KR910017735A - 증폭기 장치 - Google Patents

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KR910017735A
KR910017735A KR1019910004221A KR910004221A KR910017735A KR 910017735 A KR910017735 A KR 910017735A KR 1019910004221 A KR1019910004221 A KR 1019910004221A KR 910004221 A KR910004221 A KR 910004221A KR 910017735 A KR910017735 A KR 910017735A
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KR
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transistor
coupled
main electrode
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shifting circuit
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English (en)
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데 야게르 빌렘
아르옌 데 뵈르 에르제
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

증폭기 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명에 따른 증폭기 장치도, 제 3도는 본 발명에 따른 증폭기 장치의 또다른 실시예도.

Claims (5)

  1. 적어도 제 1의 도전 형태의 제 1 및 제 2의 트랜지스터를 포함하는 차동 쌍과, 전류원에 의해 제 1의 공급 단자에 결합되고 상호 결합되어진 상기 제 1의 트랜지스터의 제 1의 메인 전극 및 상기 제 2의 트랜지스터의 제 1의 메인전극과, 입력 단자에 결합되어진 상기 제 1의 트랜지스터의 제어 전극 및 출력 단자에 결합되어진 상기 제 2의 트랜지스터의 제어 전극과, 적어도 제 2의 도전 형태의 제 3 및 제 4의 트랜지스터를 포함하는 전류 미러와, 공통 단자에의해 제 2의 공급 단자에 결합되고 상호 결합되어진 상기 제 3의 트랜지스터의 제 1의 메인 전극 및 상기 제 4의 트랜지스터의 제 1의 메인 전극과, 상기 제 1의 트랜지스터의 제 2의 메인 전극 전극에 결합되어진 상기 제 3의 트랜지스터의 제 2의 메인 전극 및 상기 제 2의 트랜지스터의 제 2의 메인 전극에 결합되어진 상기 제 4의 트랜지스터의 제 2의 메인 전극과, 적어도 상기 제 1의 도전 형태의 제 5의 트랜지스터를 포함하는 버퍼단과 상기 제 2의 트랜지스터의 상기 제 2의 메인 전극에 결합되어진 상기 제 5의 트랜지스터의 제어 전극과, 상기 출력 단자에 결합되어진 상기 제 5의 트랜지스터의 제 1의 메인 전극 및 상기 제 2의 공급단자에 결합되어진 상기 제 5의 트랜지스터의 제 2의 메인 전극이 갖춰진 증폭기 장치에 있어서, 상기 제 1의 트랜지스터의 상기 제어 전극이 제 1의 레벨 시프팅 회로에 의해 공통 단자에 결합되는 것을 특징으로 하는 증폭기 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 5의 트랜지스터의 제어 전극이 제 2의 레벨 시프팅 회로에 의해 상기 제 2의 트랜지스터의 상기 제 2의 메인 전극에 결합되는 것을 특징으로 하는 증폭기 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1의 레벨 시프팅 회로가 상기 제 2의 도전 형태의 트랜지스터 및 전류원과, 상기 제 1의 레벨 시프팅 회로의 상기 전류원에 의해 상기 제 2의공급 단자와 상기 공통 단자 양자에 결합되어진 상기 제 1의 레벨 시프팅회로의 상기 트랜지스터의 제 1의 메인 전극과, 상기 제 1의 공급 단자에 결합되어진 상기 제 1의 레벨 시프팅 회로의 상기 트랜지스터의 제 2의 메인 전극 및 상기 제 1의 트랜지스터의 상기 제어 전극에 결합되어진 상기 제 1의 레벨 시프팅 회로의 상기 트랜지스터의 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 제 2의 레벨 시프팅 회로가 상기 제 2의 도전 형태의 트랜지스터 및 전류원과, 상기 제 2의 레벨 시프팅 회로의 전류원에 의해 상기 제 2의 공급 단자와 상기 제 5의 트랜지스터의 상기 제어 전극 양자에 결합되어진 상기 제 2의 레벨 시프팅 회로의 상기 트랜지스터의 제 1의 메인 전극과, 상기 제 1의 공급 단자에 결합되어진 상기 제 2의 레벨 시프팅 회로의 상기 트랜지스터의 제 2의 메인 전극 및 상기 제 2의 트랜지스터의 상기 제 2의 메인 전극에 결합되어진 상기 제 2의 레벨 시프팅 회로의 상기 트랜지스터의 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 차동 쌍에 연결된 상기 전류원과 상기 제 2의 레벨 시프팅 회로에 속한 전류원이 실제로 동일한 전류를 발생하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 증폭기 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004221A 1990-03-21 1991-03-18 증폭기 장치 KR0169987B1 (ko)

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NL9000656 1990-03-21

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KR0169987B1 KR0169987B1 (ko) 1999-03-30

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5381106A (en) * 1992-10-28 1995-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Clipper circuitry suitable for signals with fractional-volt amplitudes
US5463339A (en) * 1993-12-29 1995-10-31 International Business Machines Incorporated Amorphous, thin film transistor driver/receiver circuit with hysteresis
US6259316B1 (en) * 1998-05-29 2001-07-10 Texas Instruments Incorporated Low voltage buffer amplifier for high speed sample and hold applications
US6194910B1 (en) 1998-06-24 2001-02-27 Teradyne, Inc. Relayless voltage measurement in automatic test equipment
JP3387859B2 (ja) * 1998-12-15 2003-03-17 日本電気株式会社 ３値スイッチ回路
US20070262766A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Sige Semiconductor Inc. Current mirror for high frequency monolithic integrated circuits
US7629847B1 (en) 2008-03-24 2009-12-08 Atmel Corporation Opposing currents differential amplifier
US8907725B2 (en) * 2012-09-24 2014-12-09 Analog Devices, Inc. Circuit to prevent load-induced non-linearity in operational amplifiers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3619798A (en) * 1969-11-20 1971-11-09 Canadian Patents Dev Three-port electrical network
NL7407953A (nl) * 1974-06-14 1975-12-16 Philips Nv Spanningstroomomzetter.
JPS5824042B2 (ja) * 1978-02-23 1983-05-19 株式会社東芝 電圧フオロワ回路
JPS54137263A (en) * 1978-04-18 1979-10-24 Pioneer Electronic Corp Dc amplifier
JPS564905A (en) * 1979-06-27 1981-01-19 Toshiba Corp Voltage-current converting circuit

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Publication number Publication date
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DE69112104T2 (de) 1996-04-04
JP3162732B2 (ja) 2001-05-08
DE69112104D1 (de) 1995-09-21
EP0448169A1 (en) 1991-09-25
HK109596A (en) 1996-07-05
KR0169987B1 (ko) 1999-03-30
JPH04223602A (ja) 1992-08-13
EP0448169B1 (en) 1995-08-16

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