JP6316731B2 - 配線基板及びその製造方法、並びに半導体パッケージ - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法、並びに半導体パッケージに関する。

近年、発光素子等の半導体素子を搭載するための配線基板が提案されている。例えば、基板上にパターニングされた配線と、この配線を選択的に露出する絶縁層とを備えた配線部を有する配線基板を挙げることができる。この配線基板では、絶縁層から露出する配線が、半導体素子と電気的に接続される端子となる。

特開２０１３−６５６２１号公報

ところで、発光素子等の半導体素子は動作時に発熱するので、半導体素子の温度が一定以上になることを防止するため、上記配線基板において配線部を接着層を介して放熱板上に配置する場合がある。しかしながら、接着層は配線部を構成する基板の下面（放熱板側の面）としか接着されないため、半導体素子の発熱により高温になったり、非動作時に低温の環境に保存されたりすることを繰り返すと、放熱板と配線部との密着性が低下し、放熱板と配線部とが剥離する問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、放熱板と配線部との密着性を向上させた配線基板等を提供することを課題とする。

本配線基板は、放熱板と、前記放熱板上に設けられた接着層と、前記接着層上に設けられた基板と、前記基板の前記接着層が設けられた面とは反対側の面に設けられた配線と、前記基板を厚さ方向に貫通し、平面視において、前記基板の外縁部から内方に向かって切れ込んだ切れ込み部と、を有し、前記接着層の一部は、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面を被覆していることを要件とする。

開示の技術によれば、放熱板と配線部との密着性を向上させた配線基板等を提供できる。

第１の実施の形態に係る配線基板を例示する図である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。 バスラインの除去について説明する図である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する図である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の製造工程を例示する図である。 第２の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する図である。 第２の実施の形態の変形例１に係る半導体パッケージを例示する図である。 第２の実施の形態の変形例２に係る半導体パッケージを例示する図である。 第２の実施の形態の変形例３に係る半導体パッケージを例示する図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する図であり、図１（ｂ）は平面図、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

図１を参照するに、配線基板１は、大略すると、基板１０と、接着層２０と、配線３１〜３３と、めっき膜４１〜４５と、貫通配線５０と、絶縁層６０と、接着層７０と、放熱板８０とを有する。配線基板１において、基板１０と、接着層２０と、配線３１〜３３と、めっき膜４１〜４５と、貫通配線５０とを備えた部分を配線部と称する場合がある。つまり、配線基板１は、配線部が接着層７０を介して放熱板８０上に配置された構造を有する。但し、接着層２０は付加的な要素であり、必須の構成要素ではない。

なお、本実施の形態では、便宜上、配線基板１の絶縁層６０側を上側又は一方の側、放熱板８０側を下側又は他方の側とする。又、各部位の絶縁層６０側の面を上面又は一方の面、放熱板８０側の面を下面又は他方の面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を基板１０の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基板１０の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。

配線基板１において、基板１０としては、例えば、可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。絶縁樹脂フィルムとしては、例えば、ポリイミド系樹脂製のフィルム（ポリイミドテープ）やエポキシ系樹脂製のフィルム、ポリエステル系樹脂製のフィルム等を用いることができる。但し、基板１０は可撓性を有する絶縁樹脂フィルムには限定されず、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant ４）規格のガラスエポキシ樹脂製の基板等を用いてもよい。基板１０の厚さは、例えば、２５〜７５μｍ程度とすることができる。

接着層２０は、基板１０の一方の面に貼着され、配線３１〜３３を基板１０に接着している。接着層２０としては、例えば、エポキシ系接着剤又はポリイミド系接着剤等の絶縁性樹脂製の耐熱性接着剤を用いることができる。接着層２０の厚さは、例えば、５〜１５μｍ程度とすることができる。

配線３１〜３３は、基板１０の一方の面に接着層２０を介して設けられている、互いに電気的に独立した配線である。配線３１及び３２は、発光素子等の半導体素子の端子と接続される配線である。配線３３は、発光素子等の半導体素子の動作には寄与しない放熱用の配線である。配線３３は、基板１０及び接着層２０を貫通する貫通配線５０の一端と接続されている。

配線３１〜３３に半導体素子を搭載する形態については後述する。なお、配線３１〜３３は、便宜上別符号としているが、後述のように、同一材料を用いて同一工程で形成される。配線３１〜３３を特に区別する必要がない場合には、配線３０と称するものとする。配線３０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線３０の厚さは、例えば、１２〜３５μｍ程度とすることができる。

めっき膜４１〜４３は、配線３１〜３３の上面の絶縁層６０から露出する部分に夫々設けられている。なお、図１（ａ）の断面には表れていないが、配線３１には一方の外部接続端子となる領域が存在し、その領域上にめっき膜４４が設けられている。すなわち、めっき膜４１とめっき膜４４とは導通している。同様に、配線３２には他方の外部接続端子となる領域が存在し、その領域上にめっき膜４５が設けられている。すなわち、めっき膜４２とめっき膜４５とは導通している。めっき膜４１〜４５は、例えば、細長状に形成され、所定の間隔を開けて並置することができる。なお、めっき膜４１〜４５は、便宜上別符号としているが、後述のように、同一材料を用いて同一工程で形成される。めっき膜４１〜４５を特に区別する必要がない場合には、めっき膜４０と称するものとする。

めっき膜４０の材料としては、例えば、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜等を用いることができる。めっき膜４０の材料として、Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜等を用いてもよい。なお、『ＡＡ／ＢＢ膜』は、ＡＡ膜とＢＢ膜とが対象部分にこの順番で積層形成されていることを意味している（３層以上の場合も同様）。

めっき膜４０のうち、Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ａｇ又はＡｇ合金膜の膜厚は、０．１μｍ以上とすることが好ましい。めっき膜４０のうち、Ｐｄ又はＰｄ合金膜の膜厚は、０．００５μｍ以上とすることが好ましい。めっき膜４０のうち、Ｎｉ又はＮｉ合金膜の膜厚は、０．５μｍ以上とすることが好ましい。

貫通配線５０は、放熱用の配線でありサーマルビアとも称される。すなわち、貫通配線５０は、配線基板１に発光素子等の動作時に発熱する素子が搭載された場合に、動作時に発する熱を放熱板８０側に逃がす経路の一部となる部分である。配線３３の基板１０側の面には、基板１０及び接着層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔を充填するように、複数の貫通配線５０が設けられている。配線３３の直下に複数の貫通配線５０（図１の場合には、一例として１２個）を設けることにより、放熱性を向上できる。

貫通配線５０は配線３３と一体に形成されている。貫通配線５０の一端は配線３３と接続されており、他端は基板１０の他方の面から露出している。なお、貫通配線５０の他端は、基板１０の他方の面から突出してもよい。貫通配線５０の平面形状は例えば円形とすることができ、その場合の直径は、例えば、０．５〜１ｍｍ程度とすることができる。但し、特に放熱性を向上させたい場合等には貫通配線５０の直径を１ｍｍ以上としても構わない。なお、貫通配線５０の平面形状は、例えば、楕円形や矩形等としても構わない。貫通配線５０の厚さは、例えば、２５〜７５μｍ程度とすることができる。貫通配線５０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

絶縁層６０は、半導体素子が発光素子である場合に、発光素子の照射する光の反射率及び放熱率を上げるために、配線３０を選択的に露出するように基板１０上に設けられた反射膜である。前述のように、絶縁層６０から露出する配線３０上にめっき膜４０が設けられている。絶縁層６０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、オルガノポリシロキサン等のシリコーン系樹脂に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）等のフィラーや顔料を含有させたものを用いることができる。絶縁層６０の材料として、これらの材料製の白色インクを用いてもよい。

絶縁層６０は、接着層２０の外縁部を露出するように設けると好適である。このように絶縁層６０を設けると、配線基板１の製造工程において、最終的に配線基板１となる複数の領域を同時に作製して最後に個片化（切断）する際に、絶縁層６０を切断しなくて済むため、絶縁層６０周縁の欠けや脱落を防止できる。これにより、絶縁層６０の表面積の減少を防止でき、絶縁層６０の反射率の低下を防止できる。

接着層７０は、放熱板８０上に設けられ、基板１０の他方の面に接して、基板１０と放熱板８０とを接着している。接着層７０は、貫通配線５０から伝達される熱を放熱板８０側に逃がす経路の一部となる部分であるため、熱伝導率の高い材料を用いることが好ましい。接着層７０としては、例えば、アルミナ等のフィラーを含有したエポキシ系接着剤又はポリイミド系接着剤等の絶縁性樹脂製の耐熱性接着剤を用いることができる。接着層７０の厚さは、例えば、２０〜５０μｍ程度とすることができる。

放熱板８０は、基板１０の他方の面に接着層７０によって貼り付けられている。放熱板８０の材料としては、例えば、熱伝導率の良い銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等から作製された金属板を用いることができる。放熱板８０として、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックスやシリコン等の熱伝導率の高い絶縁材料で作製された絶縁板を用いてもよい。放熱板８０の厚さは、例えば、１００〜５００μｍ程度とすることができる。但し、特に放熱性を必要とする場合には、数ｍｍ程度の厚さとしてもよい。

配線基板１には、基板１０を厚さ方向に貫通し、平面視において、基板１０の外縁部から内方に向かって切れ込んだ切れ込み部１ｘが形成されている。切れ込み部１ｘは、基板１０、接着層２０、配線３０、及びめっき膜４０の一部を切断しているため、切れ込み部１ｘの内壁面には、基板１０、接着層２０、配線３０、及びめっき膜４０の夫々の端面が露出している。切れ込み部１ｘの平面形状は例えば矩形状とすることができるが、半円形状や半楕円形状等の他の形状としても構わない。

切れ込み部１ｘ内には、接着層７０の一部が這い上がり、切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆している。図１（ａ）では、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面を被覆しているが、後述の図７（ｂ）に示すように、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面と接着層２０の端面と配線３０の端面を連続的に被覆してもよい。或いは、めっき膜４０の端面まで連続的に被覆してもよい。又、後述の図８に示すように、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面と接着層２０の端面と配線３０の端面とめっき膜４０の端面を連続的に被覆し、更に、配線３０上（この場合は、めっき膜４０の上面）に延在してもよい。

このように、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆することにより、接着層７０が基板１０の他方の面のみと接着される場合に比べて、放熱板８０と配線基板１の配線部との密着力が向上し、両者が剥離するおそれを低減できる。配線基板１が高温環境と低温環境で繰り返し使用されるような場合に、特に効果を奏する。

特に図８に示す場合には、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０、接着層２０、配線３０、及びめっき膜４０の夫々の端面を連続的に被覆して更にめっき膜４０の上面に延在している。つまり、接着層７０が配線基板１の配線部の端面の一部をコの字状に被覆しているため、放熱板８０と配線基板１の配線部との密着力が更に向上し、両者が剥離するおそれをいっそう低減できる。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図８は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程の説明で用いる断面図は、全て図１（ａ）に対応する断面図である。

まず、図２（ａ）に示す工程では、基板１０として例えばリール状（テープ状）のポリイミドフィルム等を準備し、基板１０の一方の面にエポキシ系接着剤等を塗布して接着層２０を形成する。エポキシ系接着剤等の代わりにエポキシ系の接着フィルムを貼着して、接着層２０を形成してもよい。そして、一方の面に接着層２０が形成された基板１０に、基板１０及び接着層２０を貫通する貫通孔１０ｘを形成する。貫通孔１０ｘは、例えば、パンチング処理によって形成できる。なお、基板１０等は配線基板１となる複数の領域を備えているが、各工程の説明では、配線基板１となる複数の領域のうちの１つのみを図示するものとする。

次に、図２（ｂ）に示す工程では、接着層２０上に、最終的にパターニングされて配線３０となる金属層３０Ａを形成し、所定の温度に加熱して接着層２０を硬化させる。金属層３０Ａは、例えば、接着層２０上に銅箔をラミネートすることにより形成できる。金属層３０Ａの厚さは、例えば、１８〜３５μｍ程度とすることができる。その後、図２（ｂ）に示す構造体をウェットエッチング用の溶液（例えば、過酸化水素系の溶液）に含浸させることにより、貫通孔１０ｘ内に露出する金属層３０Ａの下面と、金属層３０Ａの上面のエッチングを行う（所謂ソフトエッチング）。このエッチング処理により、金属層３０Ａの表面に存在する防錆剤を除去すると共に、金属層３０Ａの表面を僅かな厚さ（例えば、０．５〜１μｍ程度）だけ除去する。なお、このエッチング処理は必要に応じて行えばよく、必須の処理ではない。

次に、図２（ｃ）に示す工程では、貫通孔１０ｘ内に金属層３０Ａと接続された貫通配線５０を形成する。具体的には、例えば、まず、金属層３０Ａの上面にマスキングテープを貼り付ける。マスキングテープは、電解めっき法により貫通配線５０を形成する際に、金属層３０Ａの上面側にめっき膜が成長しないようにするために、金属層３０Ａの上面を覆うものである。

そして、マスキングテープを貼り付けた後、金属層３０Ａを給電層とする電解めっき法により貫通配線５０を形成し、マスキングテープを除去する。貫通配線５０は、貫通孔１０ｘ内に露出する金属層３０Ａの下面にめっき金属を析出させて、貫通孔１０ｘ内にめっき金属を充填することにより、柱状に形成する。貫通配線５０は、一端（図中の上端）が金属層３０Ａと接続され、他端（図中の下端）が基板１０の他方の面から露出するように形成する。貫通配線５０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

次に、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程（図３（ｂ）は平面図、図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図）では、金属層３０Ａをパターニングして、配線３１〜３３を形成する。なお、後工程において電解めっき法でめっき膜４０を形成するために、配線３１〜３３を形成すると同時に、配線３１〜３３に接続された電解めっき用のバスライン３１Ｂ〜３３Ｂを形成する。具体的には、例えば、金属層３０Ａ上にレジスト（図示せず）を塗布し、配線３１〜３３及びバスライン３１Ｂ〜３３Ｂのパターンに合わせた露光を行い、レジストに配線３１〜３３及びバスライン３１Ｂ〜３３Ｂのパターンを現像する。そして、レジストを用いてエッチングを行うことにより、配線３１〜３３及びバスライン３１Ｂ〜３３Ｂを形成（パターニング）する。その後、レジストを除去する。

次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程（図４（ｂ）は平面図、図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図）では、配線３０を選択的に露出する（後に、めっき膜４１〜４５を形成する部分を露出する）絶縁層６０（反射膜）を形成する。絶縁層６０としては、前述のように白系の材料を用いることができる。絶縁層６０は、例えば、スクリーン印刷法等により形成できる。絶縁層６０は、配線３０全体を覆うように白色インク等を形成後、ブラスト処理やレーザ加工法等を用いて、めっき膜４１〜４５を形成する部分を露出させることにより形成してもよい。

なお、絶縁層６０は、配線基板１となる各々の領域の接着層２０の外縁部を露出するように形成すると好適である。このようにすると、配線基板１となる各々の領域を個片化（切断）する際に、絶縁層６０を切断しなくて済むため、絶縁層６０周縁の欠けや脱落を防止できるからである。そして、絶縁層６０の表面積の減少を防止でき、絶縁層６０の反射率の低下を防止できるからである。

又、絶縁層６０は、切れ込み部１ｘを形成する部分を露出するように形成すると好適である。上記と同様に、切れ込み部１ｘを形成する際に絶縁層６０を切断しなくて済むため、絶縁層６０周縁の欠けや脱落を防止できるからである。そして、絶縁層６０の表面積の減少を防止でき、絶縁層６０の反射率の低下を防止できるからである。

次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程（図５（ｂ）は平面図、図５（ａ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図）では、配線３０上に電解めっき法でめっき膜４０を形成する。具体的には、例えば、マスキングテープを基板１０の他方の面側に貼り付ける。そして、バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂを含む給電経路により電解めっきを行い、配線３０の絶縁層６０から露出する部分の上面にめっき膜４０（めっき膜４１〜４５）を形成する。その後、マスキングテープを除去する。なお、めっき膜４０の材料や厚さ等は前述のとおりである。

次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す工程（図６（ｂ）は平面図、図６（ａ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図）では、基板１０等を所定位置で切断して個片化する。この工程で、例えば、個々の配線基板１となる部分を矩形状に切断すると、各配線基板１の外周側面にバスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂの端面が露出するため、後工程で放熱板８０を接着した後、放熱板８０との間にリークが発生するおそれが生じる。

そこで、本実施の形態では、バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂに対応する部分に、基板１０等を厚さ方向に貫通し、平面視において、基板１０の外縁部から内方に向かって切れ込んだ切れ込み部１ｘを設ける。これにより、配線３０とバスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂとが切断されて、切れ込み部１ｘの底部（切れ込み部１ｘの内壁面において配線基板１の外周側面から最も離れた面）に、配線３０の端面が露出する。その結果、配線３０の端面と放熱板８０との距離が稼げるため、リークが発生するおそれを低減できる。

なお、配線３１、３２、及び３３とバスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂとは一体に形成されており境界が明確ではない。そこで、ここでは、切れ込み部１ｘの形成により除去される部分をバスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂ、基板１０上に残存する部分を配線３１、３２、及び３３（配線３０）とする。

切れ込み部１ｘの平面形状は矩形状には限定されず、半円状や半楕円状、その他のより複雑な形状としてもよい。基板１０等の切断及び切れ込み部１ｘの形成は、例えば、プレス加工、ＮＣ加工、レーザ加工等により行うことができる。なお、この工程において、平面視において、配線３０上の切れ込み部１ｘの内壁面に沿った領域が絶縁層６０から露出する。具体的には、配線３０上に形成されためっき膜４０の切れ込み部１ｘの内壁面に沿った領域が絶縁層６０から露出する。

次に、図７（ａ）に示す工程では、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す工程で個片化された構造体の基板１０側を、接着層７０を介して、放熱板８０上に固定する。これにより、配線基板１が完成する。具体的には、例えば、放熱板８０上にアルミナ等のフィラーを含有した熱硬化性のエポキシ系接着フィルム等を貼り付けて接着層７０を形成し、接着層７０上に個片化された構造体を配置する。そして、所定の温度に加熱しながら個片化された構造体を放熱板８０側に加圧し、接着層７０を硬化させる。接着層７０は、例えば、スピンコート法により、放熱板８０上に、アルミナ等のフィラーを含有した液状又はペースト状の熱硬化性のエポキシ系樹脂を塗布して形成してもよい。

なお、加圧から硬化までの過程で、切れ込み部１ｘ内に接着層７０の一部が這い上がり、切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆する。図７（ａ）では、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面を被覆しているが、図７（ｂ）のＥ部に示すように、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面と接着層２０の端面と配線３０の端面を連続的に被覆してもよい。或いは、めっき膜４０の端面まで連続的に被覆してもよい。又、図８のＦ部に示すように、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面と接着層２０の端面と配線３０の端面とめっき膜４０の端面を連続的に被覆し、更に、切れ込み部１ｘの周囲の絶縁層６０が形成されていない接着層２０上に延在してもよい。その場合、配線３０上（この場合は、めっき膜４０の上面）に延在してもよい。なお、図８（ｂ）は平面図、図８（ａ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆することの効果については、前述のとおりである。なお、接着層７０の這い上がり量は、放熱板８０上に形成する接着層７０の厚さと加圧条件とにより制御できる。加圧条件とは、例えば、加圧時の温度及び圧力、そして加圧時間である。

このように、第１の実施の形態に係る配線基板１では、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆する。これにより、接着層７０が基板１０の他方の面のみと接着される場合に比べて、放熱板８０と配線基板１の配線部との密着力が向上し、両者が剥離するおそれを低減できる。配線基板１が高温環境と低温環境で繰り返し使用されるような場合に、特に効果を奏する。

又、配線３０の端面は、切れ込み部１ｘの底部（切れ込み部１ｘの内壁面において配線基板１の外周側面から最も離れた面）に露出する。これにより、配線３０の端面と放熱板８０との距離が稼げるため、リークが発生するおそれを低減できる。

但し、図６に示す工程では、図９（ａ）に示すように、バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂの一部が残存するように切れ込み部１ｘを設けた。しかし、図９（ｂ）に示すように、バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂを残存させずに全部除去し、切れ込み部１ｘの底部（切れ込み部１ｘの内壁面において配線基板１の外周側面から最も離れた面）と配線３１、３２、及び３３の端面とを面一にすると更に好ましい。このようにすることで、切れ込み部１ｘの内壁面に露出する配線３０（３１、３２、及び３３）の端面を接着層７０で覆わずに露出させ、配線３０の端面をテスト端子として用いる場合、切れ込み部１ｘの内壁面に露出する配線３０の角部が少なくなり、リークが発生するおそれを低減できる。

又、図９（ｃ）に示すように、バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂを残存させずに全部除去し、切れ込み部１ｘの底部が曲面状になるようにし、更に配線３０の端面よりも内側にえぐるように形成してもよい。このようにすることで、図９（ｂ）の場合と同様に、切れ込み部１ｘの内壁面に露出する配線３０の角部が少なくなり、リークが発生するおそれを低減できる。

なお、図９（ａ）〜図９（ｃ）では、配線３０と切れ込み部１ｘとの位置関係を示すために、他の構成要素の図示を省略している。又、配線３１及び３２のみをテスト端子として用いる場合には、配線３３の部分の切れ込み部１ｘの平面形状が図９（ａ）〜図９（ｃ）の何れであっても効果に影響はない。

又、接着層７０が配線３０の端面を被覆する場合には、配線３０の導電部分が配線部から露出することを回避できるため、リークが発生するおそれをいっそう低減できる。

なお、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する配線３０の端面を被覆しない場合には、配線３０の端面をテスト端子として用いてもよい。例えば、配線基板１に発光素子を実装して発光素子の両端子を配線３１及び３２（めっき膜４１及び４２）と接続し、配線３０の端面にピンを接触させて所定電圧を印加すれば、発光素子の両端子に所定の電位差を与えることができ発光テストを実行できる。又、その際に、外部接続端子となるめっき膜４４及び４５にピンを接触させなくて済むので、めっき膜４４及び４５を傷つけるおそれを排除できる。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態とは絶縁層の形状が異なる配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１０は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する図であり、図１０（ｂ）は平面図、図１０（ａ）は図１０（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１０を参照するに、配線基板１Ａは、絶縁層６０が絶縁層６１に置換された点が配線基板１（図１参照）と相違する。絶縁層６１は、切れ込み部１ｘを埋めるように、めっき膜４０の形成部及び接着層２０の外縁部を除く略全領域に形成されている。なお、絶縁層６１は絶縁層６０とは形状が異なるだけであり、材料等は絶縁層６０と同様とすることができる。絶縁層６１は、例えば、以下のようにして形成できる。

図１１〜図１３は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程の説明で用いる断面図は、全て図１０（ａ）に対応する断面図である。

まず、図１１（ａ）に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様にして、金属層３０Ａをパターニングして、配線３１〜３３と、配線３１〜３３に接続されたバスライン３１Ｂ〜３３Ｂを形成する。

次に、図１１（ｂ）に示す工程では、配線３０上に電解めっき法でめっき膜４０を形成する。具体的には、例えば、配線３０の上面の所定部分（図１０（ａ）及び（ｂ）でめっき膜４０が形成されている部分）を選択的に露出するレジスト膜５１０を接着層２０上に形成する。又、マスキングテープ５２０を基板１０の他方の面側に貼り付ける。そして、バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂを含む給電経路により電解めっきを行い、配線３０のレジスト膜５１０から露出する部分の上面にめっき膜４０を形成する。なお、めっき膜４０の材料や厚さ等は前述のとおりである。次に、図１１（ｃ）に示す工程では、レジスト膜５１０及びマスキングテープ５２０を除去する。

次に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す工程（図１２（ｂ）は平面図、図１２（ａ）は図１２（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図）では、基板１０等を所定位置で切断して個片化する。この際、図６と同様に、基板１０及び接着層２０を貫通する切れ込み部１ｘを設けてバスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂを除去する。配線３０の端面は、切れ込み部１ｘの底部（切れ込み部１ｘの内壁面において配線基板１の外周側面から最も離れた面）に露出する。これにより、配線３０の端面と放熱板８０との距離が稼げるため、リークが発生するおそれを低減できる。なお、切れ込み部１ｘの平面形状は矩形状には限定されず、半円状や半楕円状、その他のより複雑な形状としてもよい。

次に、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す工程（図１３（ｂ）は平面図、図１３（ａ）は図１３（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図）では、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す工程で個片化された構造体の基板１０側を、接着層７０を介して、放熱板８０上に固定する。この際、図７（ａ）に示す工程と同様に、切れ込み部１ｘ内に接着層７０の一部が這い上がり、切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆する。なお、図１３（ａ）では、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面を被覆しているが、図７（ｂ）及び図８と同様の形態で被覆してもよい。

その後、切れ込み部１ｘを埋めるように、めっき膜４０の形成部及び接着層２０の外縁部を除く略全領域に、スクリーン印刷法等により絶縁層６１を形成することで、図１０に示す配線基板１Ａが作製される。第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板１Ａの場合には、第１の実施の形態に係る配線基板１の奏する効果に加えて、更に、以下の効果を奏する。すなわち、切れ込み部１ｘを埋めるように、めっき膜４０の形成部及び接着層２０の外縁部を除く略全領域に絶縁層６１を形成することで、発光素子の照射する光を反射する部分の面積を広くとることが可能となり、発光素子の照射する光の利用効率を向上できる。

〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態とはめっき膜を形成する領域が一部異なる配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１４は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板を例示する断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す配線基板１Ｂ及び１Ｃのように、めっき膜４３を、所定間隔で並置された短冊状の２つのめっき膜４３ａ及び４３ｂに分割してもよい（図１８（ｂ）も参照）。めっき膜４３ａとめっき膜４３ｂとの間には絶縁層６０又は６１が形成されており、両者を分割している。但し、めっき膜４３ａ及び４３ｂは何れも配線３３上に形成されているので、両者は電気的には接続されている。

なお、配線基板１Ｂは、例えば、第１の実施の形態で示した方法で製造でき、配線基板１Ｃは、例えば、第１の実施の形態の変形例１で示した方法で製造できる。

このように、配線基板に搭載される半導体素子（発光素子）に合わせて、めっき膜４３を２つのめっき膜４３ａ及び４３ｂに分割してもよい。

〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、配線の端面及び貫通配線の端面に絶縁膜を形成する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１５は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する図であり、図１５（ｂ）は平面図、図１５（ａ）は図１５（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１５を参照するに、配線基板１Ｄは、切れ込み部１ｘの内壁面側の配線３０の端面、及び接着層７０側の貫通配線５０の端面（他端）に絶縁膜３９が形成されている点が配線基板１（図１参照）と相違する。なお、切れ込み部１ｘの内壁面には、基板１０、接着層２０、絶縁膜３９、及びめっき膜４０の夫々の端面が露出しているが、配線３０の端面は露出していない。

配線３０及び貫通配線５０の材料が銅（Ｃｕ）である場合には、例えば、絶縁膜３９は酸化膜（酸化銅（ＣｕＯ）からなる膜）とすることができる。絶縁膜３９の厚さは、例えば、１〜３０μｍ程度とすることができる。絶縁膜３９は、例えば、以下のようにして形成できる。

図１６は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の製造工程の説明で用いる断面図は、全て図１５（ａ）に対応する断面図である。

まず、第１の実施の形態の図２〜図６に示す工程と同様の工程を実行する。その後、図１６（ａ）に示す工程では、図６に示す構造体の外周側面に露出する配線３０の端面（バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂの端面）、及び、下面に露出する貫通配線５０の端面（他端）に絶縁膜３９を形成する。絶縁膜３９は、例えば、黒化処理や、オーブン等を用いた熱処理等により、形成することができる。配線３０（バスライン３１Ｂ、３２Ｂ、及び３３Ｂ）、及び貫通配線５０の材料が銅（Ｃｕ）である場合には、例えば、絶縁膜３９は酸化膜（酸化銅（ＣｕＯ）からなる膜）とすることができる。絶縁膜３９の厚さは、例えば、１〜３０μｍ程度とすることができる。なお、配線３０のめっき膜４０に被覆されている面には、絶縁膜３９は形成されない。

次に、図１６（ｂ）に示す工程では、図７（ａ）に示す工程と同様にして、図１６（ａ）に示す構造体の基板１０側を、接着層７０を介して、放熱板８０上に固定する。これにより、配線基板１Ｄが完成する。なお、加圧から硬化までの過程で、切れ込み部１ｘ内に接着層７０の一部が這い上がり、切れ込み部１ｘの内壁面の少なくとも一部を被覆する。図１６（ａ）では、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面を被覆しているが、図１６（ｃ）Ｇ部のように、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面と接着層２０の端面と絶縁膜３９の端面を連続的に被覆してもよい。或いは、めっき膜４０の端面まで連続的に被覆してもよい。

又、図８のＦ部と同様に、接着層７０が切れ込み部１ｘの内壁面に露出する基板１０の端面と接着層２０の端面と絶縁膜３９の端面とめっき膜４０の端面を連続的に被覆し、更に、切れ込み部１ｘの周囲の絶縁層６０が形成されていない接着層２０上に延在してもよい。その場合、配線３０上（この場合は、めっき膜４０の上面）に延在してもよい。

このように、配線３０の端面（バスラインの端面）及び貫通配線５０の端面（他端）に絶縁膜３９を形成してもよい。貫通配線５０の端面に絶縁膜３９を形成することにより、貫通配線５０と放熱板８０との絶縁耐性が向上するため、接着層７０を薄くすることができ、配線基板１Ｄ全体の薄型化が可能となる。又、配線３０の端面に絶縁膜３９を形成することにより、コロナ放電等に対する絶縁耐性を向上できる。

又、貫通配線５０の端面を直接接着層７０で被覆する場合と比較して、貫通配線５０の端面を絶縁膜３９を介して接着層７０で被覆する場合の方が、貫通配線５０と接着層７０との密着性を向上できる。又、配線３０の端面を直接接着層７０で被覆する場合と比較して、配線３０の端面を絶縁膜３９を介して接着層７０で被覆する場合の方が、配線３０の端面と接着層７０との密着性を向上できる。

なお、配線基板１Ｄを、切れ込み部１ｘの内壁面側の配線３０の端面、接着層７０側の貫通配線５０の端面（他端）の何れか一方のみに絶縁膜３９を形成した構造としてもよい。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態等で示した配線基板に半導体素子（発光素子）を搭載した半導体パッケージの例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１７は、第２の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する図であり、図１７（ｂ）は平面図、図１７（ａ）は図１７（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１７（ｂ）において、便宜上、半導体素子１２０を梨地模様で示している。図１７を参照するに、半導体パッケージ１００は、配線基板１（図１参照）と、半導体素子１２０と、はんだ１３０と、封止樹脂１４０とを有する。半導体素子１２０は、配線基板１の配線３３の絶縁層６０から露出する面上に搭載されている。具体的には、半導体素子１２０は、はんだ１３０を介して、配線基板１上にフェイスダウン状態でフリップチップ実装され、封止樹脂１４０により封止されている。封止樹脂１４０としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系等の絶縁性樹脂に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。なお、図１７の例では、３個の半導体素子１２０が配線基板１上に並列に実装されているが、実装する半導体素子１２０の個数は任意とすることができる。

半導体素子１２０としては、例えば、下面（配線基板１と対向する面）の一端側にアノード端子（図示せず）、他端側にカソード端子（図示せず）が形成された発光素子であるＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いることができる。但し、発光素子はＬＥＤには限定されず、例えば、面発光型レーザ等を用いてもよい。ここでは、半導体素子１２０がＬＥＤであるとして、以降の説明を行う。

ＬＥＤである半導体素子１２０のアノード端子及びカソード端子の一方は、例えば、はんだ１３０を介して、配線基板１のめっき膜４１と接続されている。又、半導体素子１２０のアノード端子及びカソード端子の他方は、例えば、はんだ１３０を介して、配線基板１のめっき膜４２と接続されている。又、半導体素子１２０の下面の中央部近傍には放熱用端子（図示せず）が設けられており、放熱用端子は、はんだ１３０を介して、配線基板１のめっき膜４３と接続されている。

配線基板１のめっき膜４４及び４５を、例えば、半導体パッケージ１００の外部に配置される電源や駆動回路等に接続し、半導体素子１２０のカソード端子とアノード端子との間に所定の電位差を与えることにより、半導体素子１２０が発光する。半導体素子１２０は、発光時に発熱する。半導体素子１２０の発した熱は、めっき膜４３及び配線３３を介して貫通配線５０に伝わり、更に、接着層７０を経由して放熱板８０に伝わり、放熱板８０により放熱される。半導体素子１２０の放熱用端子の下側には複数の貫通配線５０が設けられているので、半導体素子１２０の発した熱を効率よく放熱板８０に伝達することができる。

〈第２の実施の形態の変形例１〉
第２の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態等で示した配線基板に半導体素子（発光素子）を搭載した半導体パッケージの他の例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１８は、第２の実施の形態の変形例１に係る半導体パッケージを例示する図であり、図１８（ｂ）は平面図、図１８（ａ）は図１８（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１８（ｂ）において、便宜上、半導体素子１２０を梨地模様で示している。図１８を参照するに、半導体パッケージ１００Ａは、配線基板１（図１参照）と、半導体モジュール１１０とを有する。なお、図１８の例では、４個の半導体モジュール１１０が配線基板１上に並列に実装されているが、実装する半導体モジュール１１０の個数は任意とすることができる。

半導体モジュール１１０において、基板１５０には配線１６０が形成されている。配線１６０は半導体素子１２０と電気的に接続される２つの電気接続用端子と、半導体素子１２０とは電気的に接続されず半導体素子搭載部となる放熱用端子とを有する。放熱用端子の上面にはＬＥＤである半導体素子１２０がフェイスアップ状態で実装されている。又、配線１６０の２つの電気接続用端子の上面は、半導体素子１２０のアノード端子及びカソード端子（図示せず）とボンディングワイヤ１８０を介して夫々接続されている。基板１５０の上面外縁部には、半導体素子１２０が発した光を反射するリフレクタ１７０が搭載されている。又、リフレクタ１７０の内側には、半導体素子１２０を封止する封止樹脂１４０が設けられている。

配線１６０の２つの電気接続用端子の下面は基板１５０の下面から露出しており、はんだ１３０を介して、夫々配線基板１のめっき膜４１及び４２と接続されている。配線１６０の放熱用端子の下面は基板１５０の下面から露出しており、はんだ１３０を介して、配線基板１のめっき膜４３と接続されている。

配線基板１のめっき膜４４及び４５を、例えば、半導体パッケージ１００Ａの外部に配置される電源や駆動回路等に接続し、半導体素子１２０のカソード端子とアノード端子との間に所定の電位差を与えることにより、半導体素子１２０が発光する。半導体素子１２０は、発光時に発熱する。半導体素子１２０の発した熱は、配線１６０の放熱用端子、めっき膜４３、及び配線３３を介して貫通配線５０に伝わり、更に、接着層７０を経由して放熱板８０に伝わり、放熱板８０により放熱される。半導体モジュール１１０の放熱用端子の下側には複数の貫通配線５０が設けられているので、半導体素子１２０の発した熱を効率よく放熱板８０に伝達することができる。

〈第２の実施の形態の変形例２〉
第２の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態等で示した配線基板に半導体素子（発光素子）を搭載した半導体パッケージの他の例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１９は、第２の実施の形態の変形例２に係る半導体パッケージを例示する図であり、図１９（ｂ）は平面図、図１９（ａ）は図１９（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１９（ｂ）において、便宜上、半導体素子１２０を梨地模様で示している。図１９を参照するに、半導体パッケージ１００Ｂにおいて、配線基板１（図１参照）のめっき膜４３上には、ダイアタッチフィルム等の接着層１９０を介して複数の半導体素子１２０がフェイスアップ状態で実装されている。各半導体素子１２０は、封止樹脂１４０により封止されている。なお、図１９の例では、配線基板１上に１２個の半導体素子１２０が実装されているが、実装する半導体素子１２０の個数は任意とすることができる。

めっき膜４３の短手方向（めっき膜４１〜４５が配列された方向）には２つの半導体素子１２０がボンディングワイヤ１８０を介して直列に接続されている。例えば、めっき膜４３の短手方向に配置された一方の半導体素子１２０のアノード端子と他方の半導体素子１２０のカソード端子とがボンディングワイヤ１８０を介して接続されている。そして、例えば、一方の半導体素子１２０のカソード端子がボンディングワイヤ１８０を介してめっき膜４１に接続され、他方の半導体素子１２０のアノード端子がボンディングワイヤ１８０を介してめっき膜４２に接続されている。又、めっき膜４３の短手方向に直接に接続された２つの半導体素子１２０の組が、めっき膜４３の長手方向に６組並列に接続されている。

配線基板１のめっき膜４４及び４５を、例えば、半導体パッケージ１００Ｂの外部に配置される電源や駆動回路等に接続し、半導体素子１２０のカソード端子とアノード端子との間に所定の電位差を与えることにより、半導体素子１２０が発光する。半導体素子１２０は、発光時に発熱する。半導体素子１２０の発した熱は、めっき膜４３及び配線３３を介して貫通配線５０に伝わり、更に、接着層７０を経由して放熱板８０に伝わり、放熱板８０により放熱される。半導体素子１２０が搭載された配線３３の下側には複数の貫通配線５０が設けられているので、半導体素子１２０の発した熱を効率よく放熱板８０に伝達することができる。

〈第２の実施の形態の変形例３〉
第２の実施の形態の変形例３では、第１の実施の形態等で示した配線基板に半導体素子（発光素子）を搭載した半導体パッケージの他の例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２０は、第２の実施の形態の変形例３に係る半導体パッケージを例示する図であり、図２０（ｂ）は平面図、図２０（ａ）は図２０（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図２０（ｂ）において、便宜上、半導体素子１２０を梨地模様で示している。図２０を参照するに、半導体パッケージ１００Ｃにおいて、配線基板１Ｂ（図１４参照）のめっき膜４１及び４３ａ上、並びにめっき膜４２及び４３ｂ上には、はんだ１３０を介して複数の半導体素子１２０がフェイスダウン状態でフリップチップ実装されている。各半導体素子１２０は、封止樹脂１４０により封止されている。なお、図２０の例では、配線基板１Ｂ上に８個の半導体素子１２０が実装されているが、実装する半導体素子１２０の個数は任意とすることができる。

めっき膜４１及び４３ａ上には４個の半導体素子１２０が並列に接続されている。又、めっき膜４２及び４３ｂ上には４個の半導体素子１２０が並列に接続されている。そして、めっき膜４１及び４３ａ上の４個の半導体素子１２０と、めっき膜４２及び４３ｂ上の４個の半導体素子１２０とは直列に接続されている。例えば、めっき膜４１及び４３ａ上の各半導体素子１２０のアノード端子がめっき膜４１に接続され、カソード端子がめっき膜４３ａ接続されている。例えば、めっき膜４２及び４３ｂ上の各半導体素子１２０のアノード端子がめっき膜４３ｂに接続され、カソード端子がめっき膜４２接続されている。

配線基板１Ｂのめっき膜４４及び４５を、例えば、半導体パッケージ１００Ｃの外部に配置される電源や駆動回路等に接続し、半導体素子１２０のカソード端子とアノード端子との間に所定の電位差を与えることにより、半導体素子１２０が発光する。半導体素子１２０は、発光時に発熱する。半導体素子１２０の発した熱は、めっき膜４３及び配線３３を介して貫通配線５０に伝わり、更に、接着層７０を経由して放熱板８０に伝わり、放熱板８０により放熱される。半導体素子１２０が搭載された配線３３の下側には複数の貫通配線５０が設けられているので、半導体素子１２０の発した熱を効率よく放熱板８０に伝達することができる。

以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、基板１０に接着層２０を介して金属層３０Ａを貼り付ける代わりに、以下のようにしてもよい。すなわち、ポリイミド系樹脂製のフィルム（ポリイミドテープ）等である基板１０を準備し、無電解めっき法やスパッタ法、電解めっき法等を用いて、基板１０の一方の面に銅（Ｃｕ）等からなる金属層を直接形成する（接着層２０は設けない）。形成された金属層が金属層３０Ａの代わりとなり、金属層３０Ａと同様の機能を発揮する。この場合、貫通孔１０ｘは、レーザ加工法等で基板１０のみに形成する。つまり、貫通孔１０ｘの一方の側は基板１０上に形成された金属層で塞がれる。

又、他の例として、銅箔等の金属箔上にポリイミド等の絶縁樹脂を塗布して基板１０を作製してもよい。この場合も、貫通孔１０ｘは、レーザ加工法等で基板１０のみに形成する。つまり、貫通孔１０ｘの一方の側は基板１０上に形成された金属箔で塞がれる。

１ １Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 配線基板
１ｘ 切れ込み部
１０、１５０ 基板
１０ｘ 貫通孔
２０、７０、１９０ 接着層
３０Ａ 金属層
３１〜３３ 配線
３１Ｂ〜３３Ｂ バスライン
３９ 絶縁膜
４１〜４５、４３ａ、４３ｂ めっき膜
５０ 貫通配線
６０、６１ 絶縁層
８０ 放熱板
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ 半導体パッケージ
１１０ 半導体モジュール
１２０ 半導体素子
１３０ はんだ
１４０ 封止樹脂
１６０ 配線
１７０ リフレクタ
１８０ ボンディングワイヤ

Claims (17)

1. 放熱板と、
   前記放熱板上に設けられた接着層と、
   前記接着層上に設けられた基板と、
   前記基板の前記接着層が設けられた面とは反対側の面に設けられた配線と、
   前記基板を厚さ方向に貫通し、平面視において、前記基板の外縁部から内方に向かって切れ込んだ切れ込み部と、を有し、
   前記接着層の一部は、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面を被覆している配線基板。
2. 前記切れ込み部の内壁面には前記配線の端面が露出し、
   前記接着層は、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面と前記配線の端面を連続的に被覆している請求項１記載の配線基板。
3. 前記接着層は、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面と前記配線の端面を連続的に被覆し、更に、前記基板上に延在している請求項２記載の配線基板。
4. 前記切れ込み部の内壁面側の前記配線の端面に絶縁膜が形成され、
   前記切れ込み部の内壁面には前記絶縁膜の端面が露出している請求項１記載の配線基板。
5. 前記接着層は、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面と前記絶縁膜の端面を連続的に被覆している請求項４記載の配線基板。
6. 前記接着層は、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面と前記絶縁膜の端面を連続的に被覆し、更に、前記基板上に延在している請求項５記載の配線基板。
7. 前記基板上に設けられ、前記配線を選択的に露出する反射膜、を有し、
   前記反射膜は、平面視において、前記基板の前記切れ込み部の内壁面に沿った領域を露出し、
   前記接着層は、前記領域に延在している請求項３又は６記載の配線基板。
8. 前記基板上に設けられ、前記配線を選択的に露出する反射膜、を有し、
   前記反射膜は、前記切れ込み部を埋めるように設けられている請求項３又は６記載の配線基板。
9. 前記配線の前記基板側の面に接し、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通配線が設けられた請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板。
10. 前記接着層側の前記貫通配線の端面に絶縁膜が形成されている請求項９記載の配線基板。
11. 請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板と、
    前記配線基板に搭載された半導体素子又は半導体素子を含むモジュールと、を有する半導体パッケージ。
12. 一方の面に配線が形成された基板を用意する工程と、
    前記基板を厚さ方向に貫通し、平面視において、前記基板の外縁部から内方に向かって切れ込んだ切れ込み部を形成する工程と、
    前記基板を、接着層を介して放熱板上に固定する工程と、を有し、
    前記放熱板上に固定する工程では、前記基板の一方の面とは反対側の面と前記放熱板との間に前記接着層が配置されると共に、前記接着層の一部が、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面を被覆する配線基板の製造方法。
13. 前記切れ込み部を形成する工程では、前記切れ込み部の内壁面に前記配線の端面が露出し、
    前記放熱板上に固定する工程では、前記接着層が、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面と前記配線の端面を連続的に被覆する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
14. 前記放熱板上に固定する工程では、前記接着層が、前記切れ込み部の内壁面に露出する前記基板の端面と前記配線の端面を連続的に被覆し、更に、前記基板上に延在する請求項１３記載の配線基板の製造方法。
15. 前記切れ込み部を形成する工程よりも前に、前記配線を選択的に露出する反射膜を形成する工程を有し、
    前記切れ込み部を形成する工程では、平面視において、前記基板上の前記切れ込み部の内壁面に沿った領域が前記反射膜から露出し、
    前記接着層が、前記領域に延在する請求項１４記載の配線基板の製造方法。
16. 前記放熱板上に固定する工程よりも後に、前記配線を選択的に露出する反射膜を形成する工程を有し、
    前記反射膜は前記切れ込み部を埋めるように形成される請求項１４記載の配線基板の製造方法。
17. 前記一方の面に配線が形成された基板を用意する工程では、前記一方の面に形成した金属層をパターニングして前記配線を形成すると共に、前記配線に接続された電解めっき用のバスラインを形成し、
    前記切れ込み部を形成する工程では、前記配線と前記バスラインとが切断されて、前記切れ込み部の内壁面に前記配線の端面が露出する請求項１３乃至１６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。

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