KR920018582A - 데이타 감지회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

데이타 감지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명을 나타내는 상세회로도.

Claims (5)

  1. 데이타 감지회로에 있어서, 워드선이 선택되면 전압차가 발생되는 비트선 감지증폭수단⑴, 상기 비트선 감지증폭수단⑴에 비트선(BL1, BL2)으로 연결되어 전압차를 전류차로 변환하는 전압/전류 변환수단⑶ 상기 전압,전류 변화수단⑶에 데이타 라인(DL1,DL2)으로 연결되는 전류감지수단⑷, 상기 전류감지수단⑷에 연결된 전류/전압 변화수단⑸으로 구성됨을 특징으로 하는 데이타 감지회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비트선 감지 증폭수단⑴은 워드선(WL)에 게이트단이 연결되고 소오스단은 제1비트선(BL1)에 연결된 FET(N1), 일단은 상기 FET(N1)의 소오스단과 함께 제2비트선(BL1)에 연결되고 타단은 비트선(BL2)에 연결된 비트선 감지 증폭기⑾로 구성됨을 특징으로 하는 데이타 감지회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전압/전류 변화수단⑶은 제1비트선(BL1)에 연결된 제1FET(N7), 상기 제1FET(N7)와 제2비트선에 연결된 제2FET(N8)로 구성됨을 특징으로 하는 데이타 감지회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전류 감지수단⑷은 제1FET(N11), 상기 제1FET(N11)의 드레인 단과 게이트단이 각각 드레인 단과 게이트단에 서로 연결된 제2FET(N12), 상기 제1FET(N11)의 소오스단이 드레인 단에 연결되고 상기 제2FET(N12)의 소오스단이 게이트단에 연결된 제3FET(N9), 상기 제2FET(N12)의 소오스단이 드레인단에 연결되고 상기 제1FET(N12)의 소오스 단이 게이트단에 연결된 제4FET(N10)로 구성됨을 특징으로 하는 데이타 감지회로.
  5. 제 1항에 있어서, 전류/전압 변화수단⑸은 게이트단과 드레인단이 연결된 제1FET(P1), 상기 제1FET(P1)의 게이트단과 소오스단에 각각 게이트단과 소오스단이 서로 연결된 제2FET(P2)의 드레인 단이 상기 제1FET(P1)의 드레인 단에 연결되고 상기 전류 감지수단⑷의 출력일단이 게이트단에 연결된 제3FET(N4) 상기 제2FET(P2)의 드레인단이 드레인단에 연결되고 상기 전류 감지수단⑷의 출력의 다른일단이 게이트단에 연결된 제4FET(N5) 상기 제3 및 4FET(N4,N5)에 연결된 제5FET(N6)로 구성됨을 특징으로 하는 데이타 감지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910003584A 1991-03-06 1991-03-06 데이타 감지회로 KR940003836B1 (ko)

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