KR890008835A - 메모리 장치 - Google Patents
메모리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890008835A KR890008835A KR1019880014199A KR880014199A KR890008835A KR 890008835 A KR890008835 A KR 890008835A KR 1019880014199 A KR1019880014199 A KR 1019880014199A KR 880014199 A KR880014199 A KR 880014199A KR 890008835 A KR890008835 A KR 890008835A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- memory device
- bit line
- pmos transistor
- low level
- level
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 메모리 장치의 한 예를 나타내는 요부 회로도.
제2도는 그 동작을 설명하기 위한 파형도.
Claims (1)
- 메모리 셀이 적어도 2개의 NMOS 트랜지스터로 형성되고 비트선과 그 비트선을 종단하는 부하를 포함하여 그 부하가 가변 저항으로 형성된 메모리 장치에 있어서, 상기 가변 저항은 PMOS 트랜지스터로 형성되고 그 PMOS 트랜지스터 게이트 전위가 데이타의 독출시에는 저레벨로, 데이타 기입시에는 저 레벨과 고 레벨간의 중간 레벨로, 각각 제어되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299084A JPH01140491A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | メモリ装置 |
| JP299084 | 1987-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890008835A true KR890008835A (ko) | 1989-07-12 |
| KR0168831B1 KR0168831B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=17867971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880014199A KR0168831B1 (ko) | 1987-11-27 | 1988-10-31 | 메모리 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140491A (ko) |
| KR (1) | KR0168831B1 (ko) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750554B2 (ja) * | 1985-09-06 | 1995-05-31 | 株式会社東芝 | スタテイツク型メモリ |
| JPS61227288A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH0823995B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1996-03-06 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JPS62200595A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-04 | Sony Corp | メモリ装置 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62299084A patent/JPH01140491A/ja active Pending
-
1988
- 1988-10-31 KR KR1019880014199A patent/KR0168831B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01140491A (ja) | 1989-06-01 |
| KR0168831B1 (ko) | 1999-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR870011616A (ko) | 센스 앰프 | |
| KR880004479A (ko) | 다이나믹형 반도체기억장치 | |
| KR880011809A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
| KR900019039A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR860004409A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR870007509A (ko) | 집적회로에서의 버퍼회로 | |
| KR870008320A (ko) | 상이형 메모리셀로 구성되는 반도체 메모리장치 | |
| KR900002558A (ko) | 출력회로 | |
| KR900002323A (ko) | 메모리 셀의 센스앰프 구동회로 | |
| KR860003551A (ko) | 기 억 회 로 | |
| KR860008562A (ko) | 비트선 구동기 및 트랜지스터 조합체 | |
| KR870002589A (ko) | 센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치 | |
| KR910006994A (ko) | 센스 앰프회로 | |
| KR890013769A (ko) | 중간전위생성회로 | |
| KR880014574A (ko) | 기준 셋팅회로 | |
| KR900000906A (ko) | 메모리장치의 센스 앰프 분할 제어회로 | |
| KR860009418A (ko) | 반도체 메모리 장치의 디코오더 회로 | |
| KR900008520A (ko) | 불휘발성 메모리 | |
| KR900019041A (ko) | 반도체 메모리 | |
| KR870007511A (ko) | 데이타 판독회로 | |
| KR940026953A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| KR880004484A (ko) | 메모리 셀회로 | |
| KR890008835A (ko) | 메모리 장치 | |
| KR900005442A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR850004690A (ko) | 펄스 발신 회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050930 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |