KR20230038249A - 극자외선 마스크 흡수체 재료들 - Google Patents

극자외선 마스크 흡수체 재료들 Download PDF

Info

Publication number
KR20230038249A
KR20230038249A KR1020237004782A KR20237004782A KR20230038249A KR 20230038249 A KR20230038249 A KR 20230038249A KR 1020237004782 A KR1020237004782 A KR 1020237004782A KR 20237004782 A KR20237004782 A KR 20237004782A KR 20230038249 A KR20230038249 A KR 20230038249A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alloy
layer
ruthenium
antimony
iridium
Prior art date
Application number
KR1020237004782A
Other languages
English (en)
Inventor
슈웨이 리우
시유 리우
비부 진달
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20230038249A publication Critical patent/KR20230038249A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

극자외선(EUV) 마스크 블랭크, 그 제조 방법들 및 그 생산 시스템들이 개시되어 있다. EUV 마스크 블랭크들은 기판; 기판 상의 반사 층들의 다층 스택; 및 탄탈럼과 이리듐 또는 루테늄과 안티몬을 포함하는 흡수체 층을 포함한다.

Description

극자외선 마스크 흡수체 재료들
[0001] 본 개시내용은 일반적으로 극자외선 리소그래피(extreme ultraviolet lithography), 보다 상세하게는 탄탈럼 및 이리듐 또는 루테늄 및 안티몬을 포함하는 흡수체(absorber)를 갖는 극자외선 마스크 블랭크(extreme ultraviolet mask blank)들, 및 제조 방법들에 관한 것이다.
[0002] 연성 x-선 투영 리소그래피로도 알려진 극자외선(EUV) 리소그래피는 0.0135 마이크로미터 이하의 최소 피쳐 크기 반도체 디바이스들의 제조에 사용된다. 그러나, 일반적으로 5 내지 100 나노미터 파장 범위인 극자외선 광은 사실상 모든 재료들에 강하게 흡수된다. 그러한 이유로, 극자외선 시스템들은 광의 투과보다는 반사에 의해 작동한다. 비반사 흡수체 마스크 패턴으로 코팅된 일련의 미러들 또는 렌즈 요소들, 및 반사 요소 또는 마스크 블랭크의 사용을 통해, 패터닝된 활성광이 레지스트 코팅된 반도체 기판 상에 반사된다.
[0003] 극자외선 리소그래피 시스템들의 렌즈 요소들 및 마스크 블랭크들은 몰리브덴 및 실리콘과 같은 재료들의 반사 다층 코팅들로 코팅된다. 극히 좁은 자외선 통과대역, 예를 들어 13.5 나노미터 자외선 광의 경우에 12.5 내지 14.5 나노미터 통과대역 내의 광을 강하게 반사하는 다층 코팅들로 코팅된 기판들을 사용함으로써, 렌즈 요소 또는 마스크 블랭크당 약 65%의 반사 값들이 얻어졌다.
[0004] 도 1은 마스킹되지 않은 부분들에서 브래그 간섭(Bragg interference)에 의해 EUV 방사선을 반사하는 반사 다층 스택(12)을 기판(14) 상에 포함하는 EUV 마스크 블랭크로 형성되는 종래의 EUV 반사 마스크(10)를 도시한다. 종래의 EUV 반사 마스크(10)의 마스킹된(비반사) 영역들(16)은 버퍼 층(18) 및 흡수 층(20)을 에칭함으로써 형성된다. 흡수 층은 전형적으로 51 ㎚ 내지 77 ㎚ 범위의 두께를 갖는다. 캡핑 층(capping layer)(22)은 반사 다층 스택(12) 위에 형성되고, 에칭 프로세스 동안에 반사 다층 스택(12)을 보호한다. 하기에서 추가로 논의되는 바와 같이, EUV 마스크 블랭크들은 다층들, 캡핑 층 및 흡수 층으로 코팅된 저열팽창 재료 기판 상에 제조되고, 이는 다음에 마스킹된(비반사) 영역들(16) 및 반사 영역들(24)을 제공하도록 에칭된다.
[0005] 국제 반도체 기술 로드맵(International Technology Roadmap for Semiconductors; ITRS)은 노드의 오버레이 요건을 기술의 최소 하프-피치 피쳐 크기의 일정 백분율로 지정하고 있다. 모든 반사 리소그래피 시스템들에 고유한 이미지 배치 및 오버레이 에러에 대한 영향으로 인해, EUV 반사 마스크들은 향후 생산을 위해 보다 정밀한 평탄도 규격들을 준수할 필요가 있을 것이다. 추가적으로, EUV 블랭크들은 블랭크의 작업 영역 상의 결함들에 대해 매우 낮은 허용오차를 갖는다. 또한, 흡수 층의 역할이 광을 흡수하는 것이지만, 흡수체 층의 굴절률과 진공의 굴절률(n=1) 사이의 차이로 인한 위상 시프트 효과도 존재하며, 이러한 위상 시프트는 3D 마스크 효과들을 설명한다. 3D 마스크 효과들을 완화시키기 위한 보다 얇은 흡수체를 갖는 EUV 마스크 블랭크들을 제공할 필요성이 있다.
[0006] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 극자외선(EUV) 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것이며, 그 방법은, EUV 방사선을 반사하는 다층 스택을 기판 상에 형성하는 단계 ― 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―; 및 다층 스택 상에 흡수체 층을 형성하는 단계 ― 흡수체 층은 탄탈럼과 이리듐의 합금; 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택됨 ― 를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 추가적인 실시예들은 EUV 마스크 블랭크에 관한 것이며, 이 EUV 마스크 블랭크는, 기판; EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ― 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―; 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층; 및 탄탈럼과 이리듐의 합금 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택된 흡수체 층을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 위에 기재된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 특정한 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이 실시예들의 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 종래의 흡수체를 이용하는 배경기술의 EUV 반사 마스크를 개략적으로 예시한다.
[0010] 도 2는 극자외선 리소그래피 시스템의 실시예를 개략적으로 예시한다.
[0011] 도 3은 극자외선 반사 요소 생산 시스템의 실시예를 예시한다.
[0012] 도 4는 EUV 마스크 블랭크와 같은 극자외선 반사 요소의 실시예를 예시한다.
[0013] 도 5는 EUV 마스크 블랭크와 같은 극자외선 반사 요소의 실시예를 예시한다.
[0014] 도 6은 다중-캐소드 물리 증착 챔버의 실시예를 예시한다.
[0015] 본 개시내용의 여러가지 예시적인 실시예들을 설명하기 전에, 본 개시내용이 다음의 설명에 기재되는 구성 또는 프로세스 단계들의 세부사항들로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하며, 다양한 방식들로 실시되거나 수행될 수 있다.
[0016] 본원에 사용된 바와 같은 용어 "수평"은 그 배향에 관계없이 마스크 블랭크의 평면 또는 표면에 평행한 평면으로 정의된다. 용어 "수직"은 방금 정의된 바와 같은 수평에 수직인 방향을 지칭한다. "위", "아래", "하단", "상단", ("측벽"에서와 같이) "측면", "더 높은", "하부", "상부", "위에" 및 "아래에"와 같은 용어들은 도면들에 도시된 바와 같이 수평면에 대해 정의된다.
[0017] 당업자는 프로세싱 영역들을 설명하기 위한 "제1" 및 "제2"와 같은 서수들의 사용이 프로세싱 챔버 내의 특정 위치 또는 프로세싱 챔버 내의 노출 순서를 시사하지 않는다는 것을 이해할 것이다.
[0018] 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "기판"이라는 용어는 프로세스가 작용하는 표면 또는 표면의 일부를 지칭한다. 또한, 기판에 대한 언급은 맥락이 명백하게 달리 지시하지 않는 한, 기판의 일부만을 또한 지칭한다고 당업자들에 의해 이해될 것이다. 추가로, 기판 상의 증착에 대한 언급은 베어(bare) 기판, 및 하나 이상의 막들 또는 피처들이 상부에 증착 또는 형성된 기판 모두를 의미한다.
[0019] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 막 코팅 또는 층과 관련하여 용어 "상에"는 층이 표면, 예를 들어 기판 표면 바로 위에 있는 것뿐만 아니라, 층과 표면, 예를 들어 기판 표면 사이에 하나 이상의 하부층들이 있는 것을 포함한다. 따라서, 하나 이상의 실시예들에서, 문구 "기판 표면 상에"는 하나 이상의 하부층들을 포함하는 것으로 의도된다. 다른 실시예들에서, 문구 "바로 위에"는 개재 층들 없이 표면, 예를 들어 기판 표면과 접촉하는 층 또는 막을 지칭한다. 따라서, 문구 "기판 표면 바로 위의 층"은 그 사이에 층들이 없이 기판 표면과 직접 접촉하는 층을 지칭한다.
[0020] 이제 도 2를 참조하면, 극자외선 리소그래피 시스템(100)의 예시적인 실시예가 도시되어 있다. 극자외선 리소그래피 시스템(100)은 극자외선 광(112)을 생성하기 위한 극자외선 광원(102), 반사 요소들의 세트 및 타깃 웨이퍼(110)를 포함한다. 반사 요소들은 집광기(condenser)(104), EUV 반사 마스크(106), 광학 축소 조립체(108), 마스크 블랭크, 미러, 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0021] 극자외선 광원(102)은 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광(112)은 5 내지 50 나노미터(㎚) 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 예를 들어, 극자외선 광원(102)은 레이저, 레이저 생성 플라즈마, 방전 생성 플라즈마, 자유 전자 레이저, 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation), 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0022] 극자외선 광원(102)은 다양한 특성들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광원(102)은 다양한 파장들에 걸쳐 광대역 극자외선 방사선을 생성한다. 예를 들어, 극자외선 광원(102)은 5 내지 50 ㎚ 범위의 파장들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 광원(102)은 좁은 대역폭을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 예를 들어, 극자외선 광원(102)은 13.5 ㎚의 극자외선 광(112)을 생성한다. 파장 피크의 중심은 13.5 ㎚이다.
[0023] 집광기(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 집속하기 위한 광학 유닛이다. 집광기(104)는 극자외선 광원(102)으로부터의 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시켜서 EUV 반사 마스크(106)를 조명한다.
[0024] 집광기(104)가 단일 요소로서 도시되어 있지만, 집광기(104)는 일부 실시예들에서 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시키기 위해 오목 미러들, 볼록 미러들, 평면 미러들, 또는 이들의 조합과 같은 하나 이상의 반사 요소들을 포함하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 집광기(104)는 일부 실시예들에서 단일 오목 미러이거나, 볼록, 오목 및 평면 광학 요소들을 갖는 광학 조립체이다.
[0025] EUV 반사 마스크(106)는 마스크 패턴(114)을 갖는 극자외선 반사 요소이다. EUV 반사 마스크(106)는 타깃 웨이퍼(110) 상에 형성될 회로 레이아웃을 형성하기 위한 리소그래피 패턴을 생성한다. EUV 반사 마스크(106)는 극자외선 광(112)을 반사한다. 마스크 패턴(114)은 회로 레이아웃의 일부를 한정한다.
[0026] 광학 축소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지를 축소하기 위한 광학 유닛이다. EUV 반사 마스크(106)로부터의 극자외선 광(112)의 반사는 광학 축소 조립체(108)에 의해 축소되고, 타깃 웨이퍼(110) 상으로 반사된다. 광학 축소 조립체(108)는 일부 실시예들에서 마스크 패턴(114)의 이미지의 크기를 축소시키기 위한 미러들 및 다른 광학 요소들을 포함한다. 예를 들어, 광학 축소 조립체(108)는 일부 실시예들에서 극자외선 광(112)을 반사 및 집속하기 위한 오목 미러들을 포함한다.
[0027] 광학 축소 조립체(108)는 타깃 웨이퍼(110) 상의 마스크 패턴(114)의 이미지의 크기를 축소시킨다. 예를 들어, 마스크 패턴(114)은 일부 실시예들에서 타깃 웨이퍼(110) 상의 광학 축소 조립체(108)에 의해 4:1 비율로 이미징되어 타깃 웨이퍼(110) 상의 마스크 패턴(114)에 의해 표현되는 회로를 형성한다. 극자외선 광(112)은 일부 실시예들에서 EUV 반사 마스크(106)를 타깃 웨이퍼(110)와 동기적으로 스캐닝하여 타깃 웨이퍼(110) 상에 마스크 패턴(114)을 형성한다.
[0028] 이제 도 3을 참조하면, 극자외선 반사 요소 생산 시스템(200)의 실시예가 도시되어 있다. 극자외선 반사 요소는 EUV 마스크 블랭크(204), 극자외선 미러(205), 또는 EUV 반사 마스크(106)와 같은 다른 반사 요소를 포함한다.
[0029] 극자외선 반사 요소 생산 시스템(200)은 일부 실시예들에서 마스크 블랭크들, 미러들, 또는 도 2의 극자외선 광(112)을 반사하는 다른 요소들을 생산한다. 극자외선 반사 요소 생산 시스템(200)은 소스 기판들(203)에 얇은 코팅들을 적용함으로써 반사 요소들을 제조한다.
[0030] EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2의 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위한 다층 구조물이다. EUV 마스크 블랭크(204)는 일부 실시예들에서 반도체 제조 기법들을 사용하여 형성된다. EUV 반사 마스크(106)는 일부 실시예들에서 에칭 및 다른 프로세스들에 의해 EUV 마스크 블랭크(204) 상에 형성되는 도 2의 마스크 패턴(114)을 갖는다.
[0031] 극자외선 미러(205)는 다양한 극자외선 광을 반사하는 다층 구조물이다. 극자외선 미러(205)는 일부 실시예들에서 반도체 제조 기법들을 사용하여 형성된다. EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 일부 실시예들에서 각각의 요소 상에 형성되는 층들에 대해 유사한 구조물들이지만, 극자외선 미러(205)는 마스크 패턴(114)을 갖지 않는다.
[0032] 반사 요소들은 극자외선 광(112)의 효율적인 반사기들이다. 실시예에서, EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 60% 초과의 극자외선 반사율을 갖는다. 반사 요소들은 60% 초과의 극자외선 광(112)을 반사하는 경우에 효율적이다.
[0033] 극자외선 반사 요소 생산 시스템(200)은 소스 기판들(203)이 로딩되고 반사 요소들이 언로딩되는 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)을 포함한다. 대기 핸들링 시스템(206)은 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)에 대한 접근을 제공한다. 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)은 일부 실시예들에서 기판 이송 박스들, 로드록(loadlock)들, 및 대기로부터 시스템 내부의 진공으로 기판을 이송하기 위한 다른 구성요소들을 포함한다. EUV 마스크 블랭크(204)는 매우 작은 스케일의 디바이스들을 형성하는 데 사용되기 때문에, 소스 기판(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)는 오염 및 다른 결함들을 방지하기 위해 진공 시스템에서 프로세싱된다.
[0034] 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 일부 실시예들에서 2 개의 진공 챔버들, 즉 제1 진공 챔버(210) 및 제2 진공 챔버(212)를 포함한다. 제1 진공 챔버(210)는 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)을 포함하고, 제2 진공 챔버(212)는 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)을 포함한다. 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)가 2 개의 진공 챔버들을 갖는 것으로 설명되지만, 시스템은 일부 실시예들에서 임의의 수의 진공 챔버들을 갖는 것으로 이해된다.
[0035] 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 일부 실시예들에서 다양한 다른 시스템들의 부착을 위해 그 주변부 주위에 복수의 포트들을 갖는다. 제1 진공 챔버(210)는 탈가스 시스템(218), 제1 물리 기상 증착 시스템(220), 제2 물리 기상 증착 시스템(222) 및 사전-세정 시스템(224)을 갖는다. 탈가스 시스템(218)은 기판들로부터 수분을 열적으로 탈착하기 위한 것이다. 사전-세정 시스템(224)은 웨이퍼들, 마스크 블랭크들, 미러들, 또는 다른 광학 구성요소들의 표면들을 세정하기 위한 것이다.
[0036] 제1 물리 기상 증착 시스템(220) 및 제2 물리 기상 증착 시스템(222)과 같은 물리 기상 증착 시스템들은 일부 실시예들에서 소스 기판들(203) 상에 전도성 재료들의 박막들을 형성하는 데 사용된다. 예를 들어, 물리 기상 증착 시스템들은 일부 실시예들에서 마그네트론(magnetron) 스퍼터링 시스템들, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition), 캐소드 아크 증착(cathode arc deposition), 또는 이들의 조합과 같은 진공 증착 시스템을 포함한다. 마그네트론 스퍼터링 시스템과 같은 물리 기상 증착 시스템들은 실리콘, 금속들, 합금들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 포함하는 얇은 층들을 소스 기판(203) 상에 형성한다.
[0037] 물리 기상 증착 시스템은 반사 층들, 캡핑 층들 및 흡수체 층들을 형성한다. 예를 들어, 물리 기상 증착 시스템들은 일부 실시예들에서 실리콘, 몰리브덴, 산화티타늄, 이산화티타늄, 산화루테늄, 산화니오븀, 이리듐, 산화이리듐, 루테늄 텅스텐, 루테늄 몰리브덴, 루테늄 니오븀, 크롬, 안티몬, 철, 구리, 붕소, 니켈, 비스무트(bismuth), 텔루륨, 하프늄, 탄탈럼, 질화물들, 화합물들 또는 이들의 조합의 층들을 형성한다. 일부 화합물들은 산화물로서 기술되지만, 화합물들은 일부 실시예들에서 산화물들, 이산화물들, 산소 원자들을 갖는 원자 혼합물들, 또는 이들의 조합을 포함하는 것으로 이해된다.
[0038] 제2 진공 챔버(212)는 그에 연결된 제1 다중-캐소드 소스(226), 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초평활(ultra-smooth) 증착 챔버(232)를 갖는다. 예를 들어, 화학 기상 증착 시스템(228)은 일부 실시예들에서 유동성 화학 기상 증착 시스템(FCVD), 플라즈마 보조 화학 기상 증착 시스템(CVD), 에어로졸 보조 CVD, 핫 필라멘트 CVD 시스템(hot filament CVD system), 또는 유사한 시스템을 포함한다. 다른 예에서, 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초평활 증착 챔버(232)는 일부 실시예들에서 극자외선 반사 요소 생산 시스템(200)과 별도의 시스템에 있다.
[0039] 화학 기상 증착 시스템(228)은 일부 실시예들에서 소스 기판들(203) 상에 재료의 박막들을 형성한다. 예를 들어, 화학 기상 증착 시스템(228)은 일부 실시예들에서 단결정 층들, 다결정 층들, 비정질 층들, 에피택셜 층(epitaxial layer)들, 또는 이들의 조합을 포함하는 재료 층들을 소스 기판(203) 상에 형성하는 데 사용된다. 화학 기상 증착 시스템(228)은 일부 실시예들에서 실리콘, 실리콘 산화물들, 실리콘 산탄화물, 탄탈럼, 텔루륨, 안티몬, 이리듐, 하프늄, 철, 구리, 붕소, 니켈, 텅스텐, 비스무트 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물, 티타늄 질화물, 금속들, 합금들, 및 화학 기상 증착에 적합한 다른 재료들의 층들을 형성한다. 예를 들어, 화학 기상 증착 시스템은 일부 실시예들에서 평탄화 층들을 형성한다.
[0040] 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)은 대기 핸들링 시스템(206)과 제1 진공 챔버(210)의 주변부 주위의 다양한 시스템들 사이에서 연속적인 진공에서 소스 기판들(203)을 이동시킬 수 있다. 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)은 연속적인 진공에서 소스 기판들(203)을 유지하면서 소스 기판들(203)을 제2 진공 챔버(212) 주위로 이동시킬 수 있다. 극자외선 반사 요소 생산 시스템(200)은 일부 실시예들에서 연속적인 진공에서 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)과 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216) 사이에서 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)를 이송한다.
[0041] 이제 도 4를 참조하면, 극자외선 반사 요소(302)의 실시예가 도시되어 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 반사 요소(302)는 도 3의 EUV 마스크 블랭크(204) 또는 도 3의 극자외선 미러(205)이다. EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 도 2의 극자외선 광(112)을 반사시키기 위한 구조물들이다. EUV 마스크 블랭크(204)는 일부 실시예들에서 도 2에 도시된 EUV 반사 마스크(106)를 형성하는 데 사용된다.
[0042] 극자외선 반사 요소(302)는 기판(304), 반사 층들의 다층 스택(306) 및 캡핑 층(308)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 미러(205)는 도 2의 집광기(104) 또는 도 2의 광학 축소 조립체(108)에서 사용하기 위한 반사 구조물들을 형성하는 데 사용된다.
[0043] 일부 실시예들에서 EUV 마스크 블랭크(204)인 극자외선 반사 요소(302)는 기판(304), 반사 층들의 다층 스택(306), 캡핑 층(308) 및 흡수체 층(310)을 포함한다. 극자외선 반사 요소(302)는 일부 실시예들에서 필요한 회로의 레이아웃으로 흡수체 층(310)을 패터닝함으로써 도 2의 EUV 반사 마스크(106)를 형성하는 데 사용되는 EUV 마스크 블랭크(204)이다.
[0044] 하기의 섹션들에서는, EUV 마스크 블랭크(204)에 대한 용어는 단순화를 위해 극자외선 미러(205)의 용어와 상호 교환 가능하게 사용된다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2의 마스크 패턴(114)을 형성하는 것에 부가하여 흡수체 층(310)이 추가된 극자외선 미러(205)의 구성요소들을 포함한다.
[0045] EUV 마스크 블랭크(204)는 마스크 패턴(114)을 갖는 EUV 반사 마스크(106)를 형성하는 데 사용되는 광학적으로 편평한 구조물이다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)의 반사면은 도 2의 극자외선 광(112)과 같은 입사광을 반사시키기 위한 편평한 초점면을 형성한다.
[0046] 기판(304)은 극자외선 반사 요소(302)에 구조적 지지를 제공하기 위한 요소이다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(304)은 온도 변화들 동안에 안정성을 제공하기 위해 낮은 열팽창 계수(CTE)를 갖는 재료로 제조된다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(304)은 기계적 사이클링, 열적 사이클링, 결정 형성, 또는 이들의 조합에 대한 안정성과 같은 특성들을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에 따른 기판(304)은 실리콘, 유리, 산화물들, 세라믹, 유리 세라믹, 또는 이들의 조합과 같은 재료로 형성된다.
[0047] 다층 스택(306)은 극자외선 광(112)을 반사하는 구조물이다. 다층 스택(306)은 제1 반사 층(312)과 제2 반사 층(314)의 교번하는 반사 층들을 포함한다.
[0048] 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 도 4의 반사 쌍(316)을 형성한다. 비제한적인 실시예에서, 다층 스택(306)은 총 120 개 이하의 반사 층들에 대해 20 개 내지 60 개 범위의 반사 쌍들(316)을 포함한다.
[0049] 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 일부 실시예들에서 다양한 재료들로 형성된다. 실시예에서, 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 각각 실리콘 및 몰리브덴으로 형성된다. 층들은 실리콘 및 몰리브덴으로 도시되어 있지만, 교번 층들은 일부 실시예들에서 다른 재료들로 형성되거나 다른 내부 구조들을 갖는 것으로 이해된다.
[0050] 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 일부 실시예들에서 다양한 구조들을 갖는다. 실시예에서, 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314) 모두는 단일 층, 다중 층들, 분할 층 구조, 불균일한 구조들, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0051] 대부분의 재료들은 극자외선 파장들의 광을 흡수하기 때문에, 사용되는 광학 요소들은 다른 리소그래피 시스템들에서 사용되는 바와 같이 투과형 대신 반사형이다. 다층 스택(306)은 브래그 반사기 또는 미러를 생성하기 위해 상이한 광학 특성들을 갖는 재료들의 교번하는 얇은 층들을 가짐으로써 반사 구조물을 형성한다.
[0052] 실시예에서, 교번 층들 각각은 극자외선 광(112)에 대해 상이한 광학 상수들을 갖는다. 교번 층들은 교번 층들의 두께의 주기가 극자외선 광(112)의 파장의 1/2인 경우에 공명 반사율을 제공한다. 실시예에서, 13 ㎚의 파장의 극자외선 광(112)의 경우, 교번 층들은 두께가 약 6.5 ㎚이다. 제공된 크기들 및 치수들은 전형적인 요소들에 대한 통상 엔지니어링 허용오차들 이내에 있는 것으로 이해된다.
[0053] 다층 스택(306)은 일부 실시예들에서 다양한 방식들로 형성된다. 실시예에서, 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합에 의해 형성된다.
[0054] 예시적인 실시예에서, 다층 스택(306)은 마그네트론 스퍼터링과 같은 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성된다. 실시예에서, 다층 스택(306)의 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 정밀한 두께, 낮은 거칠기 및 층들 사이의 청정한 계면들을 포함하는, 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 특성들을 갖는다. 실시예에서, 다층 스택(306)의 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 정밀한 두께, 낮은 거칠기 및 층들 사이의 청정한 계면들을 포함하는, 물리 기상 증착에 의해 형성되는 특성들을 갖는다.
[0055] 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성된 다층 스택(306)의 층들의 물리적 치수들은 일부 실시예들에서 반사율을 증가시키도록 정밀하게 제어된다. 실시예에서, 실리콘 층과 같은 제1 반사 층(312)은 4.1 ㎚의 두께를 갖는다. 몰리브덴 층과 같은 제2 반사 층(314)은 2.8 ㎚의 두께를 갖는다. 층들의 두께는 극자외선 반사 요소의 피크 반사율 파장을 좌우한다. 층들의 두께가 정확하지 않은 경우, 원하는 파장 13.5 ㎚에서의 반사율은 일부 실시예들에서 감소된다.
[0056] 실시예에서, 다층 스택(306)은 60% 초과의 반사율을 갖는다. 실시예에서, 물리 기상 증착을 사용하여 형성된 다층 스택(306)은 66% 내지 67% 범위의 반사율을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 보다 경질의 재료들로 형성된 다층 스택(306) 위에 캡핑 층(308)을 형성하는 것은 반사율을 향상시킨다. 일부 실시예들에서, 70% 초과의 반사율은 낮은 거칠기 층들, 층들 사이의 청정한 계면들, 개선된 층 재료들, 또는 이들의 조합을 사용하여 달성된다.
[0057] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 극자외선 광(112)의 투과를 허용하는 보호 층이다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 다층 스택(306) 상에 직접 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 오염물질들 및 기계적 손상으로부터 다층 스택(306)을 보호한다. 일 실시예에서, 다층 스택(306)은 산소, 탄탈럼, 하이드로탄탈럼들, 또는 이들의 조합에 의한 오염물질에 민감하다. 실시예에 따른 캡핑 층(308)은 오염물질들과 상호작용하여 오염물질들을 중화시킨다.
[0058] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 극자외선 광(112)에 투명한 광학적으로 균일한 구조물이다. 극자외선 광(112)은 캡핑 층(308)을 통과하여 다층 스택(306)에서 반사된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 1% 내지 2%의 총 반사율 손실을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 상이한 재료들 각각은 두께에 따라 상이한 반사율 손실을 갖지만, 이들 모두는 1% 내지 2% 범위에 있을 것이다.
[0059] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 평활한 표면을 갖는다. 예를 들어, 캡핑 층(308)의 표면은 일부 실시예들에서 0.2 ㎚ RMS(제곱 평균 제곱근 척도) 미만의 거칠기를 갖는다. 다른 예에서, 캡핑 층(308)의 표면은 1/100 ㎚ 및 1/1 ㎛ 범위의 길이에 대해 0.08 ㎚ RMS의 거칠기를 갖는다. RMS 거칠기는 측정되는 범위에 따라 달라질 것이다. 100 ㎚ 내지 1 마이크로미터의 특정 범위에 대해, 거칠기는 0.08 ㎚ 이하이다. 더 큰 범위에 걸쳐, 거칠기가 더 높아질 것이다.
[0060] 캡핑 층(308)은 일부 실시예들에서 다양한 방법들로 형성된다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 이온 빔 증착, 전자 빔 증착, 무선 주파수(RF) 스퍼터링, 원자층 증착(ALD), 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합에 의해 다층 스택(306) 상에 형성되거나 다층 스택(306) 상에 직접 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 청정한 계면들을 포함하는, 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 물리적 특성들을 갖는다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 청정한 계면들을 포함하는, 물리 기상 증착에 의해 형성되는 물리적 특성들을 갖는다.
[0061] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 세정 동안에 침식에 저항하기에 충분한 경도를 갖는 다양한 재료들로 형성된다. 일 실시예에서, 루테늄은 양호한 에칭 스톱(etch stop)이고 작동 조건들 하에서 비교적 불활성이기 때문에 캡핑 층 재료로서 사용된다. 그러나, 다른 재료들이 일부 실시예들에서 캡핑 층(308)을 형성하는 데 사용되는 것으로 이해된다. 특정 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 2.5 내지 5.0 ㎚ 범위의 두께를 갖는다.
[0062] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)을 흡수하는 층이다. 실시예에서, 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)을 반사하지 않는 영역들을 제공함으로써 EUV 반사 마스크(106) 상에 패턴을 형성하는 데 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층(310)은 약 13.5 ㎚와 같은 극자외선 광(112)의 특정 주파수에 대해 높은 흡수 계수를 갖는 재료를 포함한다. 실시예에서, 흡수체 층(310)은 캡핑 층(308) 상에 직접 형성되고, 흡수체 층(310)은 EUV 반사 마스크(106)의 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 에칭된다.
[0063] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 극자외선 미러(205)와 같은 극자외선 반사 요소(302)는 기판(304), 다층 스택(306) 및 캡핑 층(308)으로 형성된다. 극자외선 미러(205)는 광학적으로 편평한 표면을 가지며, 일부 실시예들에서 극자외선 광(112)을 효율적이고 균일하게 반사한다.
[0064] 하나 이상의 실시예들에 따르면, EUV 마스크 블랭크(204)와 같은 극자외선 반사 요소(302)는 기판(304), 다층 스택(306), 캡핑 층(308) 및 흡수체 층(310)으로 형성된다. 마스크 블랭크(204)는 광학적으로 편평한 표면을 가지며, 일부 실시예들에서 극자외선 광(112)을 효율적이고 균일하게 반사한다. 실시예에서, 마스크 패턴(114)은 EUV 마스크 블랭크(204)의 흡수체 층(310)으로 형성된다.
[0065] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 캡핑 층(308) 위에 흡수체 층(310)을 형성하는 것은 EUV 반사 마스크(106)의 신뢰성을 증가시킨다. 캡핑 층(308)은 흡수체 층(310)에 대한 에칭 스톱 층으로서 작용한다. 도 2의 마스크 패턴(114)이 흡수체 층(310) 내로 에칭되는 경우, 흡수체 층(310) 아래의 캡핑 층(308)은 에칭 작용을 정지시켜서 다층 스택(306)을 보호한다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 캡핑 층(308)에 대해 에칭 선택적이다. 일부 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 루테늄을 포함하고, 흡수체 층(310)은 루테늄에 대해 에칭 선택적이다.
[0066] 실시예에서, 흡수체 층(310)은 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금을 포함한다. 일부 실시예들에서, 흡수체는 약 100 ㎚ 미만의 두께를 갖는다. 흡수체 층이 탄탈럼과 이리듐의 합금을 포함하는 일부 실시예들에서, 흡수체 층은 약 60 ㎚ 미만, 약 55 ㎚ 미만, 약 50 ㎚ 미만, 약 45 ㎚ 미만, 약 40 ㎚ 미만, 또는 약 35 ㎚ 미만을 포함하여, 약 65 ㎚ 미만의 두께를 갖는다. 다른 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 약 1 ㎚ 내지 약 60 ㎚, 1 ㎚ 내지 약 55 ㎚, 및 15 ㎚ 내지 약 50 ㎚의 범위를 포함하여, 약 0.5 ㎚ 내지 약 65 ㎚ 범위의 두께를 갖는다. 흡수체 층이 루테늄과 안티몬의 합금을 포함하는 일부 실시예들에서, 흡수체 층은 약 90 ㎚ 미만, 약 80 ㎚ 미만, 약 70 ㎚ 미만, 약 60 ㎚ 미만, 약 50 ㎚ 미만, 약 40 ㎚ 미만, 약 35 ㎚ 미만, 약 30 ㎚ 미만, 약 25 ㎚ 미만, 약 20 ㎚ 미만, 약 15 ㎚ 미만, 약 10 ㎚ 미만 ㎚, 약 5 ㎚ 미만, 약 1 ㎚ 미만, 또는 약 0.5 ㎚ 미만을 포함하며, 약 100 ㎚ 미만의 두께를 갖는다. 흡수체 층이 루테늄과 안티몬의 합금을 포함하는 다른 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 약 2 ㎚ 내지 약 90 ㎚, 약 2 ㎚ 내지 약 85 ㎚, 10 ㎚ 내지 약 80 ㎚, 및 15 ㎚ 내지 약 80 ㎚ 범위를 포함하여, 약 1 ㎚ 내지 약 95 ㎚ 범위의 두께를 갖는다.
[0067] 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금을 포함하는 흡수체들의 시뮬레이션 테스트는 TaN 흡수체에 비해 더 양호한 리소그래피 성능을 보여주었다. 본원에 설명된 합금 흡수체들은 TaN 흡수체에 비해 더 양호한 초점 심도(depth of focus; DOF), 정규화 이미지 로그 기울기(normalized image log slope; NILS) 및 텔레센트리시티 에러(telecentricity error; TCE)를 나타냈다.
[0068] 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 탄탈럼 및 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 이리듐을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 탄탈럼 및 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 이리듐을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 34 중량% 내지 약 66 중량%의 탄탈럼 및 약 34 중량% 내지 약 66 중량%의 이리듐을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 단일상(single phase) 합금이다.
[0069] 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 루테늄 및 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 안티몬을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 루테늄 및 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 안티몬을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 루테늄 및 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 안티몬을 포함한다. 특정 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 20 중량% 내지 약 80 중량%의 루테늄 및 약 20 중량% 내지 약 80 중량%의 안티몬을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 단일상 합금이다.
[0070] 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금은 도펀트를 포함한다. 도펀트는 질소 또는 산소 중 하나 이상으로부터 선택될 수 있다. 실시예에서, 도펀트는 산소를 포함한다. 대안적인 실시예에서, 도펀트는 질소를 포함한다. 실시예에서, 도펀트는 합금의 중량을 기준으로 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 범위의 양으로 합금에 존재한다. 다른 실시예들에서, 도펀트는 약 0.1 중량%, 0.2 중량%, 0.3 중량%, 0.4 중량%, 0.5 중량%, 0.6 중량%, 0.7 중량%. 0.8 중량%, 0.9 중량%, 1.0 중량%, 1.1 중량%, 1.2 중량%, 1.3 중량%, 1.4 중량%, 1.5 중량%, 1.6 중량%, 1.7 중량%, 1.8 중량%, 1.9 중량%, 2.0 중량%, 2.1 중량%, 2.2 중량%, 2.3 중량%, 2.4 중량%, 2.5 중량%, 2.6 중량%, 2.7 중량%, 2.8 중량%, 2.9 중량%, 3.0 중량%, 3.1 중량%, 3.2 중량%, 3.3 중량%, 3.4 중량%, 3.5 중량%, 3.6 중량%, 3.7 중량%, 3.8 중량%, 3.9 중량%, 4.0 중량%, 4.1 중량%, 4.2 중량%, 4.3 중량%, 4.4 중량%, 4.5 중량%, 4.6 중량%, 4.7 중량%, 4.8 중량%, 4.9 중량%, 또는 5.0 중량%의 양으로 합금에 존재한다.
[0071] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은 물리 증착 챔버에서 형성된 동시-스퍼터링(co-sputter)된 합금 흡수체 재료이고, 이는 일부 실시예들에서 훨씬 더 얇은 흡수체 층 두께(30 ㎚ 미만)를 제공하면서, 2% 미만의 반사율 및 적합한 에칭 특성들을 달성한다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들에 의해 동시-스퍼터링된다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)에 의해 동시-스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물에 의한 동시-스퍼터링은 탄탈럼의 산화물 및/또는 이리듐의 산화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 산화물 및/또는 안티몬의 산화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물에 의한 동시-스퍼터링은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)에 의해 동시-스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물에 의한 동시-스퍼터링은 탄탈럼의 질화물 및/또는 이리듐의 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 질화물 및/또는 안티몬의 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물에 의한 동시-스퍼터링은 탄탈럼 또는 이리듐의 질화물을 형성하지 않거나, 또는 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 질화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)에 의해 동시-스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물에 의한 동시-스퍼터링은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물 및/또는 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물 및/또는 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물에 의한 동시-스퍼터링은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 에칭 특성들 및/또는 다른 특성들은 일부 실시예들에서 위에서 논의된 바와 같이 합금 백분율(들)을 제어함으로써 규격에 맞추어진다. 실시예에서, 합금 백분율(들)은 일부 실시예들에서 물리 기상 증착 챔버의 전압, 압력, 유동 등과 같은 작동 파라미터들에 의해 정밀하게 제어된다. 실시예에서, 재료 특성을 추가로 변경하기 위해 프로세스 가스가 사용되며, 예를 들어 탄탈럼 및 이리듐의 질화물들을 형성하거나 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 및 안티몬의 질화물들을 형성하기 위해 N2 가스가 사용된다.
[0072] 하나 이상의 실시예들에서, 본원에 사용된 바와 같이, "동시-스퍼터링"은 2 개의 타깃들, 즉 탄탈럼을 포함하는 하나의 타깃 및 이리듐을 포함하는 제2 타깃, 또는 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄을 포함하는 하나의 타깃 및 안티몬을 포함하는 제2 타깃이 탄탈럼과 이리듐의 합금 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택된 흡수체 층을 증착/형성하기 위해 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2)로부터 선택된 하나 이상의 가스를 사용하여 동시에 스퍼터링되는 것을 의미한다.
[0073] 다른 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 또는 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트(laminate)로서 층별로 증착된다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 또는 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼의 산화물 및/또는 이리듐의 산화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 및/또는 안티몬의 산화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들, 또는 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼의 질화물 및/또는 이리듐의 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 질화물 및/또는 안티몬의 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 질화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 또는 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 루테늄의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 이리듐의 산화물 및/또는 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 안티몬의 산화물 및/또는 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄 및 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않는다.
[0074] 다른 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 비합금 또는 루테늄과 안티몬의 비합금은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 또는 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 흡수체 층의 비합금은 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 또는 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼의 산화물 및/또는 이리듐의 산화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬의 경우, 루테늄 및/또는 안티몬의 산화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 비합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들, 또는 루테늄과 안티몬의 경우, 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼의 질화물 및/또는 이리듐의 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬의 경우, 루테늄의 질화물 및/또는 안티몬의 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 질화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 비합금은 일부 실시예들에서 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)을 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 또는 루테늄 및 안티몬 층들의 라미네이트로서 층별로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 루테늄의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 이리듐의 산화물 및/또는 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬의 경우, 루테늄의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 안티몬의 산화물 및/또는 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용하는 층별 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄 및 안티몬의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않는다.
[0075] 하나 이상의 실시예들에서, 본원에 설명된 합금 조성들의 벌크(bulk) 타깃들은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 통상 스퍼터링에 의해 제조될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 스퍼터링되어 흡수체 층을 형성한다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용하는 벌크 타깃 증착은 탄탈럼의 산화물 및/또는 이리듐의 산화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 및 안티몬의 산화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용하는 벌크 타깃 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용하는 벌크 타깃 증착은 탄탈럼의 질화물 및/또는 이리듐의 질화물을 형성하거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 질화물 및/또는 안티몬의 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용하는 벌크 타깃 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 질화물을 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 일부 실시예들에서 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용하는 벌크 타깃 증착은 탄탈럼의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 이리듐의 산화물 및/또는 질화물을 형성하거나, 루테늄 및 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 산화물 및/또는 질화물 및/또는 안티몬의 질화물을 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용하는 벌크 타깃 증착은 탄탈럼 또는 이리듐의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않거나, 루테늄 및 안티몬 합금의 경우, 루테늄 또는 안티몬의 산화물 또는 질화물을 형성하지 않는다. 일부 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금은 0.1 중량% 내지 5 중량% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑된다.
[0076] 일부 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크는 제1 흡수체 재료를 포함하는 제1 캐소드, 제2 흡수체 재료를 포함하는 제2 캐소드, 제3 흡수체 재료를 포함하는 제3 캐소드, 제4 흡수체 재료를 포함하는 제4 캐소드, 및 제5 흡수체 재료를 포함하는 제5 캐소드를 갖는 물리 증착 챔버에서 제조되며, 제1 흡수체 재료, 제2 흡수체 재료, 제3 흡수체 재료, 제4 흡수체 재료 및 제5 흡수체 재료는 서로 상이하고, 흡수체 재료들 각각은 다른 흡수체 재료들과 상이한 흡광 계수를 갖고, 흡수체 재료들 각각은 다른 흡수체 재료들과 상이한 굴절률을 갖는다.
[0077] 이제 도 5를 참조하면, 극자외선 마스크 블랭크(400)는 기판(414), 기판(414) 상의 반사 층들(412)의 다층 스택을 포함하는 것으로 도시되어 있으며, 반사 층들(412)의 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 복수의 반사 층 쌍들은 몰리브덴(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택된 재료로 제조된다. 일부 실시예들에서, 복수의 반사 층 쌍들은 몰리브덴과 실리콘의 교번 층들을 포함한다. 극자외선 마스크 블랭크(400)는 반사 층들(412)의 다층 스택 상에 캡핑 층(422)을 더 포함하고, 캡핑 층(422) 상에 흡수체 층들의 다층 스택(420)이 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 복수의 반사 층들(412)은 몰리브덴(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택되고, 캡핑 층(422)은 루테늄을 포함한다.
[0078] 흡수체 층들의 다층 스택(420)은 복수의 흡수체 층 쌍들(420a, 420b, 420c, 420d, 420e, 420f)을 포함하며, 각각의 쌍(420a/420b, 420c/420d, 420e/420f)은 탄탈럼과 이리듐의 합금; 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택된다.
[0079] 일 예에서, 흡수체 층(420a)은 탄탈럼으로 제조되고, 흡수체 층(420b)을 형성하는 재료는 이리듐이다. 마찬가지로, 흡수체 층(420c)은 탄탈럼으로 제조되고, 흡수체 층(420d)을 형성하는 재료는 이리듐이며, 흡수체 층(420e)은 탄탈럼 재료로 제조되고, 흡수체 층(420f)을 형성하는 재료는 이리듐이다. 다른 예에서, 흡수체 층(420a)은 루테늄으로 제조되고, 흡수체 층(420b)을 형성하는 재료는 안티몬이다. 마찬가지로, 흡수체 층(420c)은 루테늄으로 제조되고, 흡수체 층(420d)을 형성하는 재료는 안티몬이며, 흡수체 층(420e)은 루테늄 재료로 제조되고, 흡수체 층(420f)을 형성하는 재료는 안티몬이다.
[0080] 실시예에서, 흡수체 층(310)은 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금으로 제조된다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 탄탈럼 및 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 이리듐을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 탄탈럼 및 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 이리듐을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 34 중량% 내지 약 66 중량%의 탄탈럼 및 약 34 중량% 내지 약 66 중량%의 이리듐을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼과 이리듐의 합금은 단일상 합금이다.
[0081] 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 루테늄 및 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 안티몬을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 루테늄 및 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 안티몬을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 합금의 총 중량을 기준으로 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 루테늄 및 약 24 중량% 내지 약 76 중량%의 안티몬을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 루테늄과 안티몬의 합금은 단일상 합금이다.
[0082] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층 쌍들은 제1 흡수체 층(420a, 420c, 420e) 및 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함하며, 제1 흡수체 층(420a, 420c, 420e) 및 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f) 각각은 0.1 ㎚ 내지 10 ㎚ 범위, 예를 들어 1 ㎚ 내지 5 ㎚ 범위, 또는 1 ㎚ 내지 3 ㎚ 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 특정 실시예들에서, 제1 흡수체 층(420a)의 두께는 0.5 ㎚, 0.6 ㎚, 0.7 ㎚, 0.8 ㎚, 0.9 ㎚, 1 ㎚, 1.1 ㎚, 1.2 ㎚, 1.3 ㎚, 1.4 ㎚, 1.5 ㎚, 1.6 ㎚, 1.7 ㎚, 1.8 ㎚, 1.9 ㎚, 2 ㎚, 2.1 ㎚, 2.2 ㎚, 2.3 ㎚, 2.4 ㎚, 2.5 ㎚, 2.6 ㎚, 2.7 ㎚, 2.8 ㎚, 2.9 ㎚, 3 ㎚, 3.1 ㎚, 3.2 ㎚, 3.3 ㎚, 3.4 ㎚, 3.5 ㎚, 3.6 ㎚, 3.7 ㎚, 3.8 ㎚, 3.9 ㎚, 4 ㎚, 4.1 ㎚, 4.2 ㎚, 4.3 ㎚, 4.4 ㎚, 4.5 ㎚, 4.6 ㎚, 4.7 ㎚, 4.8 ㎚, 4.9 ㎚ 및 5 ㎚이다. 하나 이상의 실시예들에서, 각각의 쌍의 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층의 두께는 동일하거나 상이하다. 예를 들어, 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층은 제1 흡수체 층 두께 대 제2 흡수체 층 두께의 비가 1:1, 1.5:1, 2:1, 2.5:1, 3:1, 3.5:1, 4:1, 4.5:1, 5:1, 6:1, 7:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1, 13:1, 14:1, 15:1, 16:1, 17:1, 18:1, 19:1, 또는 20:1이 되도록 하는 두께를 가지며, 이는 제1 흡수체 층이 각각의 쌍에서 제2 흡수체 층 두께와 동일하거나 더 큰 두께를 갖게 한다. 대안적으로, 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층은 제2 흡수체 층 두께 대 제1 흡수체 층 두께의 비가 1.5:1, 2:1, 2.5:1, 3:1, 3.5:1, 4:1, 4.5:1, 5:1, 6:1, 7:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1, 13:1, 14:1, 15:1, 16:1, 17:1, 18:1, 19:1, 또는 20:1이 되도록 하는 두께를 가지며, 이는 제2 흡수체 층이 각각의 쌍에서 제1 흡수체 층 두께와 동일하거나 더 큰 두께를 갖게 한다.
[0083] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡광도로 인해 그리고 반사 층들의 다층 스택으로부터의 광과의 상쇄 간섭에 의해 유발되는 위상 변화로 인해 극자외선 광이 흡수되도록 상이한 흡수체 재료들 및 흡수체 층들의 두께가 선택된다. 도 5에 도시된 실시예는 3 개의 흡수체 층 쌍들(420a/420b, 420c/420d 및 420e/420f)을 도시하고 있지만, 청구범위는 특정한 수의 흡수체 층 쌍들에 제한되어서는 안 된다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, EUV 마스크 블랭크(400)는 일부 실시예들에서 5 개 내지 60 개 범위의 흡수체 층 쌍들 또는 10 개 내지 40 개 범위의 흡수체 층 쌍들을 포함한다.
[0084] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층들은 2% 미만의 반사율 및 다른 에칭 특성들을 제공하는 두께를 갖는다. 흡수체 층들의 재료 특성들을 추가로 변경하기 위해 일부 실시예들에서 공급 가스가 사용되며, 예를 들어 위에서 제공된 재료들의 질화물들을 형성하기 위해 일부 실시예들에서 질소(N2) 가스가 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따른 흡수체 층들의 다층 스택은 상이한 재료들의 개별 두께의 반복적인 패턴이고, 그에 따라 EUV 광은 흡광도로 인해 흡수될 뿐만 아니라, 보다 양호한 콘트라스트(contrast)를 제공하기 위해 아래의 반사 재료들의 다층 스택으로부터의 광과 상쇄 간섭할 다층 흡수체 스택에 의해 유발되는 위상 변화에 의해 흡수된다.
[0085] 본 개시내용의 다른 양상은 극자외선(EUV) 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것이며, 방법은, 기판 상에 반사 층들의 다층 스택을 형성하는 단계 ― 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―, 반사 층들의 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계, 및 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 흡수체 층은 탄탈럼과 이리듐의 합금 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택된다.
[0086] EUV 마스크 블랭크는 일부 실시예들에서 도 4 및 도 5와 관련하여 전술한 실시예들의 특성들 중 임의의 특성을 가지며, 상기 방법은 일부 실시예들에서 도 3과 관련하여 설명된 시스템에서 수행된다.
[0087] 따라서, 실시예에서, 복수의 반사 층들은 몰리브덴(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택되고, 흡수체 층은 본원에 설명된 바와 같은 탄탈럼과 이리듐의 합금 또는 루테늄과 안티몬의 합금이다.
[0088] 다른 특정 방법 실시예에서, 상이한 흡수체 층들은 제1 흡수체 재료를 포함하는 제1 캐소드 및 제2 흡수체 재료를 포함하는 제2 캐소드를 갖는 물리 증착 챔버에서 형성된다. 이제 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 다중-캐소드 챔버(500)의 상부 부분이 도시되어 있다. 다중-캐소드 챔버(500)는 상단 어댑터(top adapter)(504)에 의해 캡핑된 원통형 본체 부분(502)을 갖는 베이스 구조물(501)을 포함한다. 상단 어댑터(504)는 상단 어댑터(504) 주위에 포지셔닝된 캐소드 소스들(506, 508, 510, 512 및 514)과 같은 다수의 캐소드 소스들을 위한 설비들을 갖는다.
[0089] 하나 이상의 실시예들에서, 상기 방법은 5 ㎚ 내지 60 ㎚ 범위의 두께를 갖는 흡수체 층을 형성한다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층은 51 ㎚ 내지 57 ㎚ 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층을 형성하는 데 사용되는 재료들은 흡수체 층의 에칭 특성들에 영향을 미치도록 선택된다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은 물리 증착 챔버에서 형성된 합금 흡수체 재료를 공동-스퍼터링함으로써 형성되고, 이는 일부 실시예들에서 훨씬 더 얇은 흡수체 층 두께(30 ㎚ 미만)를 제공하여, 2% 미만의 반사율 및 원하는 에칭 특성들을 달성한다. 실시예에서, 흡수체 층의 에칭 특성들 및 다른 원하는 특성들은 일부 실시예들에서 각각의 흡수체 재료의 합금 백분율을 제어함으로써 규격에 맞춰진다. 실시예에서, 합금 백분율은 일부 실시예들에서 물리 기상 증착 챔버의 전압, 압력, 유동 등과 같은 작동 파라미터들에 의해 정밀하게 제어된다. 실시예에서, 재료 특성들을 추가로 변경하기 위해 프로세스 가스가 사용되며, 예를 들어 탄탈럼 및 이리듐의 질화물들을 형성하기 위해, 또는 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄의 질화물들 또는 안티몬의 질화물들을 형성하기 위해 N2 가스가 사용된다.
[0090] 다중-캐소드 소스 챔버(500)는 일부 실시예들에서 도 3에 도시된 시스템의 일부이다. 실시예에서, 극자외선(EUV) 마스크 블랭크 생산 시스템은 진공을 생성하기 위한 기판 핸들링 진공 챔버, 진공에서, 기판 핸들링 진공 챔버에 로딩된 기판을 이송하기 위한 기판 핸들링 플랫폼, 및 기판 핸들링 플랫폼에 의해 접근되는, EUV 마스크 블랭크를 형성하기 위한 다수의 서브-챔버들을 포함하며, EUV 마스크 블랭크는 기판 상의 반사 층들의 다층 스택 ― 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―, 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층, 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함하며, 흡수체 층은 탄탈럼과 이리듐의 합금, 또는 루테늄과 안티몬 합금의 경우, 루테늄과 안티몬의 합금으로 제조된다. 시스템은 일부 실시예들에서 도 4 또는 도 5와 관련하여 도시된 EUV 마스크 블랭크를 제조하는 데 사용되고, 위의 도 4 또는 도 5와 관련하여 설명된 EUV 마스크 블랭크들에 대하여 설명된 특성들 중 임의의 특성을 갖는다.
[0091] 프로세스들은 일반적으로, 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세스 챔버가 본 개시내용의 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴으로서 메모리에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한 프로세서에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격에 위치된 제2 프로세서(도시되지 않음)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다. 본 개시내용의 방법의 일부 또는 전부는 또한 하드웨어로 수행될 수 있다. 이에 따라, 프로세스는 소프트웨어로 구현되어 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행될 수 있거나, 또는 예컨대 주문형 집적 회로로서 또는 다른 유형의 하드웨어 구현으로서 하드웨어로 구현될 수 있거나, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴은, 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세스들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특정 목적 컴퓨터(제어기)로 범용 컴퓨터를 변환시킨다.
[0092] 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예", "특정 실시예들", "하나 이상의 실시예들" 또는 "실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 위치들에서 "하나 이상의 실시예들에서", "특정 실시예들에서", "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"와 같은 문구들의 출현들이 반드시 본 개시내용의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 더욱이, 특정 특징들, 구조들, 재료들 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
[0093] 본원의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이들 실시예들은 단지 본 개시내용의 원리들 및 애플리케이션들을 예시한다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 행해질 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 이들의 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 마스크 블랭크(mask blank)를 제조하는 방법으로서,
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택(multilayer stack)을 기판 상에 형성하는 단계 ― 상기 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―; 및
    상기 다층 스택 상에 흡수체 층(absorber layer)을 형성하는 단계 ― 상기 흡수체 층은 탄탈럼과 이리듐의 합금; 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택됨 ― 를 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄탈럼과 이리듐의 합금은 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 탄탈럼 및 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 이리듐을 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄과 안티몬의 합금은 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 루테늄 및 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 안티몬을 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 탄탈럼과 이리듐의 합금은 비정질인, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 루테늄과 안티몬의 합금은 비정질인, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 합금은 상기 흡수체 층을 형성하기 위해 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스로, 동시-스퍼터링(co-sputter)된 탄탈럼 및 이리듐에 의해 형성되는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 합금은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 탄탈럼 및 이리듐 층들 및 루테늄 및 안티몬 층들로부터 선택된 교번 층들의 라미네이트(laminate)로서 층별로 증착되어 상기 흡수체 층을 형성하는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 합금은 상기 합금과 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃(bulk target)을 사용하여 증착되고, 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 스퍼터링되어 상기 흡수체 층을 형성하는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 탄탈럼과 이리듐의 합금은 0.1 중량% 내지 5 중량% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑되는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 합금은 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑되는, 극자외선 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  11. 극자외선(EUV) 마스크 블랭크로서,
    기판;
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ― 상기 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―; 및
    탄탈럼과 이리듐의 합금; 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택된, 상기 다층 스택 상의 흡수체 층을 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 탄탈럼과 이리듐의 합금은 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 탄탈럼 및 약 14 중량% 내지 약 86 중량%의 이리듐을 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 루테늄과 안티몬의 합금은 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 루테늄 및 약 4 중량% 내지 약 96 중량%의 안티몬을 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 탄탈럼과 이리듐의 합금은 비정질인, 극자외선 마스크 블랭크.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 루테늄과 안티몬의 합금은 비정질인, 극자외선 마스크 블랭크.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 60 ㎚ 미만의 두께를 갖는, 극자외선 마스크 블랭크.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 질소 또는 산소 중 하나 이상으로부터 선택된 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 범위의 도펀트를 더 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 60 ㎚ 미만의 두께를 갖는, 극자외선 마스크 블랭크.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 캡핑 층(capping layer)에 대해 에칭 선택적인, 극자외선 마스크 블랭크.
  20. 극자외선(EUV) 마스크 블랭크로서,
    기판;
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ― 상기 다층 스택은 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si)을 포함하는 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―; 및
    탄탈럼과 이리듐의 합금 및 루테늄과 안티몬의 합금으로부터 선택된, 상기 다층 스택 상의 흡수체 층을 포함하는, 극자외선 마스크 블랭크.
KR1020237004782A 2020-07-13 2021-07-12 극자외선 마스크 흡수체 재료들 KR20230038249A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063051111P 2020-07-13 2020-07-13
US63/051,111 2020-07-13
US17/370,406 2021-07-08
US17/370,406 US11675263B2 (en) 2020-07-13 2021-07-08 Extreme ultraviolet mask absorber materials
PCT/US2021/041206 WO2022015612A1 (en) 2020-07-13 2021-07-12 Extreme ultraviolet mask absorber materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230038249A true KR20230038249A (ko) 2023-03-17

Family

ID=79172484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237004782A KR20230038249A (ko) 2020-07-13 2021-07-12 극자외선 마스크 흡수체 재료들

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11675263B2 (ko)
JP (1) JP7454742B2 (ko)
KR (1) KR20230038249A (ko)
TW (1) TW202202641A (ko)
WO (1) WO2022015612A1 (ko)

Family Cites Families (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6376325A (ja) 1987-06-30 1988-04-06 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜
JP3078163B2 (ja) 1993-10-15 2000-08-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置
US6057237A (en) 1997-04-29 2000-05-02 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing barrier layers for copper
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
TW561279B (en) 1999-07-02 2003-11-11 Asml Netherlands Bv Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation
JP3529676B2 (ja) 1999-09-16 2004-05-24 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6562522B1 (en) 1999-10-29 2003-05-13 Intel Corporation Photomasking
JP4397496B2 (ja) 2000-02-25 2010-01-13 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 反射型露光マスクおよびｅｕｖ露光装置
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6396900B1 (en) 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US20030008148A1 (en) 2001-07-03 2003-01-09 Sasa Bajt Optimized capping layers for EUV multilayers
DE10155112B4 (de) 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
EP1333323A3 (en) 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
EP2317384B1 (en) 2002-04-11 2016-11-09 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
JP3806702B2 (ja) 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
JP2003315977A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランクの製造方法及び製造装置
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
JP2004273794A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法
JP4521753B2 (ja) 2003-03-19 2010-08-11 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US7033739B2 (en) 2003-04-24 2006-04-25 Intel Corporation Active hardmask for lithographic patterning
US7282307B2 (en) 2004-06-18 2007-10-16 Freescale Semiconductor, Inc. Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same
US20060008749A1 (en) 2004-07-08 2006-01-12 Frank Sobel Method for manufacturing of a mask blank for EUV photolithography and mask blank
US20060024589A1 (en) 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7407729B2 (en) 2004-08-05 2008-08-05 Infineon Technologies Ag EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof
US20060115744A1 (en) 2004-08-06 2006-06-01 Lutz Aschke Method of producing a mask blank for photolithographic applications, and mask blank
KR20070054651A (ko) 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
KR100640655B1 (ko) * 2004-11-16 2006-11-01 삼성전자주식회사 Ｅｕｖｌ용 마스크 및 그 제조 방법
FR2884965B1 (fr) 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
KR20070036519A (ko) 2005-09-29 2007-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반사형 마스크
JP4652946B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US20070090084A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Pei-Yang Yan Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products
JP4926523B2 (ja) 2006-03-31 2012-05-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
KR20080001023A (ko) 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법
US7771895B2 (en) 2006-09-15 2010-08-10 Applied Materials, Inc. Method of etching extreme ultraviolet light (EUV) photomasks
DE102006046000A1 (de) 2006-09-27 2007-08-30 Schott Ag EUV Maskenblank und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI427334B (zh) 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件
KR100879139B1 (ko) 2007-08-31 2009-01-19 한양대학교 산학협력단 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법
JP4532533B2 (ja) 2007-09-18 2010-08-25 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 Ｅｕｖ露光用マスクブランクおよびｅｕｖ露光用マスク
JP5194888B2 (ja) 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
KR100972863B1 (ko) 2008-04-22 2010-07-28 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법
WO2010007955A1 (ja) 2008-07-14 2010-01-21 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101095681B1 (ko) 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
JP5766393B2 (ja) 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP5418293B2 (ja) 2010-02-25 2014-02-19 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法
KR20130007537A (ko) 2010-03-02 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JP5559948B2 (ja) 2010-03-12 2014-07-23 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法
KR20130007570A (ko) 2010-03-16 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피 광학 부재용 기재, 및 그의 제조 방법
KR101625382B1 (ko) 2010-04-29 2016-05-30 (주)에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
JP5581797B2 (ja) 2010-05-11 2014-09-03 大日本印刷株式会社 反射型マスクの製造方法
WO2011157643A1 (en) 2010-06-15 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP6013720B2 (ja) 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
US8426085B2 (en) 2010-12-02 2013-04-23 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier
WO2012102313A1 (ja) 2011-01-26 2012-08-02 旭硝子株式会社 フォトマスクの製造方法
JP5648558B2 (ja) 2011-03-30 2015-01-07 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2011228743A (ja) 2011-07-26 2011-11-10 Toppan Printing Co Ltd 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法
CN103858209B (zh) 2011-09-28 2017-06-06 凸版印刷株式会社 反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模
KR20140099226A (ko) 2011-11-25 2014-08-11 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
WO2013152921A1 (en) 2012-04-12 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus
US8658333B2 (en) 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US8962222B2 (en) 2012-06-13 2015-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photomask and method for forming the same
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
CN104903792B (zh) 2013-01-15 2019-11-01 Hoya株式会社 掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法
US9442387B2 (en) 2013-02-01 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process
US20140254001A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Globalfoundries Inc. Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making
US9298081B2 (en) 2013-03-08 2016-03-29 Globalfoundries Inc. Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9310675B2 (en) 2013-03-15 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP2014229825A (ja) 2013-05-24 2014-12-08 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法および、該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法
JP6408790B2 (ja) 2013-05-31 2018-10-17 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9091947B2 (en) 2013-07-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof
US9134604B2 (en) 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask
JP2015073013A (ja) 2013-10-03 2015-04-16 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
KR101567057B1 (ko) 2013-11-15 2015-11-09 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9195132B2 (en) 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
KR20160002332A (ko) 2014-06-30 2016-01-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9690016B2 (en) 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
US9581890B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
WO2016043147A1 (ja) 2014-09-17 2016-03-24 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US9588440B2 (en) 2015-02-12 2017-03-07 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus in EUV lithography
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
KR101726045B1 (ko) 2015-06-04 2017-04-13 한양대학교 산학협력단 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법
TWI694304B (zh) 2015-06-08 2020-05-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底
KR101829604B1 (ko) 2015-08-17 2018-03-29 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법
TWI623805B (zh) 2015-08-17 2018-05-11 Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩
US9791771B2 (en) 2016-02-11 2017-10-17 Globalfoundries Inc. Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
JP6739960B2 (ja) 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US10061191B2 (en) 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI811037B (zh) 2016-07-27 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
JPWO2018135468A1 (ja) 2017-01-17 2019-11-07 Ｈｏｙａ株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
SG11201907622YA (en) 2017-03-02 2019-09-27 Hoya Corp Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method
WO2018159392A1 (ja) 2017-03-03 2018-09-07 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP6684480B2 (ja) 2017-05-17 2020-04-22 Smc株式会社 シリンダ駆動用マニホールド装置及びシリンダ駆動装置
KR20180127197A (ko) 2017-05-18 2018-11-28 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP6863169B2 (ja) 2017-08-15 2021-04-21 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、および反射型マスク
EP3454119B1 (en) 2017-09-09 2023-12-27 IMEC vzw Euv absorbing alloys
US10890842B2 (en) 2017-09-21 2021-01-12 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, and process for producing reflective mask blank
US10802393B2 (en) 2017-10-16 2020-10-13 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask
KR102402767B1 (ko) 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102237572B1 (ko) 2018-05-02 2021-04-07 한양대학교 산학협력단 Euv 리소그래피용 마스크 및 그 제조 방법
US20190384156A1 (en) 2018-06-13 2019-12-19 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing reflective mask blank
TW202008073A (zh) 2018-07-19 2020-02-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
JP6636581B2 (ja) 2018-08-01 2020-01-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
TW202104617A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202117439A (zh) 2019-09-26 2021-05-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
US11442356B2 (en) 2020-05-11 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography mask with an amorphous capping layer
US11592737B2 (en) 2020-05-29 2023-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV photo masks and manufacturing method thereof
US11609490B2 (en) * 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

Also Published As

Publication number Publication date
US20220011663A1 (en) 2022-01-13
JP2023535300A (ja) 2023-08-17
US11675263B2 (en) 2023-06-13
JP7454742B2 (ja) 2024-03-22
WO2022015612A1 (en) 2022-01-20
TW202202641A (zh) 2022-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7198936B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
KR102537308B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체 물질들
WO2020236889A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11609490B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
JP7199531B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体用のｔａ‐ｃｕ合金
JP7198935B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
JP7478842B2 (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
KR20220158067A (ko) 극자외선 마스크 흡수체 재료들
JP7443560B2 (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
US11630385B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
JP7209102B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
US11675263B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11513437B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR20210158408A (ko) 극자외선 마스크 흡수체 재료들
KR20210158407A (ko) 극자외선 마스크 흡수체 재료들
WO2020236887A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
WO2020236892A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials