KR900012422A - Mos 테크놀러지로 집적된 트랜지스터 회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 가변 가능한 MOS 저항기의 실시예의 회로도.
Claims (1)
- 제1 및 제2단자간에 가변 가능한 저항기를 형성하도록 구성되고 제1 및 제2 메인 전극간에 메인 전류 통로와 제어 전극을 각각 갖는 제1 및 제2트랜지스터와, 상기 제1및 제2단자에 각기 결합되어진 제1트랜지스터의 제1 및 제2메인 전극 및, 상기 제1및 제2 단자에 각기 결합되어진 제2 트랜지스터의 제1 및 제2 메인 전극과, 제1 및 제2 메인 전극간에 메인 전류 통로와 제어 전극을 각각 갖는 제3 및 제4 트랜지스터 및 상기 제3 및 제4트랜지스터의메인 전류 통로에 각기 결합된 제어 가능한 제1 및 제2 전류원을 포함하는 MOS-테크놀러지로 집적된 트랜지스터 회로에 있어서, 제3 트랜지스터의 제어 전극이 상기 제3 트랜지스터의 제2 메인 전극과 제1 트랜지스터의 제어 전극에 결합되며, 제4 트랜지스터의 제어 전극이 상기 상기 제4 트랜지스터의 제2메인 전극과 제2트랜지스터의 제어 전극에 결합되며, 제1 트랜지스터의 제1 메인 전극이 상기 제3 트랜지스터의 제1 메인 전극에 결합되고, 제2트랜지스터의 제1 메인 전극이 상기 제4 트랜지스터의 제1 메인 전극에 결합되는 것을 특징으로 하는 MOS 테크놀러지로 집적된 트랜지스터로 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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