KR20220078348A - 반도체 전구체 처리 장치 - Google Patents

반도체 전구체 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치는 내부에 소정의 공간이 형성되고, 도어가 구비된 본체, 반도체 전구체가 수용되는 용기로서 서로 길이가 다른 유입관 및 배출관이 설치되고 본체 내부에 구비되는 탱크, 유입관으로 기체를 주입하는 가스주입관, 배출구로부터 탱크 외부로 배출되는 반도체 전구체를 이송하는 관체인 이송관 및 가스주입관에 설치되어 탱크로 주입되는 기체의 압력을 조절하는 제1압력조절기를 포함한다.

Description

반도체 전구체 처리 장치{PROCESSING APPARATUS FOR PRECURSOR OF SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체 전구체 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체용 전구체를 반도체 설비에서 이송하거나 분사하기 위한 반도체 전구체 처리 장치에 관한 것이다.
반도체를 생산하는 공정에는 다양한 화학물질이 이용된다. 그 중에서 전구체는 화학반응을 통한 화학적 변화를 한다. 한 물질이 화학변화를 통해 다른 물질로 변화 했을 때, 변화하기 이전의 물질을 전구체라 한다.
반도체 제조 공정에서는 반도체의 박막 증착이나 성질 개선에 사용된다. 또한, 다양한 유형의 반응성 가스를 반도체 표면에서 화학 반응이 일어날 수 있게 유도하는 역할도 수행한다.
반도체용 전구체는 TiCl4, HCDS등이 대표적으로 널리 사용된다. 전구체는 반응성이 높은 가스이므로 이를 이송하거나 정해진 장소에 분사하기 위해선 특수한 장비들을 필요로 한다.
종래에는 전구체를 이송하거나 분사와 같은 처리를 하기 위해서 모터나 펌프 등의 장치들을 사용하기도 하였다. 하지만, 이러한 전기나 기계장치들은 전구체를 이송하는 과정에서 전구체의 손실이 크다는 단점이 있었고, 반응성이 높은 전구체를 이송하는 과정에서 안전사고가 발생할 가능성도 존재했다.
이와 관련된 기술로서, 대한민국등록특허 제10-0618690호(이하, '관련기술 1'이라 함.)은 '반도체 제조용 전구체 저장통'을 개시한다. 관련기술1에는 내부에 전구체가 담기는 몸체, 전구체를 몸체 밖으로 밀어내기 위한 기체를 몸체 내부로 유입시키는 입구, 몸체 하단에 배치되어 전구체가 몸체 외부로 유출되도록 하는 출구를 포함한다. 하지만, 관련기술 1의 전구체 저장통은 몸체 내부에 수용된 전구체의 잔량을 예측할 수 없다는 단점이 있었다. 또한, 몸체 내부에 전구체가 미량 남을 경우 이를 몸체 외부로 이송시키기 어렵다는 문제점도 있었다.
따라서, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 기술의 제안을 필요로 하였다.
본 발명의 일 과제는, 반도체 전구체를 이송하거나 분사하는 과정에서 기계나 전기장치를 사용함으로써 안전사고의 위험이 있었던 종래기술의 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는, 반도체 전구체를 이송하거나 분사하는 과정에서 전구체가 손실될 수 있었던 종래기술의 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는, 반도체 전구체가 수용된 용기에 전구체가 소량 남은 경우 이를 외부로 인출하기 어려웠던 종래기술의 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는, 반도체 전구체의 잔량을 실시간으로 확인하기 어려웠던 종래기술의 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는, 전구체의 유출을 빠르게 감지할 수 없었던 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 내용들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제나 목적들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치는 내부에 소정의 공간이 형성되고, 도어가 구비된 본체, 반도체 전구체가 수용되는 용기로서 서로 길이가 다른 유입관 및 배출관이 설치되고 본체 내부에 구비되는 탱크, 유입관으로 기체를 주입하는 가스주입관, 배출구로부터 탱크 외부로 배출되는 반도체 전구체를 이송하는 관체인 이송관 및 가스주입관에 설치되어 탱크로 주입되는 기체의 압력을 조절하는 제1압력조절기를 포함한다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 탱크는 탱크의 무게를 감지해 탱크 내부에 수용된 전구체의 양을 도출하는 로드셀 및 탱크의 온도를 조절하는 히팅유닛을 포함한다.
또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 탱크는 탱크로부터 누출되는 액체를 감지하는 누액센서 및 탱크로부터 누출되는 기체를 감지하는 가스센서를 포함한다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 개방된 일단이 탱크와 인접하게 배치되는 배기관 및 배기관과 연결되어 탱크 주변의 흄가스를 배기관의 일단을 통해 흡입해 본체 외부로 배출시키는 환기유닛을 포함한다.
또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 이송관은 이송관 내부의 압력을 조절하는 제2압력조절기를 포함한다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 가스주입관 및 이송관은, 각각 적어도 하나의 압력계를 포함한다.
또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 전원공급이 차단된 상태에서 본체에 전원을 공급할 수 있도록 구비되는 보조전원을 포함한다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치에서 이송관은 본체 외부로 연장되는 한 쪽 끝단에 구비되고, 이송되어온 반도체 전구체를 작은 방울 형태로 분사하는 노즐을 포함한다.
본 발명에 의하면, 전구체를 이송하거나 분사하는 과정이 안정적이고 안전한 장점이 있다.
본 발명에 의하면, 전구체를 이송하는 과정에서 전구체의 손실을 줄일 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 의하면, 전구체의 잔량을 실시간으로 모니터링 할 수 있고 탱크에 수용된 전구체를 모두 활용할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 의하면, 전구체의 유출을 빠르게 감지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 전구체를 이송하는 이송관의 과압을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치가 반도체 제조공정에서 사용되는 상태를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치의 내부 구조를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치의 구조를 간략하게 도식화한 도면이다.
도 5는 본 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치의 탱크 주변에 구비되는 구성들을 도식화한 도면이다.
이하, 본 발명을 적절한 실시예와 함께 설명하고자 한다. 본 발명의 실시예들은 첨부도면을 참조하면서 보다 상세하게 서술한다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)가 반도체 제조공정에서 사용되는 상태를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)는 반도체를 제조하는 공정에서 사용될 수 있다.
전구체(precursor)는 화학 반응을 통해서 하나의 물질이 변화할 때, 변화된 최종의 산물 이전 단계를 말한다. 본 발명의 일 실시예에서는 반도체를 제조하기 위해 화합물을 생성하는 과정에서 화학반응에 참여하는 화합물을 지칭한다.
반도체를 제조하는 과정에서 전구체는 박막 증착 또는 재료의 성질 개선을 위해 사용된다. 전구체는 주로 여러 유형의 반응성 가스들이 반도체 표면에서 화학 반응을 일으키도록 유도한다.
이러한 전구체는 특수한 용기에 보관되고, 일련의 처리를 통해서 화학반응을 필요로 하는 장치나 재료에 분사된다.
본 발명의 일 실시예에서 반도체 전구체를 처리한다고 표현한 것은 전구체를 이송하거나 특정 장소에 분사하는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에서 전구체는 반도체 공정의 스크러버(10)(scrubber)에서 분사될 수 있다. 스크러버(10)는 습식의 집진장치이다. 스크러버(10)는 액체를 문부하여 가스 속의 미립자와 접촉 및 충돌시키는 장치로서, 본 발명의 일 실시예에서는 스크러버(10)에서 전구체를 분사하여, 대상재료에 증착시킨 후 중화처리 및 안전물질로 치환하는 과정이 수행될 수 있다.
이러한 공정을 간략하게 설명하면, 전구체는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)를 통해 스크러버(10)로 이송된다. 전구체는 스크러버(10)에서 분사된다. 전구체는 팬을 순환팬(20)을 통해 오염저감장치(30)를 거쳐 대기로 배출될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 정면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 내부 구조를 도시한 개략도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)는 본체(100)와 도어(110)를 포함한다. 본체(100)는 그 내부에 소정의 공간이 형성되고, 도어(110)는 본체(100)에 결합되어 본체(100) 내부의 공간을 열거나 닫는다. 도어(110)에는 손잡이(120)가 구비될 수 있고, 도어(110) 또는 본체(100)에는 작동상태 등을 표시하는 디스플레이가 설치될 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 장치(1)는 탱크(200), 가스주입관(300), 이송관(400), 제1압력조절기(600)를 포함한다.
탱크(200)는 전구체가 수용되는 용기이다. 탱크(200) 내부는 미리 정해진 압력이 유지될 수 있다. 전구체는 액체 상태로 탱크(200) 내부에 수용될 수 있다.
탱크(200)는 본체(100) 내부에 고정된다. 탱크(200)는 본체(100) 내부에 형성된 선반에 놓이고, 움직이지 않도록 단단하게 고정된다.
탱크(200)는 본체(100) 내부에서 상대적으로 아래쪽에 배치된다. 또한, 탱크(200)는 내부 공간으로 관입되는 유입관(210) 및 배출관(220)을 포함한다.
유입관(210) 및 배출관(220)은 탱크(200) 내부로 관입되고, 그 다른 쪽 끝은 탱크(200)의 상부로 향한다. 유입관(210)은 탱크(200) 내부로 짧은 길이가 인입된다. 배출관(220)은 유입관(210)보다 상대적으로 긴 길이로 탱크(200) 내부에 인입되고, 배출관(220)은 아래쪽 끝은 탱크(200)의 바닥면과 인접하게 배치된다. 따라서, 유입관(210)으로 유입되는 기체가 탱크(200) 내부로 유입되는 경우에 탱크(200)에 수용되어 있는 전구체는 배출관(220)을 통해 탱크(200)의 상부로 이송된다.
탱크(200)의 상부에는 가스주입관(300) 및 이송관(400)이 구비된다. 가스주입관(300)은 유입관(210)과 연결된다. 가스주입관(300)은 질소를 탱크(200) 내부로 주입하는 통로이다.
가스주입관(300)에는 제1압력조절기(600)와 밸브(500)가 구비되고, 제1압력조절기(600)는 탱크(200) 내부로 주입되는 질소의 압력을 조절한다. 즉 공급되는 질소의 압력이 10kg/㎠인 경우, 제1압력조절기(600)는 이를 적정 압력인 1.5~2kg/㎠로 감압해 탱크(200)로 주입되도록 한다. 밸브(500)는 가스주입관(300), 유입관(210)을 각각 닫거나 열수 있게 구비된다.
이송관(400)은 배출관(220)과 연결된다. 이송관(400)은 여러 경로로 분기 될 수 있다.이하, 본 발명을 적절한 실시예와 함께 설명하고자 한다. 본 발명의 실시예들은 첨부도면을 참조하면서 보다 상세하게 서술한다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)가 반도체 제조공정에서 사용되는 상태를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)는 반도체를 제조하는 공정에서 사용될 수 있다.
전구체(precursor)는 화학 반응을 통해서 하나의 물질이 변화할 때, 변화된 최종의 산물 이전 단계를 말한다. 본 발명의 일 실시예에서는 반도체를 제조하기 위해 화합물을 생성하는 과정에서 화학반응에 참여하는 화합물을 지칭한다.
반도체를 제조하는 과정에서 전구체는 박막 증착 또는 재료의 성질 개선을 위해 사용된다. 전구체는 주로 여러 유형의 반응성 가스들이 반도체 표면에서 화학 반응을 일으키도록 유도한다.
이러한 전구체는 특수한 용기에 보관되고, 일련의 처리를 통해서 화학반응을 필요로 하는 장치나 재료에 분사된다.
본 발명의 일 실시예에서 반도체 전구체를 처리한다고 표현한 것은 전구체를 이송하거나 특정 장소에 분사하는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에서 전구체는 반도체 공정의 스크러버(10)(scrubber)에서 분사될 수 있다. 스크러버(10)는 습식의 집진장치이다. 스크러버(10)는 액체를 분무하여 가스 속의 미립자와 접촉 및 충돌시키는 장치로서, 본 발명의 일 실시예에서는 스크러버(10)에서 전구체를 분사하여, 대상재료에 증착시킨 후 중화처리 및 안전물질로 치환하는 과정이 수행될 수 있다.
이러한 공정을 간략하게 설명하면, 전구체는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)를 통해 스크러버(10)로 이송된다. 전구체는 스크러버(10)에서 분사된다. 전구체는 팬을 순환팬(20)을 통해 오염저감장치(30)를 거쳐 대기로 배출될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 정면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 내부 구조를 도시한 개략도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)는 본체(100)와 도어(110)를 포함한다. 본체(100)는 그 내부에 소정의 공간이 형성되고, 도어(110)는 본체(100)에 결합되어 본체(100) 내부의 공간을 열거나 닫는다. 도어(110)에는 손잡이(120)가 구비될 수 있고, 도어(110) 또는 본체(100)에는 작동상태 등을 표시하는 디스플레이가 설치될 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 장치(1)는 탱크(200), 가스주입관(300), 이송관(400), 제1압력조절기(600)를 포함한다.
탱크(200)는 전구체가 수용되는 용기이다. 탱크(200) 내부는 미리 정해진 압력이 유지될 수 있다. 전구체는 액체 상태로 탱크(200) 내부에 수용될 수 있다.
탱크(200)는 본체(100) 내부에 고정된다. 탱크(200)는 본체(100) 내부에 형성된 선반에 놓이고, 움직이지 않도록 단단하게 고정된다.
탱크(200)는 본체(100) 내부에서 상대적으로 아래쪽에 배치된다. 또한, 탱크(200)는 내부 공간으로 관입되는 유입관(210) 및 배출관(220)을 포함한다.
유입관(210) 및 배출관(220)은 탱크(200) 내부로 관입되고, 그 다른 쪽 끝은 탱크(200)의 상부로 향한다. 유입관(210)은 탱크(200) 내부로 짧은 길이가 인입된다. 배출관(220)은 유입관(210)보다 상대적으로 긴 길이로 탱크(200) 내부에 인입되고, 배출관(220)은 아래쪽 끝은 탱크(200)의 바닥면과 인접하게 배치된다. 따라서, 유입관(210)으로 유입되는 기체가 탱크(200) 내부로 유입되는 경우에 탱크(200)에 수용되어 있는 전구체는 배출관(220)을 통해 탱크(200)의 상부로 이송된다.
탱크(200)의 상부에는 가스주입관(300) 및 이송관(400)이 구비된다. 가스주입관(300)은 유입관(210)과 연결된다. 가스주입관(300)은 질소를 탱크(200) 내부로 주입하는 통로이다.
가스주입관(300)에는 제1압력조절기(600)와 밸브(500)가 구비되고, 제1압력조절기(600)는 탱크(200) 내부로 주입되는 질소의 압력을 조절한다. 즉 공급되는 질소의 압력이 10kg/㎠인 경우, 제1압력조절기(600)는 이를 적정 압력인 1.5~2kg/㎠로 감압해 탱크(200)로 주입되도록 한다. 밸브(500)는 가스주입관(300), 유입관(210)을 각각 닫거나 열수 있게 구비된다.
이송관(400)은 배출관(220)과 연결된다. 이송관(400)은 여러 경로로 분기 될 수 있다.
이송관(400)은 본 발명이 적용되는 실시예에 따라 다수 개의 경로로 분기되어 본체(100) 외부로 연장될 수 있다. 구체적으로는 이송관(400)의 연장된 끝단에는 노즐(410)이 구비되고, 이송관(400)을 통해 이송된 전구체는 노즐(410)을 통해 정해진 위치에 분사된다. 이송관(400)에는 각각의 경로에 적어도 하나의 밸브(500)가 구비될 수 있고, 밸브(500)들은 각각 정해진 위치에서 이송관(400) 내부로 전구체가 흐르는 것을 단속한다.
노즐(410)을 통해 분사되는 전구체의 압력 조절을 위해 일부 전구체는 다시 탱크(200)로 복귀하도록 구비될 수도 있다. 이는, 이송관(400)의 일부가 분기되어 다시 가스주입관(300)과 연결되는 방식으로 구현될 수 있다.
이는 예시적인 것으로서 본 발명이 적용되는 실시예에 따라 다양한 방법으로 이송관(400) 및 가스주입관(300)의 배관구조가 형성될 수 있을 것이다.
그리고, 각각의 이송관(400)은 각 분기되는 지점마다 또는 미리 정해진 지점마다 압력계가 구비될 수 있다. 압력계들은 이송관(400)을 통과하는 전구체의 압력을 계측하고, 예상 압력 범위를 벗어난 압력이 감지될 경우에 이를 사용자에게 알리도록 구비될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 구조를 간략하게 도식화한 도면이고, 도 5는 본 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 탱크(200) 주변에 구비되는 구성들을 도식화한 도면이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 다른 반도체 전구체 처리 장치(1)의 탱크(200) 주변에는 로드셀(230), 히팅유닛(240), 센싱유닛(250) 및 배기관(800)이 구비될 수 있다.
히팅유닛(240)은 탱크(200)의 온도를 조절한다. 히팅유닛(240)은 히팅자켓 형태로 탱크(200)의 외측을 감쌀 수 있고, 탱크(200)가 소정의 온도로 유지되도록 한다.
히팅유닛(240)은 탱크(200)를 미리 정해진 온도로 유지시킨다. 탱크(200)가 소정의 온도로 유지되면 탱크(200) 내부로 질소가 주입되는 경우에 탱크(200)에 수용되어 있던 전구체가 보다 원활하게 배출될 수 있다.
또한, 탱크(200)에는 로드셀(230)이 구비될 수 있다. 로드셀(230)은 탱크(200)의 무게를 감지한다. 탱크(200)의 무게는 로드셀(230)을 통해 실시간으로 계측되고, 탱크(200)의 무게변화를 기초로 탱크(200) 내부에 수용된 전구체의 잔량을 도출한다.
그리고, 탱크(200)의 주변에는 센싱유닛(250)이 구비될 수 있다. 센싱유닛(250)은 전구체의 유출을 감지한다. 센싱유닛(250)은 탱크(200)와 인접하게 배치되며, 액체의 누출을 감지하는 누액센서(252)와 가스의 누출을 감지하는 가스센서(254)로 이루어질 수 있다
본체(100) 내부 특히, 탱크(200) 주변에는 흄(fumes)이 생성될 수 있다. 따라서, 탱크(200)와 인접한 위치에 배기관(800)이 구비될 수 있다. 배기관(800)은 그 개방된 끝단이 탱크(200)를 향하고 탱크(200)와 인접하게 배치된다.
배기관(800)은 본체(100)에 형성된 배기공(130)을 통해 외부로 연결될 수 있고, 본체(100)의 내부 또는 외부에 구비된 환기유닛(40)과 연결되어 수집된 흄을 처리한다.
그리고, 이송관(400)에는 제2압력조절기(610)가 구비될 수 있다. 제2압력조절기(610)는 진공발생기(vacuum Generator)일 수 있다. 제2압력조절기(610)는 이송관(400)의 적어도 일부 구간, 또는 이송관(400)의 분기된 하나의 지선에 연결될 수 있다.
제2압력조절기(610)는 이송관(400)과 연결된 일부 구간 또는 지선에 음압을 형성한다. 이는 탱크(200) 내부의 전구체가 원활히 이송되는 것을 돕고, 탱크(200) 내부에 전구체가 미량 존재하는 경우 이를 제거하기 위해 활용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 처리 장치(1)에서 본체(100)에는 보조전원(700)이 더 구비될 수 있다.
보조전원(700)은 무정전 전원 공급장치(uninterruptible power supply)로서 갑작스런 정전 시 전원을 공급해 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 장치(1)가 정전 시에도 작동할 수 있도록 한다.
이상에서는 본 발명의 실시예들이 도면과 함께 설명되었으나, 이는 예시적인 것으로서 전술한 실시예들과 도면으로 본 발명이 한정되진 않는다. 통상의 지식을 가진 자라면 개시되는 내용의 기술사상 범위 내에서 본 발명을 변형할 수 있음이 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 일 실시예를 설명하면서 구성에 따른 작용이나 효과를 명시적으로 기재하지 않았을지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과들까지 인정되어야 함은 당연하다.
1: 처리장치 10: 스크러버
20: 순환팬 30: 오염저감장치
40: 환기유닛
100: 본체 110: 도어
120: 손잡이 130: 배기공
200: 탱크 210: 유입관
220: 배출관 230: 로드셀
240: 히팅유닛 250: 센싱유닛
252: 누액센서 254: 가스센서
300: 가스주입관 400: 이송관
410: 노즐 500: 밸브
600: 제1압력조절기 610: 제2압력조절기
700: 보조전원 800: 배기관

Claims (8)

  1. 반도체 전구체를 처리하는 장치로서,
    내부에 소정의 공간이 형성되고, 도어가 구비된 본체;
    반도체 전구체가 수용되는 용기로서, 서로 길이가 다른 유입관 및 배출관이 설치되고 상기 본체 내부에 구비되는 탱크;
    상기 유입관으로 기체를 주입하는 가스주입관;
    상기 배출구로부터 상기 탱크 외부로 배출되는 반도체 전구체를 이송하는 관체인 이송관; 및
    상기 가스주입관에 설치되어 상기 탱크로 주입되는 기체의 압력을 조절하는 제1압력조절기;를 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탱크는,
    상기 탱크의 무게를 감지해 상기 탱크 내부에 수용된 전구체의 양을 도출하는 로드셀; 및
    상기 탱크의 온도를 조절하는 히팅유닛;을 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 탱크는,
    상기 탱크로부터 누출되는 액체를 감지하는 누액센서; 및
    상기 탱크로부터 누출되는 기체를 감지하는 가스센서;를 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    개방된 일단이 상기 탱크와 인접하게 배치되는 배기관; 및
    상기 배기관과 연결되어 상기 탱크 주변의 흄가스를 상기 배기관의 일단을 통해 흡입해 상기 본체 외부로 배출시키는 환기유닛;을 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이송관은,
    상기 이송관 내부의 압력을 조절하는 제2압력조절기;를 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스주입관 및 상기 이송관은,
    각각 적어도 하나의 압력계;를 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    전원공급이 차단된 상태에서 상기 본체에 전원을 공급할 수 있도록 구비되는 보조전원;을 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 이송관은,
    상기 본체 외부로 연장되는 한 쪽 끝단에 구비되고, 이송되어온 반도체 전구체를 작은 방울 형태로 분사하는 노즐;을 포함하는,
    반도체 전구체 처리 장치.

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