KR970008332A - 완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터 - Google Patents
완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터 Download PDFInfo
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Abstract
SOI 트랜지스터(10) 게이트 절연층(26) 하부의 반도체막(16)내에 채널 영역(30)을 갖는다. 채널 영역은 막의 하부 표면(34)의 하부 도펀트 농도 NB보다 상당히 큰 막의 상부 표면(32)의 상부 도펀트 농도 NT를 갖는다. 이러한 비균일 도핑 프로파일은 완전-공핍 모드에서 동작하는 SOI 장치를 제공하며 서브-임계(sub-threshold) 기울기의 큰 경감없이 막을 더욱 두껍게 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 SOI 트랜지스터의 횡단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판(14)과; 상기 반도체 기판상의 매립 절연층(12)과; 상기 매립 절연층상에서 이 매립 절연층에 접하는 하부 표면(34), 상부 표면(32), 소스 영역(18), 및 드레인 영역(20)을 갖는 반도체막(16)과; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역간의 상기 반도체막의 상기 상부 표면상에 위치된 게이트 절연층(26)과; 상기 게이트 절연층상에 위치된 게이트 전극층(28) 및; 상기 게이트 절연층과 상기 매립 절연층사이와 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 상기 반도체막내에 위치된 채널 영역(30)을 포함하며, 상기 채널 영역은 상기 반도체 막의 상기 상부 표면에 대응하는 상부 도펀트 농도 및 상기 반도체막의 상기 하부 표면에 대응하는 하부 도펀트 농도를 가지며, 상기 상부 도펀트 농도는 상기 하부 도펀트 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 도펀트 농도로 상기 상부 도펀트 농도를 나눈 도핑 비율은 약 5보다 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
- 실리콘 기판(14)과; 상기 실리콘 기판상의 매립 절연층(12)과; 상기 매립 절연층상에서 이 매립 절연층에 접하는 하부 표면(34), 상부 표면(32), 소스 영역(18), 및 드레인 영역(20)을 갖는 약 500옹스트롬보다 큰 두께의 실리콘 막(16)과; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이에 상기 실리콘막의 상기 상부 표면상에 위치된 게이트 산화물층(26)과; 상기 게이트 산화물층상에 위치된 게이트 전극층(28) 및; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이에 상기 게이트 산화물층과 상기 매립 절연층사이의 상기 실리콘막내의 위치한 채널영역(30)을 포함하며, 상기 채널 영역은 최소한 약 400mV의 임계 전압을 설정할 만큼 충분히 높은 상기 실리콘막의 상기 상부 표면에 대응하는 상부 도펀트 농도 및 상기 실리콘막의 상기 하부 표면에 대응하는 하부 도펀트 농도를 가지며, 상기 상부 도펀트 농도는 상기 하부 도펀트 농도보다 더 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
- 반도체 기판(14)과; 상기 반도체 기판상의 매립 절연층(12)과; 상기 매립 절연층상에서 이 매립 절연층에 접하는 하부 표면(34), 상부 표면(32), 소스 영역(18) 및 드레인 영역(20)을 갖는 반도체막(16)과; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역간의 상기 반도체막의 상기 상부 표면상에 위치된 게이트 절연층(26)과; 상기 게이트 절연층상에 위치된 게이트 전극층(28) 및; 상기 게이트 절연층과 상기 매립 절연층사이와 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 상기 반도체막내에 위치된 채널 영역(30)을 포함하며, 상기 채널 영역은 피크(peak) 도펀트 농도 및 최소 도펀트 농도를 갖는 도핑 프로파일을 가지며, 상기 피크 도펀트 농도는 상기 최소 도펀트 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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