KR970008332A - 완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터 - Google Patents

완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터 Download PDF

Info

Publication number
KR970008332A
KR970008332A KR1019960030529A KR19960030529A KR970008332A KR 970008332 A KR970008332 A KR 970008332A KR 1019960030529 A KR1019960030529 A KR 1019960030529A KR 19960030529 A KR19960030529 A KR 19960030529A KR 970008332 A KR970008332 A KR 970008332A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dopant concentration
insulating layer
region
layer
drain region
Prior art date
Application number
KR1019960030529A
Other languages
English (en)
Inventor
엠. 클레인 케빈
엠. 후앙 웬-링
마 준
Original Assignee
빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 빈센트 비. 인그라시아, 모토로라 인코포레이티드 filed Critical 빈센트 비. 인그라시아
Publication of KR970008332A publication Critical patent/KR970008332A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/66772—Monocristalline silicon transistors on insulating substrates, e.g. quartz substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78612—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing the kink- or the snapback effect, e.g. discharging the minority carriers of the channel region for preventing bipolar effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/78654—Monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78657—SOS transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

SOI 트랜지스터(10) 게이트 절연층(26) 하부의 반도체막(16)내에 채널 영역(30)을 갖는다. 채널 영역은 막의 하부 표면(34)의 하부 도펀트 농도 NB보다 상당히 큰 막의 상부 표면(32)의 상부 도펀트 농도 NT를 갖는다. 이러한 비균일 도핑 프로파일은 완전-공핍 모드에서 동작하는 SOI 장치를 제공하며 서브-임계(sub-threshold) 기울기의 큰 경감없이 막을 더욱 두껍게 할 수 있다.

Description

완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 SOI 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 SOI 트랜지스터의 횡단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판(14)과; 상기 반도체 기판상의 매립 절연층(12)과; 상기 매립 절연층상에서 이 매립 절연층에 접하는 하부 표면(34), 상부 표면(32), 소스 영역(18), 및 드레인 영역(20)을 갖는 반도체막(16)과; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역간의 상기 반도체막의 상기 상부 표면상에 위치된 게이트 절연층(26)과; 상기 게이트 절연층상에 위치된 게이트 전극층(28) 및; 상기 게이트 절연층과 상기 매립 절연층사이와 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 상기 반도체막내에 위치된 채널 영역(30)을 포함하며, 상기 채널 영역은 상기 반도체 막의 상기 상부 표면에 대응하는 상부 도펀트 농도 및 상기 반도체막의 상기 하부 표면에 대응하는 하부 도펀트 농도를 가지며, 상기 상부 도펀트 농도는 상기 하부 도펀트 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 도펀트 농도로 상기 상부 도펀트 농도를 나눈 도핑 비율은 약 5보다 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
  3. 실리콘 기판(14)과; 상기 실리콘 기판상의 매립 절연층(12)과; 상기 매립 절연층상에서 이 매립 절연층에 접하는 하부 표면(34), 상부 표면(32), 소스 영역(18), 및 드레인 영역(20)을 갖는 약 500옹스트롬보다 큰 두께의 실리콘 막(16)과; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이에 상기 실리콘막의 상기 상부 표면상에 위치된 게이트 산화물층(26)과; 상기 게이트 산화물층상에 위치된 게이트 전극층(28) 및; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이에 상기 게이트 산화물층과 상기 매립 절연층사이의 상기 실리콘막내의 위치한 채널영역(30)을 포함하며, 상기 채널 영역은 최소한 약 400mV의 임계 전압을 설정할 만큼 충분히 높은 상기 실리콘막의 상기 상부 표면에 대응하는 상부 도펀트 농도 및 상기 실리콘막의 상기 하부 표면에 대응하는 하부 도펀트 농도를 가지며, 상기 상부 도펀트 농도는 상기 하부 도펀트 농도보다 더 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
  4. 반도체 기판(14)과; 상기 반도체 기판상의 매립 절연층(12)과; 상기 매립 절연층상에서 이 매립 절연층에 접하는 하부 표면(34), 상부 표면(32), 소스 영역(18) 및 드레인 영역(20)을 갖는 반도체막(16)과; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역간의 상기 반도체막의 상기 상부 표면상에 위치된 게이트 절연층(26)과; 상기 게이트 절연층상에 위치된 게이트 전극층(28) 및; 상기 게이트 절연층과 상기 매립 절연층사이와 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 상기 반도체막내에 위치된 채널 영역(30)을 포함하며, 상기 채널 영역은 피크(peak) 도펀트 농도 및 최소 도펀트 농도를 갖는 도핑 프로파일을 가지며, 상기 피크 도펀트 농도는 상기 최소 도펀트 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960030529A 1995-07-27 1996-07-26 완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터 KR970008332A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/507,898 US5656844A (en) 1995-07-27 1995-07-27 Semiconductor-on-insulator transistor having a doping profile for fully-depleted operation
US507,898 1995-07-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970008332A true KR970008332A (ko) 1997-02-24

Family

ID=24020582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960030529A KR970008332A (ko) 1995-07-27 1996-07-26 완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5656844A (ko)
JP (1) JPH0945919A (ko)
KR (1) KR970008332A (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5670399A (en) * 1995-12-06 1997-09-23 Micron Technology, Inc. Method of making thin film transistor with offset drain
US5936278A (en) * 1996-03-13 1999-08-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor on silicon (SOI) transistor with a halo implant
US5920093A (en) * 1997-04-07 1999-07-06 Motorola, Inc. SOI FET having gate sub-regions conforming to t-shape
US5989963A (en) * 1997-07-21 1999-11-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method for obtaining a steep retrograde channel profile
US6245649B1 (en) 1999-02-17 2001-06-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming a retrograde impurity profile
US6525381B1 (en) 2000-03-31 2003-02-25 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor-on-insulator body-source contact using shallow-doped source, and method
US6441434B1 (en) 2000-03-31 2002-08-27 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor-on-insulator body-source contact and method
US6373103B1 (en) 2000-03-31 2002-04-16 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor-on-insulator body-source contact using additional drain-side spacer, and method
US6437404B1 (en) 2000-08-10 2002-08-20 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor-on-insulator transistor with recessed source and drain
JP3531671B2 (ja) * 2001-02-02 2004-05-31 シャープ株式会社 Ｓｏｉｍｏｓｆｅｔ及びその製造方法
US6709913B2 (en) * 2001-09-04 2004-03-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for adjusting ultra-thin SOI MOS transistor threshold voltages
JP4134545B2 (ja) 2001-10-02 2008-08-20 日本電気株式会社 半導体装置
US6855988B2 (en) * 2002-07-08 2005-02-15 Viciciv Technology Semiconductor switching devices
US20040004251A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-08 Madurawe Raminda U. Insulated-gate field-effect thin film transistors
US7358121B2 (en) * 2002-08-23 2008-04-15 Intel Corporation Tri-gate devices and methods of fabrication
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4439358B2 (ja) * 2003-09-05 2010-03-24 株式会社東芝 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US20050195627A1 (en) * 2003-11-18 2005-09-08 Hutchens Chriswell G. High-temperature memory systems
KR100998527B1 (ko) 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
JP2006261639A (ja) * 2005-02-16 2006-09-28 Renesas Technology Corp 半導体装置、ドライバ回路及び半導体装置の製造方法
JP2007123406A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7691730B2 (en) * 2005-11-22 2010-04-06 Corning Incorporated Large area semiconductor on glass insulator
JP2011044742A (ja) * 2010-11-24 2011-03-03 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN104952922B (zh) * 2014-03-27 2019-05-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 鳍型场效应晶体管及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6489164A (en) * 1987-09-30 1989-04-03 Toshiba Electric Equip Hook ceiling cap
JPH01295464A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Sony Corp 薄膜トランジスタ
JPH01307268A (ja) * 1988-06-06 1989-12-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｍｉｓ型トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0945919A (ja) 1997-02-14
US5656844A (en) 1997-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970008332A (ko) 완전-공핍 동작용 도핑 프로파일을 갖는 soi 트랜지스터
KR910017676A (ko) 박막트랜지스터
KR970072205A (ko) 에스. 오. 아이(soi)형 트랜지스터 및 그 제조방법
KR940003098A (ko) 반도체 장치
KR940010388A (ko) 반도체 장치
TW335513B (en) Semiconductor component for high voltage
KR910017674A (ko) 박막 트랜지스터
KR950034767A (ko) Mis형 반도체장치
KR940020594A (ko) 에스오아이(SOI : silicon on insulator) 구조의 반도체 장치 제조방법
KR960701479A (ko) 매립된 다이오드가 있는 래터럴 반도체-온-절연체 반도체 디바이스(Lateral semiconductor-on-insulator (soi)semiconductor device having a buried diode)
KR960012539A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR970060530A (ko) 유전체 분리형 박막 반도체 장치
KR960036128A (ko) 실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
KR940020576A (ko) 반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction)
KR900013652A (ko) 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치
KR930022601A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR960032776A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR970004074A (ko) 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR950021267A (ko) 수소화 효과 증대를 위한 반도체 소자의 제조방법
SE7906289L (sv) Halvledaranordning
KR970063782A (ko) 고전압 트랜지스터
KR980005882A (ko) 모스 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR940001451A (ko) 바텀 게이트를 구비한 fid 폴리 실리콘 tft
KR970077366A (ko) 고전압 트랜지스터의 제조방법
KR970067618A (ko) 실리콘-온-인슐레이터(soi) 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid