KR930017196A - 전하전송장치 및 그 구동방법 - Google Patents

전하전송장치 및 그 구동방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930017196A
KR930017196A KR1019930001223A KR930001223A KR930017196A KR 930017196 A KR930017196 A KR 930017196A KR 1019930001223 A KR1019930001223 A KR 1019930001223A KR 930001223 A KR930001223 A KR 930001223A KR 930017196 A KR930017196 A KR 930017196A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge transfer
predetermined
charge
transfer
signal charges
Prior art date
Application number
KR1019930001223A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970002122B1 (ko
Inventor
마고토 모노이
Original Assignee
사토 후미노
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사토 후미노, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미노
Publication of KR930017196A publication Critical patent/KR930017196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970002122B1 publication Critical patent/KR970002122B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 전하전송장치를 구동시킬 때에, 레지스티간 전송을 반복하므로써 소정의 신호전하에 잔류전하가 발생하지 않도록 할 수가 있고, 더욱이 이 소정의 신호저하를 전송하고 있는 사이에 반도체기판에 형성한 축적부에 구동펄스를 인가함으로써 다음의 신호전하가 상기 소정의 신호전하에 혼합되지 않도록 할 수 있는 전하전송장치를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위해 본 발명은 반도체기판과, 상기 반도체기판에 형성되어 이 반도체기판에 발생하는 신호전하를 전송하는 복수개의 전송전극을 갖추고서 병렬로 배치된 복수개의 전하전송부와, 상기 반도체기판에 병렬로 배치된 복수개의 전하전송부간에 형성되어 이 복수개의 전하전송부중 소정의 전하전송부의 소정의 전송전극 밑에 있는 신호전하를 소정의 구동펄스에 기초하여 인접하는 다음의 전하전송부의 소정의 전송전극밑으로 이송하는 복수개의 전송게이트 및 상기 다음의 전하전송부로 이송된 상기 신호전하의 상기 소정의 전하전송부에 남겨진 잔류전하를 상기 소정의 전하전송부로부터 상기 잔류전하를 상기 소정의 신호전하에 합류시키는 수단을 구비하고 있는것을 특징으로 한다

Description

전하전송장치 및 그 구동방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전하전송장치의 확대평면도, 제2도는 반도체기판에 형성된 제1도의 전하전송장치의 평면도, 제3도는 제2도의 A-A′선 부분의 단면도 및 그 부분의 전위분포도, 제4도는 제2도의 B-B′선 부분의 단면도 및 그 부분의 전위분포도, 제5도는 제1실시예의 구동타이밍도, 제6도는 제1실시예의 전하전송 장치의 전극구조를 나타낸 확대평면도, 제7도는 제6도의 C-C′선 부분의 단면도 및 그 전위분포도, 제8도는 제2실시예에 따른 전하전송장치의 확대평면도 제9도는 제2실시예의 구동타이밍도, 제10도 및 제11도는 제2실시예의 전하전송설명도, 제12도는 제3실시에에 따른 전하전송장치의 확대평면도, 제13도는 제12도의 E-E′선 부분의 확대단면도 및 그 전위분포도, 제14도는 제3실시예의 구동타이밍도, 제15도는 제4실시예에 따른 전하전송장치의 확대평면도, 제16도는 제4실시예의 구동타이밍도, 제17도는 제15도의 F-F′선 부분의 단면도 및 구 전위분포도, 제18도는 제5실시예에 따른 전하전송장치의 확대평면도, 제19도는 제18도의 G-G′선 부분의 단면도 및 그 전위분포도, 제20도는 제5실시예의 구동타이밍도, 제21도는 제6실시예에 따른 전하전송장치의 평면도, 제22도는 제7실시예에 따른 영역센서의 평면도, 제23도는 제22도의 확대평면도, 제24도는 제23도의 H-H′선 부분의 단면도 및 그 전위분포도, 제25도는 제7실시예의 구동타이밍도.

Claims (9)

  1. 반도체기판과, 상기 반도체기판에 형성되어 이 반도체기판에 발생하는 신호전하를 전송하는 복수개의 전송전극을 갖추고서 병렬로 배치된 복수개의 전하전송부, 상기 반도체기판에 병렬로 배치된 복수개의 전하전송부간에 형성되어 이 복수개의 전하전송부중 소정의 전하전송부의 소정의 전송전극 밑에 있는 신호전하를 소정의 구동펄스에 기초하여 인접하는 다음의 전하전송부의 소정의 전송전극 밑으로 이송하는 복수개의 전송게이트 및 상기 다음의 전하전송부로 이송된 상기 신호전하의 상기 소정의 전하전송부에 남겨진 잔류전하를 상기 소정의 전하전송부로부터 상기 다음의 전하전송부로 다른 전송게이트를 매개해서 이송함으로써 상기 잔류전하를 상기 소정의 신호전하에 합류시키는 수단을 구비하고 있는것을 특징으로 하는 전하전송장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 전하전송부중 소정의 전하전송부의 소정의 전하전극 밑에 있는 신호전하를 소정의 구동펄스에 기초하여 인접하는 다음의 전하전송부의 소정의 전송전극 밑으로 이송하는 동안, 다음의 신호전하를 상기 소정의 전하전송부의 임의의 전송전극 밑에 일시적으로 축적하는 축적부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 전하전송극은 각각 2개의 전극으로 이루어지고, 이 2개의 전극에는 각각 전하전송부의 신호전하를 전송시키는 구동펄스선과 전하전송부의 신호전하를 역전송시키는 구동펄스선이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 전하전송부는 각각 다른 수의 전송전극을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
  5. 소정의 신호전하를 소정의 전하전송부로부터 다음의 전하전송부로 소정의 전송게이트를 매개하여 이송하는 수단과, 상기 다음의 전하전송부로 이송된 상기 소정의 신호전하를 상기 다음의 전하 전송부의 복수개의 전송전극 밑으로 전송시키는 수단, 상기 소정의 전하전송부에 남겨진 상기 소정의 신호전하를 상기 소정의 전하전송부의 복수개의 전송전극 밑으로 전송시키는 수단 및 상기 소정의 전하전송부의 상기 복수개의 전송전극 밑으로 전송시킨 상기 잔류전하를 상기 소정의 전하전송부로부터 상기 다음의 전하전송부로 다른 전송게이트를 매개해서 이송함으로써, 상기 잔류전하는 상기 소정의 신호전하에 합류시키는 동작을 수행하는 수단을 구비하고는 것을 특징으로 하는 전하전송 장치의 구동방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 잔류전하를 상기 소정의 신호전하에 합류시키는 동작을 2회이상 수행하는 것을 특징으로 하는 전하전송장치의 구동방법.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 잔류전하를 상기 다음의 전하전송부에 있어서, 상기 소정의 신호전하에 합류시킬 때까지 다음의 신호전하를 상기 소정의 전하전송부의 임의의 전송전극 밑에 일시적으로 축적시켜 두는 수단을 더 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 전하전송장치의 구동방법.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 소정의 잔류전하를 다음의 전하전송부의 전송전극 밑으로 역전송시키는 수단을 더 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 전하전송장치의 구동방법.
  9. 제 1항에 있어서, 화소부를 더 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930001223A 1992-01-31 1993-01-30 전하전송장치 및 그 구동방법 KR970002122B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4619792 1992-01-31
JP92-046197 1992-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930017196A true KR930017196A (ko) 1993-08-30
KR970002122B1 KR970002122B1 (ko) 1997-02-22

Family

ID=12740354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930001223A KR970002122B1 (ko) 1992-01-31 1993-01-30 전하전송장치 및 그 구동방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5459509A (ko)
EP (1) EP0553869B1 (ko)
JP (1) JP2983401B2 (ko)
KR (1) KR970002122B1 (ko)
CN (1) CN1032106C (ko)
DE (1) DE69320839T2 (ko)
TW (1) TW224519B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3155877B2 (ja) * 1993-12-15 2001-04-16 株式会社東芝 固体撮像装置及びその電荷転送方法
KR0182282B1 (ko) * 1994-09-29 1999-03-20 사또오 후미오 고체 촬상 장치의 구동 방식
JP3511772B2 (ja) * 1995-12-21 2004-03-29 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、カメラ装置及びカメラシステム
US6570615B1 (en) * 1998-07-14 2003-05-27 Analog Devices, Inc. Pixel readout scheme for image sensors
US6512546B1 (en) 1998-07-17 2003-01-28 Analog Devices, Inc. Image sensor using multiple array readout lines
US6754402B2 (en) * 2000-02-09 2004-06-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Interpolation arithmetic method and image reader
JP2007036861A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法
US8576319B2 (en) * 2009-12-25 2013-11-05 Japan Atomic Energy Agency Image sensor, semiconductor device and image sensing method
US8383443B2 (en) 2010-05-14 2013-02-26 International Business Machines Corporation Non-uniform gate dielectric charge for pixel sensor cells and methods of manufacturing
US9749565B2 (en) * 2015-05-18 2017-08-29 Analog Devices, Inc. Interline charge-coupled devices

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62104076A (ja) * 1985-10-30 1987-05-14 Nec Corp 電荷結合素子駆動方法
JPH01502310A (ja) * 1987-02-17 1989-08-10 イーストマン・コダック・カンパニー 電荷転送非効率性の効果の低減
US4807037A (en) * 1987-03-06 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Low noise CCD image sensor having a plurality of horizontal CCD registers
US4897728A (en) * 1987-10-09 1990-01-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Charge transfer device for solid state image pickup apparatus and method of driving the same
JPH01170281A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Fuji Photo Film Co Ltd 固体電子撮像装置
JP2735223B2 (ja) * 1988-06-08 1998-04-02 日本放送協会 固体撮像装置
US5040071A (en) * 1990-03-21 1991-08-13 Eastman Kodak Company Image sensor having multiple horizontal shift registers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0553869A2 (en) 1993-08-04
EP0553869B1 (en) 1998-09-09
KR970002122B1 (ko) 1997-02-22
DE69320839T2 (de) 1999-03-04
EP0553869A3 (ko) 1994-02-16
JPH05276448A (ja) 1993-10-22
JP2983401B2 (ja) 1999-11-29
DE69320839D1 (de) 1998-10-15
TW224519B (ko) 1994-06-01
CN1079351A (zh) 1993-12-08
CN1032106C (zh) 1996-06-19
US5459509A (en) 1995-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101308474B1 (ko) 쉬프트 레지스터
US20100321372A1 (en) Display device and method for driving display
CN100401175C (zh) 液晶显示器件
KR100803163B1 (ko) 액정표시장치
KR930017196A (ko) 전하전송장치 및 그 구동방법
KR930016805A (ko) 액티브 매트릭스 기판과 그의 구동방법
US20170193939A1 (en) Display device
DE102014113187A1 (de) Gate-Treiber-Vorrichtung und Display-Vorrichtung
TW200636643A (en) Display device and driving method thereof
JPS59123884A (ja) 液晶表示装置の駆動方法
US9530350B2 (en) Display panel
US6937687B2 (en) Bi-directional shift register control circuit
CN104575437B (zh) 一种移位寄存器、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
US4493060A (en) Serial-parallel-serial charged coupled device memory and a method of transferring charge therein
KR910004042A (ko) 전하전송장치와 고체촬상장치
JPH0322055B2 (ko)
KR890007293A (ko) 전하 결합소자 및 그 작동방법
JPS5813999B2 (ja) デンカケツゴウソシノクドウホウ
US3896484A (en) Intrinsic semiconductor charge transfer device using alternate transfer of electrons and holes
KR102012742B1 (ko) 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치
KR920018963A (ko) 인터라인 전송형 ccd 이메저 구동방법
JP3658178B2 (ja) 電荷転送装置の駆動方法
KR960012540A (ko) 고체 촬상 장치의 구동 방식
JPS61194870A (ja) 固体撮像装置
US3579273A (en) Dynamic shift register

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030801

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee