KR950021130A - 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 제조방법에 관한 것으로서, 도전층 패턴으로 된 하부도전층상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층상에 상기 절연층과는 식각선택비차가 있는 물질로 식각정지층을 형성하고, 상기 식각정지층에서 콘택홀로 예정된 부분을 포함하는 큰 범위를 제거하여 식각정지층 패턴을 형성된다. 그 다음 상기 식각정지층 패턴의 측벽에 상기 식각정지층 및 절연층과는 습식 식각선택비차가 있는 물질로 스페이서를 형성한 후, 상기 스페이서를 마스크로 상기 절연층을 이방성식각하여 소정두께 제거하고, 상기 스페이서를 제거한 후, 다시 남아있는 절연층을 경사식각 방법으로 제거하여 콘택홀을 형성하였으므로, 상기 스페이서 및 식각 정지층에 의해 상기 절연층이 별도의 손상없이 제거되어 콘택홀 측벽의 첩점이 45°정도의 경사각을 갖는 매끄러운 구조로 형성되어 후속적층막의 단차피복성이 향상되고, 인접한 도전선과의 단략을 방지하여 반도체 소자의 신뢰성 및 공정수율이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 (A)~(C)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 제조공정도.
Claims (2)
- 하부도전선상에 소정재질로 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층상에서 상기 절연층과는 식각선택비차가 있는 물질로 식각정지층을 형성하는 공정과, 상기 절연층에서 콘택홀로 예정된 부분이 노출되도록 상기 식각정지층을 패턴잉하여 식각정지층패턴을 형성하는 공정과,상기 식각정지층패턴의 측벽에 상기 식각정지층 및 절연층과는 습식식각 선택비차가 있는 물질로 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 스페이서에 의해 노출되어 있는 절연층의 소정두께을 이방성식각 방법으로 제거하는 일차식각 공정과, 상기 스페이서를 제거하는 공정과, 상기 남아있는 절연층을 상기 식각정지층을 마스크로 이용하여 하부도전층이 노출되도록 경사식각방법으로 제거하여 일차식각 공정에서 형성된 상하측의 첨점이 매끄럽게 경사진 콘택홀을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 소자의 콘택홀 제조방법.
- 제1항에 잇어서, 상기 절연층을 산화막으로 형성하고, 상기 식각정지층을 폴리실리콘층으로 형성하며, 상기스페이서를 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031877A KR950021130A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031877A KR950021130A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021130A true KR950021130A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031877A KR950021130A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021130A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399931B1 (ko) * | 1996-05-28 | 2003-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
| KR100434032B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2004-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의미세콘택홀형성방법 |
| KR100458296B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031877A patent/KR950021130A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399931B1 (ko) * | 1996-05-28 | 2003-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
| KR100434032B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2004-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의미세콘택홀형성방법 |
| KR100458296B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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