KR940020179A - 범용 네가티브 톤 포토레지스트 - Google Patents

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수리야꾸마란 래트남
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Abstract

본 발명에는 화학적으로 증폭되는 개선된 네기티브 톤 미세석판인쇄술용 레지스트 조성물 및 그의 사용방법이 설명되어 있다. 이 조성물은 가교제. 중합체, 결합제, 및 레지스트 조성물을 잠상 형성용 방사선에 노출시킬 때에 산을 형성시키는 화합물의 혼합물로 이루어진다. 상세하게는, 본 발명은 중합체 결합제를 가소화시키지 않거나 또는 별법으로 그의 유리 전이 온도를 저하시키지 않는 가교제를 함유하는 조성물에 관한 것이다. 이에 따라 레지스트의 노출 영역으로부터 노출되지 않는 영역까지의 산 성분의 확산이 최소화되고 양각 상의 치수 조절이 유지되게 된다.

Description

범용 네가티브 톤 포토레지스트
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 수성 알킬리 현상액에 가용성이며, 가교제와의 반응에 의해 가교되어 수성 알칼리 현상액에 거의 불용성이 되는 히드록시방향족 중합체로 이루어진 결합제； 강산 촉매와 반응할 때 카르보늄 이온을 형성하며 중합체 결합제와 혼합될 때 중합체 결합제를 가소화시키지 않는 가교제； 및 방사선에 노출될 때 강산을 형성하는 산 형성 화합물의 혼합물로 이루어진 네기티브 톤의 미세석판인쇄술용 레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 히드록시방향족 중합체가 치환 또는 비치환된 페놀과 알데히드의 축합 반응 생성물인 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 히드록시방향족 중합체가 포름알데히드와 페놀 또는 알킬페놀의 축합 반응 생성물인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 히드록시방향족 중합체가 치환 또는 비치환된 히드록시스티렌으로부터 유도된 중합체 또는 공중합체인 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 히드록시방향족 중합체가 폴리히드록시스티렌인 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 히드록시방향족 중합체가 치환 또는 비치환된 히드록시스티렌 및 올레핀화 치환된 환상 알콜로부터 유도된 공중합체인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 가교제가 중합체 결합제와 혼합될 때 중합체 결합제의 유리 전이 온도를 저하시키지 않는 것인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 가교제의 융점이 히드록시방향족 중합체의 유리 전이 온도 이상인 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 가교제의 융점이 히드록시방향족 중합체의 유리 전이 온도 보다 10℃ 이상 높은 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 가교제가 치환된 글리콜우릴, 치환 또는 비치환된 히드록시메틸페놀, 및 치환 또는 비치환된 1,4－디히드록시메틸벤젠으로 이루어진 군에서 선택된 것인 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 가교제가 1,3,5,7－테트라알콕시메틸글리콜우릴 또는 1,3,5,7－테트라히드록시메틸글리콜우릴인 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 가교제가 1,3,5,7－테트라메톡시메틸글리콜우릴인 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 염료가 더 포함되는 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 염료가 약 180 내지 약 400㎚의 1개 이상의 파장을 가진 화학선으로부터 에너지를 흡수하며 흡수된 에너지를 산 형성 화합물로 전달시켜 강산을 형성하도록 하는 것인 조성물.
  15. 제13항에 있어서, 염료가 안트라센메탄올 페녹시메틸안트라센, 9,10－디페닐안트라센, 치환된 펜안트라센 및 치환된 비페닐로 이루어진 군에서 선택된 것인 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 용매를 더 포함하는 조성물.
  17. 제1항에 따른 레지스트 조성물의 방사선 과민성 박막을 미세석판인쇄술용 기판에 도포하는 단계； 방사선 과민성 박막을 방사선에 패턴 방식으로 노출시켜 잠상을 형성하는 단계； 박막을 가열하여 잠상의 노출 면에서 히드록시방향족 중합체의 가교를 일으키는 단계； 및 알칼리 수용액에서 잠상을 현상하여 박막 중에 양각 상을 형성하는 단계로 이루어지는 미세석판인쇄 양각 상의 형성 방법.
  18. 제17항에 있어서, 노출 면에서 히드록시방향족 중합체의 가교를 일으키기 위하여 박막을 가열하여 박막 가열 온도가 가교제의 융점 이하인 방법.
  19. 제17항에 있어서, 현상된 양각 상의(신폭의) 편차가 노출 면에서 히드록시방향족 중합체의 가교를 일으키기 위하여 박막을 가열하는 박막 가열 온도의 ℃변화 당 10㎚ 이하인 방법.
  20. 제17항에 있어서, 방사선이 전자 빔, 자외선 또는 X선인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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