JP3923715B2 - メモリカード - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 51
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 28
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 24
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- FTGYKWAHGPIJIT-UHFFFAOYSA-N hydron;1-[2-[(2-hydroxy-3-phenoxypropyl)-methylamino]ethyl-methylamino]-3-phenoxypropan-2-ol;dichloride Chemical compound Cl.Cl.C=1C=CC=CC=1OCC(O)CN(C)CCN(C)CC(O)COC1=CC=CC=C1 FTGYKWAHGPIJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に装着して使用可能なメモリカードに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータ、PDA、カメラ、携帯電話等の携帯可能な小型電子機器においては、メモリカードが装着可能に構成されている。メモリカードとしては、PCカードや、それよりもさらに小型の各種カードメディアが利用され始めている。代表的な小型カードメディアとしては、SD(Secure Digital)カードが知られている。
【0003】
このSDカードは、信号ピン数が9ピンであり、そのうちの4ピンをデータ線として用いている。つまりSDカードでは、4ビットデータ転送を実現することで、それ以前の1ビットデータ転送を行う他の小型メモリカードに比べてデータ転送能力の向上を図っている。
【0004】
ところで、最近では、このような小型カードメディアにおいてもその内部回路の低消費電力化の実現が要求されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
回路の消費電力を下げる手法としては、従来より回路への動作クロックの供給を停止させる技術が知られている。PLL(Phase Locked Loop)を含む回路では、PLLからの出力クロックの供給を停止するよりも、PLLそのものの動作を停止した方が低消費電力化に効果がある。
【0006】
しかし、PLLを一旦動作停止させてから発振を再開すると、PLLからの出力クロックを使用できるようになるまでにPLLの安定化時間が必要となるため、回路の動作性能が低下されてしまうことになる。特に、フラッシュEEPROM等の不揮発性メモリを内蔵したメモリカードにおいては、もともと不揮発性メモリに対するアクセスに比較的多くの時間を要するので、PLLを停止させてしまうと、メモリカードの内部回路の動作再開までに要する時間と相まって、その性能は著しく低下することになる。
【0007】
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、性能低下を招くことなく、十分な低消費電力化を実現できるメモリカードを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様のメモリカードは、ホスト装置に取り外し自在に装着可能なメモリカードであって、データを記憶する不揮発性メモリと、前記ホスト装置からのコマンドに応じて、前記不揮発性メモリへのデータ書き込み及び前記不揮発性メモリからのデータ読み出しを含むコマンド処理を実行するコントローラと、前記コントローラに供給するクロックを生成するPLLを含むクロック発生回路と、前記コントローラがコマンド待ちのアイドル状態になった場合、前記コントローラへのクロックの供給を停止するクロック制御手段であって、前記メモリカードの現在のステートが所定の応答性能が要求されるステートであるか否かに応じて、前記PLLの発振を停止させる第1クロック制御モードと、前記PLLの発振動作を維持した状態で前記PLLから前記コントローラへのクロックの供給を遮断する第2クロック制御モードとを選択的に使用するクロック制御手段とを具備し、前記クロック制御手段は、前記メモリカードの現在のステートが前記不揮発性メモリのアクセスに関するコマンドを待っているステートである場合、前記第2クロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロックの供給を停止し、前記メモリカードの現在のステートが前記不揮発性メモリのアクセスに関するコマンドを待っているステート以外の他のコマンドを待っているステートである場合、前記コントローラへのクロックの供給を停止することを特徴とする。
本発明の第2の態様のメモリカードは、ホスト装置に取り外し自在に装着可能なメモリカードであって、データを記憶する不揮発性メモリと、前記ホスト装置からのコマンドに応じて、前記不揮発性メモリへのデータ書き込み及び前記不揮発性メモリからのデータ読み出しを含むコマンド処理を実行するコントローラであって、コマンド待ちが発生し得るステートとして前記不揮発性メモリのアクセスに関するコマンドを受付可能な第1ステートと、前記第1ステートへの遷移を示すコマンドを受け付け可能な第2ステートとを有するコントローラと、前記コントローラに供給するクロックを生成するPLLを含むクロック発生回路と、前記PLLの発振を停止させる第1クロック制御モードと、前記PLLの発振動作を維持した状態で前記PLLから前記コントローラへのクロックの供給を遮断する第2クロック制御モードとを有し、前記第1ステートにおいてコマンド待ちが発生した場合には前記第2クロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロック供給を停止し、前記第2ステートにおいてコマンド待ちが発生した場合には前記第1クロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロック供給を停止するクロック制御手段とを具備することを特徴とするメモリカード。
【0009】
このメモリカードにおいては、コントローラがコマンド待ちのアイドル状態になった場合、コントローラのコアロジックへのクロックの供給がクロック制御手段によって自動的に停止される。この場合、クロック制御手段は、PLLの発振を停止させる第1クロック制御モードと、PLLの発振動作を維持した状態でPLLからコントローラへのクロックの供給を遮断する第2クロック制御モードとを有しており、メモリカードの現在のステートが所定の応答性能が要求されるステートである場合と、そうではない場合とで、クロック制御モードが使い分けられる。所定の応答性能が要求されるステートであればクロック供給を高速に再開可能な第2クロック制御モードを用い、所定の応答性能が要求されないステートであれば、より低消費電力化の効果の大きい第1クロック制御モードを用いることにより、不揮発性メモリに対するリード/ライト性能の低下を招くことなく、メモリカードの十分な低消費電力化を実現できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図1には、本発明の一実施形態に係るSDメモリカード11とそれを装着して使用可能な電子機器(ホスト)12との関係が示されている。
【0011】
本SDメモリカード11は、例えばパーソナルコンピュータ、PDA、カメラ、携帯電話等の各種ホスト装置12に設けられたメモリカード装着スロットに着脱自在に装着して使用される。SDメモリカード11とホスト12との間の通信は全てホスト12からのコマンドによって制御される。
【0012】
SDメモリカード11には、図時のように、コントローラ111およびメモリコア112が内蔵されている。メモリコア112は例えばフラッシュEEPROM等の不揮発性メモリから構成されている。コントローラ111はホスト12からのコマンドに応じた動作(コマンド処理)を実行するためのものであり、ホスト12からのコマンドに応じて、メモリコア112へのデータ書き込み及びメモリコア112からのデータ読み出し等を含む各種コマンド処理を実行する。
【0013】
コントローラ111には、図示のように、入出力インタフェース201、MPU202、メモリインタフェース203、バッファメモリ204、ROM205、バッファメモリ用制御ロジック206、ROM用制御ロジック207、およびクロック制御回路208が設けられている。入出力インタフェース201はホスト12との間でコマンド/データを授受するためのものであり、ホスト12との間の通信はクロックCLK線、コマンドCMD線、および4本のデータ線DAT3:0を介して行われる。ホスト12からSDメモリカード11へのコマンドCMDの転送、およびホスト12とSDメモリカード11との間のデータ転送は、ホスト12から供給されるクロックCLKに同期して実行される。
【0014】
なお、クロックCLKは常時供給する必要はなく、ホスト12はSDメモリカード11との通信が不要なときはクロックCLKを停止することができる。入出力インタフェース201は、ホスト12からのクロックCLKに同期して動作する。入出力インタフェース201にはステートマシンレジスタ311が設けられており、ここにSDメモリカード11(コントローラ111)の現在のステートが保持される。SDメモリカード11には様々なステートが定義されており、ホスト12からのコマンドやSDメモリカード11の内部動作の進捗に合わせてステートの遷移が行われる。
【0015】
すなわち、SDメモリカード11は、その動作モードとしてSDメモリカード11の属性等をホスト12が識別するためのカード識別モードとホスト12との間のデータ転送を行うデータトランスファモードを有しており、データトランスファモードには、スタンドバイステート(Stand-by State)、トランスファステート(Transfer State)、データ送信ステート(Sending-data State)、データ受信ステート(Receive-data State)、プログラミングステート(Programming State)、ディスクコネクトステート(Disconnect State)などが定義されている。
【0016】
スタンドバイステート(Stand-by State)はカード識別モードからデータトランスファモードに移行したときの最初のステートであり、このステートでは、メモリアクセスに関するコマンドはホスト12から送信されない。トランスファステート(Transfer State)は、ホスト12からのメモリアクセスに関するコマンドを受け付けることが可能なステートであり、メモリアクセスに関するコマンドの受信待ちが行われる。トランスファステート(Transfer State)でメモリアクセスに関するコマンドを受信すると、そのコマンドの種類に応じてデータ送信ステート(Sending-data State)またはデータ受信ステート(Receive-data State)に遷移される。スタンドバイステート(Stand-by State)とトランスファステート(Transfer State)との間の遷移は、ホスト12からのコマンドによって行うことができる。メモリアクセスを行う場合には、ホスト12は、SDメモリカード11をスタンドバイステート(Stand-by State)からトランスファステート(Transfer State)に一旦遷移させることが必要となる。つまり、スタンドバイステート(Stand-by State)では、トランスファステート(Transfer State)への遷移を示すコマンドを受け付けることができる。
【0017】
トランスファステート(Transfer State)でデータリードコマンドを受信したとき、データ送信ステート(Sending-data State)に移行する。データ送信ステート(Sending-data State)はメモリコア112からデータを読み出して、SDメモリカード11からホスト12に読み出しデータを送信するステートである。リードコマンド処理が完了すると、トランスファステート(Transfer State)に戻る。
【0018】
トランスファステート(Transfer State)でデータライトコマンドを受信したときは、データ受信ステート(Receive-data State)に移行する。データ受信ステート(Receive-data State)はホスト12から転送される書き込みデータを受信してバッファメモリ204に蓄積するステートである。全ての書き込みデータの受信が終了すると、データ受信ステート(Receive-data State)からプログラミングステート(Programming State)に移る。プログラミングステート(Programming State)は、バッファメモリ204に蓄積されている書き込みデータをメモリコア112に書き込んでいるステートである。データ書き込みが終了すると、トランスファステート(Transfer State)に戻る。
【0019】
ホスト12からのコマンド待ちが生じるステートは、スタンドバイステート(Stand-by State)とトランスファステート(Transfer State)である。本実施形態では、トランスファステート(Transfer State)を高速応答性が要求されるステート(以下、Qステートと称する)とし、スタンドバイステート(Stand-by State)を高速応答性が要求されないステート(以下、Sステートと称する)とする。この様子を図3に示す。SDメモリカード11(具体的にはコントローラ111)がコマンド待ちによるアイドル状態になった場合、SDメモリカード11の現在のステートがスタンドバイステート(以下、STBYとする)、すなわちSステートであればより低消費電力のクロック制御を行い、トランスファステート(以下、TRN)、すなわちQステートであればより復帰の速いクロック制御を行う。
【0020】
MPU202はSDメモリカード11全体の動作制御を行うプロセッサであり、ROM205に記憶されたプログラムに従って各種コマンド処理を実行する。メモリインタフェース203はメモリコア112をアクセス制御するためのものであり、MPU202の制御の下に、データ書き込み、データ読み出し、消去等のメモリアクセスを実行する。バッファメモリ204は主にホスト12からの書き込みデータのポステッドバッファとして使用される。フラッシュEEPROMに代表される不揮発性メモリの多くはデータ書き換えの度にブロック単位で消去動作と書き込み動作を行うことが必要となるので、書き込み完了までには多くの時間を要する。このため、本SDメモリカード11では、バッファメモリ204にホスト12からの書き込みデータが蓄積された段階でコマンド処理の終了をホスト12に通知し、その後でフラッシュEEPROMに対する消去動作と書き込み動作をコントローラ111内でローカルに実行するという方式を採用している。
【0021】
この場合、ホスト12からのクロックCLKはコマンド処理の終了通知を受けた時点で停止されてしまう可能性があるので、SDメモリカード11には動作クロックを独自に発生するクロック制御回路208を備えている。
【0022】
入出力インタフェース201は前述したようにホスト12からのクロックCLKで動作するが、コントローラ111のコアロジック、つまり、MPU202、メモリインタフェース203、バッファメモリ用制御ロジック206、ROM用制御ロジック207は、クロック制御回路208から発生されるクロックCLK1で動作する。
【0023】
クロック制御回路208はPLLを用いたクロック発生回路であり、内部発振器からのクロックをPLLによって逓倍し、それをクロックCLK1として出力する。クロック制御回路208の動作はコントローラ111内で発生されるクロック制御信号Q_OFF、S_OFF、CLK_ONによって制御される。クロック制御信号Q_OFFはQステート時のクロック停止指示信号であり、Q_OFFが入力された場合には、クロックCLK1を生成するPLLの発振動作を維持した状態でPLLからの出力クロックであるクロックCLK1の発生が停止される。一方、S_OFFはSステート時のクロック停止指示信号であり、S_OFFが入力された場合には、クロックCLK1を生成するPLLの発振動作そのものが停止される。CLK_ONはクロック供給の再開指示信号である。
【0024】
次に、図2を参照して、クロック制御の仕組みについて説明する。
【0025】
クロック制御回路208は図示のように源発振器401、PLL402、および出力回路403を備えている。PLL402は、位相比較器、ローパスフィルタ、VCO、分周器などによって構成されている。Q_OFFが入力された時には、出力回路403がオフされ、これによってPLL402からのクロックの出力が遮断される。一方、S_OFFが入力された時には、源発振器401、PLL402、および出力回路403が全てオフされる。
【0026】
Q_OFFは2入力ANDゲートG1を介してクロック制御回路208に入力される。ANDゲート回路G1の第1入力にはトランスファステート(TRAN)である時にステートマシンレジスタ311の所定ビット位置にセットされるビット“1”がQステート信号として入力され、またその第2入力にはクロック停止指示(CLK_STP)発生回路314からの出力信号が入力される。クロック停止指示(CLK_STP)発生回路314は、MPU202のレジスタ312の所定ビット位置に“1”のクロック停止指示ビットCLK_STPがセットされた時に、“1”のパルスを発生する。
【0027】
クロック停止指示ビットCLK_STPは、コマンド待ちによるアイドル状態であるときにMPU202によってセットされる。MPU202は、コマンド処理(内部動作も含めて)が完了した時にアイドル状態となる。すなわち、図4に示すように、MPU202は、ホストからコマンドが送信されてきたことが入出力インタフェース201からの割り込みINTによって通知されると、入出力インタフェース201からコマンドを取得し(ステップS101)、その取得したコマンドに対応するコマンド処理を実行する(ステップS102)。そして、コマンド処理が終了すると、新たなコマンド入力がないことを条件に、クロック停止指示ビットCLK_STPをレジスタ312にセットする(ステップS103)。
【0028】
S_OFFは2入力ANDゲートG2を介してクロック制御回路208に入力される。ANDゲート回路G2の第1入力にはスタンドバイステート(STBY)である時にステートマシンレジスタ311にセットされるビット“1”がSステート信号として入力され、またその第2入力にはクロック停止指示(CLK_STP)発生回路314からの出力信号が入力される。
【0029】
CLK_ONは、CLK_ON発生回路313から発生される。CLK_ON発生回路313は、ホスト12からのコマンド受信時に入出力インタフェース201から発生される割り込みINTをトリガとしてCLK_ONのパルスを発生する。
【0030】
図5には、クロック制御回路208の具体的な回路構成が示されている。
【0031】
クロック制御回路208には、図示のように、RSフリップフロップ501、源発振器502、PLL503、ドライバ504、インバータ(INV)505、カウンタ506、ANDゲート507、RSフリップフロップ508から構成されている。源発振器502、PLL503、およびドライバ504は、それぞれ図2の源発振器401、PLL402、および出力回路403に相当するものである。また、図5のシステムコア601は、PLL503からのクロックCLK1で動作する回路群を総称して示すものである。
【0032】
以下、図6、図7のタイミングチャートを参照して、図5の回路動作について説明する。
【0033】
図6は、Sステート時のクロック制御を示している。すなわち、クロック停止指示信号S_OFFまたはQ_OFFが入力されるまでは、RSフリップフロップ501のQ出力が“1”に保持され、またRSフリップフロップ508のQ出力も“1”に保持されている。これにより、源発振器502およびPLL503はオン状態であり、源発振器502からは源クロックS_CLKが出力され、PLL503からもS_CLKの逓倍クロックが出力される。カウンタ506はPLL504の安定化に要する時間分だけS_CLKをカウントするカウンタであり、リセット後にS_CLKを所定数カウントした後に“1”を出力する。したがって、通常動作状態においてはANDゲート507からのドライバオン信号DR_ONが“1”に保持され、ドライバ504からはPLL出力がクロックCLK1としてシステムコア601に供給される。
【0034】
Sステート時にコマンド待ちになると、クロック停止指示信号S_OFFが発生される。これにより、RSフリップフロップ501のQ出力は“0”となるので、源発振器502およびPLL503はそれぞれ動作停止される。また、インバータ(INV)505によって反転されたQ出力によってカウンタ506はリセットされるため、ANDゲート507からのドライバオン信号DR_ONは“0”となり、ドライバ504も動作停止する。
【0035】
この状態で、ホスト12からコマンドが発行されると、CLK_ONが発生される。RSフリップフロップ501のQ出力が“1”にセットされるので、源発振器502およびPLL503はそれぞれ動作を開始する。源発振器502の発振動作開始後、所定期間経過した時点でカウンタ506の出力が“1”となり、これによってドライバオン信号DR_ONが“1”となる。これにより、PLLが安定するまではクロックCLK1の出力を停止しておくことができる。
【0036】
図7は、Qステート時のクロック制御を示している。すなわち、クロック停止指示信号S_OFFまたはQ_OFFが入力されるまでは、RSフリップフロップ501のQ出力が“1”に保持され、またRSフリップフロップ508のQ出力も“1”に保持されている。これにより、源発振器502およびPLL503はオン状態であり、源発振器502からは源クロックS_CLKが出力され、PLL503からもS_CLKの逓倍クロックが出力される。ドライバオン信号DR_ONも“1”に保持されているので、ドライバ504からはPLL出力がクロックCLK1としてシステムコア601に供給される。
【0037】
Qステート時にコマンド待ちになると、クロック停止指示信号Q_OFFが発生される。これにより、RSフリップフロップ508のQ出力は“0”となるので、ANDゲート507からのドライバオン信号DR_ONは“0”となり、ドライバ504は動作停止する。これによりクロックCLK1の発生は停止される。源発振器502およびPLL503は発振動作を維持している。
【0038】
この状態で、ホスト12からコマンドが発行されると、CLK_ONが発生される。RSフリップフロップ508のQ出力が“1”にセットされるので、ドライバオン信号DR_ONが“1”となる。これにより、クロックCLK1の供給が即座に再開される。
【0039】
このように、本実施形態では、PLL503そのものの発振を停止させるクロック制御方式と、PLL503の発振動作を維持した状態でPLL504からコアロジックへのクロックの供給のみを遮断するクロック制御方式とがSDメモのカード11の内部状態に応じて自動的に使い分けられる。
【0040】
図8には、コントローラ111の動作状態と停止状態が繰り返される様子が示されている。
【0041】
前述したように、本実施形態では、コントローラ111によるコマンド処理の完了の度にコントローラ111へのクロックCLK1の供給が停止され、そしてコマンド受信時にクロックCLK1の供給が再開される。よって、コントローラ111へのクロックCLK1の供給は断続的に行われることになる。図8に示すように、Qステートではコマンド処理が完了する度にPLL出力のみを遮断するクロック停止制御が行われ、その状態でコマンドを受信すると、クロックCLK1の供給再開およびコマンド処理が即座に実行される。Sステートでは、コマンド処理が完了する度にPLLそれ自体を動作停止するクロック停止制御が行われ、その状態でコマンドを受信すると、PLLが安定するのを待ってからクロックCLK1の供給再開およびコマンド処理が実行される。なお、コマンドによっては、入出力インタフェース201からステータスを返すだけでMPU302によるコマンド処理が不要な場合もある。このようなコマンドの受信時には割り込みINTは発生されず、クロックCLK1は停止状態に維持される。
【0042】
本実施形態のクロック制御方式は回路動作の性能がファイルシステム性能等に大きく影響を与えるメモリカードに特に好適であるが、内部にクロック発生回路を持つカード型デバイスであればI/Oカードであっても適用することができる。また、トランスファステート(Transfer State)を高速応答性が要求されるQステートとし、スタンドバイステート(Stand-by State)を高速応答性が要求されないSステートとしたが、SDカード以外の他のカードの場合にも、高速応答性が要求されるようなステートをQステート、それ以外のステートをSステートとして割り当てることにより、回路性能の低下を招くことなく低消費電力化を図ることが可能となる。
【0043】
例えば、アイドルから抜けるイベントが発生してもそれに対する処理が回路性能に影響を及ぼさないような内部動作状態であればS_OFFによるクロック制御を選択し、アイドルから抜けるイベントが発生した時にそれに対する処理が回路性能に影響を及ぼすような内部動作状態であればQ_OFFによるクロック制御を選択すればよい。
【0044】
また、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、2種類のクロック制御方式を自動的に使い分けることによって、メモリアクセス性能の低下を招くことなく、メモリカードの十分な低消費電力化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るメモリカードの構成を示すブロック図。
【図2】同実施形態Kメモリカードで使用されるクロック制御の仕組みを説明するための図。
【図3】同実施形態のメモリカードのステータスとクロック制御のためのステータスとの対応関係を示す図。
【図4】同実施形態のメモリカードにおけるクロック停止指示発行処理を説明するためのフローチャート。
【図5】同実施形態のメモリカードに設けられたクロック制御回路の回路構成を示す図。
【図6】図5のクロック制御回路のSステートオフ時の動作を示すタイミングチャート。
【図7】図5のクロック制御回路のQステートオフ時の動作を示すタイミングチャート。
【図8】同実施形態のメモリカードに設けられたコントローラが断続的に動作停止される様子を示す図。
【符号の説明】
11…SDメモリカード
12…ホスト
111…コントローラ
112…メモリコア
201…入出力インタフェース
202…MPU
203…メモリインタフェース
208…クロック制御回路
311…ステートマシンレジスタ
312…レジスタ
313…CLK_ON発生回路
315…CLK_STP発生回路
502…源発振器
503…PLL
504…ドライバ
506…カウンタ
Claims (4)
- ホスト装置に取り外し自在に装着可能なメモリカードであって、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記ホスト装置からのコマンドに応じて、前記不揮発性メモリへのデータ書き込み及び前記不揮発性メモリからのデータ読み出しを含むコマンド処理を実行するコントローラと、
前記コントローラに供給するクロックを生成するPLLを含むクロック発生回路と、
前記コントローラがコマンド待ちのアイドル状態になった場合、前記コントローラへのクロックの供給を停止するクロック制御手段であって、前記メモリカードの現在のステートが所定の応答性能が要求されるステートであるか否かに応じて、前記PLLの発振を停止させる第1クロック制御モードと、前記PLLの発振動作を維持した状態で前記PLLから前記コントローラへのクロックの供給を遮断する第2クロック制御モードとを選択的に使用するクロック制御手段とを具備し、
前記クロック制御手段は、前記メモリカードの現在のステートが前記不揮発性メモリのアクセスに関するコマンドを待っているステートである場合、前記第2クロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロックの供給を停止し、前記メモリカードの現在のステートが前記不揮発性メモリのアクセスに関するコマンドを待っているステート以外の他のコマンドを待っているステートである場合、前記第1のクロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロックの供給を停止することを特徴とするメモリカード。 - 前記クロック制御手段は、前記ホスト装置から前記メモリカードにコマンドが発行されたとき、前記クロック発生回路から前記コントローラへのクロック供給を再開させる手段をさらに具備し、
前記第1クロック制御モードによって前記コントローラへのクロック供給を停止した場合には、前記PLLの発振動作の安定に必要な所定期間経過した後に前記PLLから前記コントローラへのクロック供給を再開することを特徴とする請求項1記載のメモリカード。 - 前記クロック発生回路は、前記PLLに入力すべき源クロックを発生する源発振器を含み、
前記クロック制御手段は、前記第1クロック制御モードにおいては前記PLLおよび前記源発振器の双方の発振を停止させることを特徴とする請求項1記載のメモリカード。 - ホスト装置に取り外し自在に装着可能なメモリカードであって、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記ホスト装置からのコマンドに応じて、前記不揮発性メモリへのデータ書き込み及び前記不揮発性メモリからのデータ読み出しを含むコマンド処理を実行するコントローラであって、コマンド待ちが発生し得るステートとして前記不揮発性メモリのアクセスに関するコマンドを受付可能な第1ステートと、前記第1ステートへの遷移を示すコマンドを受け付け可能な第2ステートとを有するコントローラと、
前記コントローラに供給するクロックを生成するPLLを含むクロック発生回路と、
前記PLLの発振を停止させる第1クロック制御モードと、前記PLLの発振動作を維持した状態で前記PLLから前記コントローラへのクロックの供給を遮断する第2クロック制御モードとを有し、前記第1ステートにおいてコマンド待ちが発生した場合には前記第2クロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロック供給を停止し、前記第2ステートにおいてコマンド待ちが発生した場合には前記第1クロック制御モードを用いて前記コントローラへのクロック供給を停止するクロック制御手段とを具備することを特徴とするメモリカード。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000300446A JP3923715B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | メモリカード |
US09/954,184 US6407940B1 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-18 | Memory card device including a clock generator |
US10/869,675 USRE40147E1 (en) | 2000-09-29 | 2004-06-17 | Memory card device including a clock generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000300446A JP3923715B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | メモリカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002109490A JP2002109490A (ja) | 2002-04-12 |
JP3923715B2 true JP3923715B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=18782132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000300446A Expired - Fee Related JP3923715B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | メモリカード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6407940B1 (ja) |
JP (1) | JP3923715B2 (ja) |
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-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000300446A patent/JP3923715B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-18 US US09/954,184 patent/US6407940B1/en not_active Ceased
-
2004
- 2004-06-17 US US10/869,675 patent/USRE40147E1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002109490A (ja) | 2002-04-12 |
US20020039325A1 (en) | 2002-04-04 |
US6407940B1 (en) | 2002-06-18 |
USRE40147E1 (en) | 2008-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060407 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |