JPH0738538B2 - スルーイング速度向上回路 - Google Patents

スルーイング速度向上回路

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JPH0738538B2
JPH0738538B2 JP3270871A JP27087191A JPH0738538B2 JP H0738538 B2 JPH0738538 B2 JP H0738538B2 JP 3270871 A JP3270871 A JP 3270871A JP 27087191 A JP27087191 A JP 27087191A JP H0738538 B2 JPH0738538 B2 JP H0738538B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は演算増幅器又は比較器に
関するもので、特に出力側に容量性負荷をもっている演
算増幅器等のスルーイング速度（入力信号に対する出力
信号の応答速度）を向上させる回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】大部分の電子回路においては、反転端及
び非反転端に入力される信号を加算、減算又は差動増幅
して出力する演算増幅器や比較器を広く使用している。
このような演算増幅器等においては、なによりも入力信
号に対する出力信号のスルーイング速度が問題とされ、
回路の性能と信頼性に多大な影響を及ぼす。特に半導体
メモリー装置等で使用される比較器においては、スルー
イング速度が遅い場合メモリーのデータアクセスタイム
が遅くなるのは勿論のこと、高速で動作するメモリー装
置の誤動作まで誘発してしまう。
【０００３】図３は従来使用されてきた比較器（または
演算増幅器）を示す。図示のように、この比較器はＮチ
ャネル入力型の差動増幅器と同じ構成である。第１入力
端２１が第２入力端子２２より高い電位である場合、Ｐ
形ＭＯＳトランジスタ４、５とＮ形トランジスタ７、１
１のターンオンによって出力端２４の電位を降下させ
る。反対に、第２入力端２２の電位が第１入力端２１の
電位より高い場合にはＰ形ＭＯＳトランジスタ１０を通
じて電源電圧ＶDDが出力端２４に出力される。
【０００４】ここで、差動増幅器の出力端２３の電圧利
得は、 ＡVOL1＝ｇｍ2 ／ｇｍ6 （ｇｍ2 及びｇｍ6 はＮ形ＭＯＳトランジスタ２、６の
トランスコンダクタンスである）で表され、出力端２４
の電圧利得は、 ＡVOL2＝｛ｇｍ1 （Ｓ10／Ｓ6 ）｝／（ｇｄｓ10＋ｇｄｓ11） （ｇｄｓはチャネルコンダクタンス、Ｓはトランジスタ
のチャネル寸法比）で表せる。出力端２４からのスルー
イング速度ＳＲは、出力電圧ＶOUT が正に増加する場
合、出力端２４からＮ形ＭＯＳトランジスタ１１を通じ
て接地電圧端ＶSSに流れるプルダウン電流Ｉ11が“０”
であるとき最大になり、出力電圧ＶOUT が負に増加する
場合、電源電圧端ＶDDからＰ形ＭＯＳトランジスタ１０
を通じて出力端２４に流れるプルアップ電流Ｉ10が
“０”であるとき最大になる。
【０００５】ところで、出力端２４にはキャパシタ１５
による負荷容量ＣLが存在し、これによる負荷電流ｉL
が流れる。この負荷容量ＣL と負荷電流ｉL は出力端２
４の電位が“ロウ”から“ハイ”、または“ハイ”から
“ロウ”状態に変化する過程でスルーイング速度ＳＲに
多大な影響を及ぼす。即ち、スルーイング速度ＳＲは出
力電圧ＶOUT の時間的な変化率で示すことができ、負荷
電流ｉL はプルアップ電流Ｉ10からプルダウン電流Ｉ11
を減算した値で示すことができるので、 ＳＲ＝｜ｄＶOUT ／ｄｔ｜＝｜ｉL ／ＣL ｜＝｜Ｉ10−Ｉ11／ＣL ｜ が成立する。この式から理解することができるように、
スルーイング速度ＳＲを速くするためには（又は入力信
号に対する出力信号の応答速度を迅速にするために
は）、負荷容量ＣL を小くするか、負荷電流ｉL を大き
くしなければならない。この負荷容量ＣL の値は回路構
成上必要な値に定められており、変更不能であるが、負
荷電流ｉL はＮ形ＭＯＳトランジスタ１０、１１の大き
さを増加させることによって増加可能である。しかし、
Ｎ形ＭＯＳトランジスタ１０、１１の大きさを増加させ
ると回路の電力消耗も増加してしまい、望ましい解決方
案であるということはできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は演算増幅器や比較器等において、電力消耗を増加
させないで、スルーイング速度を向上させることができ
る回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、差動増幅器と、差動増幅器の出力に
従い動作して主出力端をプルアップ及びプルダウンする
プルアップトランジスタ及びプルダウントランジスタ
と、を備えた回路についてスルーイング速度を向上させ
るために、電源電圧端にチャネルが接続されて差動増幅
器の出力により制御される補助プルアップトランジスタ
と、接地電圧端にチャネルが接続されて差動増幅器の出
力により制御される補助プルダウントランジスタと、補
助プルアップトランジスタ及び補助プルダウントランジ
スタの接続点に設けられた補助出力端と、補助出力端と
主出力端との間を接続する抵抗成分を含んでなる共通電
流通路と、補助出力端と主出力端との間の電位差に応じ
て主出力端へ電流を流すプルアップ電流通路と、補助出
力端と主出力端との間の電位差に応じて主出力端から電
流を流すプルダウン電流通路と、を備えてなることを特
徴とするスルーイング速度向上回路を提供する。
【０００８】
【作用】上記のような構成とすることで、ＭＯＳトラン
ジスタの大きさを変えることなく主出力端へ流れる電流
を増幅することができ、また、主出力端から接地電圧端
へ流れる電流も同様に増幅できるようになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を添付の図面を参照して詳細に
説明する。図１は本発明に係る比較器（または演算増幅
器）の一実施例を示す。尚、図１中で図３と同じ構成要
所は図３の符号と同じものを使用している。
【００１０】Ｐ形ＭＯＳトランジスタから成る補助プル
アップトランジスタ９は、ゲートが差動増幅器の出力端
２３に接続されており、電源電圧端ＶDDと補助出力端２
５との間にチャネルが連結されている。Ｎ形ＭＯＳトラ
ンジスタから成る補助プルダウントランジスタ８は、ゲ
ートがＮ形ＭＯＳトランジスタ７のゲートに接続され、
補助出力端２５と接地電圧端ＶSSとの間にチャネルが連
結されている。補助出力端２５と主出力端２６（図３に
おける出力端２４に該当する）との間には、Ｎ形ＭＯＳ
トランジスタから成るプルアップ電流通路１２及びＰ形
ＭＯＳトランジスタから成るプルダウン電流通路１３及
び抵抗で構成される共通電流通路１４を有する電流調節
回路３０が連結されている。プルアップ電流通路１２は
補助出力端２５にゲートが接続され、電源電圧端ＶDDと
主出力端２６との間にチャネルが連結されている。プル
ダウン電流通路１３は補助出力端２５にゲートが接続さ
れ、主出力端２６と接地電圧端ＶSSとの間にチャネルが
連結されている。共通電流通路１４は補助出力端２５と
主出力端２６を連結する。
【００１１】ここで、プルアップトランジスタ１０と補
助プルアップトランジスタ９の大きさは同じであり、ま
た、プルダウントランジスタ１１と補助プルダウントラ
ンジスタ８の大きさも同じであることに留意しなければ
ならない。
【００１２】図２に示す波形図においては入力電圧波形
３１、補助出力端２５における電圧波形３２及び主出力
端２６における電圧波形３３が図示されている。説明の
便宜上、第１入力端２１にはロジックロウレベルの入力
信号（“第１入力信号”という）が印加され、第２入力
端２２には図２の入力電圧波形３１のような信号（“第
２入力信号”という）が印加されると仮定する。
【００１３】第２入力信号の電位が第１入力信号の電位
より高いので差動増幅器の出力端２３の電位は低くな
る。これにより、補助プルアップトランジスタ９及びプ
ルアップトランジスタ１０が導通して補助出力端２５及
び主出力端２６には電源電圧レベルＶDDが出力される。
この場合、主出力端２６にキャパシタ１５がないと、補
助出力端２５と主出力端２６の電圧は同じになり、補助
出力端２５と主出力端２６との間には電流が流れないこ
とは明白である。しかし、前述のように、主出力端２６
におけるキャパシタ１５による負荷容量ＣL の存在は不
可避であるので、補助出力端２５には負荷容量ＣL によ
って図２の電圧波形３２のような電圧が形成され、そし
て、主出力端２６には図２の電圧波形３３のような電圧
が形成される。
【００１４】主出力端２６における電圧波形３３が補助
出力端２５の電圧波形３２より緩慢な傾斜度、即ちスル
ーイング速度をもつのは、負荷容量ＣL の充電時間のた
めである。結果的に、時刻ｔ１を基準とすると、補助出
力端２５の電位が主出力端２６の電位よりΔＶ高い状態
にある。この電位差ΔＶがプルアップ電流通路１２のし
きい電圧より高いと、プルアップ電流通路１２が導通し
て両出力端２５、２６の電位が同じになるまで電流ｉX
を主出力端２６に流す。これに加えて、共通電流通路１
４も両出力端２５、２６間の電位差に因る電流ｉR を主
出力端２６に流す。したがって、主出力端２６に流入す
る電流は（Ｉ10−Ｉ11）＋ｉX ＋ｉR程の量になる。こ
れは図３の従来の回路の場合よりｉX ＋ｉR 程増加して
いる。この増加した出力電流に因って、キャパシタ１５
の充電時間もそれだけ短かくできるので、スルーイング
速度が向上する。
【００１５】同様に、第２入力信号の電位が、ロジック
ロウレベルである第１入力信号の電位より低い方に変化
する場合、接地電圧端ＶSSの方に流れる電流は、プルダ
ウン電流通路１３を通じて流れる電流ｉY と、共通電流
通路１４を通じて補助出力端２５の方に流れる電流（前
記電流ｉR とは反対方向）と、プルダウン電流Ｉ11との
合計になるので、負荷容量ＣL の放電時間がそれだけ短
くなり、したがって、スルーイング速度が向上すること
も理解できる。
【００１６】要するに、主出力端２６における電圧波形
３３が図２の矢印方向にシフトすることとなり、入力波
形３１に対する応答速度（又はスルーイング速度）が向
上するのである。
【００１７】尚、上記本発明の実施例においては、Ｎチ
ャネル入力型の比較器に対して説明したが、Ｐチャネル
入力型である場合にも同一な作用を期待でき、また、第
２入力信号をロジックロウレベルに置いて第１入力信号
を図２の入力波形３１のような信号として入力しても同
様であることをこの分野で通常の技術知識をもつものな
らよく理解することができるであろう。
【００１８】
【発明の効果】上述のように、本発明は演算増幅器や比
較器等における回路の待機状態(standby)での電力消耗
を増加させることなく、出力信号のスルーイング速度を
改善できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る回路を示す回路図である。
【図２】本発明に係る回路の動作を説明する電圧波形図
である。
【図３】従来の回路を示す回路図である。
【符号の説明】
８ 補助プルダウントランジスタ ９ 補助プルアップトランジスタ １０ プルアップトランジスタ １１ プルダウントランジスタ １２ プルアップ電流通路 １３ プルダウン電流通路 １４ 共通電流通路 １５ キャパシタ ２５ 補助出力端 ２６ 主出力端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キョウン−ウン ホワン 大韓民国 インチェオン−シティ ナムド ン−グ カンセオク−１−ドン （番地な し） ケウグドン アパート ６−305 (56)参考文献 特開 昭60−70806（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−21607（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−125705（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 差動増幅器と、差動増幅器の出力に従い
    動作して主出力端をプルアップ及びプルダウンするプル
    アップトランジスタ及びプルダウントランジスタと、を
    備えた回路のスルーイング速度を向上させるためのスル
    ーイング速度向上回路であって、電源電圧端にチャネル
    が接続されて差動増幅器の出力により制御される補助プ
    ルアップトランジスタと、接地電圧端にチャネルが接続
    されて差動増幅器の出力により制御される補助プルダウ
    ントランジスタと、補助プルアップトランジスタ及び補
    助プルダウントランジスタの接続点に設けられた補助出
    力端と、補助出力端と主出力端との間を接続する抵抗成
    分を含んでなる共通電流通路と、補助出力端と主出力端
    との間の電位差に応じて主出力端へ電流を流すプルアッ
    プ電流通路と、補助出力端と主出力端との間の電位差に
    応じて主出力端から電流を流すプルダウン電流通路と、
    を備えてなることを特徴とするスルーイング速度向上回
    路。
  2. 【請求項２】 プルアップ電流通路は、補助出力端にゲ
    ートが接続されたＭＯＳトランジスタで構成される請求
    項１記載のスルーイング速度向上回路。
  3. 【請求項３】 プルダウン電流通路は、補助出力端にゲ
    ートが接続されたＭＯＳトランジスタで構成される請求
    項２記載のスルーイング速度向上回路。
  4. 【請求項４】 差動増幅器を有して入力信号の差に基づ
    いた出力信号を発生するようになった回路におけるスル
    ーイング速度を向上させるためのスルーイング速度向上
    回路であって、 差動増幅器の一方の出力により制御され
    て主出力端をプルアップするプルアップトランジスタ
    と、差動増幅器の他方の出力により制御されて主出力端
    をプルダウンするプルダウントランジスタと、差動増幅
    器の一方の出力により制御されて補助出力端をプルアッ
    プする補助プルアップトランジスタと、差動増幅器の他
    方の出力により制御されて補助出力端をプルダウンする
    補助プルダウントランジスタと、補助出力端にゲートが
    接続されると共に電源電圧端と主出力端との間にチャネ
    ルが接続された電流調節プルアップトランジスタと、補
    助出力端にゲートが接続されると共に主出力端と接地電
    圧端との間にチャネルが接続された電流調節プルダウン
    トランジスタと、補助出力端と主出力端との間に接続さ
    れた抵抗と、 を備えてなることを特徴とするスルーイン
    グ速度向上回路。
JP3270871A 1991-07-26 1991-10-18 スルーイング速度向上回路 Expired - Fee Related JPH0738538B2 (ja)

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JPH0555837A JPH0555837A (ja) 1993-03-05
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05312850A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
DE4222170C1 (ja) * 1992-07-06 1993-09-23 Siemens Ag, 80333 Muenchen, De
US5278467A (en) * 1992-07-14 1994-01-11 Intel Corporation Self-biasing input stage for high-speed low-voltage communication
US5488321A (en) * 1993-04-07 1996-01-30 Rambus, Inc. Static high speed comparator
JP3754070B2 (ja) * 1994-02-15 2006-03-08 ラムバス・インコーポレーテッド 遅延ロック・ループ
CN1055845C (zh) * 1995-06-05 2000-08-30 金纪前 跌打活血散
US5614852A (en) * 1995-08-08 1997-03-25 Harris Corp. Wide common mode range comparator and method
SG54327A1 (en) * 1996-04-27 1998-11-16 Motorola Inc Monolithic high voltage driver circuit
US5754131A (en) * 1996-07-01 1998-05-19 General Electric Company Low power delta sigma converter
KR100414264B1 (ko) * 1996-12-20 2004-04-03 엘지전자 주식회사 슬루율가변연산증폭기
US5959481A (en) * 1997-02-18 1999-09-28 Rambus Inc. Bus driver circuit including a slew rate indicator circuit having a one shot circuit
KR19990081272A (ko) * 1998-04-28 1999-11-15 윤종용 액정표시장치 소스 드라이버의 출력 구동회로
US5939870A (en) * 1998-09-17 1999-08-17 Intel Corporation Voltage regulator
US6323683B1 (en) * 1999-08-27 2001-11-27 Cypress Semiconductor Corp. Low distortion logic level translator
US6326819B1 (en) * 1999-11-15 2001-12-04 General Motors Corporation Current buffer for gate drive
US7012465B2 (en) * 2001-08-07 2006-03-14 Qualcomm Incorporated Low-voltage class-AB output stage amplifier
US6414552B1 (en) 2001-11-16 2002-07-02 Dialog Semiconductor Gmbh Operational transconductance amplifier with a non-linear current mirror for improved slew rate
EP1529343A1 (en) * 2002-08-08 2005-05-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit and method for controlling the threshold voltage of transistors
US7301370B1 (en) * 2003-05-22 2007-11-27 Cypress Semiconductor Corporation High-speed differential logic to CMOS translator architecture with low data-dependent jitter and duty cycle distortion
JP4614704B2 (ja) * 2003-07-23 2011-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 差動増幅器及びデータドライバと表示装置
KR100753151B1 (ko) 2005-04-22 2007-08-30 삼성전자주식회사 출력 버퍼용 연산 증폭기 및 이를 이용한 신호 처리 회로
KR100790492B1 (ko) * 2005-07-01 2008-01-02 삼성전자주식회사 슬루 레이트를 제어하는 소스 드라이버 및 그것의 구동방법
CN101005273B (zh) * 2006-01-20 2010-06-23 深圳赛意法微电子有限公司 具有改善的转换速率的差分放大器
KR100792432B1 (ko) * 2006-10-31 2008-01-10 주식회사 하이닉스반도체 출력이 안정적인 연산증폭기.
US7771115B2 (en) * 2007-08-16 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Temperature sensor circuit, device, system, and method
CN102384999B (zh) * 2010-08-30 2015-08-19 深圳艾科创新微电子有限公司 一种高速传输事件检测方法及电路
CN103472882B (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 电子科技大学 集成摆率增强电路的低压差线性稳压器
US20170163226A1 (en) * 2015-12-08 2017-06-08 Skyworks Solutions, Inc. Fast switching power amplifier, low noise amplifier, and radio frequency switch circuits
CN108259007B (zh) * 2017-12-29 2021-06-04 思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司 应用于运放转换速率的增强电路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464588A (en) * 1982-04-01 1984-08-07 National Semiconductor Corporation Temperature stable CMOS voltage reference
JPS6070806A (ja) * 1983-09-28 1985-04-22 Hitachi Ltd 差動増幅回路
US4614882A (en) * 1983-11-22 1986-09-30 Digital Equipment Corporation Bus transceiver including compensation circuit for variations in electrical characteristics of components
JPS6121607A (ja) * 1984-07-10 1986-01-30 Nec Corp 相補型ｍｉｓｆｅｔを用いた演算増幅回路
JPS62125705A (ja) * 1985-11-26 1987-06-08 Nec Corp 演算増幅回路
US4636665A (en) * 1985-12-02 1987-01-13 Motorola, Inc. BIMOS memory sense amplifier
JP2543872B2 (ja) * 1986-08-13 1996-10-16 株式会社東芝 増幅回路
JPH01138813A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Toshiba Corp Ｅｃｌ―ｃｍｏｓレベル変換回路

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