KR960702185A - 반도체 기판의 스트립핑, 불활성화 및 부식억제 방법(stripping, passivation and corrosion inhibition of semiconductor substrates) - Google Patents
반도체 기판의 스트립핑, 불활성화 및 부식억제 방법(stripping, passivation and corrosion inhibition of semiconductor substrates) Download PDFInfo
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Abstract
에천트 부산물(24) 및 잔존 절연도료(26)를 가진 기판(20)을 불활성화 및 선택적으로 스트립핑하는 복수사이클이 기술된다. 복수사이클 배시배이션 공정에 있어서, 기판은 진공챔버(52)내에 위치하며, 불활성화 가스가 진공 챔버(52)내로 유입되며, 플라즈마는 불활성화 가스로부터 생성된다. 그 다음, 불활성화 가스의 흐름이 정지되며 챔버내의 플라즈마는 제거된다. 불활성화 사이클은 기판을 불활성화 하기 위해 적어도 두번 반복된다. 복수사이클 불활성화 및 스트립핑공정에 있어서, 각각의 불활성화 사이클은 기판으로부터 잔존 절연도료(26)를 스트립핑하기 위한 스트립핑 사이클에 의해 교대된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법을 실행하기에 적당한 진공챔버의 개략적인 수직단면도.
Claims (14)
- (a) 진공챔버로 기판을 위치시키는 단계; (b) 불활성화 가스를 진공챔버내로 유입하며 불활성화 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계; (c) 불활성화 가스의 흐름을 정지시켜 플라즈마를 제거시키는 단계; (d) 기판상의 에천트 부산물을 불활성화 하기 위해 단계(b) 및 (c)를 적어도 한번 반복하는 단계; 및 (e) 불활성화된 기판을 챔버로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에천트 부산물을 가진 기판을 불활성화하는 방법.
- 제1항에 있어서, 단계(b)의 주기가 약 2 내지 60초, 더 바람직하게 2 내지 20초인 것을 특징으로 하는 에천트 부산물을 가진 기판을 불활성화 하는 방법.
- (a) 기판을 챔버내로 위치시키는 단계; (b) 불활성화 가스를 진공 챔버내로 유입하여 불활성화가스로부터 플라즈마를 형성함으로서 기판상의 에천트 부산물을 불활성화하는 단계; (c) 단계(b)전 또는 후에, 스트립핑(stripping)가스를 진공챔버내로 유입하여 스트립핑가스로부터 플라즈마를 형성함으로서 기판으로부터 절연도료를 스트립하는 단계; (d) 단계(b) 및 (c)가 실행되는 것과 동일한 순서로 단계(b) 및 (c)를 적어도 한번 반복하는 단계; 및 (e) 불활성화 및 스트립핑된 기판을 챔버로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제3항에 있어서, 각각의 불활성화 단계(b) 및 스트립핑 단계(c)가 약 1 내지 60초, 더 바람직하게 2 내지 20초의 주기를 가지는 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1,2,3 또는 제4항에 있어서, 단계(d)는 기판이 적어도 24시간 등안 공기에 노출될 때 부식에 저항하도록 충분히 반복되는 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1,2,3,4 또는 5항에 있어서, 단계(d)가 1 내지 10사이클, 더 바람직하게는 2 내지 5사이클동안 실행되는 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1 또는 3항에 있어서, 기판이 그 위에 측벽 층작물을 가진 특징부를 가지며, 단계(e)후에 측벽 층작물이 에천트 용액에 의해 에칭되며, 에천트 용액에 의한 에칭후 기판이 적어도 1주일 동안 공기에 노출될때 부식에 저항하는 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1 또는 3항에 있어서, 전체 공정의 주기가 약 1 내지 180초, 더 바람직하게는 1 내지 60초인 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1,3 또는 5항에 있어서, 불활성화 가스가 물중기를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1,3 또는 5항에 있어서, 불활성화 가스가 물중기, 산소 및 질소를 포함하며, i) 물증기대 ii) 산소 및 질소의 용량비가 약 2:1 내지 1:2인 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1,3 또는 5항에 있어서, 불활성화 가스가 물증기, 산소 및 질소를 포함하며, (i) 물증기 대 (ii) 산소 및 질소의 용량비가 약 1:4 내지 1:40인 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제10 또는 제11항에 있어서, 산소대 질소의 용량비가 1:1 내지 50:1인 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제3항에 있어서, 불활성화 또는 스트립핑 가스가 산소, 질소, 플루오르화탄소, 물증기, 암모니아, 수소 또는 그것의 혼합물로부터 선택된 적어도 하나의 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류 절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.
- 제1 또는 3항에 있어서, 불활성화 단계 또는 불활성화 및 스트립핑 단계동안, 진공챔버가 (i) 약 150℃내지 400℃ 내의 온도 및 (ii) 약 1Torr 내지 100Torr, 더 바람직하게 1Torr 내지 10Torr의 압력으로 유지되는 것을 특징으로 하는 잔류절연도료 및 에천트 부산물을 가진 기판을 스트립핑 및 불활성화하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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