KR960002537A - 플라즈마 반응로에서 정전기 척 세척방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 재료용 정전기 척 축받이로부터 오염 입자를 제거하는 방법으로서, 이는 연화 물질 재료를 이용하여 물리적으로 제거하거나 또는 오염을 척 표면으로부터 부유시키고 이들을 챔버의 챔버 진공 배출 시스템의 가스 스트림에 흡기시키는 플라즈마 껍데기를 생성함으로써 이루어진다. 오염 제거 공정은 특히 재료처리를 위한 연속 플라즈마 가공에 유용하다.

Description

플라즈마 반응로에서 정전기 척 세척방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 오염 제어방법을 처리 및 채택하는 반도체 에칭에서 사용되는 기판지지 축받이 및 보조장치에 대한 수직 단면도이다,
제2도는 제1도의 플라즈마 반응로를 절개한 투시도 이다,
제3도는 본 정전기 척 세척방법의 한 실시예에 이용된 정전기 척의 단면도이다,
제4도는 본 발명의 오염 입자 제어에 따른 플라즈마 껍데기(sheath)발생하는 것을 설명하는 플라즈마 반응로의 정면도 이다.

Claims (25)

  1. 진공 배출 능력이 제공되고 대기보다 낮은 제어된 환경에서 기판을 연속적으로 가공하기에 적합한 플라즈마 가공 챔버내의 가공 위치에서 기판을 유지하는 표면을 가진 정전기 척을 세척하는 방법에 있어서, a) 플라즈마 가공 챔버내의 정전기 척의 기판 유지 표면에 기판을 유지하는 단계; b) 적어도 하나의 선택된 가스를 챔버로 유입시키는 단계; c) 기판상에서 플라즈마 가공을 수행하도록 정전기 척의 기판 유지표면에 수직으로 가스 플라즈마 및 관련 전기장을 형성하기 위하여 챔버에 전기에너지를 가하는 단계; d) 대기보다 낮은 제어된 환경으로 챔버를 유지하며, 플라즈마 가공 완료시 정전기 척 표면으로부터 가공된 재료를 제거하는 단계; 및 e) 플라즈마 가공될 다음 기판을 넣기전에 닫힌 챔버의 정전기 척 표면으로부터 오염 입자를 원위치에서 기계 또는 전기적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 정전기 척은 경화 표면 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 오염 입자 제거는 가공된 기판의 제거후에 기판 유지 표면위에 세척 플라즈마를 생성하여, 상기 표면위에 형성된 오염 입자 잔류물이 플라즈마 껍데기에 부유하고 가스 흐름 스트림에 흡기되고, 진공 배출을 통하여 챔버로부터 입자를 끌어냄으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 오염 입자 제거 단계중의 플라즈마 농도는 기판의 플라즈마 처리중의 플라즈마 처리중의 플라즈마 농도에 비하여 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 전기 에너지는 r.f. (고주파수)전기에너지인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 플라즈마는 기판 가공중에 전기 및 자기장에 의하여 유지되며, 오염 입자 제거 단계중에 플라즈마는 농도가 감소하며 자기장의 세기는 감소하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 자기장은 오염 입자 제거 단계중에 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 오염 제거 단계중에 가공 챔버내의 압력은 기판의 플라즈마 처리중에 이용되는 압력보다 낮아지는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 플라즈마는 기판 가공중에 전기 및 자기장에 의하여 유지되며, 오염 입자 제거 단계중에 정전기 척으로부터 최고 플라즈마 농도를 이동시키기 위하여 자기장은 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 플라즈마는 오염 입자 제거 단계중에 농도가 감소하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 오염 제거 단계중에 가공 챔버내의 압력은 기판의 플라즈마 처리중에 이용되는 압력보다 낮아지는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제3항에 있어서, 가공 플라즈마 보다 낮은 밀도의 세척 플라즈마는 25sccm 보다 큰 비율의 플라즈마 발생가스, 50G 미만의 자기장, 200mTorr 미만의 압력 및 200W 미만의 전기에너지를 제공함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 기판의 플라즈마 가공에 사용도는 적어도 하나의 가스가 오염 입자 제거중에 이용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 오염 입자 제거 단계는 : f) 연화 레진 물질이 척 표면과 접촉하도록 연화 레진 물질 표면으로 구성된 재료를 정전기 척 표면상에 배치하는 단계; g) 연화 레진 물질이 척 표면으로 끌려서 압박되도록하여 오염 입자가 연화 레진 물질에 박히도록 척에 직류 척전압을 가하는 단계; 및 h) 챔버로 부터 오염을 함유한 재료를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. a) 가스 배출 능력 및 척의 표면에 기판을 유지하기에 적합한 정전기 척 클램프를 가진 기판 축받이를 포함하는 플라즈마 챔버를 제공하는 단계; b) 하나이상의 선택된 플라즈마 발생가스를 챔버로 유입시키는 단계; c) 상기 기판의 처리를 수행하도록 기판을 받아들이는 축받이 표면에 수직으로 처리 플라즈마 및 관련 전기장을 형성하기 위하여 챔버에 전기에너지를 가하는 단계; d) 플라즈마 처리완료시 정전기 척 표면으로부터 가공된 재료를 제거하는 단계; 및 e) 축받이위치에 형성된 오염 입자 잔류물이 플라즈마 껍데기내에서 부유하고 챔버의 가스 제거 스트림에 흡기되서 오염 입자가 가스 배출중에 챔버로 부터 배출되도록, 정전기 척표면이 노출될 때 상기 처리 플라즈마에 비교하여 감소된 농도를 가진 플라즈마를 정전기 척 축받이 표면상에 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, f) 플라즈마 껍데기로의 오염 입자 전달 및 부유를 촉진하기 위하여 플라즈마 껍데기 세척 단계중에 반대극성의 전압을 정전기 척에 순차적으로 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, f) 300mTorr보다 큰 압력으로 진공 챔버를 배출시키는 단계; 및 g) 정전기 척 표면을 세척하기 위하여 진공화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  18. 제15항에 있어서, f) 정전기 척 표면을 브러쉬 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  19. 제15항에 있어서, 재료 처리중에 플라즈마를 유지하기 위하여 자기장을 이용하는 단계 및 감소된 농도의 플라즈마를 형성하도록 자기장을 감소 또는 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  20. 제15항에 있어서, 낮은 농도 플라즈마는 25sccm 보다 큰 비율의 플라즈마 발생가스, 50G 미만의 자기장, 200mTorr미만의 압력 및 200W 미만의 전기에너지를 제공함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  21. 제15항에 있어서, 플라즈마 처리 공정은 플라즈마 보강 화학기상 증착인 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  22. 제15항에 있어서, 플라즈마 처리 공정은 플라즈마 에칭인 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  23. 제15항에 있어서, f) 챔버로부터 가공된 기판을 제거하는 단계; g) 연화 레진 물질이 척 표면과 접촉하도록 연화 레진 물질 표면을 가진 재료를 정전기 척 표면상에 배치하는 단계; h) 연화 레진 물질이 척 표면으로 끌려서 압박되도록하여 오염 입자가 연화 레진 물질에 박히도록 척에 직류 척전압을 가하는 단계; 및 i) 챔버로 부터 오염을 함유한 재료를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 닫힌 진공 챔버에서 반도체 기판의 플라즈마 처리를 연속적으로 수행하는 방법.
  24. a) 정전기 척 축받이로 구성된 플라즈마 챔버를 제공하는 단계; b) 연화 레진 물질이 경화 척 표면과 접촉하도록 연화 레진 물질 표면을 가진 재료를 정전기 척 표면상에 배치하는 단계; c) 연화 레진 물질이 척 표면으로 끌려서 압박되도록하여 상대적으로 큰 오염 입자가 연화 레진 물질에 박히도록 직류 척전압을 가하는 단게; 및 d) 챔버로 부터 오염 함유 연화 수지를 함유한 재료를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 표면 정전기 척으로부터 오염 입자를 제거하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 제거 단계전에 재료의 플라즈마 처리 단계를 더 포함하는 특징으로 하는 경화 표면 정전기 척으로부터 오염 입자를 제거하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950014885A 1994-06-03 1995-06-03 플라즈마 반응로에서 정전기 척 세척방법 KR960002537A (ko)

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