KR20170121191A - 반송실 - Google Patents

반송실 Download PDF

Info

Publication number
KR20170121191A
KR20170121191A KR1020177024043A KR20177024043A KR20170121191A KR 20170121191 A KR20170121191 A KR 20170121191A KR 1020177024043 A KR1020177024043 A KR 1020177024043A KR 20177024043 A KR20177024043 A KR 20177024043A KR 20170121191 A KR20170121191 A KR 20170121191A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
humidity
supply means
water
chemical filter
Prior art date
Application number
KR1020177024043A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102483665B1 (ko
Inventor
도시히로 가와이
다카시 시게타
무네카즈 고미야
야스시 다니야마
Original Assignee
신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤 filed Critical 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤
Publication of KR20170121191A publication Critical patent/KR20170121191A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102483665B1 publication Critical patent/KR102483665B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)

Abstract

내부의 습도를 적정하게 유지함으로써 케미컬 필터에 의한 케미컬 성분의 제거 기능을 유지하여, 청정한 상태에서 피반송물의 반송을 행할 수 있는 반송실을 제공한다. 내부에 설치되는 반송 로봇(2)을 사용하여 처리 장치(6)측과의 사이에서 피반송물로서의 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 것이며, 가스를 순환시키기 위하여 내부에 형성된 순환로(CL)와, 순환로(CL)의 도중에 설치된 케미컬 필터로서의 케미컬 필터 유닛(7)과, 내부의 습도를 검출하는 습도 검출 수단으로서의 습도 검출기(HG2)와, 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 수단(NS)과, 내부에 수분을 공급하는 수분 공급 수단(HS)을 구비하고 있고, 습도 검출 수단에 의한 습도 검출값에 기초하여 수분 공급 수단(HS)을 동작시키도록 구성한 것이다.

Description

반송실
본 발명은 외기에 노출되는 일 없이 깨끗한 상태에서 피반송물의 반송을 행할 수 있는 반송실에 관한 것이다.
종래, 반도체 분야에 있어서는, 웨이퍼에 여러가지 처리 공정이 실시되는 것에 의해 반도체 디바이스의 제조가 행해졌다.
반도체 디바이스 제조 공정에서는, 파티클 없음·케미컬 성분 없음에 의한 웨이퍼의 반송 환경이 요구되고 있고, FOUP(Front-Opening Unified Pod)라고 불리는 밀폐식의 수용 용기와, 처리 장치 사이에서 웨이퍼의 수수를 행하는 일반적으로EFEM(Equipment Front End Module)이라고 칭해지는 반송실이 사용되고 있다(하기 특허문헌 1 참조). 반송실에서는, 통상, 상부에 설치된 FFU(Fun Filter Unit)로 클린룸 내의 프레시한 외기를 흡입하여, 내부를 다운 플로우시켜서 바닥면으로부터 외부로 배출함으로써 일정한 깨끗한 분위기를 안정적으로 얻을 수 있다.
또한 최근 들어, 반도체 디바이스 구조의 미세화가 진행함에 따라서, 수분, 산소, 케미컬 성분 등으로부터 받는 영향이 더욱 문제시되게 되었고, 이들에 대해서는, 반송실 내부를 불활성 가스인 N2(질소) 가스에 의해 치환하여, N2 분위기 하에서 웨이퍼의 반송을 행하는 것이 제안되어 있다. 그 경우, N2 가스의 소비량을 적게 하여 러닝 코스트의 억제를 도모하기 위해서는, 프레시한 N2 가스의 공급량을 적게 하면서 내부에서의 청정을 유지할 필요성으로부터, 필터를 통과시키면서 N2 가스를 순환시키는 것을 생각할 수 있다.
또한, 순환하는 N2 가스 내에서 케미컬 성분을 효율적으로 제거하기 위하여 케미컬 필터를 설치하는 것도 생각된다. 반송실 내에는, 처리 장치에 의해 프로세스 처리된 웨이퍼에 의해 케미컬 성분이 딸려 오는 경우가 있기 때문에, 케미컬 필터를 사용하여 이러한 케미컬 성분을 효율적으로 제거하여, 더한층 청정한 분위기로 유지하는 것이 가능하게 된다.
일본 특허 공개 제2012-49382호 공보
상술한 바와 같이 반송실 내부에서 가스를 순환시키는 경우에는, 처리 장치측으로부터 딸려 온 케미컬 성분을 외부로 배출하는 것을 거의 예상할 수 없게 되기 때문에, 케미컬 필터에 의한 제거를 보다 효율적으로 행하는 것이 필요하게 된다.
여기서, 케미컬 필터는, 산 성분과 알칼리 성분에 대하여 가수분해 반응을 이용한 제거 메카니즘을 수반하기 때문에, 습도를 너무 낮게 하면 산 성분이나 알칼리 성분의 제거가 곤란해진다. 그러나, 상술한 바와 같이 반송실 내에 공급하는 N2 가스는 통상 수분을 거의 포함하고 있지 않기 때문에, 반송실 내가 저습도 상태로 되어서 충분히 케미컬 성분의 제거를 행할 수 없게 될 우려가 있다.
본 발명은 이와 같은 과제를 유효하게 해결하는 것을 목적으로 하고 있고, 구체적으로는, 내부의 습도를 적정하게 유지함으로써 케미컬 필터에 의한 케미컬 성분의 제거 기능을 유지하여, 청정한 상태에서 피반송물의 반송을 행할 수 있는 반송실을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 수단을 강구한 것이다.
즉, 본 발명의 반송실은, 내부에 설치되는 반송 로봇을 사용하여 처리 장치측과의 사이에서 피반송물의 수수를 행하기 위한 것이며, 가스를 순환시키기 위하여 내부에 형성된 순환로와, 당해 순환로의 도중에 설치된 케미컬 필터와, 내부의 습도를 검출하는 습도 검출 수단과, 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 내부에 수분을 공급하는 수분 공급 수단을 구비하고 있고, 상기 습도 검출 수단에 의한 습도 검출값에 기초하여 상기 수분 공급 수단을 동작시키도록 구성한 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 가스란, 물의 기체 즉 수증기 이외의 것을 가리킨다.
상기와 같이 구성하면, 습도 검출 수단에 의한 습도 검출값에 기초하여 수분 공급 수단을 동작시킴으로써 내부의 습도를 적정하게 유지할 수 있기 때문에, 케미컬 필터에 적절하게 가수분해 반응을 행하게 하여, 케미컬 성분을 제거하여 내부를 청정한 상태로 유지할 수 있다. 그로 인해, 청정한 상태를 유지한 채 피반송물을 반송시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 반송실 내에 수분을 안정적으로 공급하는 것을 가능하게 하기 위해서는, 상기 수분 공급 수단이, 상기 가스 공급 수단으로부터의 가스 공급 라인의 도중에 있어서 상기 가스에 수분을 포함시키도록 구성하는 것이 바람직하다.
수분 공급 수단에 의해 간단히 습도의 제어를 행하는 것을 가능하게 하기 위해서는, 상기 수분 공급 수단을, 수분 공급원에 접속된 유량 제어부와, 당해 유량 제어부로부터 공급된 물을 상기 가스 내에 분무하는 분무기와, 가스 내에 분무된 물을 기화시키는 기화기에 의해 구성하는 것이 바람직하다.
기화한 수분이 배관 내에서 결로되어, 여분의 수분이 반송실 내에 침입하는 것을 억제하기 위해서는, 상기 수분 공급 수단에 의한 수분의 공급보다 하류측의 가스 공급 라인에 있어서, 배관을 보온하는 보온 수단을 설치하도록 구성하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 본 발명에 따르면, 내부의 습도를 적정하게 유지함으로써 케미컬 필터에 의한 케미컬 성분의 제거 기능을 유지하여, 청정한 상태에서 피반송물의 반송을 행할 수 있는 반송실을 제공하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 반송실과 처리 장치의 관계를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 2는 동 반송실을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 3은 도 1의 A-A 위치에 있어서의 동 반송실의 단면도.
도 4는 도 3의 B-B 위치에 있어서의 동 반송실의 단면도.
도 5는 동 반송실의 내부 분위기를 제어하기 위한 구성을 모식적으로 도시하는 블록도.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 반송실(1)과, 이것에 접속하는 처리 장치(6)의 관계를 모식적으로 도시한 평면도이다. 이 도면에 도시한 바와 같이, 반송실(1)은 일반적으로 EFEM이라고 칭해지는 모듈 기기로서 구성되어 있다. 구체적으로는, 이 반송실(1)은 소정의 수수 위치 사이에서 피반송물인 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 반송 로봇(2)과, 이 반송 로봇(2)을 둘러싸도록 설치된 상자형의 하우징(3)과, 하우징(3)의 전방면측의 벽(전면벽(31))의 외측에 접속되는 복수(도면 중에서는 3개)의 로드 포트(4∼4)로 구성되어 있다.
여기서, 본원에 있어서는 하우징(3)으로부터 보아서 로드 포트(4∼4)가 접속되는 측의 방향을 전방, 전면벽(31)에 대향하는 배면벽(32)측의 방향을 후방이라고 정의하고, 또한, 전후 방향 및 수직 방향에 직교하는 방향을 측방이라고 정의한다. 즉, 3개의 로드 포트(4∼4)는 측방으로 나란히 배치되어 있다.
또한, 반송실(1)은 도 1에 도시한 바와 같이, 배면벽(32)의 외측에 인접하고, 처리 장치(6)의 일부를 구성하는 로드 로크실(61)을 접속할 수 있게 되어 있어, 반송실(1)과 로드 로크실(61) 사이에 설치된 도어(1a)를 개방함으로써, 반송실(1) 내와 로드 로크실(61)을 연통한 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 처리 장치(6)로서는 여러가지 다양한 것을 사용할 수 있지만, 일반적으로는, 로드 로크실(61)과 인접하여 중계실(62)이 설치되고, 또한 중계실(62)과 인접하여, 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 복수(도면 중에서는 3개)의 처리 유닛(63∼63)이 설치되는 구성으로 되어 있다. 중계실(62)과, 로드 로크실(61)이나 처리 유닛(63∼63)과의 사이에는, 각각 도어(62a, 63a∼63a)가 설치되어 있고, 이들을 개방함으로써 각각의 사이를 연통시킬 수 있고, 중계실(62) 내에 설치된 반송 로봇(64)을 사용하여 로드 로크실(61) 및 처리 유닛(63∼63) 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
도 2는 반송실(1)을 로드 포트(4)측으로부터 본 사시도이며, 도 3은 도 1의 A-A 위치에 있어서의 반송실(1)의 단면을 도시한 것이다.
도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 반송실(1)을 구성하는 하우징(3)은 본체 박스(3A)와, 케미컬 필터 박스(3B)와, 제어 박스(3C)로 구성되어 있고, 그리고 본체 박스(3A)는, 내부의 반송 로봇(2)(도 1 참조)과 전면벽(31)에 설치된 로드 포트(4∼4)와 함께 반송실 본체(1A)를 구성하고 있다. 또한, 본체 박스(3A)와, 케미컬 필터 박스(3B)와, 제어 박스(3C)는 서로 분리 가능하게 되어 있다.
하우징(3)의 전면벽(31), 후면벽(32), 좌측면벽(33), 우측면벽(34)은 본체 박스(3A), 케미컬 필터 박스(3B), 제어 박스(3C)의 전면벽(31A, 31B, 31C), 후면벽(32A, 32B, 32C), 좌측면벽(33A, 33B, 33C), 우측면벽(34A, 34B, 34C)에 의해 각각 구성되어 있다. 그리고, 하우징(3)의 상면벽(35)은 제어 박스(3C)의 상면벽(35C)에 의해 구성되고, 하우징(3)의 저면벽(36)은 본체 박스(3A)의 저면벽(36A)에 의해 구성되어 있다. 또한, 본체 박스(3A)의 상면벽(35A)에 케미컬 필터 박스(3B)의 저면벽(36B)이 맞닿고, 케미컬 필터 박스(3B)의 상면벽(35B)에 제어 박스(3C)의 저면벽(36C)이 맞닿은 상태에서 서로 고정되어 있다.
본체 박스(3A)의 전면벽(31A)에 형성된 개구(31a)에는 로드 포트(4)가 접속되고, 배면벽(32A)에 설치된 직사각 형상의 개구(32a)(도 1 참조)는 일반적으로 게이트 밸브라고 칭해지는 도어(1a)에 의해 폐지되어 있다. 또한, 본체 박스(3A)의 상면벽(35A)에는 2개의 개구(35A1, 35A2)가 설치되고, 이들에 대응하는 위치에 케미컬 필터 박스(3B)의 저면벽(36B)에도 개구(36B1, 36B2)가 설치됨으로써, 본체 박스(3A) 내의 공간(S1)과, 케미컬 필터 박스(3B) 내의 공간(S2)이 연통하여, 하나의 대략 밀폐 공간(CS)이 형성되어 있다.
본체 박스(3A) 내의 공간(S1)에 설치된 반송 로봇(2)은 웨이퍼(W)를 적재하여 반송하는 피크를 구비한 아암부(2a)와 이 아암부(2a)를 하방으로부터 지지하고, 아암부(2a)를 동작시키기 위한 구동 기구 및 승강 기구를 갖는 베이스부(2b)로 구성되어 있고, 베이스부(2b)는 본체 박스(3A)의 전면벽(31A)에 지지부(21) 및 가이드 레일(22)을 통해 지지되어 있다. 그리고, 반송 로봇(2)은 본체 박스(3A) 내의 폭 방향으로 연장되는 가이드 레일(22)을 따라서 이동할 수 있도록 되어 있고, 후술하는 제어 수단(5)이 반송 로봇(2)의 동작을 제어함으로써, 각 로드 포트(4∼4)에 적재된 FOUP(41)에 수용되는 웨이퍼(W)의 로드 로크실(61)에의 반송, 및 각 처리 유닛(63∼63)에 있어서의 처리 후의 웨이퍼(W)를 FOUP(41) 내로 다시 반송하는 것이 가능하게 되어 있다.
케미컬 필터 박스(3B) 내에는, 일반적으로 말하는 케미컬 필터로서의 케미컬 필터 유닛(7)이 설치되어 있다. 케미컬 필터 유닛(7)은 이것을 통과하는 가스에 포함되는 케미컬 성분 중 유기물 성분을 제거하기 위한 유기물 제거 필터(71)와, 산 성분을 제거하기 위한 산 제거 필터(72)와, 알칼리 성분을 제거하기 위한 알칼리 제거 필터(73)로 구성되어 있고, 각 필터(71∼73)는 각각 독립하여 교환 가능하게 되어 있다.
제어 박스(3C)의 내부에는, 반송실 본체(1A) 전체의 제어를 행하기 위한 컨트롤 유닛인 제어 수단(5)이 설치되어 있다. 제어 수단(5)은 CPU, 메모리 및 인터페이스를 구비한 통상의 마이크로프로세서 등에 의해 구성되는 것이며, 메모리에는 미리 처리에 필요한 프로그램이 저장되어 있고, CPU는 순차 필요한 프로그램을 취출하여 실행하고, 주변 하드 리소스와 협동하여 소기의 기능을 실현하는 것으로 되어 있다. 제어 수단(5)은 후술하는 바와 같이 본체 박스(3A) 내의 반송 로봇(2)이나 로드 포트(4)의 동작, 각 도어(1a, 4a)의 개폐, 및 본체 박스(3A)나 케미컬 필터 박스(3B) 내에의 가스의 공급 등의 제어를 행한다.
본체 박스(3A) 내의 공간(S1)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 저면벽(36A)부터 상면벽(35A)까지 연장되는 내부벽(37A)에 의해 반송 로봇(2)이 동작하는 공간인 반송 공간(S11)과, 가스 귀환 공간(S12)으로 구획되어 있다. 그리고, 내부벽(37A)의 하부에는 개구(37A1)가 설치되고, 이 개구(37A1)를 통하여 반송 공간(S11)과 가스 귀환 공간(S12)은 하측에서 연통하고 있다. 또한, 개구(37A1)와 연속하여 가스 귀환 공간(S12)의 하부에 팬(77)이 설치되어 있고, 이 팬(77)을 구동시킴으로써 반송 공간(S11) 내의 가스를 가스 귀환 공간(S12)에 도입하여, 가스 귀환 공간(S12) 내에서 상향 기류를 만들어 낼 수 있게 되어 있다.
여기서, 도 4는, 도 3의 B-B 위치에 있어서의 단면도이다. 이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 가스 귀환 공간(S12)의 중앙부에는, 로드 로크실(61)(도 1 참조)과의 사이의 도어(1a)를 둘러싸는 벽부(38A)가 형성되어 있고, 도어(1a) 주위의 공간은 반송 공간(S11)(도 3 참조)과 연속되어 있다. 그로 인해, 가스 귀환 공간(S12)은 하방으로부터 도어(1a)를 피하도록 두 갈래로 나뉘고, 상방에서 다시 합류하도록 구성되어 있다.
도 3으로 돌아가서, 반송 공간(S11) 및 가스 귀환 공간(S12)은, 상술한 상면벽(35A)의 개구(35A1, 35A2)를 통하여 각각 케미컬 필터 박스(3B) 내의 공간(S2)과 연통하고 있다. 그로 인해, 반송 공간(S11)과 가스 귀환 공간(S12)은, 상측에 있어서도 케미컬 필터 박스(3B) 내의 공간(S2)을 통하여 연통하고 있다.
반송 공간(S11)의 상부, 구체적으로는, 상면벽(35A)으로부터 약간 하방으로 이격된 위치에는 FFU(76)가 설치되어 있고, 케미컬 필터 박스(3B) 내의 공간(S2)으로부터 도입한 가스를 FFU(76)에 의해 하방으로 송출하여, 반송 공간(S11) 내에서 다운 플로우를 형성할 수 있다. 또한, FFU(76)에는, HEPA(High Efficiency Particulate Air) 필터나, ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터 등의 고성능 필터가 내장되어 있어, 통과하는 가스의 내부에 포함되는 미소한 파티클의 포집을 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
한편, 케미컬 필터 박스(3B)에는, 상술한 저면벽(36B)의 개구(36B1)와 케미컬 필터 유닛(7) 사이에 토출용 팬(75)이 설치되고, 개구(36B2)의 상방에 흡인용 팬(76)이 설치되어 있다. 개구(36B2) 및 이것과 연속하는 개구(35A2)는 케미컬 필터 유닛(7)을 향하여 가스를 유입시키는 가스 유입구로서 기능하고, 이들 개구(36B2, 35A2)를 통하여, 흡인용 팬(76)은 가스 귀환 공간(S12)으로부터 케미컬 필터 박스(3B) 내에 가스를 유입시킨다. 그리고, 개구(36B1) 및 이것과 연속하는 개구(35A1)는 케미컬 필터 유닛(7)으로부터 가스를 토출시키는 가스 토출구로서 기능하고, 토출용 팬(75)은 케미컬 필터 유닛(7)을 통과한 가스를, 이들 개구(35B1, 35A1)를 통하여 반송 공간(S11)에 보낼 수 있다. 따라서, 2개의 팬(75, 76)에 의해 케미컬 필터 유닛(7)에 의한 압력 손실분을 보상하여, 가스의 흐름을 만들어 내는 것이 가능하게 되어 있다.
상기한 바와 같이 본체 박스(3A) 및 케미컬 필터 박스(3B) 내에서 형성되는 대략 밀폐 공간(CS)에서는, 내부 분위기를 구성하는 가스가 다음과 같은 순환로(CL)를 따라서 순환한다. 즉, 순환로(CL)는, 반송 공간(S11)의 상부에 설치된 FFU(76)로부터 하방을 향하여 진행하고, 그리고 내부벽(37A)의 하부에 형성된 개구(37A1) 및 팬(77)을 통하여 가스 귀환 공간(S12)에서 상방으로 진행하고, 개구(35A2, 36B2)를 통과하고 나서 흡인용 팬(74)을 통하여 케미컬 필터 박스(3B) 내의 공간(S2)에 들어가고, 케미컬 필터 유닛(7)을 통과하여, 토출용 팬(75) 및 개구(36B1, 35A1)를 통하여 반송 공간(S11)으로 복귀되도록 형성된다. 따라서, 케미컬 필터 유닛(7)은 순환로(CL)의 도중에 설치되어 있다고 할 수 있다.
이렇게 순환로(CL)가 형성되는 대략 밀폐 공간(CS)에 N2 가스를 공급하여 퍼지하기 위해서, 케미컬 필터 박스(3B)의 후면벽(32B)에 가스 공급구(91)가 설치되고, 본체 박스(3A)의 후면벽(32A)에는 가스 배출구(92)가 설치되어 있다.
이들 가스 공급구(91) 및 가스 배출구(92)에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 가스 공급 라인(GS), 가스 배출 라인(GE)이 각각 접속되어 있다.
가스 공급 라인(GS)은, N2 가스 공급원으로부터 유도되는 배관에 레귤레이터(93), 밸브(94), MFC(기체 유량 컨트롤러)(95), 밸브(94)가 순서대로 설치됨으로써 구성된 가스 공급 수단(NS)을 구비하고 있다.
그리고 가스 배출 라인(GE)에는, 가스 배출구(92A)에 접속된 배관에 유량 조정 밸브(98), 밸브(94)가 순서대로 설치되고, 그 앞에 가스의 배출처가 접속되어 있다.
그로 인해, 이들에 의해 가스 배출구(92)로부터 배출을 행하면서, 가스 공급구(91)로부터 N2 가스를 공급함으로써, 대략 밀폐 공간(CS) 내의 공기를 배제하여 N2 가스로 채울 수 있다.
그리고, 일정 이상으로 N2 가스의 농도가 높아진 곳에서, 가스 공급구(91)로부터의 N2 가스의 공급량을 적게 하면서, 가스 배출구(92A)로부터의 배출량을 근소하게 하여, 내부를 양압으로 유지하도록 하고 있다. 이 상태에서, 내부의 가스를 순환로(CL)에 따라서 순환시킴으로써, 가스에 포함되는 파티클이나 케미컬 성분을 FFU(76)나 케미컬 필터 유닛(7)에 의해 제거하여, 내부를 청정한 상태로 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, N2 가스는 거의 수분을 포함하지 않는 건조 가스이기 때문에, 내부의 수분을 적게 하여 웨이퍼(W) 표면의 부식을 방지할 수도 있다.
그런데, 상기와 같이 내부의 분위기 치환에 사용되는 N2 가스를 계속하여 공급함으로써 내부의 수분이 너무 적어져, 케미컬 필터 유닛(7)에 의한 케미컬 성분의 제거 성능이 저하되는 경우가 있다.
도 3에 도시한 바와 같이 케미컬 필터 유닛(7)을 구성하는 유기물 제거 필터(71), 산 제거 필터(72), 알칼리 제거 필터(73) 중, 유기물 제거 필터(71)는 흡착에 의해 유기물 성분을 제거하는 것에 대해서, 산 제거 필터(72) 및 알칼리 제거 필터(73)는 가수분해 반응에 의해 산 성분이나 알칼리 성분을 제거한다. 따라서, 산 성분이나 알칼리 성분의 제거를 위해서는 일정 이상의 수분이 필요해서, 가스 중의 습도가 너무 낮아지면 제거 성능이 현저하게 저하된다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 내부의 습도를 일정하게 유지하기 위해서, 가스 공급 수단(NS)으로부터 공급되는 N2 가스에 수분을 포함시킬 수 있도록 하기의 수분 공급 수단(HS)을 구비하고 있다.
수분 공급 수단(HS)은, 물 공급원에 접속된 배관에 접속되는 밸브(94), 유량 제어부로서의 LFC(액체 유량 컨트롤러)(99), 밸브(94), 일반적으로 인젝션이라고 칭해지는 분무기(96), 기화기(97), 및 기화기(97)에 포함되는 히터(97a)를 동작시키는 히터 컨트롤러(97b)로 구성되어 있다.
구체적으로는 물 공급원에 접속된 배관에 밸브(94), LFC(99), 밸브(94)가 순서대로 접속되고, 또한, 가스 공급 라인(GS)의 도중에 설치된 분무기(96)에 접속되어 있다. 그로 인해, LFC(99)에 의해 물의 유량을 조정함으로써 부여하는 수분량을 결정할 수 있고, 분무기(96)에 의해 물을 미소한 무상으로 하여 N2 가스에 포함시킬 수 있다. 그리고 분무기(96)의 하류측에는, 코일 형상으로 형성된 배관과, 이 배관을 가열하기 위한 히터(97a)로 구성되는 기화기(97)가 설치되어 있다. 히터(97a)는 히터 컨트롤러(97b)에 의해 전력을 공급됨으로써, 배관에 흐르는 가스를 가열하여, 내부에 포함되는 물 입자를 기화시킬 수 있다. 또한, 분무기(96)로부터, 기화기(97)를 통하여 가스 공급구(91)에 이르기까지의 가스 공급 라인(GS)을 구성하는 배관에는, 배관 보온재와 보온용 히터로 이루어지는 보온 수단(HI)이 설치되어 있고, 일단 기화한 수분이 결로가 발생하여, 물방울이 되어서 케미컬 필터 박스(3B) 내에 유입되는 경우가 없도록 하고 있다.
또한, 상기 가스 공급 수단(NS)과 수분 공급 수단(HS)은, 협동하여 대략 밀폐 공간(CS) 내에 수분을 포함한 N2 가스를 공급하기 위한 가스·수분 공급 수단(NHS)을 구성하고 있다.
이러한 가스·수분 공급 수단(NHS)의 제어를 행하기 위해서, 본체 박스(3A) 내의 공간(S1)과, 케미컬 필터 박스(3B) 내의 공간(S2)에는, 습도를 검출하는 습도 검출 수단으로서의 습도 검출기(HG1, HG2)가 각각 설치되어 있다. 그리고 또한, 본체 박스(3A) 내의 공간(S1)과 외부의 압력차를 검출하는 압력 검출 수단으로서의 압력 검출기(PG)가 설치되어 있다.
그리고, 이들로부터의 검출값을 기초로 하여 가스 공급 수단(NS)의 제어를 행하기 위해서, 상술한 제어 수단(5)은 다음과 같은 구성을 구비하고 있다.
제어 수단(5)은 가스(N2) 유량 결정부(51)와, 물(H2O) 유량 결정부(52)와, 히터 동작 명령부(53)와, 압력 취득부(54)와, 습도 취득부(55)와, 기억부(56)를 구비하고 있다.
기억부(56)에는, 미리 정해진 소정값인 압력 목표값 및 습도 목표값이 기억되어 있다. 압력 취득부(54)는 압력 검출기(PG)로부터의 출력을 취득하고, 압력 검출값으로서 출력할 수 있다. 습도 취득부(55)는 습도 검출기(HG1, HG2)로부터의 출력을 취득하고, 습도 검출값으로서 각각 출력할 수 있다.
가스 유량 결정부(51)는 압력 취득부(54)에 의해 얻어지는 압력 검출값을 기초로 하여, 가스 공급 라인(GS)으로부터 공급되는 N2 가스의 유량을 결정하고, 대응하는 가스 유량 명령값을 MFC(95)에 출력하도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 압력 검출값이 압력 목표값을 중심으로 하는 소정 범위 내에 있는 경우에는 가스 유량 명령값을 그대로 유지시키고, 압력 검출값이 상기 소정 범위보다도 작은 경우에는 N2 가스의 공급량을 증가시키고, 압력 검출값이 상기 소정 범위보다도 큰 경우에는 N2 가스의 공급량을 저감시키도록 가스 유량 명령값을 변화시킨다.
물 유량 결정부(52)는 습도 취득부(55)를 통하여 얻어지는 습도 검출기(HG2)에 의한 습도 검출값을 기초로 하여, 물 공급 수단(HS)으로부터 공급되는 물의 유량을 결정하고, 대응하는 물 유량 명령값을 LFC(99)에 출력하도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 습도 검출값이 습도 목표값을 중심으로 하는 소정 범위 내에 있는 경우에는 물 유량 명령값을 그대로 유지시키고, 습도 검출값이 상기 소정 범위보다도 작은 경우에는 물의 공급량을 증가시키고, 습도 검출값이 상기 소정 범위보다도 큰 경우에는 물의 공급량을 저감시키도록 물 유량 명령값을 변화시킨다. 또한, 습도 검출값이 습도 목표값보다도 큰 경우에는, 물의 공급량을 제로로 하여 N2 가스만을 공급시켜도 된다. 이러한 습도의 제어에 대해서, PID 제어를 이용하여, 오버슛트나 헌팅을 억제하는 것도 바람직하다. 또한, 상기 제어를 행하는 경우, 습도 검출기(HG1)에 의한 습도 검출값은 모니터용으로 사용하지만, 습도 검출기(HG2)에 의한 습도 검출값을 모니터용으로 하고 습도 검출기(HG1)에 의한 습도 검출값을 제어용으로 사용할 수도 있다.
히터 동작 명령부(53)는 물 유량 결정부(52)에 의해 결정된 물 유량 명령값에 대응하여 히터(97a)를 동작시키기 위해, 히터 컨트롤러(97b)에 명령을 부여하도록 구성되어 있다.
상기와 같이 반송실(1)이 구성됨으로써, 이하와 같이 동작을 행하게 할 수 있다.
먼저, 반송실(1)의 동작을 개시시키는 경우에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 내부의 대략 밀폐 공간(CS)에, 가스 공급구(91)로부터 가스 공급 라인(GS)을 통하여 N2 가스를 공급하면서, 가스 배기구(92)로부터 가스 배출 라인(GE)을 통하여 공기를 배제하고, N2 가스에 의한 퍼지를 행한다. 이때, 압력 검출기(PG)로부터 얻어지는 출력으로부터 압력 취득부(54)가 압력 검출값을 취득하고, 이 압력 검출값을 기초로 가스 유량 결정부(51)가 가스 유량 명령값을 결정하여 MFC(95)에 출력한다. 그리고, MFC(95)가 가스 유량 명령값에 맞춰서 가스 유량을 조정함으로써, 대략 밀폐 공간(CS)에 공급되는 N2 가스의 유량이 변경된다. 이렇게 함으로써 대략 밀폐 공간(CS)의 내부를 외부보다도 압력이 높은 양압으로 유지하여, 외부로부터의 파티클의 침입을 방지할 수 있다.
또한, 제어 수단(5)에 의해, FFU(76) 및 팬(74, 75, 77)의 동작을 행하게 함으로써 순환로(CL)를 따라서 내부에서 가스를 순환시킬 수 있어, 케미컬 필터 유닛(7) 및 FFU(76)에 의해, 가스 중에 포함되는 파티클이나 케미컬 성분을 제거하여 청정한 상태로 할 수 있다.
그리고 또한, 제어 수단(5)을 구성하는 습도 취득부(55)가 습도 검출기(HG2)로부터 얻어지는 출력으로부터 습도 검출값을 취득하고, 이 습도 검출값을 기초로 물 유량 결정부(52)가 물 유량 명령값을 결정하여 LFC(99)에 출력한다. LFC(99)는 물 유량 명령값에 맞춰서 물 유량을 조정함으로써, 대략 밀폐 공간(CS)에 공급되는 N2 가스에 포함시키는 수분량이 조정된다. 또한, 수분은 분무기(96)에 의해 미소 입자로서 부여된 후에, 하류측의 기화기(97)를 사용하여 기화된 상태에서 케미컬 필터 박스(3B) 내에 부여된다. 이렇게 함으로써, 대략 밀폐 공간(CS) 내에서는, 케미컬 필터 유닛(7)에 의한 가수분해 반응을 손상시키지 않을 정도의 약간의 습도를 유지할 수 있어, 케미컬 성분을 효과적으로 제거함과 함께, 과도한 습도에 의한 웨이퍼(W)의 부식을 방지할 수도 있다.
상기와 같이 내부의 분위기가 청정하게 됨으로써, 대략 밀폐 공간(CS) 내의 양압을 유지하면서, N2 가스의 공급량을 감소시키는 통상 상태로 이행하여, N2 가스의 소비량을 삭감한다. 그리고, 제어 수단(5)에 의해 반송 로봇(2)이나, 도 1에 도시하는 로드 포트(4∼4) 및 각 도어(1a, 4a∼4a)를 동작시킴으로써, 청정한 상태를 유지하면서 피반송물인 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있다.
게다가, 통상 운전을 행하고 있는 동안에도, 상기 습도 검출기(HG2)에 의한 습도 검출값에 기초하는 습도 제어를 계속하여 행함으로써, 케미컬 필터 유닛(7)에 의한 제거 성능을 유지할 수 있어, 처리 장치(6)측으로부터 웨이퍼(W)와 함께 케미컬 성분이 유입된 경우에도, 이것을 적절하게 제거하여 내부를 청정한 상태로 유지할 수 있다.
이상과 같이 본 실시 형태에 있어서의 반송실(1)은 내부에 설치되는 반송 로봇(2)을 사용하여 처리 장치(6)측과의 사이에서 피반송물로서의 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 것이며, 가스를 순환시키기 위하여 내부에 형성된 순환로(CL)와, 순환로(CL)의 도중에 설치된 케미컬 필터로서의 케미컬 필터 유닛(7)과, 내부의 습도를 검출하는 습도 검출 수단으로서의 습도 검출기(HG2)와, 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 수단(NS)과, 내부에 수분을 공급하는 수분 공급 수단(HS)을 구비하고 있고, 습도 검출 수단에 의한 습도 검출값에 기초하여 수분 공급 수단(HS)을 동작시키도록 구성한 것이다.
이렇게 구성하고 있기 때문에, 습도 검출기(HG2)에 의한 습도 검출값에 기초하여 수분 공급 수단(HS)을 동작시킴으로써 내부의 습도를 적정하게 유지할 수 있기 때문에, 케미컬 필터 유닛(7)에 적절하게 가수분해 반응을 행하게 하여, 케미컬 성분을 제거하여 내부를 청정한 상태로 유지할 수 있다. 그로 인해, 청정한 상태를 유지한 채 웨이퍼(W)를 반송시키는 것이 가능하게 되어 있어, 웨이퍼(W)를 사용하여 제조하는 반도체 디바이스의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 수분 공급 수단(HS)이, 가스 공급 수단(NS)으로부터의 가스 공급 라인(GS)의 도중에 있어서 가스에 수분을 포함시키도록 구성되어 있는 점에서, 보다 안정되게 수분을 공급하는 것이 가능하게 되어 있다.
그리고, 수분 공급 수단(HS)을, 수분 공급원에 접속된 유량 제어부로서의 LFC(99)와, LFC(99)로부터 공급된 물을 가스 내에 분무하는 분무기(96)와, 가스 내에 분무된 물을 기화시키는 기화기(97)에 의해 구성하고 있기 때문에, 간단하고 또한 적절하게 공급하는 수분량을 제어하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 수분 공급 수단(HS)에 의한 수분의 공급보다 하류측의 가스 공급 라인(GS)에 있어서, 배관을 보온하는 보온 수단(HI)이 설치되도록 구성하고 있기 때문에, 수분 공급 수단(HS)에 의한 수분의 공급 후에 가스의 온도가 노점 이하까지 낮아져서 결로가 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 내부의 습도를 적정하게 유지하면서 여분의 수분이 침입하는 것을 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 각 부의 구체적인 구성은, 상술한 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 내부를 채우는 가스로서 N2 가스를 사용하고 있었지만, 동일한 불활성 가스인 Ar(아르곤) 가스도 바람직하게 이용할 수 있다. 게다가, 물의 기체 즉 수증기 이외의 것이라면, N2 가스나 Ar 가스 이외의 것을 사용할 수도 있고, 피반송물인 웨이퍼(W)에 대한 처리의 내용에 따라 적절히 변경할 수 있다.
또한, 이 반송실(1)은 웨이퍼(W) 이외의 피반송물을 반송시키기 위해서도 사용할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 수분 공급 수단(HS)을, 대략 밀폐 공간(CS)에 공급하는 N2 가스에 수분을 공급하도록 구성하고 있었지만, 대략 밀폐 공간(CS) 내에 직접 수분을 공급하도록 구성할 수도 있고, 그 경우에도 상기에 준한 효과를 얻을 수 있다.
그리고 또한, 상술한 실시 형태에서는, 습도 검출기(HG2)에 의한 검출값에 기초하여 수분 공급 수단(HS)을 동작시킴으로써, 대략 밀폐 공간(CS) 내를 목적으로 하는 습도로 유지하도록 하고 있었지만, 습도 검출기(HG2)에 의한 검출값을 사용하지 않고, 소정 시간 경과마다 수분 공급 수단(HS)으로부터 소정량의 수분을 공급시키도록 구성해도 된다. 이렇게 함으로써도 대략 밀폐 공간(CS) 내를 목적으로 하는 습도에 유지할 수 있어, 상기에 준한 효과를 얻는 것이 가능하게 되는 데다가, 습도 검출기(HG2)를 불필요하게 함으로써 더욱 제조 비용을 삭감하는 것도 가능하게 된다.
기타의 구성도, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변형이 가능하다.
1: 반송실
2: 반송 로봇
5: 제어 수단
6: 처리 장치
7: 케미컬 필터 유닛(케미컬 필터)
96: 분무기
97: 기화기
99: LFC(유량 제어부)
CL: 순환로
GE: 가스 배출 라인
GS: 가스 공급 라인
HS: 수분 공급 수단
HG1, HG2: 습도 검출기(습도 검출 수단)
HI: 보온 수단
NS: 가스 공급 수단
W: 웨이퍼(피반송물)

Claims (4)

  1. 내부에 설치되는 반송 로봇을 사용하여 처리 장치측과의 사이에서 피반송물의 수수를 행하기 위한 반송실이며,
    가스를 순환시키기 위하여 내부에 형성된 순환로와,
    당해 순환로의 도중에 설치된 케미컬 필터와,
    내부의 습도를 검출하는 습도 검출 수단과,
    내부에 가스를 공급하는 가스 공급 수단과,
    내부에 수분을 공급하는 수분 공급 수단을 구비하고 있고,
    상기 습도 검출 수단에 의한 습도 검출값에 기초하여 상기 수분 공급 수단을 동작시키도록 구성한 것을 특징으로 하는 반송실.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수분 공급 수단이, 상기 가스 공급 수단으로부터의 가스 공급 라인의 도중에 있어서 상기 가스에 수분을 포함시키도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반송실.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수분 공급 수단이, 수분 공급원에 접속된 유량 제어부와, 당해 유량 제어부로부터 공급된 물을 상기 가스 내에 분무하는 분무기와, 가스 내에 분무된 물을 기화시키는 기화기에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반송실.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 수분 공급 수단에 의한 수분의 공급보다 하류측의 가스 공급 라인에 있어서, 배관을 보온하는 보온 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반송실.
KR1020177024043A 2015-02-27 2016-02-05 반송실과, 반송실의 케미컬 필터의 습도 관리 방법 KR102483665B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015038389A JP6500498B2 (ja) 2015-02-27 2015-02-27 搬送室及び搬送室のケミカルフィルタの湿度管理方法
JPJP-P-2015-038389 2015-02-27
PCT/JP2016/053554 WO2016136432A1 (ja) 2015-02-27 2016-02-05 搬送室

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170121191A true KR20170121191A (ko) 2017-11-01
KR102483665B1 KR102483665B1 (ko) 2023-01-02

Family

ID=56789456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177024043A KR102483665B1 (ko) 2015-02-27 2016-02-05 반송실과, 반송실의 케미컬 필터의 습도 관리 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10658217B2 (ko)
EP (1) EP3264451B1 (ko)
JP (1) JP6500498B2 (ko)
KR (1) KR102483665B1 (ko)
TW (1) TWI698945B (ko)
WO (1) WO2016136432A1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102159270B1 (ko) * 2019-04-10 2020-09-23 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR20200119537A (ko) * 2019-04-10 2020-10-20 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR20210021330A (ko) * 2018-10-30 2021-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20210079416A (ko) * 2018-02-27 2021-06-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 팩토리 인터페이스 챔버 필터 퍼지를 이용한 기판 프로세싱 장치 및 방법들
KR20220168229A (ko) * 2021-06-15 2022-12-23 주식회사 테크엑스 이에프이엠
KR20220168228A (ko) * 2021-06-15 2022-12-23 주식회사 테크엑스 이에프이엠
KR20230053081A (ko) * 2021-10-14 2023-04-21 주식회사 저스템 불활성 기체의 공급장치

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6511858B2 (ja) * 2015-02-27 2019-05-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室
US10388548B2 (en) * 2016-05-27 2019-08-20 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for operating machinery under uniformly distributed mechanical pressure
JP7031131B2 (ja) * 2017-03-22 2022-03-08 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍ及びｅｆｅｍのガス置換方法
JP6890029B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
TWI630153B (zh) * 2017-11-07 2018-07-21 京鼎精密科技股份有限公司 晶圓裝卸及充氣系統
JP7012558B2 (ja) * 2018-02-26 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の動作方法
JP7037049B2 (ja) * 2018-03-15 2022-03-16 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
TWI828710B (zh) * 2018-06-18 2024-01-11 美商蘭姆研究公司 基板處理系統及基板處理方法
JP7198133B2 (ja) * 2019-03-22 2022-12-28 オークマ株式会社 水分侵入検知システムおよび水分侵入検知方法
JP7221110B2 (ja) 2019-03-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11443966B2 (en) * 2020-01-17 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing flow field control apparatus and method
CN115516657A (zh) * 2020-01-22 2022-12-23 应用材料公司 Oled层厚度和掺杂剂浓度的产线内监测
EP4094306A4 (en) 2020-01-22 2024-02-28 Applied Materials, Inc. INLINE MONITORING OF OLED LAYER THICKNESS AND DOPANT CONCENTRATION
US20220297320A1 (en) * 2021-03-18 2022-09-22 Applied Materials, Inc. Increased number of load ports on factory interface with robot that moves on track

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
JP2012049382A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sinfonia Technology Co Ltd ロードポート、ｅｆｅｍ
KR20140105390A (ko) * 2013-02-22 2014-09-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 소결은 피복막의 제작 방법 및 소성 장치 및 반도체 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11168135A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Toshiba Corp 基板保管装置および基板保管方法
JP2002313867A (ja) * 2001-02-09 2002-10-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4432035B2 (ja) * 2004-03-31 2010-03-17 株式会社日立プラントテクノロジー ミニエンバイロメント装置
JP4383459B2 (ja) * 2007-02-13 2009-12-16 三機工業株式会社 汚染ガス除去空気調和装置
JP5202934B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-05 伸和コントロールズ株式会社 超高純度空気の調製方法
US8827695B2 (en) * 2008-06-23 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer's ambiance control
JP2012094822A (ja) * 2010-09-30 2012-05-17 Shibaura Mechatronics Corp 密閉型容器及び半導体製造装置
TWI749397B (zh) * 2013-12-13 2021-12-11 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組（ｅｆｅｍ）及半導體製造裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
JP2012049382A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sinfonia Technology Co Ltd ロードポート、ｅｆｅｍ
KR20140105390A (ko) * 2013-02-22 2014-09-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 소결은 피복막의 제작 방법 및 소성 장치 및 반도체 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210079416A (ko) * 2018-02-27 2021-06-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 팩토리 인터페이스 챔버 필터 퍼지를 이용한 기판 프로세싱 장치 및 방법들
KR20210021330A (ko) * 2018-10-30 2021-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102159270B1 (ko) * 2019-04-10 2020-09-23 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR20200119537A (ko) * 2019-04-10 2020-10-20 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR20220168229A (ko) * 2021-06-15 2022-12-23 주식회사 테크엑스 이에프이엠
KR20220168228A (ko) * 2021-06-15 2022-12-23 주식회사 테크엑스 이에프이엠
KR20230053081A (ko) * 2021-10-14 2023-04-21 주식회사 저스템 불활성 기체의 공급장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20180047602A1 (en) 2018-02-15
KR102483665B1 (ko) 2023-01-02
JP2016162819A (ja) 2016-09-05
JP6500498B2 (ja) 2019-04-17
TW201637112A (zh) 2016-10-16
EP3264451B1 (en) 2021-09-29
WO2016136432A1 (ja) 2016-09-01
EP3264451A4 (en) 2018-10-24
EP3264451A1 (en) 2018-01-03
US10658217B2 (en) 2020-05-19
TWI698945B (zh) 2020-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170121191A (ko) 반송실
US20240038554A1 (en) Transfer chamber
US20180286726A1 (en) Humidity control in semiconductor systems
JP7477785B2 (ja) Ｅｆｅｍシステム及びｅｆｅｍシステムにおけるガス供給方法
KR20110060789A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6777869B2 (ja) Ｅｆｅｍ装置
JP2019161117A (ja) Ｅｆｅｍ、及び、ｅｆｅｍにおけるガス置換方法
JP2023022095A (ja) 搬送室
JP7048885B2 (ja) Ｅｆｅｍ
KR20240049160A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant