KR930011182A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

반도체 팩키지 어셈블리 공정의 와이어 본딩 공정에 있어서 핀 수가 많아지고 와이어 길이가 길어지며 패키지 두께가 작아짐에 따라 와이어 루프 또한 낮아지게 되어 와이어 간 단선 문제가 야기됨과 동시에 칩 가장자리와의 접촉으로 전기적 단선을 초래하게 된다.

따라서 칩과 리이드 와의 와이어 접합 후 절연체를 와이어 및 접합부에 도포함으로써 단선 문제를 해결할 수있다.

또한, Al 전극과 접합부를 절연막으로 보호함으로써 Al 부식 및 Al 이동현상을 방지할 수 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 따르는 와이어를 접속시킨 단면도.

제3도는 본 발명에 따르는 와이어 본더(bonder)시스팀의 흐름도.

Claims (9)

1. 훼브리케이션이 완료된 실리콘 칩을 리이드 프레임으로 이송하는 단계와 와이어를 전극 패드와 안쪽 리이드에 접속시키는 와이어 본딩 공정과 절연체로 칩 및 와이어를 도포하여 주는 도포 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 와이어 본딩 공정은 칩 전극과 리이드 프레임의 안쪽 리이드와 열－음파, 초음파, 열압착방법 중의 하나로 접합 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 와이어 본딩 공정이 완료된 후 절연체를 스프레이방식으로 와이어 및 칩 접합면 그리고 안쪽 리이드 접합면을 도포하여 주는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 도포공정이 완료된 후 절연체를 큐어(cure)하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
5. 제3항에 있어서, 절연체를 스프레이 방식으로 도포할 때 마스크가 설치되고 도포하려고 하는 부분만 도포될수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
6. 제3항에 있어서, 절연체의 도포 두께는 100㎛이하로 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
7. 훼브리케이션이 완료된 실리콘 칩을 리이드 프레임으로 이송한 후, 와이어를 전극 패드와 안쪽 리이드에 접속시켜 본딩을 하고 절연체로 칩 및 와이어를 도포하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기한 와이어로는 Au, Al, Cu중의 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
9. 제7항에 있어서, 상기한 절연체는 폴리 우레판 수지, 폴리 에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 에스테르 아미드 수지 중의 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.