KR950012627A - 자기장의 스파이크 효과에 의해서 진공챔버의 내부표면으로부터 오염입자를 제거하는 방법 - Google Patents

자기장의 스파이크 효과에 의해서 진공챔버의 내부표면으로부터 오염입자를 제거하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적어도 25가우스의 자력선속밀도를 가지고 있는 자기장발생수단을 갖춘 진공챔버를 구비함으로써 이 진공챔버의 내부에 배열된 표면으로부터 원하지 않는 오염입자와 막을 제거하는 새로운 개선 방법을 제공하려는 것이다. 특히, 본발명의 오염입자 및 막의 제거 방법은 적어도 한 종류의 가스를 진공챔버내로 유입시키는 단계와, 플라즈마를 점화시켜서 적어도 한 종류의 가스의 플라즈마 이온을 생성시키는 단계와, 이 자기장 생성수단을 25가우스 미만의 자력 선속밀도로 스위치를 연결하는 단계차, 자기장에서 자력선속밀도의 급변화에 의해서 원하지 않는 막과 오염입자를 진공챔버의 내부표면으로부터 제거하도록 자기장을 적어도 10가우스의 자력선속밀도로 감소시키는 단계를 포함하고 있다.
※ 선택도 제 1도

Description

자기장의 스파이크 효과에 의해서 진공챔보의 내부표면으로부터 오염입자를 제거하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 강화된 자기장이 제공되어 있는 플라즈마 처리 챔버에 대한 선도이다.

Claims (13)

  1. 진공챔버의 내부에 위치된 표면으로부터 원하지 않는 물질의 막과 입자를 제거하기 위한 방법으로서, (a) 적어도 한종류의 가스를 상기 진공챔버쪽으로 유동시키는 단계와, (b) 플라즈마를 점화시키고 상기 적어도 한종류의 가스의 플라즈마 이온을 발생시키는 단계와, (c) 적어도 25가우스의 자력선속밀도가 형성되도록 자기장을 발생시키는 단계와, 그리고 (d) 자기장의 자력선속밀도를 급변화시킴으로써 상기 물질의 상기 원하지 않는 막과 입자를 상기 조면으로부터 제거 파도록 상기 자기장을 적어도 10가우스의 자력선속밀도로 감소시키는 단계를 포함하고 있는 방법 .
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스가 불활성가스 또는 정화가스인 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 가스가 NF3, CIF3, C2F6, SF6 또는 CG4로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종류의 정화가스인 방법 .
  4. 제 1항에 있어서, 적어도 25가우스의 상기 자력선속밀도가 적어도 1초의 주기동안 스위치가 연결되는 방법 .
  5. 제 1 항에 있어서, 적어도 25가우스의 상기 자력선속밀도가 2초 내지 3초간의 주기동안 스위치가 연결되는 방법 .
  6. 제 1 항에 있어서, 적어도 25가우스의 상기 자력선속밀도가 4초 내지 6초간의 주기동안 스위티가 연결되 는 방법 .
  7. 플라즈마가 강화된 진공챔버의 내부표면으로부터 오염입자 또는 막을 제거하는 방법으로서, (a) 적어도 한종류의 가스를 상기 진공챔버내에 유입시키는 단계와, (b) 상기 적어도 한종류의 가스에서 플라즈마를 점화시키는 단계와 (c) 충분한 시간동안 적어도 25가우스의 자력선속밀도를 생산하도록, 상기 자기장 생성수단에 스위치를 연결하는 단계와, 그리고 (d) 상기 막 또는 오염입자를 상기 챔버내부의 상기 표면으로부터 제거하도록, 적어도 10가우스의 자력선속밀도로 상기 플라즈마를 점화시키는 동안 상기 자기장을 감소시키는 단계를 포함하고 있는 방법
  8. 제 7항에 있어서, 상기 진공챔버가 물리적 증기 증착챔버 및 식각챔버이거나, 또는 화학적 증기 증착챔버인 방법 .
  9. 제 7항에 있어서, 5초의 주기동안 적어도 50가우스의 자력선속밀도를 제공하도록 상기 자기장의 스위 치를 연결하고. 그다음 0가우스의 자력선속밀도로 자기장의 스위치를 차단하는 방법 .
  10. 제 7항에 있어서, 상기 챔버로부터 제거된 상기 오염입자가 이산화 실리콘의 입자인 방법
  11. 제 7항에 있민서, 상기 진공챔버로부터 제거된 상기 오염입자가 중합체의 입자인 방법 .
  12. 제 7항에 있어서, 3초의 주기동안 적어도 50가우스의 자력선속밀도를 제공하도록 상기 자기장 생성수단의 스위치를 연결하고, 그다음 1초의 주기동안 25가우스로 감소시키는 방법 .
  13. 제 7항에 있어서, 상기 자기장 생성수단이 한쌍의 회전자석인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027907A 1993-10-29 1994-10-28 자기장의 스파이크 효과에 의해서 진공챔버의 내부표면으로부터 오염입자를 제거하는 방법 KR950012627A (ko)

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