KR930016809A - 액티브어드레싱기판의 제조방법 및 그 기판을 구비한 액정표시장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 235000020004 porter Nutrition 0.000 claims 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
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Abstract
불투명부재로 각각 이루어진 배선전극(2)(4) 및 스위칭소자(8)를 포토마스크로서 이용해서 기판이면으로부터 포토레지스트(10)에 노광하여, 스위칭소자(8)에 패시베이션층(9)을 패터닝한다. 이 방법에 의해, 포토마스크가 불필요하게 되고 또 패시베이션층(9)의 단차부분을 투명화소전극(7)의 바깥쪽에 형성할 수 있으므로, 대향기판의 블랙매트릭스를 확대하지 않고도 액정의 배향불량을 육안으로 확인할 수 없다. 또, 패시베이션층을 필요로 하지 않는 부분에서의 패시베이션층을 제거할수 있으므로, 잔상을 감소하고 표시화질을 대폭 향상시킬수 있다.
또, 본 발명에 이하며, 액티브어드레싱기판의 제조에 사용되는 포토마스크의 개수를 삭감하고 액정표시장치의 화질을 향상할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일레인 액티브어드레싱기판의 평면도, 제2도는 제1도의 선Ⅱ-Ⅱ′의 종단면도, 제3도는 본 발명의 실시예1의 기판의 제조공정을 설명하는 도면.
Claims (17)
- 투명기판상에 불투명부재와 투명부재를 배치하는 공정과, 이들 불투명부재 및 투명부재를 패시베이션층으로 피복하는 공정과, 상기 패시베이션층상에 포토레지스트를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트에 선택적으로 노광하는 공정과, 상기 포토레지스트의 노광된 부분을 현상제에 의해 제거하는 공정과, 상기 포토레지스트가 제거된 부분의 패시베이션층을 제거하는 공정과, 상기 포토레지스트의 노광되지 않았던 부분을 제거하는 공정과, 상기 노광되지 않았던 부분에 해당하는 부분에만 패이베이션층을 남기는 공정으로 이루어진 기판의 제조방법에 있어서, 상기 선택적으로 노광은 상기 투명기판축으로부터 상기 투명부재를 투과한 광으로 상기 포토레지스트에 노광하는 것임을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
- 투명기판상에, 불투명부재로 이루어진 스위칭소자와, 이 스위칭소자에 접속되는 투명부재로 이루어진 투명 화소전극과, 불투명부재로 각각 이루어진 게이트배선 전극 및 드레인배선전극을 매트릭스 형상으로 배치하는 공정과, 상기 소자 및 상기 전극을 패시베이션층으로 피복하는 공정과, 상기 패시베이션층상에 포토레지스트를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트에 선택적으로 노광하는 공정과, 상기 포토레지스트의 노광된 부분을 현상제로 제거하는 공정과, 상기 포토레지스트가 제거된 부분의 패시베이션층을 제거하는 공정과, 포토레지스트의 노광되지 않았던 부분을 제거하는 공정과, 상기 노광되지 않았던 부분에 해당하는 부분에만 패시베이션층을 남기는 공정으로 이루어진 액티브어드레싱기판의 제조방법에 있어서, 상기 선택적 노광은 상기 투명기판측으로부터 상기 투명부재를 투과한 광으로 상기 포터레지스트에 노광하는 것임을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 배선전극 및 스위칭소자를 노출시키지 않도록 소정의 영역에서 상기 배선전극 및 스위칭소자상에만 패시베이션층을 남기고, 기판상의 다른 부분에서는 패시베이션층을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱 기판의 제조방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서 상기 스위칭소자가 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판의 제조방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 스위칭소자가 박막다이오드인 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판의 제조방법.
- 제4항에 기재된 액티브어드레싱기판의 제조방법에 의해 제조된 액티브어드레싱기판.
- 제5항에 기재된 액티브어드레싱기판의 제조방법에 의해 제조된 액티브어드레싱기판.
- 제6항에 있어서, 상기 박막트랜지스터의 패시베이션막이 게이트절연체와 다른 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판.
- 제7항에 있어서, 상기 박막다이오드의 패시베이션막이 다이오드저령체와 다른 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판.
- 투명기판상에, 불투명재로 이루어진 스위칭소자와, 한쪽이 상기 스위칭소자에 접속되는 배선전극과, 한쪽이 상기 배선전극에 상기 스위칭소자근방에서 적층구조에 의해 접속되고 다른 쪽이 외부회로에 접속되는 투명한 도전재료를 매트릭스형상으로 배치하는 공정과, 상기 소자, 전극 및 도전재료를 패시베이션층으로 피복하는 공정과, 상기 패시베이션층상에 포토레지스트를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트에 상기 투명기판쪽으로부터의 광으로 노광하는 공정과, 상기 포토레지스트의 노광된 부분을 현상제에 의해 제거하는 공정과, 상기 포토레지스트가 제거된 부분의 패시베이션층을 제거하는 공정과, 상기 포토레지스트의 노광되지 않았던 부분을 제거하는 공정과, 상기 노광되지 않았던 부분에 해당하는 부분에만 패시베이션층을 남기는 공정으로 이루어진 액티브어드레싱기판의 제조방법.
- 제2항, 제3항 또는 제10항에 기재된 방법으로 제조된 액티브어드레싱기판과, 상기 액티브어드레싱기판상에 소정 두께로 형성된 배향층과, 상기 액티브어드레싱기판에 소정 간격으로 거의 평행하게 배치된 투명한 대향기판과, 상기 대향기판안쪽에서 투명화소전극이외의 부재에 해당하는 부분에 형성된 블랙매트릭스와, 상기 대향기판안쪽에서 상기 투명화소전극에 해당하는 부분에 형성된 컬러필터와, 상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터상에 형성된 패시베이션층과, 상기 패시베이션층상에 형성된 투명한 공통전극 및 배향층과, 상기 패시베이션층상에 형성된 투명한 공통전극 및 배향층과, 상기 액티브어드레싱기판과 상기 대향기판사이의 공간에 충전된 액정으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 기판상에 형성되어, 한쪽을 스위칭소자에 접속하고, 다른 쪽을 외부회로에 접속한 배선전극을 구비한 액정 표시장치에 있어서, 한쪽을 상기 배선전극에 상기 스위칭소자근방에서 적층구조에 의해 접속하고 다른 쪽을 외부회로에 접속하는 투명한 도전재를 상기 기판상에 형성한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제12항에 있어서, 상기 기판이 액티브어드레싱기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제2항에 있어서, 불투명부재인 소스전극과, 게이트배선전극, 드레인배선전극 및 채널층을 모두 형성한후 상기 선택적 노광을 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 불투명부재와 패시베이션층으로 이루어진 액티브어드레싱기판에 있어서, 상기 불투명부재의 경계면과 상기 패시베이션층의 경계면간의 간격(d)이 1㎛이하인 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판.
- 재15항에 있어서, 상기 불투명부재가 소스전극, 게이트배선전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브어드레싱기판.
- 제15항 또는 제16항에 기재된 액티브어드레싱기판과, 상기 액티브어드레싱기판상에 소정 두께로 형성된 배향층과, 상기 액티브어드레싱기판에 대해서 소정 간격으로 거의 평행하게 배치된 투명한 대향기판과, 상기 대향기판안쪽에서 투명화소전극이외의 부재에 해당하는 부분에 형성된 블랙매트릭스와, 상기 대향기판안쪽에서 상기 투명화소전극에 해당하는 부분에 형성된 컬러필터와, 상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터상에 형성된 패시베이션층과, 상기 패시베이션층상에 형성된 투명한 공통전극 및 배향층과, 상기 액티브어드레싱기판과 상기 대향기판사이의 공간에 충전된 액정으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP92-13364 | 1992-01-28 | ||
JP1336492A JP3172840B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | アクティブマトリクス基板の製造方法および液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930016809A true KR930016809A (ko) | 1993-08-30 |
KR100290238B1 KR100290238B1 (ko) | 2001-05-15 |
Family
ID=11831046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930000784A KR100290238B1 (ko) | 1992-01-28 | 1993-01-21 | 액티브어드레싱기판의 제조방법 및 그 기판을 구비한 액정표시장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5477355A (ko) |
JP (1) | JP3172840B2 (ko) |
KR (1) | KR100290238B1 (ko) |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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