KR980005458A - 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 금속층을 패터닝하기 위한 사진 공정시 발생되는 불량을 방지하기 위하여 산화막 스페이서를 형성한 후 전체 상부면에 금속을 증착하고 블랜켓 식각하여 산화막 스페이서의 내측부에 금속 배선을 형성함으로써 금속 배선의 폭과 금속 배선간의 거리가 미세화되더라도 금속층 패터닝시 발생되는 낫칭 및 넥킹이 방지된다. 또한 공정 마진이 증가되어 서로 인접하는 금속 배선간의 접촉이 방지되며, 금속 배선 형성 후에도 표면의 평탄화 상태가 양호하여 후속 공정을 용이하게 진행할 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 제1d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 소자 제조 공정을 거친 실리콘 기판상에 절연막을 형성한 후 상기 절연막상에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막을 패터닝한 후 상기 패터닝된 산화막의 양측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막을 제거한 후 전체 상부면에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 스페이서 산화막의 표면이 노출되는 시점까지 상기 금속층을 블랜켓 식각하여 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어디는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022817A KR980005458A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022817A KR980005458A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005458A true KR980005458A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022817A KR980005458A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005458A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704882B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices using fine patterns and methods of forming fine patterns |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022817A patent/KR980005458A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704882B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices using fine patterns and methods of forming fine patterns |
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