en) 2010-06-24 2014-01-14 International Business Machines Corporation Heterogeneous recovery in a redundant memory system
US8549378B2 (en) 2010-06-24 2013-10-01 International Business Machines Corporation RAIM system using decoding of virtual ECC
US8898511B2 (en) 2010-06-24 2014-11-25 International Business Machines Corporation Homogeneous recovery in a redundant memory system
US8484529B2 (en) 2010-06-24 2013-07-09 International Business Machines Corporation Error correction and detection in a redundant memory system
KR101796116B1 (ko) 2010-10-20 2017-11-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법
WO2012061633A2 (en) 2010-11-03 2012-05-10 Netlist, Inc. Method and apparatus for optimizing driver load in a memory package
US8522122B2 (en) 2011-01-29 2013-08-27 International Business Machines Corporation Correcting memory device and memory channel failures in the presence of known memory device failures
CN102955497A (zh) * 2011-08-18 2013-03-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 安装有固态硬盘的主板
US8649820B2 (en) * 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
US9357649B2 (en) 2012-05-08 2016-05-31 Inernational Business Machines Corporation 276-pin buffered memory card with enhanced memory system interconnect
KR102002925B1 (ko) 2012-11-01 2019-07-23 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 그것의 구동 방법
US9519315B2 (en) 2013-03-12 2016-12-13 International Business Machines Corporation 276-pin buffered memory card with enhanced memory system interconnect
CN105706064B (zh) 2013-07-27 2019-08-27 奈特力斯股份有限公司 具有本地分别同步的内存模块
US9261925B1 (en) * 2013-09-25 2016-02-16 Emc Corporation Optimized server design using dense DIMM spacing, wide heatsink, improved routing channels, and improved air delivery to rear devices
EP3447770B1 (en) 2013-11-11 2022-01-05 Rambus Inc. High capacity memory system using standard controller component
KR20160102770A (ko) * 2015-02-23 2016-08-31 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 이를 포함하는 메모리 시스템, 및 이를 포함하는 데이터 저장 시스템
US10216657B2 (en) 2016-09-30 2019-02-26 Intel Corporation Extended platform with additional memory module slots per CPU socket and configured for increased performance
US9818457B1 (en) 2016-09-30 2017-11-14 Intel Corporation Extended platform with additional memory module slots per CPU socket
KR101742627B1 (ko) * 2017-02-08 2017-06-15 (주)자람테크놀로지 시간 동기 기능을 구비한 sfp 장치 및 이를 적용한 네트워크 시스템의 시간 동기 방법
US11927632B1 (en) * 2022-12-09 2024-03-12 Inventec (Pudong) Technology Corporation DIMM slot test system without series connection of test board through JTAG and method thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656605A (en) * 1983-09-02 1987-04-07 Wang Laboratories, Inc. Single in-line memory module
US4727513A (en) * 1983-09-02 1988-02-23 Wang Laboratories, Inc. Signal in-line memory module
US4916603A (en) * 1985-03-18 1990-04-10 Wang Labortatories, Inc. Distributed reference and change table for a virtual memory system
US4850892A (en) * 1985-12-16 1989-07-25 Wang Laboratories, Inc. Connecting apparatus for electrically connecting memory modules to a printed circuit board
US5307309A (en) * 1988-05-31 1994-04-26 Micron Technology, Inc. Memory module having on-chip surge capacitors
US5089993B1 (en) * 1989-09-29 1998-12-01 Texas Instruments Inc Memory module arranged for data and parity bits
JP2875321B2 (ja) * 1990-01-29 1999-03-31 沖電気工業株式会社 半導体記憶装置
US4994936A (en) * 1990-02-12 1991-02-19 Rogers Corporation Molded integrated circuit package incorporating decoupling capacitor
US5164916A (en) * 1992-03-31 1992-11-17 Digital Equipment Corporation High-density double-sided multi-string memory module with resistor for insertion detection
US5270964A (en) * 1992-05-19 1993-12-14 Sun Microsystems, Inc. Single in-line memory module
US5272664A (en) * 1993-04-21 1993-12-21 Silicon Graphics, Inc. High memory capacity DRAM SIMM

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7106613B2 (en) 2004-02-24 2006-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module and a method of arranging a signal line of the same
KR100564621B1 (ko) * 2004-04-08 2006-03-28 삼성전자주식회사 버퍼형 메모리 모듈 패키지 및 이를 포함하는 버퍼형메모리 모듈 스택 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR100192187B1 (ko) 1999-06-15
US5513135A (en) 1996-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960026780A (ko) 단일/이중 인-라인 메모리 모듈에 패키징되는 동기식 메모리 및 제조 방법
US5870325A (en) Memory system with multiple addressing and control busses
US9824036B2 (en) Memory systems with multiple modules supporting simultaneous access responsive to common memory commands
US6683372B1 (en) Memory expansion module with stacked memory packages and a serial storage unit
US9858215B1 (en) Memory module with data buffering
EP1723526B1 (en) Dynamic command and/or address mirroring system and method for memory modules
EP0744748B1 (en) High memory capacity DIMM with data and state memory
US6092146A (en) Dynamically configurable memory adapter using electronic presence detects
US20030090879A1 (en) Dual inline memory module
US10109324B2 (en) Extended capacity memory module with dynamic data buffers
US5319591A (en) Memory module
US7023719B1 (en) Memory module having mirrored placement of DRAM integrated circuits upon a four-layer printed circuit board
JP5043360B2 (ja) 所定のピン配列を有するメモリモジュール
US7167967B2 (en) Memory module and memory-assist module
EP1065752A1 (en) Dual slots dimm socket with right angle orientation
US6212091B1 (en) Semiconductor memory device having a shielding line
KR19980034161A (ko) 스택 메모리를 이용한 반도체 메모리 모듈
JPH04278283A (ja) Ｒａｍモジュールおよびｒａｍモジュール制御装置
CN1148250A (zh) 设置有数据和奇偶校验位的存储模块
JPH03125394A (ja) 半導体記憶装置
JPH077000U (ja) Ｉｃメモリーカード

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021230

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee