KR930003414A - 반도체 집적 회로 장치 - Google Patents

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세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 집적 회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예의 설명을 위한 어드레스 인버터의 회로도,
제2도는 상기 제1의 실시예에서의 어드레스 인버터를 개략적으로 도시하는 반도체 칩의 평면도,
제3A도는 제2도의 A-A선에서와 확대 단면도,
제3B도는 제2도의 B-B선에서의 확대 단면도,
제3C도는 상기 제1의 실시예에서의 어드레스 인버터 이외의 회로에 사용되는 N채널 MOSFET로 개략적으로 도시하는 반도체 칩의 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 반도체 기판의 표면의 제1영역에 제1게이트 절연막을 거쳐서 설치된 제1게이트 전극 및 상기 반도체 기판의 표면부에 상기 제1게이트 전극 바로밑의 연단부를 포함하고 선택적으로 설치된 제1저농도 불순물 확산층 및 상기 제1게이트 전극 바로밑부에서 가로 방향으로 제1거리 사이를 두고 설치된 제1고농도 불순물 확산층으로 이루는 제1드레인 영역을 갖는 제1N채널 MOSFET를 포함하는 제1회로와, 상기 반도체 기판의 상기 표면의 제2영역에 제2게이트를 거쳐서 설치된 제2게이트 전극 및 상기 반도체 기판의 표면부에 상기 제2게이트 전극 바로밑의 연단부를 포함하고 선택적으로 설치된 제2저농도 불순물 확산층 및 상기 제2게이트 전극 바로밑부에서 가로방향으로 상기 제1처리보다 큰 제2거리 사이를 두어 설치된 제2고농도 불순물 확산층으로 이루는 제2드레인 영역을 갖는 제2N채널 MOSFET를 포함하는 제2회로를 갖는 반도체 집적 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2회로는 외부에서 TTL출력으로서 부여되는 신호를 받아들이는 압력 버퍼인 반도체 집적 회로 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 입력 버퍼는 CMOS 구성의 인버터의 반도체 집적 회로 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 인버터는 반도체 메모리의 어드레스 인버터인 반도체 집적 회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012202A 1991-07-12 1992-07-09 반도체 집적 회로 장치 KR950006985B1 (ko)

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