JP2007036861A - 固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】固体撮像素子から出力される画像の画質(色再現性)を向上させる。
【解決手段】情報電荷を蓄積するためのビットが複数並べられた固体撮像素子に対して、情報電荷の転送時において、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることによって上記課題を解決することができる。
【選択図】図5
【解決手段】情報電荷を蓄積するためのビットが複数並べられた固体撮像素子に対して、情報電荷の転送時において、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることによって上記課題を解決することができる。
【選択図】図5
Description
本発明は、撮像した画像信号の転送速度及び再現性を向上させた固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法に関する。
近年、CCD固体撮像素子等の固体撮像素子が組み込まれたデジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置が広く用いられている。固体撮像素子としては、例えば、フレーム転送型のCCD固体撮像素子がある。
図6は、フレーム転送方式のCCD固体撮像素子2の構成図である。CCD固体撮像素子2は、図6に示すように、撮像部2i、蓄積部2s、水平転送部2h及び出力部2dを含んで構成される。撮像部2iは、垂直方向に互いに平行に配置された複数の垂直シフトレジスタを備える。各垂直シフトレジスタの各ビットは受光画素を構成し、撮像時には外部から入射される光の強度に対応して情報電荷を生成する。撮像部2iに設けられた転送電極に電圧を印加することによって情報電荷をポテンシャル井戸に蓄積する。転送時には、転送電極に印加される垂直クロックパルスを受けて、各画素に蓄積された情報電荷を蓄積部2sに向けて転送する。蓄積部2sは、撮像部2iの各垂直シフトレジスタと連続するように互いに平行に配置された複数の垂直シフトレジスタを備える。蓄積部2sは、転送電極に印加される垂直クロックパルスを受けて、撮像部2iから転送されてくる情報電荷を蓄積及び垂直方向へ転送する。水平転送部2hは、蓄積部2sの各垂直シフトレジスタの出力側に配置され、蓄積部2sの各垂直シフトレジスタの出力が各ビットに結合された水平シフトレジスタを備える。水平転送部2hは、水平クロックパルスを受けて、蓄積部2sから転送される情報電荷を出力部2dへ順次転送する。出力部2dは、水平転送部2hの出力側に配置され、情報電荷を蓄積して電圧に変換する容量を備える。出力部2dは、水平転送部2hから転送される情報電荷を容量に蓄積し、その電荷量に応じた電圧に変換して出力信号として出力する。この出力信号の電圧値が画像信号となる。
カラー画像の撮像を目的とするCCD固体撮像装置では、図7に示すように、撮像部2iの各受光画素に対応付けて赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタがモザイク状に配置される。各受光画素には、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタのいずれかを通って光が入射し、それぞれの透過波長領域の光の強度に応じた情報電荷が生成される。
このようなカラー撮像用の固体撮像装置において高速転送を可能とするために、特許文献1には、水平転送部の水平シフトレジスタの各ビットを蓄積部の垂直シフトレジスタの奇数列及び偶数列の組み合わせ毎に対応付けて配置し、水平転送期間毎に垂直シフトレジスタの奇数列と偶数列から交互に情報電荷が転送されるように制御を行うことによって水平転送期間を従来の1/2にした固体撮像装置が開示されている。
図8及び図9に、特許文献1に記載の固体撮像装置における水平転送時における蓄積部2sと水平転送部2hとの接合部分での情報電荷の動き及びポテンシャル井戸の変化を示す。図8は、蓄積部2sと水平転送部2hとの接合部分における情報電荷の平面方向の動きを示している。図9は、最上部に水平転送部2hの転送電極の配置を図示し、図9(a)〜図9(d)に水平転送部2hの転送電極の配置に対応付けて水平転送方向にそったポテンシャル井戸の変化及び情報電荷(異なる色に対する情報電荷はハッチングの違いで示している)の動きを示している。図9(a)〜図9(d)において、横軸は各水平転送電極に対応する位置を示し、縦軸は上方向が負電位、下方向が正電位であるポテンシャルを示す。なお、図8及び図9では、説明を分かり易くするために蓄積部2sと水平転送部2hとの接合部の出力部2dに近い一部を図示している。
ここでは、赤(R)と緑(G)とに対応する情報電荷がそれぞれ蓄積部2sの奇数列及び偶数列の垂直シフトレジスタの最終段まで転送されている場合について説明する。まず、図8(a)及び図9(a)に示すように、蓄積部2sの垂直シフトレジスタの奇数列から赤(R)の情報電荷を水平転送部2hに転送する。次に、図8(b)及び図9(b)に示すように、水平転送部2hの転送電極に印加する水平クロックパルスを制御することによって、情報電荷を水平転送方向に順に転送して赤(R)に対応する複数の画素の情報電荷を加算する。ここでは、6n+3,6n+5列目(nは0又は自然数)の赤(R)の情報電荷を6n+1列目の赤(R)の情報電荷に加算している。次に、図8(c)及び図9(c)に示すように、加算合成された情報電荷を垂直シフトレジスタの奇数列に接続された水平シフトレジスタのビットに保持させた状態で、蓄積部2sの垂直シフトレジスタの偶数列から情報電荷を水平転送部2hに転送する。さらに、図8(d)及び図9(d)に示すように、水平転送部2hの転送電極に印加する水平クロックパルスを制御することによって、情報電荷を水平転送方向に順に転送して緑(G)に対応する複数の画素の情報電荷を加算する。ここでは、6n+4,6n+6列目(nは0又は自然数)の緑(G)の情報電荷を6n+2列目の緑(G)の情報電荷に加算している。このようにして同一色毎に加算された情報電荷を水平転送して出力部2dへ転送する。
このようにして、複数の画素に対する情報電荷の混合を行うことによって画像信号の強度を強め、暗い被写体を撮像した場合においても露光不足となることなく十分なレベルの画像信号を得ることができる。さらに、水平転送される画素数を低減し、高速な水平転送を実現することができる。
ところが、図10(a)に示すように加算合成された赤(R)の情報電荷を水平シフトレジスタに保持したまま、蓄積部2sの垂直シフトレジスタから新たに転送されてきた緑(G)の情報電荷を水平転送して加算合成しようとすると、転送電極間のカップリング容量の影響のため、図10(b)に示すように、転送対象となる緑(G)の情報電荷が保持されているポテンシャル井戸50の変化につられて既に加算合成された赤(R)の情報電荷を保持しているポテンシャル井戸52まで浅くなってしまい、ポテンシャル井戸52に保持されていた赤(R)の情報電荷が隣接するポテンシャル井戸54に漏れ出してしまう現象が発生する。これによって、赤(R)の情報電荷とポテンシャル井戸54に保持されている緑(G)の情報電荷とが加算されてしまう。このような、情報電荷の不要な混合は、固体撮像素子によって取得される画像の画質(再現性)を低下させる原因となる。
本発明は、上記従来技術の問題を鑑み、撮像した画像信号の高速転送を可能としつつ、画像の画質(再現性)を向上させた固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法を提供することを目的とする。
本発明は、情報電荷を蓄積するためのビットが複数並べられ、互いに隣り合う2つのビットのうち転送方向の前側のビットに対応付けられた転送電極をオン状態とし、転送方向の後側のビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位であるオフ状態とすることによって、転送方向の後側のビットに蓄積されている情報電荷を転送方向の前側のビットへと転送する固体撮像素子、を制御する駆動装置及び駆動方法であって、情報電荷の転送時において、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることを特徴とする。
このとき、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つを情報電荷を蓄積しているビットのポテンシャル井戸をそのビットをオフ状態としたときの深さに保つように制御を行うことが好適である。
より具体的には、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットのうち情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とする。例えば、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットのうち情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とする。
このように、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットの後側に位置し、それらのビットと隣り合うビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とする。これによって、転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極に印加された電位の影響によってそれらのビットと隣り合うビットのポテンシャル井戸が浅くなることを防ぐことができ、不必要な情報電荷の混合を低減することができる。
本発明は、複数のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送させる固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法に適用することができる。例えば、カラー画像を取得するための固体撮像素子において、高速転送のために複数のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送させる際に、転送対象となる第1の色に対応する情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットのうち第1の色とは異なる色に対応する情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とする。
具体的には、n個のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送する場合、連続して配置されているn個のビットに対応付けられている転送電極を組として、各組の転送電極に印加するクロックパルスを互いに独立に制御可能とすることが好適である。また、m個(mは2以上の自然数)の異なる色に対応する情報電荷を蓄積するビットが1つずつ繰り返し配置されている場合、n個(nは2以上の自然数)のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送する場合、連続して配置されているm×n個のビットに対応付けられている転送電極を組として、各組の転送電極に印加するクロックパルスを互いに独立に制御可能とすることが好適である。
これによって、情報電荷が隣接するビットのポテンシャル井戸に漏れ出してしまうことを防ぐことができ、異なる色の情報電荷の混合による画像の色再現性の劣化を低減させることができる。
本発明によれば、固体撮像素子から出力される画像の画質(色再現性)を向上させることができる。
本実施の形態における固体撮像装置は、図1に示すように、CCD固体撮像素子4及び駆動装置6を含んで構成される。フレーム転送方式のCCD固体撮像素子4は、図6と同様に、撮像部4i、蓄積部4s、水平転送部4h及び出力部4dを備える。駆動装置6は、フレームクロックパルス発生部6f、垂直クロックパルス発生部6v、補助クロックパルス発生部6u、水平クロックパルス発生部6h、リセットクロックパルス発生部6r及びサンプリングクロックパルス発生部6sを含んで構成される。CCD固体撮像素子4は、駆動装置6から各種のクロックパルスを受けることによって制御される。
撮像部4iは、垂直方向に互いに平行に配置された複数の垂直シフトレジスタを備える。各垂直シフトレジスタの各ビットは受光画素を構成し、撮像時には外部から入射される光の強度に対応して生成される情報電荷を蓄積する。本実施の形態における撮像部4iには、図7に示したように、各受光画素に対応付けて赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタがモザイク状に配置されている。
図2は、本実施の形態におけるCCD固体撮像素子4の蓄積部4s及び水平転送部4hとの接続部の構成を示す平面図である。
蓄積部4sは互いに平行に延伸された垂直シフトレジスタを複数含んで構成される。垂直シフトレジスタは以下のように形成される。N型半導体基板内にP型拡散層であるPウェル(PW)が形成され、その上にN型拡散層であるNウェルが形成される。また、垂直シフトレジスタの延伸方向に沿ってP型の不純物が添加された分離領域10が所定の間隔をもって互いに平行に設けられる。Nウェルは、隣接する分離領域10によって電気的に区画される。分離領域10に挟まれた領域が情報電荷の転送経路であるチャネル領域12となる。分離領域10は、隣接するチャネル領域の間にポテンシャル障壁を形成し、各チャネル領域12を電気的に分離する。さらに、半導体基板の表面上には絶縁膜が成膜される。この絶縁膜上にチャネル領域12の延伸方向に交差するようにポリシリコン膜からなる複数の転送電極14が互いに平行に配置される。本実施の形態では、3相の垂直クロックパルスφv1〜φv3による垂直転送方式を採用しており、垂直転送方向に沿って隣接する3つの転送電極14−1,14−2,14−3の組が1つの受光画素に対応する。但し、本発明の適用範囲は3相の転送方式に限定されるものではなく、2相又は4相等の異なる相の転送方式にも適用することができる。なお、撮像部4iの垂直シフトレジスタも同様に構成することができ、蓄積部4sの各垂直シフトレジスタと連続するように配設される。
蓄積部4sと水平転送部4hとの接続領域には2層構造を有する補助転送電極16が形成される。補助転送電極16−1は、チャネル領域12上において転送電極14−1〜14−3に連続するように互いに平行に配置される。補助転送電極16−2は,奇数列で補助転送電極16−1に近づき、偶数列で補助転送電極16−4に近づくように蛇行して配置される。補助転送電極16−3は、補助転送電極16−2とは逆に、奇数列で補助転送電極16−4に近づき、偶数列で補助転送電極16−1に近づくように蛇行して、分離領域10上において補助転送電極16−2と交差するように配置される。補助転送電極16−4は、補助転送電極16−2及び16−3よりもさらに出力側に配置される。補助転送電極16−4は、奇数列で補助転送電極16−3に近接し、偶数列で補助転送電極16−2に近接するように配置される。補助転送電極16−1〜16−4に対して4相の補助クロックパルスφu1〜φu4をそれぞれ印加することによって、蓄積部4sから水平転送部4hへ情報電荷を転送する過程において偶数列のチャネル領域12で1画素分の情報電荷を一時的に蓄積しておくことができる。なお、補助転送電極16は4相制御されるものに限定されるものではなく、偶数列の情報電荷を奇数列に対して1画素分だけ遅延して水平転送部2hへ垂直転送できるものであれば良い。
水平転送部4hは、蓄積部4sの垂直シフトレジスタから出力される情報電荷を受けて転送する水平シフトレジスタを含んで構成される。本実施の形態における水平転送部4hは、2相駆動型の水平シフトレジスタから構成される。ただし、本発明の適用範囲は2相駆動型の水平シフトレジスタに限定されるものではなく、他の駆動型の水平シフトレジスタにも適用することができる。
水平シフトレジスタは、チャネル領域22及び水平転送電極24から構成される。水平シフトレジスタは以下のように形成される。N型半導体基板内にP型拡散層であるPウェル(PW)が形成され、その上にN型拡散層であるNウェルが形成される。また、水平シフトレジスタの延伸方向に沿ってP型の不純物が添加された水平分離領域26が形成される。Nウェルは、分離領域10と水平分離領域26とによって電気的に区画され、分離領域10と水平分離領域26とに挟まれた領域が情報電荷の転送経路であるチャネル領域22となる。チャネル領域22は、蓄積部4sの垂直シフトレジスタから延伸された分離領域10と蓄積部4sと対向して設けられたP型拡散層である水平分離領域26とにより垂直シフトレジスタの延伸方向に対して交差する方向に区画される。垂直シフトレジスタのチャネル領域12と水平シフトレジスタのチャネル領域22は延伸された分離領域10の間隙を介して接続される。チャネル領域22は、水平シフトレジスタにおける情報電荷の転送経路となる。
2相駆動型の水平シフトレジスタでは、チャネル領域22のNウェルにおける偶数番の水平転送電極24−2,24−4,24−6,24−8,24−10,24−12下の半導体基板の表面にはP型の不純物が添加される。これによって、水平転送電極24−1〜24−12を同電位としたときにもチャネル領域22の水平転送電極24−2,24−4,24−6,24−8,24−10,24−12下にチャネル領域22の延伸方向に沿って所定の間隔でポテンシャル障壁が形成される。
水平転送電極24は、垂直シフトレジスタに直交する方向に向けて延伸されたチャネル領域22上に形成される。水平シフトレジスタの出力部4dに隣接する奇数列の垂直シフトレジスタから順に垂直シフトレジスタ毎に2本の水平転送電極24が配置される。本実施の形態では、12本の水平転送電極24−1〜24−12を組として、水平シフトレジスタの転送方向に沿って順に配置する。ここで、垂直シフトレジスタのチャネル領域12の延長上に配置される水平転送電極24−1,24−3,24−5,24−7,24−9,24−11は、チャネル領域12と水平分離領域26とに跨るように、絶縁膜を介してチャネル領域22上に配置される。水平転送電極24−2,24−4,24−6,24−8,24−10,24−12は、分離領域10と水平分離領域26とに跨るように、絶縁膜を介して一部が隣接する水平転送電極24−1,24−3,24−5,24−7,24−9,24−11上に重なるようにしてチャネル領域22上に配置される。本実施の形態では、水平転送方向に沿って連続する6つの垂直シフトレジスタに対応する12本の水平転送電極24−1〜24−12を組として水平転送方向に繰り返し配置される。また、水平転送電極24−1〜24−12に対して水平クロックパルスφh1〜φh6が印加される。このとき、隣り合う水平転送電極24−1と水平転送電極24−2の組、水平転送電極24−3と水平転送電極24−4の組・・・毎に互いに独立に制御可能な水平クロックパルスφh1〜φh6がそれぞれ印加される。
次に、駆動装置6の各構成部について説明する。フレームクロックパルス発生部6fは、外部から供給されるフレームシフトタイミング信号FTに対応して3相のフレームクロックパルスφfを発生させて撮像部4iの垂直シフトレジスタの転送電極へ供給する。このフレームクロックパルスφfにより、撮像部4iの各受光画素に蓄積された情報電荷が垂直走査期間毎に蓄積部4sへ転送される。垂直クロックパルス発生部6vは、垂直同期信号VT及び水平同期信号HTに対応して3相の垂直クロックパルスφvを発生させ、蓄積部4sの垂直シフトレジスタの転送電極へ供給する。本実施の形態では、撮像部4i及び蓄積部4sでは連続して配置された3本の転送電極14−1〜14−3が1つの水平ラインに対応する。そこで、フレームクロックパルスφf及び垂直クロックパルスφvとして互いに異なる位相で変化する3相のクロックパルスを転送電極14−1〜14−3にそれぞれ印加することによって、1水平ライン毎に情報電荷を垂直転送することができる。水平クロックパルス発生部6hは、水平同期信号HTに対応して、水平クロックパルスφhを発生させ、水平転送部4hの水平転送電極24へ供給する。ここで、水平クロックパルス発生部6hは、水平シフトレジスタにおいてnビット(画素)分の情報電荷を加算合成して転送する場合には、連続するn個の垂直シフトレジスタに結合される水平転送電極24に対して互いに独立に制御可能な水平クロックパルスφhを生成できるものとする。特に、m個(mは2以上の自然数)の異なる色に対応する情報電荷を蓄積するビット(画素)が転送方向に1つずつ繰り返し配置されている場合、n個(nは2以上の自然数)のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送する場合、連続して配置されているm×n個のビットに対応付けられている転送電極を組として、各組の転送電極に印加するクロックパルスを互いに独立に制御可能とすることが好適である。本実施の形態では、2色の異なる色に対応する情報電荷を蓄積するビット(画素)が転送方向に交互に配置されており3ビット(画素)分の情報電荷を加算合成するので、6個の垂直シフトレジスタに結合される12本の水平転送電極24−1〜24−12に対して互いに独立に制御可能な6相の水平クロックパルスφhを生成可能としている。補助クロックパルス発生部6uは、水平同期信号HTに対応して、垂直クロックパルスφvの1ビット分の転送周期の1/2の周期を有する4相の補助クロックパルスφuを発生させ、補助転送電極16へ供給する。この補助クロックパルスφuによって、蓄積部4sの垂直シフトレジスタを転送される情報電荷が奇数列と偶数列とで交互に水平転送部4hへ転送されることとなる。垂直クロックパルスφv、水平クロックパルスφh及び補助クロックパルスφuによる制御については後述する。
図3及び図4に、本実施の形態における固体撮像装置を用いて画像の解像度を低下させて高速転送を行う際の各クロックパルスのタイミングチャートを示す。図3には、水平同期信号HT、垂直クロックパルスφv、補助クロックパルスφu及び水平クロックパルスφhの関係を示す。図4には、水平転送時における水平クロックパルスφhの変化の様子を示す。なお、垂直クロックパルスφvは3相、補助クロックパルスφuは4相であるが、図3では代表クロックのみを示している。
垂直クロックパルスφvは、水平同期信号HTに対応する周期で転送電極14−1〜14−3に印加される。垂直クロックパルスφvは、それぞれ互いに異なる位相で変化する3相のパルスφv1〜φv3から構成される。これによって、垂直シフトレジスタのチャネル領域12に沿って情報電荷を1水平転送期間に1行分ずつ転送する。補助クロックパルスφuは、水平同期信号HTの1/2の周期に対応して補助転送電極16−1〜16−4に印加される。補助転送電極16−1〜16−4は、上述の通り、偶数列の垂直シフトレジスタの出力端においてのみ有効に作用するので、偶数列の垂直シフトレジスタのチャネル領域12では1水平転送期間に2画素分ずつ転送されるようにポテンシャル状態が制御される。このとき、転送電極14−1〜14−3から補助転送電極16−1〜16−4へは、垂直クロックパルスφvによって1水平転送期間に1画素分の情報電荷のみ転送されるので、奇数列の垂直シフトレジスタと偶数列の垂直シフトレジスタでは水平転送期間の約1/2の周期だけずれたタイミングで1画素の情報電荷が水平シフトレジスタへ転送されることとなる。
水平クロックパルスφhは、垂直クロックパルスφv及び補助クロックパルスφuに対応して生成され、水平転送電極24−1〜24−12に水平転送周期よりも短い周期で印加される。本実施の形態では、水平クロックパルスφhは、電荷合成クロックパルスφha,φhbと電荷転送クロックパルスφhcとの組み合わせで構成される。これにより、1水平ラインに含まれる同一の波長領域(同一色)に対応する複数のビット(画素)の情報電荷が水平シフトレジスタにおいて加算合成されて出力部4dに向けて転送される。
図5に水平クロックパルスφhが印加されたときの水平シフトレジスタに形成されるポテンシャル井戸の状態を示す。図5において、横軸は各水平転送電極24−1〜24−12に対応する位置を示し、縦軸は上方向が負電位、下方向が正電位であるポテンシャルを示す。
本実施の形態では、水平転送電極24−1〜24−12に印加される水平クロックパルスφh1〜φh6を独立に制御することによって同一色に対応する情報電荷を3ビット(画素)分だけ加算合成する。ここでは、赤(R)と緑(G)とに対応する情報電荷がそれぞれ蓄積部2sの奇数列及び偶数列の垂直シフトレジスタの最終段まで転送されているものとする。
時刻T1では、水平転送電極24−1〜24−12に印加される水平クロックパルスφh1〜φh6がハイレベルとされ、垂直シフトレジスタの奇数列から転送された赤(R)の情報電荷が水平転送電極24−1,24−5,24−9下に形成されたポテンシャル井戸60にそれぞれ蓄積される。
時刻T2では、水平転送電極24−5,24−6,24−9,24−10に印加された水平クロックパルスφh3,φh5がローレベルに変更され、水平転送電極24−5,24−9下のポテンシャル井戸60に保持されていた赤(R)の情報電荷が水平転送電極24−3,24−7下のポテンシャル井戸64に転送される。以降、さらに転送を繰り返し、時刻T3では、時刻T1において水平転送電極24−5,24−9下のポテンシャル井戸60に保持されていた赤(R)の情報電荷が水平転送電極24−1下のポテンシャル井戸60に保持されている赤(R)の情報電荷と加算合成される。このとき、水平転送電極24−1〜24−12に印加される水平クロックパルスφh1〜φh6はハイレベルに戻される。
時刻T4では、水平転送電極24−1〜24−12に印加される水平クロックパルスφh1〜φh6がハイレベルに維持され、垂直シフトレジスタの偶数列から転送された緑(G)の情報電荷が水平転送電極24−3,24−7,24−11下に形成されたポテンシャル井戸66にそれぞれ蓄積される。このとき、水平転送電極24−1下のポテンシャル井戸60には既に加算合成された赤(R)の情報電荷が保持される。
時刻T5では、水平転送電極24−1,24−2,24−7,24−8,24−11,24−12に印加された水平クロックパルスφh1,φh2,φh4,φh6がローレベルに変更され、水平転送電極24−7,24−11下のポテンシャル井戸66に保持されていた緑(G)の情報電荷がそれぞれ水平転送電極24−5,24−9下のポテンシャル井戸68に転送される。
このとき、情報電荷の転送元となるビット(画素)に対応する水平転送電極24−7,24−8,24−11,24−12の後側に位置するビット(画素)に対応する水平転送電極24−9,24−10,24−1,24−2にそれぞれ印加される水平クロックパルスφh5,φh1のうち少なくとも1つを同時にローレベルに変更する。ここでは、1組となる水平転送電極24−1〜24−12の最終段のビットに対応する水平転送電極24−10,24−11に隣接する次の組の最初段のビットに対応する水平転送電極24−1,24−2に印加される水平クロックパルスφh1をローレベルに変更する。これによって、転送対象となる緑(G)の情報電荷が保持されているポテンシャル井戸68の変化に伴って既に加算合成された赤(R)の情報電荷を保持しているポテンシャル井戸60が浅くなってしまうことを防ぐことができる。したがって、ポテンシャル井戸60に保持されている赤(R)の情報電荷が隣接するポテンシャル井戸66に漏れ出してしまうことを防ぐことができる。
以降、さらに転送を繰り返し、時刻T6では、時刻T4において水平転送電極24−7,24−11下のポテンシャル井戸66に保持されていた緑(G)の情報電荷が水平転送電極24−3下のポテンシャル井戸66に保持されている緑(G)の情報電荷と加算合成される。このとき、水平転送電極24−1下のポテンシャル井戸60に保持されていた赤(R)の情報電荷も水平転送電極24−9下のポテンシャル井戸70へ順次転送する。なお、水平シフトレジスタの出力端にある水平転送電極24−1下に形成されたポテンシャル井戸60に蓄積されていた情報電荷は出力部4dに転送される。
このようにして1水平ライン分の情報電荷を3ビット(画素)ずつ加算合成した後、水平転送電極24−1〜24−12のうち3ビット分の電極を一組として、一組の電極に対してそれぞれ位相が異なる3相の水平クロックパルスφhを印加することによって情報電荷を水平転送する。すなわち、図4の水平クロックパルスφhcの期間に示すように、本実施の形態では、水平転送電極24−1〜24−6と水平転送電極24−7〜24−12をそれぞれ組として、それぞれの組に対して3相の水平クロックパルスφh1〜φh12を印加することによって加算合成された情報電荷を水平転送する。これにより、ポテンシャル井戸66,70に蓄積されている情報電荷が水平転送方向に沿って出力部4dへ向けて順次転送される。
1水平ライン分の水平転送が終了すると、図3に示すように、次の水平ラインに対する垂直転送に移行する。図7のようにカラーフィルタが配置されている場合には、赤(R)及び緑(G)の波長領域に対応する情報電荷に代わって緑(G)及び青(B)の波長領域に対応する情報電荷が交互に転送されることとなる。
以上のように、本実施の形態では同一色の波長領域に対応する複数のビット(画素)分の情報電荷を水平転送方向に加算合成したうえで水平転送を行う。これによって、実質的な転送段数を少なくすることができ、クロックパルスの基本周波数を高めることなく水平転送時における情報電荷の転送時間を従来より短縮することができる。従って、低解像度の画像を取得する際に高速で画像を取得することができる。
また、情報電荷を転送する際に、情報電荷の転送元となるビット(画素)に対応する水平転送電極の後側に位置するビット(画素)に対応する水平転送電極に印加される水平クロックパルスのうち少なくとも1つを同時にオン状態よりも低い電位に変更することによって、転送対象となる情報電荷が保持されているビット(画素)のポテンシャル井戸の変化に伴って隣接するビット(画素)のポテンシャル井戸が浅くなってしまうことを防ぐことができる。これによって、情報電荷が隣接するポテンシャル井戸に漏れ出してしまうことを防ぐことができ、出力される画像信号の再現性(色再現性)が劣化してしまうことを防ぐことができる。
本実施の形態では、後側に位置する2ビットに対応する水平転送電極に印加される水平クロックパルスを同時にオン状態よりも低い電位に変更している。これは、電極24−12と電極24−1のカップリング容量が存在することにより、φh8の電位変化に伴い、ポテンシャル井戸60が浅くなるのを防ぐためにφh1とφh8とを同時にオン状態よりも低い電位にしている。さらに、電極24−2と電極24−3のカップリング容量が存在することにより、φh1の変化の際に電極24−2の電位障壁が十分には高くならないことを防止するためφh2をφh8,φh1と同時にオン状態よりも低い電位にしている。もちろん、φh1のみをφh8と同時に変化させても本発明の効果はある。
なお、水平シフトレジスタにおける情報電荷の加算合成はこれに限定されるものではなく、1水平ラインに含まれる異色の波長領域に対応する情報電荷が混合しないように加算合成するものであれば良い。例えば、本実施の形態のように1水平ラインに含まれる情報電荷が垂直シフトレジスタの奇数列と偶数列において異なる色に対応する場合には、奇数列の情報電荷と偶数列の情報電荷とを別々に加算合成するものであれば良い。
なお、情報電荷を加算合成することなく高解像度の画像信号として出力したい場合には、従来と同様に、1ビット(画素)分の情報電荷毎に水平転送されるように水平シフトレジスタを4相の水平クロックパルスφhによって制御すれば良い。
また、水平クロックパルスφhを16相独立に制御可能とし、連続する8つの垂直シフトレジスタに結合される16本の水平転送電極24をこの水平クロックパルスφhによって制御することによって、4ビット(画素)分の情報電荷を加算合成した上で水平転送することも可能である。但し、独立に制御する水平クロックパルスφhの相数を増加させるためには、水平クロックパルス発生部6hの回路構成が複雑化及び大型化し、CCD固体撮像素子4のチップに設けられるピン数も増加させる必要があるのでこれらとの兼ね合いによって水平クロックパルスφhの相数を決定することが必要である。
また、本実施の形態では2相駆動のシフトレジスタを例に説明を行ったが、3相駆動や4相駆動のシフトレジスタに対して本発明を適用することも可能である。この場合、情報電荷を転送する際に、情報電荷の転送元となるビット(画素)に対応する水平転送電極の後側に位置するビット(画素)に対応する水平転送電極に対してポテンシャル井戸の深さが変化しないようにオン状態よりも低い電位の水平クロックパルスを印加すればよい。
いずれの場合も、情報電荷を転送する際に、情報電荷の転送元となるビット(画素)に対応する水平転送電極の後側に位置するビット(画素)に対応する水平転送電極に印加される水平クロックパルスのうち少なくとも1つを同時にオン状態よりも低い電位に変更することによって、転送対象となる情報電荷が保持されているビット(画素)のポテンシャル井戸の変化に伴って隣接するビット(画素)のポテンシャル井戸が浅くなってしまうことを防ぐことができる。
2 固体撮像素子、2i 撮像部、2s 蓄積部、2h 水平転送部、2d 出力部、4 固体撮像素子、4i 撮像部、4s 蓄積部、4h 水平転送部、4d 出力部、6 駆動装置、6v 垂直クロックパルス発生部、6f フレームクロックパルス発生部、6u 補助クロックパルス発生部、6h 水平クロックパルス発生部、6s サンプリングクロックパルス発生部、6r リセットクロックパルス発生部、10 分離領域、12 チャネル領域、14 転送電極、16 補助転送電極、22 チャネル領域、24 水平転送電極、26 水平分離領域、50〜70 ポテンシャル井戸。
Claims (8)
- 情報電荷を蓄積するためのビットが複数並べられ、
互いに隣り合う2つのビットのうち転送方向の前側のビットに対応付けられた転送電極をオン状態とし、転送方向の後側のビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位であるオフ状態とすることによって、転送方向の後側のビットに蓄積されている情報電荷を転送方向の前側のビットへと転送する固体撮像素子、を制御する駆動装置であって、
情報電荷の転送時において、
転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることを特徴とする駆動装置。 - 請求項1に記載の駆動装置において、
転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つを情報電荷を蓄積しているビットのポテンシャル井戸をそのビットをオフ状態としたときの深さに保つことを特徴とする駆動装置。 - 請求項1又は2に記載の駆動装置において、
転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットのうち情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることを特徴とする駆動装置。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の駆動装置において、
複数のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送させる特徴とする駆動装置。 - 情報電荷を蓄積するためのビットが複数並べられ、
互いに隣り合う2つのビットのうち転送方向の前側のビットに対応付けられた転送電極をオン状態とし、転送方向の後側のビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低いオフ状態とすることによって、転送方向の後側のビットに蓄積されている情報電荷を転送方向の前側のビットへと転送する固体撮像素子、を制御する駆動方法であって、
情報電荷の転送時において、
転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることを特徴とする駆動方法。 - 請求項5に記載の駆動方法において、
転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットと隣り合う転送方向の後側のビットの少なくとも1つを情報電荷を蓄積しているビットのポテンシャル井戸をそのビットをオフ状態としたときの深さに保つことを特徴とする駆動方法。 - 請求項5又は6に記載の駆動方法において、
転送対象となる情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオフ状態とすると共に、それらのビットと隣り合う転送方向の後側のビットのうち情報電荷を蓄積しているビットに対応付けられた転送電極をオン状態より低い電位とすることを特徴とする駆動方法。 - 請求項5〜7のいずれか1つに記載の駆動方法において、
複数のビットに蓄積されている情報電荷を加算合成して転送させる特徴とする駆動方法。
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