KR940016833A - 다이나믹 램 셀 - Google Patents

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KR940016833A
KR940016833A KR1019920026924A KR920026924A KR940016833A KR 940016833 A KR940016833 A KR 940016833A KR 1019920026924 A KR1019920026924 A KR 1019920026924A KR 920026924 A KR920026924 A KR 920026924A KR 940016833 A KR940016833 A KR 940016833A
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박찬광
고요환
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
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Abstract

본 발명은 DRAM 셀에서 스토리지 캐패시턴스를 줄일 수 있는 새로운 DRAM 셀 회로에 관한 것으로, 특히 한개의 트랜지스터와 한개의 캐패시터를 사용하여 구현한 새로운 다이나믹 램 셀에 관한 것으로, 한개의 트랜지스터와 한개의 캐패시터를 사용하여 구현한 새로운 다이나믹 램 셀은 ; DRAM 셀의 선택을 위한 연결선으로 사용하는 워드라인(2)에 게이트가 연결되는 셀 트랜지스터(3), 상기 셀 트랜지스터(3)의 드레인 단자(7)와 DRAM 셀의 정보를 읽고 쓰기 위한 연결선으로 사용하는 비트 라인(1)의 사이에 연결되어 정보저장을 위한 소자로 이용되는 스토리지 캐패시터(5)로 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

다이나믹 램 셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 DRAM 셀의 구성도.

Claims (1)

  1. 한개의 트랜지스터와 한개의 캐패시터를 사용하여 구현한 새로운 다이나믹 램 셀은 ; DRAM 셀의 선택을 위한 연결선으로 사용하는 워드라인(2)에 게이트가 연결되는 셀 트랜지스터(3), 상기 셀 트랜지스터(3)의 드레인 단자(7)와 DRAM 셀의 정보를 읽고 쓰기 위한 연결선으로 사용하는 비트 라인(1)의 사이에 연결되어 정보 저장을 위한 소자로 이용되는 스토리지 캐패시터(5)로 구성된 것을 특징으로 하는 다이나믹 램 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR92026924A 1992-12-30 1992-12-30 Dram cell KR960008530B1 (en)

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