KR930003522A - 슬루우레이트 스피드엎 회로 - Google Patents

슬루우레이트 스피드엎 회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

슬루우레이트 스피드엎 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 회로도,
제3도는 본 발명에 따른 동작 파형도.

Claims (7)

  1. 하나의 차동증폭기와, 상기 차동폭기의 출력단(23)에 게이트가 연결된 제1풀업 트랜지스터(10)를 구비하는 연산증폭기에 있어서, 제1출력단(25)과, 상기 출력단에 게이트가 연결되고 전원전압단과 상기 제1출력단 사이에 채널이 연결된 제2풀업 트랜지스터(9)와, 상기 제1풀업 트랜지스터(10)의 채널의 일단에 연결된 제2출력단(26)과, 상기 제1출력단과 제2출력단 사이에 연결되며 하나의 공통전류 통로와 하나의 풀업전류 통로와 하나의 풀다운 전류 통로를 가지는 전류 조절 수단과, 상기 제2출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결된 제2풀다운 트랜지스터 (11)와, 상기 제1출력단과 접지전압단 사이에 연결된 제2풀다운 트랜지스터(8)를 구비함을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드업 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공통전류 통로상에 전류방향이 상기 제1출력단과 제2출력단사이의 전위차에 따라 결정됨을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드엎 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 풀엎전류롱로가 상기 제1출력단에 게이트가 연결된 제1모오스트랜지스터의 채널이 됨을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드엎 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 풀다운 통로가 상기 차동증폭기의 출력단에 게이트가 연결된 제2모오스 트랜지스터의 채널이 됨을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드업 회로.
  5. 제1항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2풀업 트랜지스터와 제2모오스 트랜지스터의 도전형이 상기 제1 및 제2풀다운 트랜지스터와 제1모오스 트랜지스터의 도전형과 반대임을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드엎 회로.
  6. 하나의 차동증폭기를 가지는 연산증폭기에 있어서, 제 1 및 제2출력단(25) (26)과, 상기 차동증폭기의 출력단에 게이트가 연결되고 전원공급단과 상기 제2출력단 사이에 채널이 연결된 제1풀업 트랜지스터(10)와, 상기 출력단(23)에 게이트가 연결되고 전원전압단과 상기 제1출력단 사이에 채널 이 연결된 제2풀업 트랜지스터(9)와, 상기 제2출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결된 제1풀다운 트랜지스터(11)와, 상기 제1출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결된 제2풀다운 트랜지스터(8)와, 상기 제1출력단에 게이트가 연결되고 전원공급단과상기 제2출력단 사이에 채널이 연결된 제7풀업 트랜지스터(12)와, 상기 제1출력단에 게이트가 연결되고 상기 제2출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결된 저항을 구비함을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드엎 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1및 제2풀업 트랜지스터와 제3풀다운 트랜지스터의 도전형의 상기 제1및 제2풀다 운 트랜지스터와 제3풀업 트랜지스터의 도전형과 반대임을 특징으로 하는 슬루우레이트 스피드업 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990081272A (ko) * 1998-04-28 1999-11-15 윤종용 액정표시장치 소스 드라이버의 출력 구동회로
KR100414264B1 (ko) * 1996-12-20 2004-04-03 엘지전자 주식회사 슬루율가변연산증폭기
KR100753151B1 (ko) * 2005-04-22 2007-08-30 삼성전자주식회사 출력 버퍼용 연산 증폭기 및 이를 이용한 신호 처리 회로

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05312850A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
DE4222170C1 (ko) * 1992-07-06 1993-09-23 Siemens Ag, 80333 Muenchen, De
US5278467A (en) * 1992-07-14 1994-01-11 Intel Corporation Self-biasing input stage for high-speed low-voltage communication
US5488321A (en) * 1993-04-07 1996-01-30 Rambus, Inc. Static high speed comparator
AU1841895A (en) * 1994-02-15 1995-08-29 Rambus Inc. Delay-locked loop
CN1055845C (zh) * 1995-06-05 2000-08-30 金纪前 跌打活血散
US5614852A (en) * 1995-08-08 1997-03-25 Harris Corp. Wide common mode range comparator and method
SG54327A1 (en) * 1996-04-27 1998-11-16 Motorola Inc Monolithic high voltage driver circuit
US5754131A (en) * 1996-07-01 1998-05-19 General Electric Company Low power delta sigma converter
US5959481A (en) * 1997-02-18 1999-09-28 Rambus Inc. Bus driver circuit including a slew rate indicator circuit having a one shot circuit
US5939870A (en) * 1998-09-17 1999-08-17 Intel Corporation Voltage regulator
US6323683B1 (en) * 1999-08-27 2001-11-27 Cypress Semiconductor Corp. Low distortion logic level translator
US6326819B1 (en) * 1999-11-15 2001-12-04 General Motors Corporation Current buffer for gate drive
US7012465B2 (en) * 2001-08-07 2006-03-14 Qualcomm Incorporated Low-voltage class-AB output stage amplifier
US6414552B1 (en) 2001-11-16 2002-07-02 Dialog Semiconductor Gmbh Operational transconductance amplifier with a non-linear current mirror for improved slew rate
KR20050065518A (ko) * 2002-08-08 2005-06-29 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 제어 유닛, 집적 회로 장치, 및 트랜지스터의 적어도하나의 임계 전압을 제어하는 방법
US7301370B1 (en) * 2003-05-22 2007-11-27 Cypress Semiconductor Corporation High-speed differential logic to CMOS translator architecture with low data-dependent jitter and duty cycle distortion
JP4614704B2 (ja) * 2003-07-23 2011-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 差動増幅器及びデータドライバと表示装置
KR100790492B1 (ko) * 2005-07-01 2008-01-02 삼성전자주식회사 슬루 레이트를 제어하는 소스 드라이버 및 그것의 구동방법
CN101005273B (zh) * 2006-01-20 2010-06-23 深圳赛意法微电子有限公司 具有改善的转换速率的差分放大器
KR100792432B1 (ko) * 2006-10-31 2008-01-10 주식회사 하이닉스반도체 출력이 안정적인 연산증폭기.
US7771115B2 (en) * 2007-08-16 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Temperature sensor circuit, device, system, and method
CN102384999B (zh) * 2010-08-30 2015-08-19 深圳艾科创新微电子有限公司 一种高速传输事件检测方法及电路
CN103472882B (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 电子科技大学 集成摆率增强电路的低压差线性稳压器
US20170163226A1 (en) * 2015-12-08 2017-06-08 Skyworks Solutions, Inc. Fast switching power amplifier, low noise amplifier, and radio frequency switch circuits
CN108259007B (zh) * 2017-12-29 2021-06-04 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 应用于运放转换速率的增强电路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464588A (en) * 1982-04-01 1984-08-07 National Semiconductor Corporation Temperature stable CMOS voltage reference
JPS6070806A (ja) * 1983-09-28 1985-04-22 Hitachi Ltd 差動増幅回路
US4614882A (en) * 1983-11-22 1986-09-30 Digital Equipment Corporation Bus transceiver including compensation circuit for variations in electrical characteristics of components
JPS6121607A (ja) * 1984-07-10 1986-01-30 Nec Corp 相補型misfetを用いた演算増幅回路
JPS62125705A (ja) * 1985-11-26 1987-06-08 Nec Corp 演算増幅回路
US4636665A (en) * 1985-12-02 1987-01-13 Motorola, Inc. BIMOS memory sense amplifier
JP2543872B2 (ja) * 1986-08-13 1996-10-16 株式会社東芝 増幅回路
JPH01138813A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Toshiba Corp Ecl―cmosレベル変換回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100414264B1 (ko) * 1996-12-20 2004-04-03 엘지전자 주식회사 슬루율가변연산증폭기
KR19990081272A (ko) * 1998-04-28 1999-11-15 윤종용 액정표시장치 소스 드라이버의 출력 구동회로
KR100753151B1 (ko) * 2005-04-22 2007-08-30 삼성전자주식회사 출력 버퍼용 연산 증폭기 및 이를 이용한 신호 처리 회로

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