KR970054507A - 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다결정 규소 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 공정을 단순화한 다결정 규소 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막을 모두 형성하고 나서 세 층을 한꺼번에 식각하여 활성층의 소스/드레인 영역을 형성한다. 따라서, 종래에 비하여 접촉구 형성 공정이 한번 줄어들어 공정이 단순해진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도이다.
Claims (17)
- 투명한 절연 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 활성층, 상기 활성층 위에 형성되어 있으며, 상기 활성층을 드러내는 한 쌍의 제1접촉구를 가지고 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트전극, 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 게이트 절연막과 동일한 패턴의 한쌍의 제2접촉구를 가지고 있는 층간 절연막, 상기 층간 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선이 형성되어 있는 상기 층간 절연막위에 형성되어 있으며 상기 층간 절연막과 동일한 패턴의 한쌍의 제2접촉구 및 상기 데이터선을 드러내는 제4접촉구를 가지고 있는 보호막, 그리고 동일한 패턴의 상기 제1, 제2 및 제3접촉구를 통하여 상기 활성층과 연결되어 있고 상기 제4접촉구를 통하여 상기 데이터선과도 연결되어 있는 제1투명 전극, 상기 투명 전극이 형성되어있는 상기 접촉구가 아닌 상기 제1, 제2 및 제3접촉구를 통하여 상기 활성층과 연결되어 있는 제2투명 전극을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에서, 상기 데이터선은 알루미늄으로 형성하는 박막 트랜지스터.
- 제2항에서, 상기 제1투명 전극은 ITO로 형성하는 박막 트랜지스터.
- 제3항에서, 상기 데이터선과 상기 제1투명 전극의 사이에 형성되어 있는 접촉층을 더 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제4항에서, 상기 접촉층은 질화티타늄으로 이루어져 있는 박막 트랜지스터.
- 제1항에서, 상기 게이트 전극 아래의 상기 활성층은 진성 반도체이고, 그 양 옆의 상기 활성층은 외성 반도체인 박막 트랜지스터.
- 제6항에서, 상기 활성층에서 상기 게이트 전극 아래 부분과 가까이 있는 부분은 저농도이고 멀리 있는 부분은 고농도인 박막 트랜지스터.
- 제7항에서, 상기 활성층에서 상기 제1 및 제2투명 전극과 접하는 부분은 고농도인 박막 트랜지스터.
- 투명한 절연 기판 반도체로 활성층을 형성하는 단계, 절연 물질로 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 게이트를 형성하는 단계, 상기 활성층에 불순물을 주입하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계, 절연 물질로 층간 절연막을 형성하는 단계, 금속으로 데이터선을 형성하는 단계, 절연 물질을 적층한 후 상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막과 함께 식각하여 접촉구를 형성하여 상기 활성층의 소스/드레인 영역 및 상기 데이터선을 드러내는 단계, 투명한 도전물질로 데이터선 및 한 쪽 소스/드레인 영역과 연결되는 제1투명 전극과 다른 한쪽 소스/드레인 영역과 연결되며 화소 전극을 겸하는 제2투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제9항에서, 상기 활성층은 다결정 규소로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제9항에서, 상기 게이트 절연막은 열산화로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제9항에서, 상기 게이트는 다결정 규소로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제9항에서, 상기 소스/드레인 영역을 형성하는 단계는, 상기 활성층에 저농도로 불순물을 주입하는 단계, 상기 게이트의 측면에 감광막을 형성하고 고농도로 주입하는 단계, 확산 공정을 통하여 저농도의 LDD 영역과 고농도의 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 데이터선은 알루미늄으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제14항에서, 상기 제1 및 제2투명 전극은 ITO로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 데이터선과 동일한 패턴으로 접촉층을 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제16항에서, 상기 접촉층은 질화티타늄으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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