DE10122701A1 - Schaltungsmodul - Google Patents

Abstract

Ein Schaltungsmodul 1 hat eine Platine 3, die an einer Längskante mehrere Kontaktelemente 13 hat. Auf der Platine ist ein SDRAM-Speicherbaustein 15, 17 angeordnet, dessen Anschlüsse 23, 25, 27, 29 jeweils über als Einzelwiderstände 39 ausgebildete Widerstandselemente mit einem der Kontaktelemente 11 über längenbegrenzte Leitungen verbunden sind. Die Einzelwiderstände 39 sind in einer Zeile angeordnet, die parallel zur Längsrichtung der Platine liegt.

Description

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einem Schaltungsmo­ dul. Insbesondere befaßt sich die vorliegende Erfindung mit einem DRAM-Modul mit einer Mehrzahl von DRAM-Speicherbau­ steinen, die auf einer Platine angeordnet sind und deren An­ schlüsse über Widerstände mit Kontaktelementen einer Platine des Schaltungsmoduls verbunden sind.

Schaltungsmodule und insbesondere DRAM-Module oder SDRAM- Module bestehen typischerweise aus einer Platine, die an ih­ rer in Längsrichtung verlaufenden Kante eine Mehrzahl von Kontaktelementen hat. Bei derartigen Schaltungsmodulen sind auf der Platine eine Mehrzahl von integrierten Schaltungsbau­ steinen, wie beispielsweise DRAM-Module oder SDRAM-Module o­ der DDR-SDRAM-Module, angeordnet. SDRAM-Module, d. h. Single- DRAM-Module stellen den momentanen Standard bei dynamischen RAM-Modulen dar. DDR-SDRAM-Module, d. h. Double Data Rate- DRAM-Module stellen eine neue Technologie dar, die gegenwär­ tig Einzug in dem Computerbereich hält. SDRAM-Module und DDR- SDRAM-Module haben typischerweise trotz ihrer unterschiedli­ chen Technologie gleiche Gehäusetypen. Wenn, was aus Kosten­ gründen häufig gewünscht ist, diese Speicherbausteine mit ei­ nem sogenannten Standard-TSOP-Gehäuse gehäust sind, haben diese Gehäuse der Speicherbausteine eine die Gesamtgröße des Schaltungsmoduls bestimmende Größe. Allgemein ist der Ent­ wickler eines derartigen Schaltungsmoduls bestrebt, vor allem die Ausmaße der Platine in ihrer Breitenrichtung, also senk­ recht zu der durch die Anordnung der Kontaktelemente festge­ legten Längsrichtung möglichst kompakt zu halten. Dies führt dazu, daß sich die integrierten Schaltungsbausteine in Brei­ tenrichtung der Platine von der in Längsrichtung verlaufenden Kante, die den Kontaktelementen gegenüberliegt, über einen Großteil der Platinenbreite erstreckt. Die Schaltungsbausteine haben zwei Reihen von Anschlüssen. Diejenigen Anschlüsse, die für die Signalleitungen dienen, welche auch als DQ- Leitungen bezeichnet werden, müssen im Falle von DRAM- Speicherbausteinen oder SDRAM-Speicherbausteinen über jeweils ein Widerstandselement an je ein zugeordnetes Kontaktelement über entsprechende Anschlußleitungen angeschlossen werden.

Nach der Spezifikation von DRAM-Speichermodulen oder SDRAM- Speichermodulen sind hier restriktive Längenbegrenzungen für diese Anschlußleitungen einzuhalten. Wie nachfolgend unter Bezugnahme auf die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform eines Schaltungsmoduls nach dem Stand der Technik verdeutlicht wird, führen diese sich aus der Spezifikation der DRAM- Speichermodule oder SDRAM-Speichermodulen ergebenden Längen­ begrenzungen der Anschlußleitungen zu gewissen Restriktionen der Freiheit hinsichtlich der Anordnung der Widerstandsele­ mente und der Schaltungsbausteine auf der Platine, welche wiederum dazu führen, daß im Stand der Technik die Erstre­ ckung der Platine in Richtung ihrer Breite nicht weiter ver­ kleinert werden kann.

Diese Problematik soll nunmehr unter Bezugnahme auf Fig. 1 näher diskutiert werden, die eine ausschnittsweise Drauf­ sichtdarstellung eines Schaltungsmoduls zeigt, das in seiner Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 1 ist. Das Schaltungsmodul hat eine Platine 3, die eine untere, in Längsrichtung verlau­ fende Kante 5, eine obere, in Längsrichtung verlaufende Kante 7 und eine in Breitenrichtung verlaufende Kante 9 hat. Ent­ lang der unteren, in Längsrichtung verlaufenden Kante 5 ist eine Steckkontaktleiste 11 ausgebildet, die eine Vielzahl von Kontaktelementen 13 aufweist, welche bei einem Einstecken des Schaltungsmoduls 1 mit seiner Steckkontaktleiste 11 in eine (nicht dargestellte) Steckkontaktaufnahme zur Kontaktgabe mit Gegenkontaktelementen (gleichfalls nicht dargestellt) führen. Auf der Platine 3 sind eine Mehrzahl von integrierten SDRAM- Schaltungsbausteinen 15, 17 angeordnet, die ihrerseits je­ weils ein sogenanntes Standard-TSOP-Gehäuse 19, 21 haben, welches jeweils an jeder seiner Längskanten je eine Reihe von Anschlüssen 23, 25, 27, 29 hat.

Jeweils ein Teil dieser Anschlüsse 23, 25, 27, 29 der SDRAM- Schaltungsbausteine 15, 17 stellt Anschlüsse zu Signalleitun­ gen bzw. DQ-Datenleitungen dar. Jeder dieser Signalleitungs­ anschlüsse 23, 25, 27, 29 ist über je ein Widerstandselement eines integrierten Widerstandsarray-Bausteins 31, 33, 35, 37 mit je einem der Kontaktelemente 13 der Steckkontaktleiste 11 verbunden.

Die Spezifikation der SDRAM-Schaltungsbausteine 15, 17 for­ dert sehr geringe Längen der Leitungen (nicht gezeigt), die von dem jeweiligen Kontaktelement 13 über einen der Wider­ standselemente der Widerstandsarraybausteine 31, 33, 35, 37 zu einem der für die Signalleitungen vorgesehenen Kontaktele­ mente 13 führen. Diese Längenbegrenzungen sind wiederum nur einzuhalten, wenn die Widerstandsarraybausteine 31, 33, 35, 37 in dem Bereich der Schaltungsplatine zwischen der in Fig. 1 unteren Kante des SDRAM-Schaltungsbausteins 15, 17 und den Kontaktelementen 13 angeordnet sind. Diese Erfordernisse ste­ hen einer weiteren Reduktion der Erstreckung des Schaltungs­ moduls in dessen Breitenrichtung 9 entgegen.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Schaltungsmodul der ein­ gangs genannten Art derart weiter zu bilden, daß eine Reduk­ tion der Abmessung des Schaltungsmoduls in der Breitenrich­ tung seiner Platine senkrecht zu der Richtung der Kante, ent­ lang der die Mehrzahl von Kontaktelementen angeordnet ist, erreicht wird.

Diese Aufgabe wird durch ein Schaltungsmodul nach Anspruch 1 gelöst.

Die Erfindung sieht vor, die Mehrzahl von Widerstandselemen­ ten, die auf der Platine zwischen dem Schaltungsbaustein und den Kontaktelementen liegen und jeweils über längenbegrenzte Leitungen mit einem der Kontaktelemente und einem der An­ schlüsse verbunden sind, nicht mehr in der im Stand der Tech­ nik üblichen Art durch Widerstandsarrays, die innerhalb eines Bauelements eine Vielzahl von Widerständen definieren, son­ dern durch Einzelwiderstände zu bilden, die in einer sich im wesentlichen parallel zur Längsrichtung erstreckenden Zeile auf der Platine angeordnet sind.

Dieser von der Erfindung beschriebene Ansatz läuft den übli­ chen Entwurfskriterien für hochintegrierte Schaltungsmodule auf den ersten Blick konträr entgegen, da man üblicherweise schon aus Gründen der Bestückungszeichen bestrebt ist, von Einzelelementen keinen Gebrauch zu machen und soweit als mög­ lich integrierte Schaltungen, wie beispielsweise Widerstands­ array, mit einer Vielzahl von Einzelelementen zu verwenden. Die Erfindung hat jedoch erkannt, daß es durch die Auflösung der im Stand der Technik als Widerstandsarrays ausgebildeten Widerstandselemente durch Einzelwiderstände möglich ist, bei Einhaltung der durch die Spezifikation der Schaltungsbaustei­ ne vorgegebenen Längenbegrenzungen für die jeweiligen Leitun­ gen die Erstreckung der Platine des Schaltungsmoduls in des­ sen Breitenrichtung zu reduzieren, da die Einzelwiderstände gegenüber dem Widerstandsarray eine niedrigere Erstreckung in Breitenrichtung der Platine haben, so daß der Schaltungsbau­ stein näher an die im gegenüberliegenden Kontaktelemente her­ angerückt werden kann.

An bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsichtdarstellung auf ein Schaltungsmodul nach dem Stand der Technik; und

Fig. 2 eine Draufsichtdarstellung auf ein erfindungsgemäßes Schaltungsmodul.

In den Fig. 1 und 2 sind übereinstimmende Elemente mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet, so daß eine nochmalige Be­ schreibung von bereits unter Bezugnahme auf Fig. 1 erläuter­ ten Elementen unterbleiben kann.

Wie die Draufsichtdarstellung der Fig. 2 in ihrem Vergleich mit der Draufsichtdarstellung der Fig. 1 zeigt, sind bei der erfindungsgemäßen Ausgestaltung nach Fig. 2 eine Vielzahl von Einzelwiderständen 39 an Stelle der im Stand der Technik ge­ mäß Fig. 1 verwendeten Widerstandsarrays 31, 33, 35, 37 vor­ gesehen, die in einer sich im wesentlichen parallel zur Längsrichtung erstreckenden Zeile auf der Platine 3 angeord­ net sind. Dies ermöglicht es, bei der erfindungsgemäßen Aus­ führungsform gemäß Fig. 2 die untere Kante der beiden SDRAM- Schaltungsbausteine 15, 17 näher an den Kontaktelementen 13 anzuordnen, wodurch die Abmessung der Platine 3 in ihrer Breitenrichtung 9 reduziert werden kann. Dies ist von wesent­ licher wirtschaftlicher Bedeutung, da die Abmessung des Schaltungsmoduls 1 in Breitenrichtung durch die erfindungsge­ mäßen Maßnahmen reduziert wird, ohne daß es erforderlich wä­ re, den SDRAM-Schaltungsbausteinen 15, 17 anstelle der ver­ gleichsweise großen standardmäßigen TSOP-Gehäusen 19, 21 kom­ paktere, jedoch deutlich teuere Gehäuse zu verleihen, um die reduzierten Gesamtabmessungen des Schaltungsmoduls in dessen Breitenrichtung zu erreichen.

Bei dem erfindungsgemäßen Konzept können also normale Stan­ dardspeicherbausteine mit den genannten TSOP-Gehäusen einge­ setzt werden, so daß auch keine neuen Fertigungsprozesse ent­ wickelt werden müssen, sondern auf gängige Standardprozesse zurückgegriffen werden kann. Die erfindungsgemäße Anordnung der durch Einzelwiderstände gebildeten Widerstandselemente ermöglicht es, das sogenannte vertikale Plazieren der DRAM- Schaltungsbausteine bzw. SDRAM-Speicherbausteine bzw. DDR- SDRAM-Speicherbausteine beizubehalten und die von der Spezifikation dieser Speicherbausteine geforderten maximalen Anschlußlängen der Leitungen beizubehalten.

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 sind die Einzelwider­ stände bevorzugt derart angeordnet, daß deren Längserstre­ ckung im wesentlichen parallel zur Längsrichtung 5 der Plati­ ne 3 ist. Diese Anordnung trägt zu einer besonders weitgehen­ den Reduktion der Abmessung der Platine 3 in deren Breitenrichtung bei.

Bezugszeichenliste

1

Schaltungsmodul

3

Platine

5

Untere, in Längsrichtung verlaufende Kante

7

Obere, in Längsrichtung verlaufende Kante

9

In Breitenrichtung verlaufende Kante

11

Steckkontaktleiste

13

Kontaktelemente

15

,

17

Speicher-Schaltungsbaustein

19

,

21

TSOP-Gehäuse

23

,

25

,

27

,

29

Anschlüsse

31

,

33

,

35

,

37

Widerstandsarray-Baustein

39

Einzelwiderstand

Claims (5)

1. Schaltungsmodul
mit einer Platine (3), die an einer ihrer in Längsrichtung der Platine (3) verlaufenden Kanten (5) eine Mehrzahl von Kontaktelementen (13) aufweist,
mit einem auf der Platine (3) angeordneten integrierten Schaltungsbaustein (15, 17), der sich in Breitenrichtung (5) der Platine (3) von der anderen, in Längsrichtung verlaufen­ den Kante (7) über einen Großteil der Platinenbreite er­ streckt und der eine Mehrzahl von Anschlüssen (23, 25, 27, 29) aufweist; und
mit mehreren Widerstandselementen, die auf der Platine zwi­ schen dem Schaltungsbaustein (15, 17) und den Kontaktelemen­ ten (13) liegen und jeweils über längenbegrenzte Leitungen mit einem der Kontaktelemente (13) und einem der Anschlüsse (23, 25, 27, 29) verbunden sind,
bei dem die Widerstandselemente durch Einzelwiderstände (39) gebildet sind, die in einer sich im wesentlichen parallel zur Längsrichtung erstreckenden Zeile auf der Platine (3) ange­ ordnet sind.

2. Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei dem die Einzelwider­ stände (39) derart angeordnet sind, daß deren Längserstre­ ckung im wesentlichen parallel zur Längsrichtung der Platine (3) ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der integrierte Schaltungsbaustein derart auf der Platine (3) an­ geordnet ist, daß dessen Anschlüsse in Reihen parallel zu der in Breitenrichtung verlaufenden Kante (9) verlaufen.

4. Schaltungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Schaltungsbaustein ein DRAM-Speicherbaustein (15, 17) ist.

5. Schaltungsmodul nach Anspruch 4, bei dem der DRAM- Speicherbaustein ein SDRAM-Speicherbaustein (15, 17) oder ein DDR-SDRAM-Speicherbaustein (15, 17) ist.