JP3218816B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップとリード
フレームとをボンディングワイヤで接続した半導体装置
に関し、更に詳細にはかかる種類の半導体装置であって
ボンディングワイヤが接触して短絡していないように工
夫されたものに関する。
フレームとをボンディングワイヤで接続した半導体装置
に関し、更に詳細にはかかる種類の半導体装置であって
ボンディングワイヤが接触して短絡していないように工
夫されたものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の樹脂封止型半導体装置A
は、図6に示すように、樹脂封止された半導体チップ1
0とリードフレーム12とから構成されている。更に詳
しく説明すると、リードフレーム12は、半導体チップ
10がダイボンディングされるダイパッド部14と、リ
ード部16とからなり、リード部16の先端は図示しな
い基板の配線パターンに接続されるアウタリード18、
基端はインナリード20となっている。このようなリー
ドフレーム12は、一般にフィルム状の金属板からエッ
チング加工によって形成される。半導体チップ10は、
リードフレーム12のダイパッド部14にダイボンディ
ングされ、半導体チップ10のパッド22とインナリー
ド20とが金線等のボンディングワイヤ24によって接
続されている。上述のように相互に電気的に接続された
半導体チップ10とリードフレーム12とは、リードフ
レーム12のアウタリード18を露出させるようにし
て、一体的に封止用樹脂26により封止され、半導体装
置Aが形成されている。
は、図6に示すように、樹脂封止された半導体チップ1
0とリードフレーム12とから構成されている。更に詳
しく説明すると、リードフレーム12は、半導体チップ
10がダイボンディングされるダイパッド部14と、リ
ード部16とからなり、リード部16の先端は図示しな
い基板の配線パターンに接続されるアウタリード18、
基端はインナリード20となっている。このようなリー
ドフレーム12は、一般にフィルム状の金属板からエッ
チング加工によって形成される。半導体チップ10は、
リードフレーム12のダイパッド部14にダイボンディ
ングされ、半導体チップ10のパッド22とインナリー
ド20とが金線等のボンディングワイヤ24によって接
続されている。上述のように相互に電気的に接続された
半導体チップ10とリードフレーム12とは、リードフ
レーム12のアウタリード18を露出させるようにし
て、一体的に封止用樹脂26により封止され、半導体装
置Aが形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の樹脂封止型半導体装置には以下のような問題点
があった。すなわち、リード部16の数が多いいわゆる
多ピン構造の半導体装置では、エッチング加工技術の限
界に起因して、リードフレーム12のインナリード20
とダイパッド部14との間の距離を短くすることが困難
であるため、ボンディングワイヤ24の長さは、必然的
にその太さに比べて長くなる。例えば、100ピン以上
の半導体装置では、パッド22とインナリード20との
距離が3.5mm以上になるので、ボンディングワイヤ2
4はリード部16の数が少ない半導体装置より長いもの
を使用しなければならない。
た従来の樹脂封止型半導体装置には以下のような問題点
があった。すなわち、リード部16の数が多いいわゆる
多ピン構造の半導体装置では、エッチング加工技術の限
界に起因して、リードフレーム12のインナリード20
とダイパッド部14との間の距離を短くすることが困難
であるため、ボンディングワイヤ24の長さは、必然的
にその太さに比べて長くなる。例えば、100ピン以上
の半導体装置では、パッド22とインナリード20との
距離が3.5mm以上になるので、ボンディングワイヤ2
4はリード部16の数が少ない半導体装置より長いもの
を使用しなければならない。
【0004】このようにパッド22とインナリード20
との距離が長くなると、封止用樹脂26の注入時に、ボ
ンディングワイヤ24が、樹脂の注入圧力のためにワイ
ヤ流れを起こし易い。尚、本明細書で、ワイヤ流れと
は、封止用樹脂26の注入時の圧力によりボンディング
ワイヤ24の形状が元の形状から変形して樹脂によって
流れたように見えることを言う。ワイヤ流れが発生する
と、例えば半導体チップ10とボンディングワイヤ24
とが図7のA部に示すように、ボンディングワイヤ24
同士が同図のB部に示すように、インナリード20とボ
ンディングワイヤ24とが同のC部に示すように接触し
て、短絡し、半導体装置Aの製品不良の発生原因とな
る。
との距離が長くなると、封止用樹脂26の注入時に、ボ
ンディングワイヤ24が、樹脂の注入圧力のためにワイ
ヤ流れを起こし易い。尚、本明細書で、ワイヤ流れと
は、封止用樹脂26の注入時の圧力によりボンディング
ワイヤ24の形状が元の形状から変形して樹脂によって
流れたように見えることを言う。ワイヤ流れが発生する
と、例えば半導体チップ10とボンディングワイヤ24
とが図7のA部に示すように、ボンディングワイヤ24
同士が同図のB部に示すように、インナリード20とボ
ンディングワイヤ24とが同のC部に示すように接触し
て、短絡し、半導体装置Aの製品不良の発生原因とな
る。
【0005】かかるワイヤ流れの問題を解決するため
に、種々の提案がなされているが、実用的に満足すべき
ものは未だないのが実情である。例えば特開平3−71
660号公報には、図8に示すように、電極パッド14
とボンディングワイヤ24を別の補強用樹脂28で覆っ
た半導体装置Bが開示されている。しかし、補強用樹脂
28で半導体チップ10を全体的に覆うことが実際には
どうしても困難で、部分的に半導体チップ10が露出
し、吸湿する可能性が多い。そのため、半田リフロー時
この補強用樹脂28と半導体チップ18との間に剥離が
生じ信頼性を低下させる結果となる。また、補強用樹脂
28と封止用樹脂26とをまったく同じ特性にすること
は現実には難しく、そのため半田リフロー時や長期使用
中にこの界面で剥離が生じボンディングワイヤ切れ、ク
ラック、或いはAl腐食が発生する可能性がある。
に、種々の提案がなされているが、実用的に満足すべき
ものは未だないのが実情である。例えば特開平3−71
660号公報には、図8に示すように、電極パッド14
とボンディングワイヤ24を別の補強用樹脂28で覆っ
た半導体装置Bが開示されている。しかし、補強用樹脂
28で半導体チップ10を全体的に覆うことが実際には
どうしても困難で、部分的に半導体チップ10が露出
し、吸湿する可能性が多い。そのため、半田リフロー時
この補強用樹脂28と半導体チップ18との間に剥離が
生じ信頼性を低下させる結果となる。また、補強用樹脂
28と封止用樹脂26とをまったく同じ特性にすること
は現実には難しく、そのため半田リフロー時や長期使用
中にこの界面で剥離が生じボンディングワイヤ切れ、ク
ラック、或いはAl腐食が発生する可能性がある。
【0006】以上の問題に鑑みて、本発明の目的は、多
ピン構造の樹脂封止型半導体装置であっても、ボンディ
ングワイヤのワイヤ流れが発生しないように改良された
半導体装置を提供することである。
ピン構造の樹脂封止型半導体装置であっても、ボンディ
ングワイヤのワイヤ流れが発生しないように改良された
半導体装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置は、リードフレームの吊り
部により支持されたダイパッド部にダイボンディングし
た半導体チップのパッドと、リードフレームのリード部
のインナーリードとをボンディングワイヤによって接続
し、かつ前記リード部のアウターリードが露出するよう
に封止用樹脂で封止してなる半導体装置において、電気
絶縁性補強材にてボンディングワイヤ同士を横断方向に
連結するとともに、電気絶縁性補強材を吊り部方向に延
在させて、電気絶縁性補強材の末端と吊り部とを連結し
て補強したことを特徴としている。
に、本発明に係る半導体装置は、リードフレームの吊り
部により支持されたダイパッド部にダイボンディングし
た半導体チップのパッドと、リードフレームのリード部
のインナーリードとをボンディングワイヤによって接続
し、かつ前記リード部のアウターリードが露出するよう
に封止用樹脂で封止してなる半導体装置において、電気
絶縁性補強材にてボンディングワイヤ同士を横断方向に
連結するとともに、電気絶縁性補強材を吊り部方向に延
在させて、電気絶縁性補強材の末端と吊り部とを連結し
て補強したことを特徴としている。
【0008】本発明の望ましい実施態様では、補強材が
接着剤層を備えた樹脂フィルムからなる補強テープ、又
は液状樹脂を硬化してなる樹脂帯状体であることを特徴
とする。補強テープの接着剤層は、それによってボンデ
ィングワイヤの上側又は下側に貼着するために設けてあ
る。電気絶縁性の樹脂フィルムの例としては、ポリイミ
ド樹脂がある。
接着剤層を備えた樹脂フィルムからなる補強テープ、又
は液状樹脂を硬化してなる樹脂帯状体であることを特徴
とする。補強テープの接着剤層は、それによってボンデ
ィングワイヤの上側又は下側に貼着するために設けてあ
る。電気絶縁性の樹脂フィルムの例としては、ポリイミ
ド樹脂がある。
【0009】本発明の望ましい実施態様では、ボンディ
ングワイヤ同士の連結に加えて、更にリードフレームの
吊り部とも連結して補強したことを特徴としている。
ングワイヤ同士の連結に加えて、更にリードフレームの
吊り部とも連結して補強したことを特徴としている。
【0010】
【作用】本発明では、ボンディングワイヤが電気絶縁性
補強材により相互に連結されて一体的な構造に補強さ
れ、また1本のボンディングワイヤを支持する支持間隔
が補強材によって短くなっているので、封止用樹脂の注
入圧力によるワイヤ流れが抑制される。
補強材により相互に連結されて一体的な構造に補強さ
れ、また1本のボンディングワイヤを支持する支持間隔
が補強材によって短くなっているので、封止用樹脂の注
入圧力によるワイヤ流れが抑制される。
【0011】
【実施例】以下に、添付図面を参照して実施例に基づき
本発明をより詳細に説明する。実施例1 図1(a)は本発明に係る半導体装置の実施例1の要部
の平面図(半導体装置の上半分のみを示すが、下半分も
これと同じものである)、図1(b)は図1(a)の半
導体装置をその側面から見た構成図、図1(c)は補強
テープの断面を示す拡大図である。実施例1の半導体装
置30では、図1に示すように、補強テープ32が半導
体チップ10に近い位置でほぼ全部のボンディングワイ
ヤ24にわたりボンディングワイヤ24を横断する方向
に延在して、その上面に接着されている。補強テープ3
2は、図1(c)に示すように、20μm〜50μmの
厚さのポリイミドフィルム33と、その表面に形成され
た厚さ30μm〜100μmの接着剤層34とから構成
されている。接着剤は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、
エポキシ系、フェノール系等の熱硬化性樹脂から選んだ
ものでよい。補強テープの幅は、半導体装置30の半導
体チップ10とインナリード20との距離に応じて定め
られる。
本発明をより詳細に説明する。実施例1 図1(a)は本発明に係る半導体装置の実施例1の要部
の平面図(半導体装置の上半分のみを示すが、下半分も
これと同じものである)、図1(b)は図1(a)の半
導体装置をその側面から見た構成図、図1(c)は補強
テープの断面を示す拡大図である。実施例1の半導体装
置30では、図1に示すように、補強テープ32が半導
体チップ10に近い位置でほぼ全部のボンディングワイ
ヤ24にわたりボンディングワイヤ24を横断する方向
に延在して、その上面に接着されている。補強テープ3
2は、図1(c)に示すように、20μm〜50μmの
厚さのポリイミドフィルム33と、その表面に形成され
た厚さ30μm〜100μmの接着剤層34とから構成
されている。接着剤は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、
エポキシ系、フェノール系等の熱硬化性樹脂から選んだ
ものでよい。補強テープの幅は、半導体装置30の半導
体チップ10とインナリード20との距離に応じて定め
られる。
【0012】補強テープ32は、半導体チップ10とリ
ードフレーム12とのワイヤボンディング工程の後にボ
ンディングワイヤ24上に貼着される。即ち、半導体チ
ップ10をダイパット部14にダイボンディングし、半
導体チップ10のパッド22とリード部16のインナリ
ード20との間を金線等のボンディングワイヤ24で接
続する。ワイヤボンディング工程の終了後、ボンディン
グワイヤ24の温度がまだ高い間に接着剤層34を下に
して補強テープ32をボンディングワイヤ24上に載せ
る。ボンディングワイヤ24の温度が高い間に載せるの
は、接着剤層34の接着剤がよく馴染むからである。ま
た、接着剤が熱硬化性樹脂の場合には、この後オーブン
に入れて硬化させる必要がある。
ードフレーム12とのワイヤボンディング工程の後にボ
ンディングワイヤ24上に貼着される。即ち、半導体チ
ップ10をダイパット部14にダイボンディングし、半
導体チップ10のパッド22とリード部16のインナリ
ード20との間を金線等のボンディングワイヤ24で接
続する。ワイヤボンディング工程の終了後、ボンディン
グワイヤ24の温度がまだ高い間に接着剤層34を下に
して補強テープ32をボンディングワイヤ24上に載せ
る。ボンディングワイヤ24の温度が高い間に載せるの
は、接着剤層34の接着剤がよく馴染むからである。ま
た、接着剤が熱硬化性樹脂の場合には、この後オーブン
に入れて硬化させる必要がある。
【0013】補強テープ32を貼着した後、アウターリ
ード18が露出するようにして、ボンディングワイヤ2
4で接続した半導体チップ10とリードフレーム12と
を一体的に封止用樹脂26で封止する。封止用樹脂26
は、例えばエポキシ系樹脂であって、封止された半導体
装置30を外部雰囲気から保護する役割を果たす。
ード18が露出するようにして、ボンディングワイヤ2
4で接続した半導体チップ10とリードフレーム12と
を一体的に封止用樹脂26で封止する。封止用樹脂26
は、例えばエポキシ系樹脂であって、封止された半導体
装置30を外部雰囲気から保護する役割を果たす。
【0014】上述の構成により、ボンディングワイヤ2
4が補強テープ32により相互に連結されて一体的な構
造に補強され、また1本のボンディングワイヤ24を支
持する支持間隔が補強テープ32によって短くなってい
るので、封止用樹脂26の注入圧力によるワイヤ流れが
抑制される。
4が補強テープ32により相互に連結されて一体的な構
造に補強され、また1本のボンディングワイヤ24を支
持する支持間隔が補強テープ32によって短くなってい
るので、封止用樹脂26の注入圧力によるワイヤ流れが
抑制される。
【0015】実施例2 図2(a)は本発明に係る半導体装置の実施例2の要部
の平面図(下半分は、図示の上半分と同じものであ
る)、図2(b)は図2(a)の半導体装置をその側面
から見た構成図である。実施例2の半導体装置40は、
図2(a)に示すように補強テープ32の枝部36がリ
ードフレーム12の吊り部46方向に延在し、末端で吊
り部46に貼着されている。以上の構成により、ボンデ
ィングワイヤ24の群は、吊り部46にも連結されてい
るので、実施例1の効果に加えて吊り部46との連結に
よる補強効果がボンディングワイヤ24に与えられる。
の平面図(下半分は、図示の上半分と同じものであ
る)、図2(b)は図2(a)の半導体装置をその側面
から見た構成図である。実施例2の半導体装置40は、
図2(a)に示すように補強テープ32の枝部36がリ
ードフレーム12の吊り部46方向に延在し、末端で吊
り部46に貼着されている。以上の構成により、ボンデ
ィングワイヤ24の群は、吊り部46にも連結されてい
るので、実施例1の効果に加えて吊り部46との連結に
よる補強効果がボンディングワイヤ24に与えられる。
【0016】実施例3 図3(a)は本発明に係る半導体装置の実施例3をその
側面から見た構成図、図3(b)は図3(a)の半導体
装置を樹脂封止するためにヒートアダプタに配置された
半導体チップの要部をその側面から見た構成図、図3
(c)はヒートアダプタ部を示す拡大図である。実施例
3の半導体装置50では、図3(a)に示すように、補
強テープ32がボンディングワイヤ24の下面に貼着さ
れている。本実施例で補強テープ32を貼着するには、
図3(c)及び(b)に示すように、ワイヤボンディン
グ時にヒートアダプタ52上に接着剤層34を上にして
補強テープ32を載せ、ボンディングワイヤ24が補強
テープ32の接着剤層34に入り込むようにしてワイヤ
ボンディングを行う。
側面から見た構成図、図3(b)は図3(a)の半導体
装置を樹脂封止するためにヒートアダプタに配置された
半導体チップの要部をその側面から見た構成図、図3
(c)はヒートアダプタ部を示す拡大図である。実施例
3の半導体装置50では、図3(a)に示すように、補
強テープ32がボンディングワイヤ24の下面に貼着さ
れている。本実施例で補強テープ32を貼着するには、
図3(c)及び(b)に示すように、ワイヤボンディン
グ時にヒートアダプタ52上に接着剤層34を上にして
補強テープ32を載せ、ボンディングワイヤ24が補強
テープ32の接着剤層34に入り込むようにしてワイヤ
ボンディングを行う。
【0017】実施例4 図4(a)は本発明に係る半導体装置の実施例4の要部
の平面図(下半分は、図示の上半分と同じものであ
る)、図4(b)は図4(a)の半導体装置をその側面
から見た構成図、図4(c)は樹脂中のガラス繊維の存
在を示す説明図である。実施例4の半導体装置60で使
用された補強材は、実施例1から実施例3の補強テープ
32に代えて、液状の熱硬化性又は熱可塑性樹脂をイン
ジェクタから吐出、硬化させて形成した樹脂帯状体62
である。ボンディングワイヤ24の下側に樹脂62が垂
れ下がるのを抑制するために図4(c)に図解している
ように、樹脂62中に0.1mm〜1mm程度のガラス繊維
等を混入しておくとよい。
の平面図(下半分は、図示の上半分と同じものであ
る)、図4(b)は図4(a)の半導体装置をその側面
から見た構成図、図4(c)は樹脂中のガラス繊維の存
在を示す説明図である。実施例4の半導体装置60で使
用された補強材は、実施例1から実施例3の補強テープ
32に代えて、液状の熱硬化性又は熱可塑性樹脂をイン
ジェクタから吐出、硬化させて形成した樹脂帯状体62
である。ボンディングワイヤ24の下側に樹脂62が垂
れ下がるのを抑制するために図4(c)に図解している
ように、樹脂62中に0.1mm〜1mm程度のガラス繊維
等を混入しておくとよい。
【0018】実施例5 図5は本発明に係る半導体装置の実施例5の要部の平面
図(下半分は、図示の上半分と同じものである)であ
る。実施例5の半導体装置70では、2本の補強テープ
32又は2本の樹脂帯状体62が同じ横断方向に延在し
てボンディングワイヤ24群を連結している。
図(下半分は、図示の上半分と同じものである)であ
る。実施例5の半導体装置70では、2本の補強テープ
32又は2本の樹脂帯状体62が同じ横断方向に延在し
てボンディングワイヤ24群を連結している。
【0019】
【発明の効果】ワイヤ流れはワイヤパスが長くなるほど
ワイヤの流れ量(変形の大きさ)が大きくなり、ワイヤ
間が接触しやすくなるが、本発明によれば、ボンディン
グワイヤ同士を電気絶縁性補強材によって連結すること
によって、ボンディングワイヤの支持間隔が短くなって
ボンディングワイヤが短くなったのと同じ効果を奏し、
ワイヤ流れが減少する。しかもボンディングワイヤ群が
一体的な構造となり、仮に、ワイヤ流れが起きても全体
的に動くため、ボンディングワイヤ間の接触は起き難く
なる。さらに、電気絶縁性補強材とリードフレームの吊
り部とを連結することにより、ボンディングワイヤの補
強強度が増大し、ワイヤ流れを防ぐだけでなく、リード
フレームの吊り部と隣接するボンディングワイヤとの接
触を防ぐことが可能である。また、ワイヤボンディング
後、すぐに補強材によって補強されるため、モールド工
程前に振動等で発生するワイヤ垂れや、ワイヤ切れが発
生しにくくなる。よって、本発明に係る半導体装置の製
造では、短絡による製品不良の発生が大幅に抑制され
る。
ワイヤの流れ量(変形の大きさ)が大きくなり、ワイヤ
間が接触しやすくなるが、本発明によれば、ボンディン
グワイヤ同士を電気絶縁性補強材によって連結すること
によって、ボンディングワイヤの支持間隔が短くなって
ボンディングワイヤが短くなったのと同じ効果を奏し、
ワイヤ流れが減少する。しかもボンディングワイヤ群が
一体的な構造となり、仮に、ワイヤ流れが起きても全体
的に動くため、ボンディングワイヤ間の接触は起き難く
なる。さらに、電気絶縁性補強材とリードフレームの吊
り部とを連結することにより、ボンディングワイヤの補
強強度が増大し、ワイヤ流れを防ぐだけでなく、リード
フレームの吊り部と隣接するボンディングワイヤとの接
触を防ぐことが可能である。また、ワイヤボンディング
後、すぐに補強材によって補強されるため、モールド工
程前に振動等で発生するワイヤ垂れや、ワイヤ切れが発
生しにくくなる。よって、本発明に係る半導体装置の製
造では、短絡による製品不良の発生が大幅に抑制され
る。
【図1】図1(a)は本発明に係る半導体装置の実施例
1の要部の平面図、図1(b)は図1(a)の半導体装
置をその側面から見た構成図、図1(c)は補強テープ
の断面を示す拡大図である。
1の要部の平面図、図1(b)は図1(a)の半導体装
置をその側面から見た構成図、図1(c)は補強テープ
の断面を示す拡大図である。
【図2】図2(a)は本発明に係る半導体装置の実施例
2の要部の平面図、図2(b)は図2(a)の半導体装
置をその側面から見た構成図である。
2の要部の平面図、図2(b)は図2(a)の半導体装
置をその側面から見た構成図である。
【図3】図3(a)は本発明に係る半導体装置の実施例
3をその側面から見た構成図、図3(b)は図3(a)
の半導体装置を樹脂封止するためにヒートアダプタに配
置された半導体チップの要部をその側面から見た構成
図、図3(c)はヒートアダプター上に配置された補強
テープを示す拡大図である。
3をその側面から見た構成図、図3(b)は図3(a)
の半導体装置を樹脂封止するためにヒートアダプタに配
置された半導体チップの要部をその側面から見た構成
図、図3(c)はヒートアダプター上に配置された補強
テープを示す拡大図である。
【図4】図4(a)は本発明に係る半導体装置の実施例
4の要部の平面図、図4(b)は図4(a)の半導体装
置をその側面から見た構成図、図4(c)は樹脂中のガ
ラス繊維の存在を示す説明図である。
4の要部の平面図、図4(b)は図4(a)の半導体装
置をその側面から見た構成図、図4(c)は樹脂中のガ
ラス繊維の存在を示す説明図である。
【図5】図5は本発明に係る半導体装置の実施例5の要
部の平面図である。
部の平面図である。
【図6】従来の半導体装置を側面断面図である。
【図7】ワイヤ流れを示す説明図である。
【図8】ワイヤ流れを抑制する従来の手段を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
10 半導体チップ 12 リードフレーム 14 ダイパッド部 16 リード部 18 アウタリード 20 インナリード 22 半導体チップのパッド 24 ボンディングワイヤ 26 封止用樹脂 30 本発明に係る半導体装置の実施例1 32 補強テープ 33 ポリイミドフィルム 34 接着剤層 36 補強テープの枝部 40 本発明に係る半導体装置の実施例2 46 吊り部 50 本発明に係る半導体装置の実施例3 52 ヒートアダプタ 60 本発明に係る半導体装置の実施例4 62 樹脂帯状体 70 本発明に係る半導体装置の実施例5
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−198339(JP,A) 特開 昭61−112358(JP,A) 特開 昭60−210845(JP,A) 特開 平2−146740(JP,A) 特開 平3−278550(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60
Claims (1)
- 【請求項1】リードフレームの吊り部により支持された
ダイパッド部にダイボンディングした半導体チップのパ
ッドと、リードフレームのリード部のインナーリードと
をボンディングワイヤによって接続し、かつ前記リード
部のアウターリードが露出するように封止用樹脂で封止
してなる半導体装置において、電気絶縁性補強材にてボ
ンディングワイヤ同士を横断方向に連結するとともに、
前記電気絶縁性補強材を前記吊り部方向に延在させて、
該電気絶縁性補強材の末端と前記吊り部とを連結して補
強したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20289593A JP3218816B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20289593A JP3218816B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0737921A JPH0737921A (ja) | 1995-02-07 |
JP3218816B2 true JP3218816B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=16464983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20289593A Expired - Fee Related JP3218816B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3218816B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3019821B2 (ja) * | 1997-10-22 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
KR100472286B1 (ko) * | 2002-09-13 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 접착 테이프가 본딩와이어에 부착된 반도체 칩 패키지 |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP20289593A patent/JP3218816B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0737921A (ja) | 1995-02-07 |
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