JPH06349875A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- Power Engineering (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングワイヤの配線長を短縮し、ボン
ディング作業を迅速に行い得る技術を提供する。 【構成】 半導体チップの表面には、中心線に沿って整
列したボンディングパッドを設け、該ボンディングパッ
ドに平行して両側に、整列した複数のボンディングパッ
ドを設け、共用インナーリードを各列の間に配置する。
または、共用インナーリードの厚さを信号用インナーリ
ードの厚さよりも薄くする。 【効果】 ボンディングワイヤによる抵抗の増加を防止
する。ワイヤ変形不良を低減できる。外観検査工数の低
減が図れ、ル−プコントロ−ル条件出しが容易となり、
作業を迅速に行い得る。共用インナーリードの厚みを薄
くすることにより、クリアランスが増加し、ループコン
トロールが容易となり、ワイヤ変形不良を低減できる。
ディング作業を迅速に行い得る技術を提供する。 【構成】 半導体チップの表面には、中心線に沿って整
列したボンディングパッドを設け、該ボンディングパッ
ドに平行して両側に、整列した複数のボンディングパッ
ドを設け、共用インナーリードを各列の間に配置する。
または、共用インナーリードの厚さを信号用インナーリ
ードの厚さよりも薄くする。 【効果】 ボンディングワイヤによる抵抗の増加を防止
する。ワイヤ変形不良を低減できる。外観検査工数の低
減が図れ、ル−プコントロ−ル条件出しが容易となり、
作業を迅速に行い得る。共用インナーリードの厚みを薄
くすることにより、クリアランスが増加し、ループコン
トロールが容易となり、ワイヤ変形不良を低減できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、リード・オン・チップ(lead on chip,LOCと
いう)方式の実装を行う半導体装置に適用して有効な技
術に関するものである。
に、リード・オン・チップ(lead on chip,LOCと
いう)方式の実装を行う半導体装置に適用して有効な技
術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップは、外部端子となるリード
と接続された後に、パッケージに封止されて製品とな
る。この封止に先立つ半導体チップとリードとの接続は
種々の方法で行われるが、その一つにリード・オン・チ
ップがある。
と接続された後に、パッケージに封止されて製品とな
る。この封止に先立つ半導体チップとリードとの接続は
種々の方法で行われるが、その一つにリード・オン・チ
ップがある。
【0003】この方法では、半導体チップの回路形成面
上に、絶縁性のフィルムを介して複数のインナーリード
を接着し、このインナーリードと半導体チップのボンデ
ィングパッドとがボンディングワイヤ等で電気的に接続
されている。半導体チップのボンディングパッドの配置
は、入出力の経路を短くすることによって高速化を図る
ため及びパッケージの外表面からボンディングパッドま
での距離をとることによって半導体装置の耐湿性を向上
させるために、半導体チップの中心線に沿って一列に配
置されている。このように配置されたボンディングパッ
ドの両側に、電源用の共用インナーリードが配置され、
その外側に信号用のインナーリードが配置されている。
上に、絶縁性のフィルムを介して複数のインナーリード
を接着し、このインナーリードと半導体チップのボンデ
ィングパッドとがボンディングワイヤ等で電気的に接続
されている。半導体チップのボンディングパッドの配置
は、入出力の経路を短くすることによって高速化を図る
ため及びパッケージの外表面からボンディングパッドま
での距離をとることによって半導体装置の耐湿性を向上
させるために、半導体チップの中心線に沿って一列に配
置されている。このように配置されたボンディングパッ
ドの両側に、電源用の共用インナーリードが配置され、
その外側に信号用のインナーリードが配置されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このようなボンディン
グパッド配置のために、信号用インナーリードに接続す
るボンディングワイヤは共用インナーリードの上を跨ぐ
ようにして、ボンディングされている。従って、ボンデ
ィングパッドから信号用インナーリードまでの距離が長
くなり、ボンディングワイヤの抵抗が高くなる。さら
に、ボンディングワイヤが長くなるために他のボンディ
ングワイヤ或いはリードと接触し、半導体装置が作動不
良或いは作動不能となることがある。
グパッド配置のために、信号用インナーリードに接続す
るボンディングワイヤは共用インナーリードの上を跨ぐ
ようにして、ボンディングされている。従って、ボンデ
ィングパッドから信号用インナーリードまでの距離が長
くなり、ボンディングワイヤの抵抗が高くなる。さら
に、ボンディングワイヤが長くなるために他のボンディ
ングワイヤ或いはリードと接触し、半導体装置が作動不
良或いは作動不能となることがある。
【0005】ボンディングワイヤと共用インナーリード
との接触を防止するためには、ワイヤと共用インナーリ
−ドとのクリアランスを確保する必要があり、ボンディ
ングワイヤと共用インナーリードとの間にはできるだけ
距離をおくことが望ましいが、同時にまたパッケージの
厚さからボンディングワイヤのル−プ高さが制限されて
いる。このため、ボンディングワイヤの許容範囲が小さ
くなり、ル−プコントロ−ルが難しく、ワイヤ変形不良
も起こり易い。また、ワイヤル−プコントロ−ルの条件
出し,ワイヤと共用インナーリ−ドのクリアランス測定
及びル−プ高さ測定に時間がかかるため、ボンディング
に要する時間も長くなり、スル−プットが低下する。
との接触を防止するためには、ワイヤと共用インナーリ
−ドとのクリアランスを確保する必要があり、ボンディ
ングワイヤと共用インナーリードとの間にはできるだけ
距離をおくことが望ましいが、同時にまたパッケージの
厚さからボンディングワイヤのル−プ高さが制限されて
いる。このため、ボンディングワイヤの許容範囲が小さ
くなり、ル−プコントロ−ルが難しく、ワイヤ変形不良
も起こり易い。また、ワイヤル−プコントロ−ルの条件
出し,ワイヤと共用インナーリ−ドのクリアランス測定
及びル−プ高さ測定に時間がかかるため、ボンディング
に要する時間も長くなり、スル−プットが低下する。
【0006】また、信号用リードに接続するボンディン
グワイヤが共用インナーリードを覆うので、共用インナ
ーリ−ドへのボンディング状態の外観検査が困難にな
る。
グワイヤが共用インナーリードを覆うので、共用インナ
ーリ−ドへのボンディング状態の外観検査が困難にな
る。
【0007】本発明の目的は、これらの問題を解決する
ために、ボンディングワイヤの配線長を短縮することが
可能な技術を提供すること、及びボンディング作業を迅
速に行い得る技術を提供することにある。
ために、ボンディングワイヤの配線長を短縮することが
可能な技術を提供すること、及びボンディング作業を迅
速に行い得る技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0010】半導体チップの表面には、中心線に沿って
整列した複数のボンディングパッドを設け、該ボンディ
ングパッドの形成する列に平行してボンディングパッド
の両側に、整列した複数のボンディングパッドを設け、
共用インナーリードを各ボンディングパッドの形成する
列の間に配置する。
整列した複数のボンディングパッドを設け、該ボンディ
ングパッドの形成する列に平行してボンディングパッド
の両側に、整列した複数のボンディングパッドを設け、
共用インナーリードを各ボンディングパッドの形成する
列の間に配置する。
【0011】ボンディングパッドの配置として、中心に
設けるボンディングパッドには、電源用の配線を接続
し、両側のボンディングパッドには信号用或いは隣接す
る共用インナーリードに接続する電源用の配線を接続す
る。
設けるボンディングパッドには、電源用の配線を接続
し、両側のボンディングパッドには信号用或いは隣接す
る共用インナーリードに接続する電源用の配線を接続す
る。
【0012】または、共用インナーリードの上を越える
ボンディングワイヤのインナーリードとのクリアランス
を確保するために、共用インナーリードの厚さを信号用
インナーリードの厚さよりも薄くする。
ボンディングワイヤのインナーリードとのクリアランス
を確保するために、共用インナーリードの厚さを信号用
インナーリードの厚さよりも薄くする。
【0013】
【作用】上述した手段によれば、ボンディングパッド
を、接続するインナーリードと隣接させて配置すること
により、最短距離でボンディングすることができるの
で、ボンディングワイヤによる抵抗の増加を防止でき
る。
を、接続するインナーリードと隣接させて配置すること
により、最短距離でボンディングすることができるの
で、ボンディングワイヤによる抵抗の増加を防止でき
る。
【0014】また、隣接するボンディングパッドとイン
ナーリードとをボンディングするので、共用インナーリ
ードを越えてボンディングを行う必要がなくなる。従っ
て、ボンディングワイヤのループコントロールが容易と
なり、かつワイヤ変形不良を低減できる。
ナーリードとをボンディングするので、共用インナーリ
ードを越えてボンディングを行う必要がなくなる。従っ
て、ボンディングワイヤのループコントロールが容易と
なり、かつワイヤ変形不良を低減できる。
【0015】さらに、外観検査工程にて、共用インナー
リードを越えるボンディングワイヤと共用インナーリ−
ドとのクリアランス測定が行う必要がないので、外観検
査工数の低減が図れ、加えてボンディングワイヤのル−
プコントロ−ル条件出しが容易となるので、ボンディン
グ作業を迅速に行い得るという効果がある。
リードを越えるボンディングワイヤと共用インナーリ−
ドとのクリアランス測定が行う必要がないので、外観検
査工数の低減が図れ、加えてボンディングワイヤのル−
プコントロ−ル条件出しが容易となるので、ボンディン
グ作業を迅速に行い得るという効果がある。
【0016】また、共用インナーリードの厚みを薄くす
ることにより、ボンディングワイヤと共用インナーリー
ドとのクリアランスが増加し、ボンディングワイヤのル
ープコントロールが容易となり、加えてワイヤ変形不良
を低減できる。
ることにより、ボンディングワイヤと共用インナーリー
ドとのクリアランスが増加し、ボンディングワイヤのル
ープコントロールが容易となり、加えてワイヤ変形不良
を低減できる。
【0017】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。
もに説明する。
【0018】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【0019】
【実施例】(実施例1)以下、本発明の実施例を図1に
より説明する。
より説明する。
【0020】図1は本発明の一実施例である半導体装置
の半導体チップ周辺を示す部分平面図である。
の半導体チップ周辺を示す部分平面図である。
【0021】図中、1は半導体チップ、2は共用インナ
ーリード、3は信号用インナーリードである。
ーリード、3は信号用インナーリードである。
【0022】半導体チップ1は、単結晶シリコンからな
る半導体基板の回路形成面に複数の半導体素子を形成
し、これらの半導体素子をパターン形成した配線層によ
って結線接続し、回路形成面の表面を絶縁性の最終保護
膜によって覆い、所定の回路システムを構成している。
半導体チップ1の表面には、中心線に沿って整列した複
数のボンディングパッド4を設け、ボンディングパッド
4の形成する列に平行してボンディングパッド4の両側
に、整列した複数のボンディングパッド5,5を設け
る。
る半導体基板の回路形成面に複数の半導体素子を形成
し、これらの半導体素子をパターン形成した配線層によ
って結線接続し、回路形成面の表面を絶縁性の最終保護
膜によって覆い、所定の回路システムを構成している。
半導体チップ1の表面には、中心線に沿って整列した複
数のボンディングパッド4を設け、ボンディングパッド
4の形成する列に平行してボンディングパッド4の両側
に、整列した複数のボンディングパッド5,5を設け
る。
【0023】共用インナーリード2は、ボンディングパ
ッド4,5の列と平行に、ボンディングパッド4とボン
ディングパッド5との間に延在し、半導体チップ1の端
部近傍にて直角に向きを変えて、中心線に直交して、半
導体チップ1の外方に延在することにより、略コ字状に
形成する。共用インナーリード2は、ボンディングパッ
ド4を挟んで一対形成し、それぞれの共用インナーリー
ド2が電源の供給用及び接地用の配線と接続される。
ッド4,5の列と平行に、ボンディングパッド4とボン
ディングパッド5との間に延在し、半導体チップ1の端
部近傍にて直角に向きを変えて、中心線に直交して、半
導体チップ1の外方に延在することにより、略コ字状に
形成する。共用インナーリード2は、ボンディングパッ
ド4を挟んで一対形成し、それぞれの共用インナーリー
ド2が電源の供給用及び接地用の配線と接続される。
【0024】信号用インナーリード3は、ボンディング
パッド5の外側に、一端を臨ませて、他端を半導体チッ
プ1の中心線に直交する方向に半導体チップ1の外方へ
延在させる。複数の信号用インナーリード3を平行配置
するが、信号用インナーリード3及びボンディングパッ
ド5は共用インナーリード2によって囲まれた領域内に
設けてある。
パッド5の外側に、一端を臨ませて、他端を半導体チッ
プ1の中心線に直交する方向に半導体チップ1の外方へ
延在させる。複数の信号用インナーリード3を平行配置
するが、信号用インナーリード3及びボンディングパッ
ド5は共用インナーリード2によって囲まれた領域内に
設けてある。
【0025】共用インナーリード2及び信号用インナー
リード3は、両面に熱可塑性の接着剤を塗布した絶縁性
のフィルム(図示せず)によって、回路形成面の最終保
護膜上に固定される。この接着によって、半導体チップ
1はインナーリード2,3によって支持されることとな
る。
リード3は、両面に熱可塑性の接着剤を塗布した絶縁性
のフィルム(図示せず)によって、回路形成面の最終保
護膜上に固定される。この接着によって、半導体チップ
1はインナーリード2,3によって支持されることとな
る。
【0026】各インナーリード2,3は、実装時に外部
の装置・配線と接続するために半導体装置のパッケージ
(図示せず)から突出するアウターリード(図示せず)
と一体になっている。
の装置・配線と接続するために半導体装置のパッケージ
(図示せず)から突出するアウターリード(図示せず)
と一体になっている。
【0027】ボンディングパッド4,5の配置として、
中心に設けるボンディングパッド4には、電源用の配線
を接続し、両側のボンディングパッド5,5には信号用
或いは隣接する共用インナーリード2に接続する電源用
の配線を接続する。
中心に設けるボンディングパッド4には、電源用の配線
を接続し、両側のボンディングパッド5,5には信号用
或いは隣接する共用インナーリード2に接続する電源用
の配線を接続する。
【0028】このようにボンディングパッド4,5を配
置することにより、各ボンディングワイヤ6はインナー
リード2,3とそれに隣接するボンディングパッド4,
5とを接続するので、ボンディングを最短距離で行うこ
とができる。従って、ボンディングワイヤ6による抵抗
の増加を防止することが可能になる。また、隣接するボ
ンディングパッド4,5と各インナーリード2,3とを
ボンディングするので、共用インナーリード2を越えて
ボンディングを行う必要がなくなる。
置することにより、各ボンディングワイヤ6はインナー
リード2,3とそれに隣接するボンディングパッド4,
5とを接続するので、ボンディングを最短距離で行うこ
とができる。従って、ボンディングワイヤ6による抵抗
の増加を防止することが可能になる。また、隣接するボ
ンディングパッド4,5と各インナーリード2,3とを
ボンディングするので、共用インナーリード2を越えて
ボンディングを行う必要がなくなる。
【0029】(実施例2)図2は本発明の他の実施例で
ある半導体装置の半導体チップ周辺を示す部分縦断面図
であり、図3はその部分平面図である。なお、図2中に
てボンディングワイヤは1本のみを表示し他を省略す
る。
ある半導体装置の半導体チップ周辺を示す部分縦断面図
であり、図3はその部分平面図である。なお、図2中に
てボンディングワイヤは1本のみを表示し他を省略す
る。
【0030】図中、1は半導体チップ、2は共用インナ
ーリード、3は信号用インナーリードである。
ーリード、3は信号用インナーリードである。
【0031】半導体チップ1の表面には、中心線に沿っ
て整列した複数のボンディングパッド4を設ける。
て整列した複数のボンディングパッド4を設ける。
【0032】共用インナーリード2,2は、ボンディン
グパッド4の列と平行に、ボンディングパッド4を挟ん
で一対形成する。共用インナーリード2はボンディング
パッド4の列に沿って延在し、半導体チップ1の端部近
傍にて直角に向きを変えて、中心線に直交して、半導体
チップ1の外方に延在することにより、略コ字状に形成
する。共用インナーリード2は、それぞれの共用インナ
ーリード2が電源の供給用及び接地用の配線と接続され
る。
グパッド4の列と平行に、ボンディングパッド4を挟ん
で一対形成する。共用インナーリード2はボンディング
パッド4の列に沿って延在し、半導体チップ1の端部近
傍にて直角に向きを変えて、中心線に直交して、半導体
チップ1の外方に延在することにより、略コ字状に形成
する。共用インナーリード2は、それぞれの共用インナ
ーリード2が電源の供給用及び接地用の配線と接続され
る。
【0033】本実施例では、共用インナーリード2の上
を越えるボンディングワイヤ6のインナーリード2との
クリアランスを確保するために、共用インナーリード2
の厚さを信号用インナーリード3の厚さよりも薄く形成
する。共用インナーリード2は、その全面を薄く形成し
てもよいし、ボンディングパッド4の列に沿って延在す
る部分のみを薄く形成してもよい。共用インナーリード
2を薄くする方法としては、エッチング加工あるいはプ
レス加工等を施せばよい。
を越えるボンディングワイヤ6のインナーリード2との
クリアランスを確保するために、共用インナーリード2
の厚さを信号用インナーリード3の厚さよりも薄く形成
する。共用インナーリード2は、その全面を薄く形成し
てもよいし、ボンディングパッド4の列に沿って延在す
る部分のみを薄く形成してもよい。共用インナーリード
2を薄くする方法としては、エッチング加工あるいはプ
レス加工等を施せばよい。
【0034】信号用インナーリード3は、共用インナー
リード2の外側に、一端を臨ませて、他端を半導体チッ
プ1の中心線に直交する方向に半導体チップ1の外方へ
延在させる。複数の信号用インナーリード3を平行配置
するが、信号用インナーリード3は共用インナーリード
2によって囲まれた領域内に設けてある。
リード2の外側に、一端を臨ませて、他端を半導体チッ
プ1の中心線に直交する方向に半導体チップ1の外方へ
延在させる。複数の信号用インナーリード3を平行配置
するが、信号用インナーリード3は共用インナーリード
2によって囲まれた領域内に設けてある。
【0035】共用インナーリード2及び信号用インナー
リード3は、両面に熱可塑性の接着剤を塗布した絶縁性
のフィルム7によって、回路形成面の最終保護膜上に固
定される。この接着によって、半導体チップ1はインナ
ーリード2,3によって支持されることとなる。
リード3は、両面に熱可塑性の接着剤を塗布した絶縁性
のフィルム7によって、回路形成面の最終保護膜上に固
定される。この接着によって、半導体チップ1はインナ
ーリード2,3によって支持されることとなる。
【0036】このように共用インナーリード2のボンデ
ィングパッド5に沿って延在する部分を薄く形成するこ
とにより、共用インナーリード2を越えて信号用インナ
ーリード3に接続するボンディングワイヤ6と共用イン
ナーリード2とのクリアランスが増大するので、共用イ
ンナーリード2を越えるボンディングワイヤ6のワイヤ
ル−プコントロ−ルがを容易になる。
ィングパッド5に沿って延在する部分を薄く形成するこ
とにより、共用インナーリード2を越えて信号用インナ
ーリード3に接続するボンディングワイヤ6と共用イン
ナーリード2とのクリアランスが増大するので、共用イ
ンナーリード2を越えるボンディングワイヤ6のワイヤ
ル−プコントロ−ルがを容易になる。
【0037】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0038】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0039】(1)ボンディングパッドを、接続するイ
ンナーリードと隣接させて配置することにより、最短距
離でボンディングすることができるので、ボンディング
ワイヤによる抵抗の増加を防止できるという効果があ
る。
ンナーリードと隣接させて配置することにより、最短距
離でボンディングすることができるので、ボンディング
ワイヤによる抵抗の増加を防止できるという効果があ
る。
【0040】(2)ボンディングパッドを、接続するイ
ンナーリードと隣接させて配置することにより、隣接す
るボンディングパッドとインナーリードとをボンディン
グするので、共用インナーリード2を越えてボンディン
グを行う必要がなくなるという効果がある。
ンナーリードと隣接させて配置することにより、隣接す
るボンディングパッドとインナーリードとをボンディン
グするので、共用インナーリード2を越えてボンディン
グを行う必要がなくなるという効果がある。
【0041】(3)前記効果(2)により、ボンディン
グワイヤのループコントロールが容易となり、ワイヤ変
形不良を低減出来るという効果がある。
グワイヤのループコントロールが容易となり、ワイヤ変
形不良を低減出来るという効果がある。
【0042】(4)前記効果(2)により、外観検査工
程にて、共用インナーリードを越えるボンディングワイ
ヤと共用インナーリ−ドのクリアランス測定を行う必要
がないので、外観検査工数の低減が図れるという効果が
ある。
程にて、共用インナーリードを越えるボンディングワイ
ヤと共用インナーリ−ドのクリアランス測定を行う必要
がないので、外観検査工数の低減が図れるという効果が
ある。
【0043】(5)前記効果(2)により、ボンディン
グワイヤのループコントロール条件出しが容易となると
いう効果がある。
グワイヤのループコントロール条件出しが容易となると
いう効果がある。
【0044】(6)前記効果(4),(5)により、ボ
ンディング作業を迅速に行い得るという効果がある。
ンディング作業を迅速に行い得るという効果がある。
【0045】(7)共用インナーリードの厚みを薄くす
ることにより、ボンディングワイヤと共用インナーリー
ドとのクリアランスが増加し、ボンディングワイヤのル
ープコントロールが容易となるという効果がある。
ることにより、ボンディングワイヤと共用インナーリー
ドとのクリアランスが増加し、ボンディングワイヤのル
ープコントロールが容易となるという効果がある。
【0046】(8)前記効果(7)により、ボンディン
グワイヤのループコントロールが容易となり、ワイヤ変
形不良を低減できるという効果がある。
グワイヤのループコントロールが容易となり、ワイヤ変
形不良を低減できるという効果がある。
【0047】(9)前記効果(7)により、ボンディン
グワイヤのループコントロール条件出しが容易となると
いう効果がある。
グワイヤのループコントロール条件出しが容易となると
いう効果がある。
【0048】(10)前記効果(8),(9)により、
ボンディング作業を迅速に行い得るという効果がある。
ボンディング作業を迅速に行い得るという効果がある。
【0049】(11)共用インナーリードの厚みを薄く
することにより、ボンディングワイヤと共用インナーリ
ードとのクリアランスが増加し、ワイヤ変形不良を低減
できるという効果がある。
することにより、ボンディングワイヤと共用インナーリ
ードとのクリアランスが増加し、ワイヤ変形不良を低減
できるという効果がある。
【図1】 本発明の一実施例である半導体装置の半導体
チップ周辺を示す部分平面図、
チップ周辺を示す部分平面図、
【図2】 本発明の他の実施例である半導体装置の半導
体チップ周辺を示す部分縦断面図、
体チップ周辺を示す部分縦断面図、
【図3】 本発明の他の実施例である半導体装置の半導
体チップ周辺を示す部分平面図である。
体チップ周辺を示す部分平面図である。
1…半導体チップ、2…共用インナーリード、3…信号
用インナーリード、4,5…ボンディングパッド、6…
ボンディングワイヤ。
用インナーリード、4,5…ボンディングパッド、6…
ボンディングワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角谷 修 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 牧 浩 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体チップの回路形成面上に、一対の
共用インナーリードと複数の信号用インナーリードと
が、絶縁体を介して前記半導体チップと接着され、信号
用インナーリード及び共用インナーリードと半導体チッ
プのボンディングパッドとがボンディングされ、ケース
内に封止される半導体装置であって、ボンディングパッ
ドが信号用インナーリードと共用インナーリードとの間
及び対をなす共用インナーリードの間に設置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 半導体チップの回路形成面上に、一対の
共用インナーリードと複数の信号用インナーリードと
が、絶縁体を介して前記半導体チップと接着され、信号
用インナーリード及び共用インナーリードと半導体チッ
プのボンディングパッドとがボンディングされ、ケース
内に封止される半導体装置であって、少なくとも、信号
用インナーリードと直交する方向に延在する部分の共用
インナーリードの厚さを、信号用インナーリードの厚さ
よりも薄くしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5141701A JPH06349875A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5141701A JPH06349875A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06349875A true JPH06349875A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15298195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5141701A Pending JPH06349875A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06349875A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677273A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-03-18 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
US6054753A (en) * | 1997-08-12 | 2000-04-25 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device equipped with LOC package structure |
US6303948B1 (en) | 1996-02-29 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pad layout and lead layout in semiconductor device |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP5141701A patent/JPH06349875A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677273A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-03-18 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP3119544B2 (ja) * | 1992-07-08 | 2000-12-25 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US6303948B1 (en) | 1996-02-29 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pad layout and lead layout in semiconductor device |
US6617622B2 (en) | 1996-02-29 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pad layout and lead layout in semiconductor device having a center circuit |
US6054753A (en) * | 1997-08-12 | 2000-04-25 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device equipped with LOC package structure |
KR100325189B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2002-05-09 | 가네꼬 히사시 | Loc패키지구조를갖는플라스틱으로봉지된반도체장치 |
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