CN107808844B - 容器容纳设备 - Google Patents

容器容纳设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107808844B
CN107808844B CN201710806832.6A CN201710806832A CN107808844B CN 107808844 B CN107808844 B CN 107808844B CN 201710806832 A CN201710806832 A CN 201710806832A CN 107808844 B CN107808844 B CN 107808844B
Authority
CN
China
Prior art keywords
container
purge gas
vertical direction
supply device
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710806832.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107808844A (zh
Inventor
安部健史
吉本忠浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daifuku Co Ltd
Original Assignee
Daifuku Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daifuku Co Ltd filed Critical Daifuku Co Ltd
Publication of CN107808844A publication Critical patent/CN107808844A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107808844B publication Critical patent/CN107808844B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01B—MACHINES OR ENGINES, IN GENERAL OR OF POSITIVE-DISPLACEMENT TYPE, e.g. STEAM ENGINES
    • F01B25/00—Regulating, controlling, or safety means
    • F01B25/02—Regulating or controlling by varying working-fluid admission or exhaust, e.g. by varying pressure or quantity
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01D—NON-POSITIVE DISPLACEMENT MACHINES OR ENGINES, e.g. STEAM TURBINES
    • F01D11/00—Preventing or minimising internal leakage of working-fluid, e.g. between stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种容器容纳设备，其在容纳容器（W）的多个容纳部的每一个中，向容器（W）的内部供给净化气体，所述容器容纳设备具备：排放部（2），排放净化气体；气体供给装置（3），控制净化气体的供给流量；主配管（4），供从气体供给装置（3）输出的净化气体流通；分支配管（5），从主配管（4）分支，与各排放部（2）连接；排放部（2）不论在容纳部中是否容纳有容器（W），都排放净化气体；气体供给装置（3）控制净化气体的供给流量，以使得容纳在容纳部中的容器（W）的总数越少则净化气体的供给流量越多。

Description

容器容纳设备
技术领域
本发明涉及具有容纳容器的多个容纳部并在各个容纳部中向被容纳的容器的内部供给净化气体的容器容纳设备。
背景技术
在国际公开WO2015/194255号中，公开了一种具备将容器的内部用惰性气体或清洁干燥空气等净化气体（purge gas）净化的机构的容纳设备（净化储料器（1））（在背景技术的说明中，括弧内的附图标记是现有技术文献的附图标记）。在净化储料器（1）中，设有将容器（F）的内部用净化气体进行净化处理的净化装置（30）。净化装置（30）具备多个载置部（31）、连接在各载置部（31）上的多个供给管（33）、供多个供给管（33）连接的主管（41）、和调整主管（41）中的净化气体的流量的质量流控制器（43）（［0029］，图1等）。
在上述那样的容纳设备中，并非始终在全部的多个载置部（31）上载置有容器（F），所以在上述净化装置（30）中，根据载置部（31）的使用率来调整净化气体的流量。在上述净化装置（30）中，在以目标供给流量（TF）向容器（F）供给净化气体时，质量流控制器（43）调整流量，以使得流量为将载置的容器（F）的数量（N）乘以目标供给流量（TF）（=TF×N）（［0034］～［0037］）。即，以作为净化气体的供给目标的容器（F）的数量越多则流量越多的方式进行调整。
可是，在载置部（31）上没有载置容器（F）的情况下，净化气体从该载置部（31）中的供给管（33）漏出。质量流控制器（43）以载置的容器（F）的数量（N）越多则流量越多的方式调整流量（=TF×N）。但是，由于从没有载置容器（F）的供给管（33）以没有容器（F）的阻力的状态排放净化空气，所以相对较多的净化气体从该供给管（33）流出。其结果是，可以想到向载置在载置部（31）上的容器（F）的供给流量低于目标供给流量（TF），不能向容器（F）充分地供给净化空气。例如，如在现有技术文献中例示那样，能够通过在供给管（33）中具备开闭阀（39），来抑制净化空气向空着的载置部（31）的流出（［0045］～［0046］，图4等）。但是，如果在各个供给管（33）中设置开闭阀（39），则有构造复杂化、装置规模也变大而导致设备成本增大的趋势。
发明内容
鉴于上述背景，希望能够以简单的构造提供一种不论有无容纳容器的多个容纳部中的容器、都能够向容纳在容纳部中的容器的内部稳定地供给净化气体的容器容纳设备。
作为1个技术方案，鉴于上述问题的容器容纳设备具有容纳容器的多个容纳部，在前述容纳部的每一个中，向被容纳的前述容器的内部供给净化气体，该容器容纳设备具备：排放部，在多个前述容纳部的每一个中，与被容纳的各个前述容器连接，向该容器排放前述净化气体；气体供给装置，控制前述净化气体的供给流量；主配管，连接在前述气体供给装置上，供从前述气体供给装置输出的前述净化气体流通；分支配管，从前述主配管分支，与各个前述排放部连接；前述排放部不论在前述容纳部中是否容纳有前述容器，都排放前述净化气体；前述气体供给装置取得多个前述容纳部中的前述容器的容纳状态的信息，控制前述净化气体的前述供给流量，以使得容纳在前述容纳部中的前述容器的总数越少则前述净化气体的前述供给流量越多。
根据该结构，由于排放部不论在容纳部中是否容纳有容器，都排放净化气体，所以不需要在分支配管或排放部中配置控制阀等，能够使设备结构变得简单。但是，在容纳部中没有容纳容器的状态下，成为净化气体从排放部泄漏的状态，有可能变得不能对容纳在容纳部中的容器充分地供给净化气体。但是，根据本结构，容纳在容纳部中的容器的总数越少，气体供给装置越使净化气体的供给流量增加，所以即使净化气体从没有连接在容器上的排放部泄漏，也能够经由连接在容器上的排放部向容器供给充分的净化气体。这样，在本结构中，能够不增设气体供给装置或附加控制阀，而借助气体供给装置的控制来适当地将净化气体向容器供给。即，根据本结构，能够以简单的构造提供一种不论有无容纳容器的多个容纳部中的容器、都能够向容纳在容纳部中的容器的内部稳定地供给净化气体的容器容纳设备。
容器容纳设备的进一步的特征和优点根据参照附图说明的关于实施方式的以下记载会变得明确。
附图说明
图1是示意地表示容器容纳设备的结构的图。
图2是容纳部的侧视图。
图3是容纳部的俯视图。
图4是示意地表示净化装置的净化气体的流路的图。
图5是表示包括净化装置的容器容纳设备的结构的示意性的框图。
图6是表示供给流量的控制例的流程图。
图7是表示气体供给装置的其他结构例的示意性的框图。
图8是示意地表示分支配管的其他结构例的图。
图9是示意地表示分支配管的其他结构例的图。
图10是示意地表示容纳部的其他配置例的俯视图。
具体实施方式
以下，基于附图说明容器容纳设备的实施方式。图1表示具备容器容纳搁架（容纳搁架102）和容器输送装置（10、104等）的容器容纳设备100的一例。在本实施方式中，作为容器输送装置而例示了堆垛起重机10（SC：Stacker Crane）、顶棚输送车20（参照图5等，OHV：Overhead Hoist Vehicle）和入出库输送机104。容纳搁架102具备多个容纳容器W的容纳部101。详细情况后述，但在本实施方式中，作为容器W而例示了收容中间掩模（光掩模）的中间掩模盒。容器容纳设备100如图4所示，具有供给向容器W填充的净化气体（purge gas）的净化装置1。这里，所谓净化气体，例如是尘埃及湿气被除去后的清洁干燥空气（clean dryair）、或氮气等惰性气体。
以夹着堆垛起重机10的立柱13（支柱）移动通路（后述的一对行驶轨道15）对置的状态装备有一对容纳搁架102。在一对容纳搁架102的每一个中，以在上下方向及搁架横宽方向（图1的与纸面正交的方向，图3中的Y方向）上排列的状态装备有多个容纳部101。在多个容纳部101的每一个中，具备将所容纳的容器W载置支承的搁板9。堆垛起重机10具备沿着一对行驶轨道15行驶的行驶台车12，在行驶台车12上立设有一对立柱13。在立柱13上设置有沿着立柱13升降移动的升降体14，在升降体14上，支承着在容纳搁架102的方向（图示X方向）上进退而载置容器W的货叉16。
如图1所示，容纳搁架102设置在被壁体106覆盖的设置空间（容纳空间）的内部。堆垛起重机10在设置空间的内部输送容器W，顶棚输送车20在设置空间的外部输送容器W。入出库输送机104设置成将壁体106贯通，在设置空间的内部与外部之间输送容器W。另外，容器容纳设备100设置在无尘室内。在设置空间（容纳空间）的正上方，设置有例如朝向下方吹送清洁干燥空气等气体的送风风扇（未图示），形成使气体从顶棚侧朝向地板侧流动的下降流式的无尘室。
无尘室的地板部F由下地板部F1和配设在比下地板部F1靠上侧的上地板部F2构成。上地板部F2是形成有多个在上下方向上贯通的通气孔的格栅地板。例如，作业者在该上地板部F2上通行。下地板部F1是不具有通气孔的地板，在本实施方式中由无孔状的混凝土构成。堆垛起重机10在行驶轨道15之上行驶，该行驶轨道15被铺设在该下地板部F1上，或被铺设在相对于下地板部F1固定的地板板部件上。
入出库输送机104在位于壁体106的外侧的外部移载部位与位于壁体106的内侧的内部移载部位之间载置输送容器W。顶棚输送车20对于图1所示的入出库输送机104的外部移载部位进行容器W的装卸。在本实施方式中，虽然没有图示，但也可以在比入出库输送机104低的位置，例如以支承在上地板部F2上的形态设置将壁体106贯通的下方入出库输送机（在此情况下，入出库输送机104称作上方入出库输送机）。作业者对于设置在相对较低的位置处的下方入出库输送机的外部移载部位进行容器W的装卸。
如果将容器W载置到入出库输送机104（也包括下方入出库输送机）的外部移载部位上，则借助入出库输送机104将该容器W从外部移载部位向内部移载部位载置输送。堆垛起重机10将容器W从内部移载部位向容纳部101输送，将容器W向容纳部101的搁板9上载置（入库）。相反地，堆垛起重机10将容器W从容纳部101的搁板9取出，向入出库输送机104（也包括下方入出库输送机）的内部移载部位输送。该容器W被入出库输送机104从内部移载部位向外部移载部位载置输送，被顶棚输送车20或作业者从外部移载部位卸下（出库）。即，堆垛起重机10在内部移载部位与容纳部101之间输送容器W。
如上述那样，在本实施方式中，容器W是中间掩模盒。如图2及图3所示，容器W具有收容中间掩模的容器主体部60、和位于比容器主体部60靠上方的位置且装备在容器W的上端部的凸缘部65。顶棚输送车20通过抓住凸缘部65而将容器W悬挂支承，将容器W输送。此外，堆垛起重机10在将容器主体部60的底面61借助货叉16（容器支承部）载置支承的状态下输送容器W（参照图1）。
如图2及图3所示，在容器主体部60的底面61（容器W的底面61）上，设有3处朝向铅直方向Z的上方凹陷的底面凹部62。底面凹部62形成为越靠上方越细的前端变细的形状，底面凹部62的内表面为倾斜面。设在容纳部101的搁板9上的搁板侧定位销9p及设在堆垛起重机10的货叉16上的货叉侧定位销（未图示）从下方与该底面凹部62卡合。在将容器W向搁板9载置时、或用货叉16捞起时，即使在容器W的位置在水平方向上偏移的情况下，这些定位销也被底面凹部62的内表面导引。由此，将容器W相对于货叉16或搁板9的水平方向的位置修正为恰当的位置。
如图2及图3所示，容纳搁架102的搁板9以一端侧被固定支承、另一侧敞开的悬臂支承姿势被固定在容纳搁架102的框架上。搁板9不形成为矩形状，而形成为U字状，支承矩形状的容器W的底面61的3边。在搁板9上，在U字的底部及两侧部这3处配置有搁板侧定位销9p。如上述那样，当将容器W向搁板9载置时，3个搁板侧定位销9p分别与容器W的3处底面凹部62卡合，将容器W适当地载置到搁板9上。
本实施方式的容器容纳设备100在多个容纳部101的每一个中具备向被容纳的容器W的内部供给净化气体的净化装置1。以下，也参照图4及图5进行说明。净化装置1具备向容器W排放净化气体的排放部2、控制净化气体的供给流量的气体供给装置3、供从气体供给装置3输出的净化气体流通的主配管4、和从主配管4分支并与各个排放部2连接的分支配管5。气体供给装置3如图5等所示，具备质量流控制器31（MFC：Mass Flow Controller）和净化控制器33（PC：Purge Controller）。质量流控制器31被从气体供给源41（GS：Gas Source）经由主管40供给净化气体。另外，虽然在图5等中没有图示，但也可以具备集成管理多个净化控制器33的上位净化控制器。
排放部2在多个容纳部101的每一个中被连接在容纳的各个容器W上，并向容器W排放净化气体。如图4所示，在容器W上设有供气口7和排气口8。在图2及图3中没有图示，供气口7及排气口8例如形成在容器W的底面61上。参照图2及图3如上述那样，在设在各个容纳部101中的搁板9上设有3个搁板侧定位销9p，通过将这些定位销分别与容器W的3处底面凹部62卡合，而将容器W适当地载置到搁板9上。如图2及图3所示，排放部2也与搁板侧定位销9p同样，设置成从搁板9向上方突出。排放部2在将容器W相对于搁板9适当地载置支承在规定位置处的状态下与容器W的供气口7连接。
从排放部2排放的净化气体从供气口7向容器W的内部流入。在供气口7处具备供气用开闭阀（未图示），在排气口8处设有排气用开闭阀（未图示）。供气用开闭阀及排气用开闭阀被弹簧等施力体施力为关闭状态。如果在供气口7上连接着排放部2的状态下从排放部2喷出净化气体，则借助其压力而使供气用开闭阀打开，净化气体被从供气口7向容器W的内部供给。此外，如果被供给净化气体而容器W的内部的压力变高，则借助该压力而使排气用开闭阀打开，容器W的内部的气体（空气或湿的空气、已经填充的净化气体等）被从排气口8排出。另外，容器W构成为具有气密性。即，构成为，当排放部2与供气口7的连接被解除并由容器输送装置（10、20、104）输送容器W时，容器W的内部的净化气体不易泄漏。
容纳搁架102具备多个容纳部101，但并不始终在全部的容纳部101中容纳有容器W。设在各个容纳部101上的排放部2在没有容纳容器W、没有被连接在容器W的供气口7上的状态下敞开，从而净化气体从排放部2流出（参照图4）。在净化气体从敞开状态的排放部2流出时的阻力比从供气口7向容器W的内部送入净化气体时的阻力小的情况下，更多的净化气体被从敞开状态的排放部2排放。其结果是，有用来向容器W的内部送入净化气体的流量不足、容器W的净化不充分的情况。
所以，在本实施方式中，气体供给装置3取得多个容纳部101中的容器W的容纳状态的信息，根据容纳在容纳部101中的容器W的总数“n”，控制净化气体的供给流量。具体而言，气体供给装置3控制净化气体的供给流量“FL”，以使得容纳在容纳部101中的容器W的总数“n”越少，即，容纳部101的使用率越低，则供给流量越多。另外，有时将如图4所示地被相同的质量流控制器31、主配管4供给净化气体的一组分支配管5、排放部2分别称作“分支配管组”、“排放部组”，并将具备该排放部组的一组容纳部101称作“容纳部组”。在此情况下，气体供给装置3控制净化气体的供给流量“FL”，以使得容纳在容纳部组中的容器W的总数“n”越少，即，容纳部组的使用率越低，则供给流量越多。
如图1所示，在本实施方式中，多个容纳部101（容纳部组）以在沿着铅直方向Z的方向上观察时重叠的方式在铅直方向Z上排列配置。质量流控制器31在沿着铅直方向Z的方向上观察时不与容纳部101（容纳部组）重叠，在铅直方向Z上配置在比容纳部101（容纳部组）靠下方的位置。在本实施方式中，质量流控制器31配置在比作为净化气体的供给对象的全部的容纳部101靠下方的位置。换言之，质量流控制器31在水平方向（X方向及Y方向）上观察时被配置在不与容纳部101重叠的位置。如上述那样，无尘室的地板部F由下地板部F1和配设在比下地板部F1靠上侧的位置的上地板部F2构成。在铅直方向Z上位于最下方的容纳部101也没有配置在比上地板部F2靠下方的位置，全部的多个容纳部101（全部的容纳部组）都被配置在比上地板部F2靠上方的位置。即，还考虑到装置的重量、气体供给源41及主管40的配置，而将质量流控制器31配置在比上地板部F2靠下方的位置。另外，气体供给装置3具备质量流控制器31和净化控制器33，至少质量流控制器31被配置在比上地板部F2靠下方的位置。
在将净化气体朝向主配管4输出的质量流控制器31中，发热量大的质量流控制器较多。这里，在被收容在容器W中的收容物是半导体材料（晶片）或半导体制造材料（中间掩模（光掩模））的情况下，优选的是抑制加热。特别是，微细化得到发展的尖端工艺的半导体制造材料（例如，EUV掩模：Extreme Ultraviolet Lithography（超紫外线光刻））容易受到热量的影响。如果将质量流控制器31配置于在沿着铅直方向Z的方向上观察时重叠地排列配置的容纳部101（容纳部组）的正下方的位置，则有带有热量的空气上升而将容纳部101及被容纳在容纳部101中的容器W、还有被收容在容器W中的中间掩模（光掩模）等加热的情况。通过如本实施方式那样将质量流控制器31配置在从容纳部101的正下方偏移的位置，而能够抑制这样的加热。
如上述那样，本实施方式的容器容纳设备100构成为气体从顶棚侧朝向地板侧流动的下降流式的无尘室，但有产生下降气流（下降流）较弱的区域的情况。如果供质量流控制器31设置的场所的上方的下降气流较弱，则有带有热量的空气变得容易上升、将容器W及容器W的收容物加热的可能。因而，质量流控制器31优选不要配置在下降气流较弱的区域中。容纳部101排列的铅直方向Z由于下降气流被容纳部101妨碍，所以下降气流容易变弱。因而，优选的是将质量流控制器31配置在从容纳部101的正下方偏移的位置。
图5示意地表示包括净化装置1的容器容纳设备100的***结构。容器容纳设备100中的容器W的输送及容纳由堆垛起重机控制器110（STK-C：Stacker Crane Controller）及物料控制处理器112（MCP：Material Control Processor）控制。另外，在如上述那样具备集成管理多个净化控制器33的上位净化控制器的情况下，也可以借助物料控制处理器112与该上位净化控制器的协作、或借助与物料控制处理器112相当的上位的输送管理装置与该上位净化控制器的协作，来控制容器容纳设备100中的容器W的输送、容纳以及净化气体的供给。
在本实施方式中，如图5所示，对于1个容纳搁架102设有1个气体供给装置3。各个质量流控制器31连接于图4所例示的主管40、以及被配设在各容纳搁架102上的主配管4，调整向各个主配管4送出的净化气体的供给流量。对于各个主配管4的供给流量由对各个质量流控制器31设置的净化控制器33决定。容器W的输送及容纳由堆垛起重机控制器110、物料控制处理器112等管理装置管理。特别在本实施方式中，由于堆垛起重机10进行容器W向容纳部101的入出库，所以容纳部101的使用状态由堆垛起重机控制器110掌握。因而，在本实施方式中，净化控制器33经由构造内网络等从堆垛起重机控制器110取得各容纳搁架102中的容纳部101（容纳部组）的使用率（容纳在容纳部101中的容器W的总数“n”）。
净化控制器33控制净化气体的供给流量“FL”，以使得容纳在容纳部101中的容器W的总数“n”越少则净化气体的供给流量越多。作为1个技术方案，净化控制器33设经由分支配管5（分支配管组）连接在主配管4上的排放部2（排放部组）的总数为“N”，设容纳在容纳部101（容纳部组）中的容器W的总数为“n”，设从质量流控制器31（气体供给装置3）输出的净化气体的基准流量为“Fa”，设表示从质量流控制器31（气体供给装置3）输出的净化气体的偏移值的偏移流量为“Fb”，设从质量流控制器31（气体供给装置3）输出的净化气体的供给流量为“FL”，净化控制器33（气体供给装置3）控制供给流量“FL”，以使得“FL=（N/n）･Fa+Fb”。
如图6的流程图所例示那样，净化控制器33将存储在程序存储器、参数寄存器中的基本参数（基准流量“Fa”、偏移流量“Fb”、排放部2的总数“N”）设置到运算用寄存器中（#1）。另外，基本参数也可以从堆垛起重机控制器110（管理装置）取得。接着，净化控制器33从堆垛起重机控制器110取得容纳在容纳部101中的容器W的总数“n”（#2）。将所取得的总数“n”也设置到运算用寄存器中。净化控制器33使用设置在运算用寄存器中的参数，基于预先编程的算法“FL=（N/n）･Fa+Fb”运算供给流量“FL”。
另外，在上述中，参照图5例示了对于各个质量流控制器31配备净化控制器33的形态，但也可以如图7所示，对于多个质量流控制器31配备1个净化控制器33的形态。即，也可以是1个净化控制器33运算多个质量流控制器31的供给流量“FL”并向质量流控制器31传递的形态。
另外，向容器W供给净化气体时的阻力值有不是恒定的、根据容器W的种类及制造厂商而不同的情况。此外，即使是相同种类的容器W，也有因个体差异或随时间的变化而例如在供气开闭阀、排气开闭阀的施力上产生差别、或在气密性上产生差别等从而导致阻力值不同的情况。如果与容器W对应的阻力值的差较大，则即使如上述那样根据容器W的容纳数“n”控制供给流量“FL”，也产生不能充分地将净化气体供给到容器W中的情况。所以，如果预先使从排放部2经由各个分支配管5排放净化气体时的阻力值收敛在一定的范围内，则容器W的阻力值带来的影响被抑制，能够使来自各个排放部2的排放量均匀化。
图8及图9例示了在分支配管5中设置作为流体阻力体的节流孔55的形态。另外，在图8及图9中，表示还设有将净化气体中包含的尘埃除去的尘埃过滤器51的例子。由于尘埃过滤器51也妨碍净化气体的流动，所以尘埃过滤器51也能够作为流体阻力体。既可以代替节流孔55而将尘埃过滤器51作为流体阻力体，也可以由节流孔55和尘埃过滤器51构成流体阻力体。流体阻力体的阻力值优选为比流入阻力大的阻力值，所述流入阻力是使净化气体从供气口7向容器W流入时的阻力成分。
另外，在图8中，例示了在比节流孔55靠上游侧的位置设置尘埃过滤器51的形态，在图9中，例示了在比节流孔55靠下游侧的位置设置尘埃过滤器51的形态。如果设置节流孔55，则存在流速因文丘里效应而变快、在节流孔55的下游侧产生噪音的情况。如果如图9那样在节流孔55的下游侧设置尘埃过滤器51，则有可能由尘埃过滤器51抑制噪音。节流孔55和尘埃过滤器51的设置顺序是哪一个都可以，但优选的是也考虑噪音等来设定。
〔其他实施方式〕
以下，对其他实施方式进行说明。另外，以下说明的各实施方式的结构并不限于分别单独地应用，只要不发生矛盾，也可以与其他实施方式的结构组合应用。
（1）在上述中，作为净化气体的供给对象的容器W而例示了中间掩模盒。但是，容器W也可以是容纳多张半导体晶片的FOUP（Front Opening Unified Pod：前端开启式晶圆传送盒）。此外，容器W的容纳物也可以是食品等。
（2）在上述中，例示了堆垛起重机控制器110管理容纳部组的使用率（容纳在容纳部101中的容器W的总数“n”）、净化控制器33从堆垛起重机控制器110取得该总数“n”的形态。但是，也可以是在各容纳部101上具备检测容器W的存在与否的存货传感器（未图示）、净化控制器33基于这些存货传感器的检测结果来取得（计数）总数“n”的形态。在上述中，考虑到因设置存货传感器带来的成本的上升、因存货传感器的发热导致的容器W的温度的上升，而例示了没有设置存货传感器而从堆垛起重机控制器110取得总数“n”的形态。但是，并不妨碍存货传感器的利用。
（3）在上述中，例示了质量流控制器31在铅直方向Z上配置在比全部的容纳部101靠下方的位置的形态。但是，质量流控制器31也可以配置在比一部分的容纳部101靠下方的位置。即，也可以是，容纳部101以在沿着铅直方向Z的方向上观察时重叠的方式在铅直方向Z上被排列配置，质量流控制器31在沿着铅直方向Z的方向上观察时不与容纳部101重叠，并且在铅直方向Z上配置在比至少一部分的容纳部101靠下方的位置。
（4）在上述中，例示了将质量流控制器31配置在从容纳部101的正下方偏移的位置的形态。但是，在不需要考虑容器W及容器W的收容物的温度上升那样的情况、或在能将热量隔断那样的情况下，质量流控制器31也可以被配置在容纳部101的正下方。
（5）在上述中，例示了多个容纳部101以在沿着铅直方向Z的方向上观察时重叠的方式在铅直方向Z上排列配置的形态。但是，容纳部101也可以如图10所示的第2容纳部101B那样，以在沿着水平方向的方向上观察时重叠的方式排列配置。第2容纳部101B沿着经由多个半导体处理装置120在水平方向上铺设的顶棚轨道108在水平方向上排列配置。顶棚输送车20沿着顶棚轨道108移动，在与半导体处理装置120的入出库站121之间、在与第2容纳部101B之间移载并输送容器W。
〔实施方式的概要〕
以下，对在上述中说明的容器容纳设备的概要简单地进行说明。
作为1个技术方案，容器容纳设备具有容纳容器的多个容纳部，在前述容纳部的每一个中，向被容纳的前述容器的内部供给净化气体，该容器容纳设备具备：排放部，在多个前述容纳部的每一个中，与被容纳的各个前述容器连接，向该容器排放前述净化气体；气体供给装置，控制前述净化气体的供给流量；主配管，连接在前述气体供给装置上，供从前述气体供给装置输出的前述净化气体流通；分支配管，从前述主配管分支，与各个前述排放部连接；前述排放部不论在前述容纳部中是否容纳有前述容器，都排放前述净化气体；前述气体供给装置取得多个前述容纳部中的前述容器的容纳状态的信息，控制前述净化气体的前述供给流量，以使得容纳在前述容纳部中的前述容器的总数越少则前述净化气体的前述供给流量越多。
根据该结构，由于排放部不论在容纳部中是否容纳有容器，都排放净化气体，所以不需要在分支配管或排放部中配置控制阀等，能够使设备结构变得简单。但是，在容纳部中没有容纳容器的状态下，成为净化气体从排放部泄漏的状态，有可能变得不能对容纳在容纳部中的容器充分地供给净化气体。但是，根据本结构，容纳在容纳部中的容器的总数越少，气体供给装置越使净化气体的供给流量增加，所以即使净化气体从没有连接在容器上的排放部泄漏，也能够经由连接在容器上的排放部向容器供给充分的净化气体。这样，在本结构中，能够不增设气体供给装置或附加控制阀，而借助气体供给装置的控制来适当地将净化气体向容器供给。即，根据本结构，能够以简单的构造提供一种不论有无容纳容器的多个容纳部中的容器、都能够向容纳在容纳部中的容器的内部稳定地供给净化气体的容器容纳设备。
这里，优选的是，设经由前述分支配管与前述主配管连接的前述排放部的总数为N，设容纳在前述容纳部中的前述容器的总数为n，设从前述气体供给装置输出的前述净化气体的基准流量为Fa，设表示从前述气体供给装置输出的前述净化气体的偏移值的偏移流量为Fb，设从前述气体供给装置输出的前述净化气体的前述供给流量为FL，前述气体供给装置控制前述供给流量，以使得FL =（N/n）･Fa+Fb。
根据该结构，在连接在主配管上的全部的容纳部中容纳有容器的情况下，为“n=N”。在此情况下，气体供给装置以基于基准流量及偏移流量的供给流量输出净化气体，从而能够适当地将净化气体向容器供给。另一方面，在连接在主配管上的多个容纳部中存在没有容纳容器的容纳部的情况下，容器的容纳数越少，“N/n”的分母变得越小，对于基准流量的乘法系数变得越大。即，容器的容纳数越少，供给流量越多。因而，即使净化气体从没有连接在容器上的排放部泄漏，也能够经由连接在容器上的排放部向容器供给充分的净化气体。根据本结构，借助这样的简单的线性运算，不论有无多个容纳部中的容器，都能够稳定地将净化气体向容器供给。
作为1个技术方案，优选的是，前述排放部连接在前述容器的供气口上；在各个前述分支配管中，设有具有比流入阻力大的阻力值的流体阻力体，所述流入阻力是使前述净化气体从前述供气口向前述容器流入时的阻力成分。
向容器供给净化气体时的阻力值存在不是恒定的、根据容器的种类或制造厂商而不同的情况。此外，即使是相同种类的容器，也有因个体差异或随着时间的变化而阻力值不同的情况。如果各个容器的阻力值的差较大，则有即使根据容器的容纳数控制供给流量，也不能向容器充分地供给净化气体的情况。通过如本结构那样，在各个分支配管中设置具有比流入阻力大的阻力值的流体阻力体，而能够抑制容器的阻力值带来的影响，使来自各个排放部的排放量均匀化。其结果是，与容器的容纳数对应的供给流量的控制有效地发挥功能，不论有无多个容纳部中的容器，都能够稳定地将净化气体向容器供给。
作为1个技术方案，多个前述容纳部以在沿着铅直方向的方向上观察时重叠的方式在铅直方向上排列配置，前述气体供给装置在沿着铅直方向的方向上观察时不与前述容纳部重叠，在铅直方向上配置在比前述容纳部靠下方的位置。
将净化气体朝向主配管输出的气体供给装置因为具有压缩机等，多为发热量大的气体供给装置。这里，如果收容在容器中的收容物例如是半导体材料或半导体制造材料，则这些材料容易受到由热量带来的影响。此外，如果还考虑气体供给装置的重量、净化气体的供给源及与供给源的连接配管的配置，则将气体供给装置设置在容器容纳设备的下方、例如地板侧的情况也较多。这里，如果将气体供给装置配置于以在沿着铅直方向的方向上观察时重叠的方式排列配置的容纳部的正下方的位置，则可以想到带有热量的空气上升而将容纳部及容纳在容纳部中的容器加热的情况。通过如本结构那样将气体供给装置配置在从容纳部的正下方偏移的位置，而能够抑制这样的加热。
附图标记说明
1 净化装置
2 排放部
3 气体供给装置
4 主配管
5 分支配管
7 供气口
31 质量流控制器（气体供给装置）
33 净化控制器（气体供给装置）
51 尘埃过滤器（流体阻力体）
55 节流孔（流体阻力体）
100 容器容纳设备
101 容纳部
101B 第2容纳部（容纳部）
W 容器
Z 铅直方向。

Claims (8)

1.一种容器容纳设备，具有容纳容器的多个容纳部，在各个前述容纳部中，向被容纳的前述容器的内部供给净化气体，所述容器容纳设备的特征在于，
该容器容纳设备具备：
排放部，在多个前述容纳部的每一个中，与被容纳的各个前述容器连接，向该容器排放前述净化气体；
气体供给装置，控制前述净化气体的供给流量；
主配管，连接在前述气体供给装置上，供从前述气体供给装置输出的前述净化气体流通；
分支配管，从前述主配管分支，与各个前述排放部连接；
前述排放部不论在前述容纳部中是否容纳有前述容器，都排放前述净化气体；
前述气体供给装置取得多个前述容纳部中的前述容器的容纳状态的信息，根据容纳在前述容纳部的前述容器的总数来控制前述净化气体的前述供给流量，以使得容纳在前述容纳部中的前述容器的总数越少则前述净化气体的前述供给流量越多。
2.如权利要求1所述的容器容纳设备，其特征在于，
设经由前述分支配管与前述主配管连接的前述排放部的总数为N，
设容纳在前述容纳部中的前述容器的总数为n，
设从前述气体供给装置输出的前述净化气体的基准流量为Fa，
设对从前述气体供给装置输出的前述净化气体的偏移值进行表示的偏移流量为Fb，
设从前述气体供给装置输出的前述净化气体的前述供给流量为FL，
前述气体供给装置控制前述供给流量，以使得
FL＝(N/n)·Fa+Fb。
3.如权利要求1所述的容器容纳设备，其特征在于，
前述排放部连接在前述容器的供气口上；
在各个前述分支配管中，设有流体阻力体，所述流体阻力体具有比流入阻力大的阻力值，所述流入阻力是使前述净化气体从前述供气口向前述容器流入时的阻力成分。
4.如权利要求2所述的容器容纳设备，其特征在于，
前述排放部连接在前述容器的供气口上；
在各个前述分支配管中，设有流体阻力体，所述流体阻力体具有比流入阻力大的阻力值，所述流入阻力是使前述净化气体从前述供气口向前述容器流入时的阻力成分。
5.如权利要求1所述的容器容纳设备，其特征在于，
多个前述容纳部以在沿着铅直方向的方向上观察时重叠的方式在铅直方向上排列配置，前述气体供给装置在沿着铅直方向的方向上观察时不与前述容纳部重叠，在铅直方向上配置在比前述容纳部靠下方的位置。
6.如权利要求2所述的容器容纳设备，其特征在于，
多个前述容纳部以在沿着铅直方向的方向上观察时重叠的方式在铅直方向上排列配置，前述气体供给装置在沿着铅直方向的方向上观察时不与前述容纳部重叠，在铅直方向上配置在比前述容纳部靠下方的位置。
7.如权利要求3所述的容器容纳设备，其特征在于，
多个前述容纳部以在沿着铅直方向的方向上观察时重叠的方式在铅直方向上排列配置，前述气体供给装置在沿着铅直方向的方向上观察时不与前述容纳部重叠，在铅直方向上配置在比前述容纳部靠下方的位置。
8.如权利要求4所述的容器容纳设备，其特征在于，
多个前述容纳部以在沿着铅直方向的方向上观察时重叠的方式在铅直方向上排列配置，前述气体供给装置在沿着铅直方向的方向上观察时不与前述容纳部重叠，在铅直方向上配置在比前述容纳部靠下方的位置。
CN201710806832.6A 2016-09-09 2017-09-08 容器容纳设备 Active CN107808844B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-176984 2016-09-09
JP2016176984A JP6623988B2 (ja) 2016-09-09 2016-09-09 容器収納設備

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107808844A CN107808844A (zh) 2018-03-16
CN107808844B true CN107808844B (zh) 2023-06-06

Family

ID=61561006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710806832.6A Active CN107808844B (zh) 2016-09-09 2017-09-08 容器容纳设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10354897B2 (zh)
JP (1) JP6623988B2 (zh)
KR (1) KR102346977B1 (zh)
CN (1) CN107808844B (zh)
TW (1) TWI713779B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201610075XA (en) * 2014-06-16 2017-01-27 Murata Machinery Ltd Purge device, purge system, purge method, and control method in purge system
JP6414525B2 (ja) * 2015-09-02 2018-10-31 株式会社ダイフク 保管設備
US10583983B2 (en) * 2016-03-31 2020-03-10 Daifuku Co., Ltd. Container storage facility
US10703563B2 (en) * 2017-11-10 2020-07-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Stocker
KR102080015B1 (ko) * 2018-07-16 2020-02-21 주식회사 에이케이테크 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010182747A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Dan Takuma:Kk 保管システムおよび保管方法
CN103174934A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 株式会社大福 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
WO2015194255A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 村田機械株式会社 パージ装置、パージシステム、パージ方法及びパージシステムにおける制御方法
TW201607632A (zh) * 2014-06-16 2016-03-01 Murata Machinery Ltd 淨化倉儲及淨化方法
CN105593141A (zh) * 2013-09-30 2016-05-18 村田机械株式会社 保管库
TW201630103A (zh) * 2015-02-12 2016-08-16 Murata Machinery Ltd 淨化裝置、淨化貯藏庫、及淨化異常檢測方法
CN105917458A (zh) * 2014-04-28 2016-08-31 村田机械株式会社 净化装置以及净化方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2791809B1 (fr) * 1999-04-01 2001-06-15 Air Liquide Procede et dispositif de traitement d'articles stockes dans des conteneurs et appareil de stockage dote d'un tel dispositif
JP5527624B2 (ja) * 2012-01-05 2014-06-18 株式会社ダイフク 保管棚用の不活性ガス注入装置
JP5598734B2 (ja) * 2012-01-06 2014-10-01 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP5888287B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-16 株式会社ダイフク 処理設備
US10239101B2 (en) * 2014-01-29 2019-03-26 Murata Machinery, Ltd. Purge device and method of diffusing gas including purge gas
SG11201700505UA (en) * 2014-07-25 2017-02-27 Shinetsu Polymer Co Substrate storage container
CN107851596A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 村田机械株式会社 净化装置、净化储料器以及净化气体的供给方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010182747A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Dan Takuma:Kk 保管システムおよび保管方法
CN103174934A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 株式会社大福 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
CN105593141A (zh) * 2013-09-30 2016-05-18 村田机械株式会社 保管库
CN105917458A (zh) * 2014-04-28 2016-08-31 村田机械株式会社 净化装置以及净化方法
WO2015194255A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 村田機械株式会社 パージ装置、パージシステム、パージ方法及びパージシステムにおける制御方法
TW201607632A (zh) * 2014-06-16 2016-03-01 Murata Machinery Ltd 淨化倉儲及淨化方法
TW201630103A (zh) * 2015-02-12 2016-08-16 Murata Machinery Ltd 淨化裝置、淨化貯藏庫、及淨化異常檢測方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI713779B (zh) 2020-12-21
JP2018041926A (ja) 2018-03-15
KR102346977B1 (ko) 2022-01-03
US20180076055A1 (en) 2018-03-15
CN107808844A (zh) 2018-03-16
US10354897B2 (en) 2019-07-16
JP6623988B2 (ja) 2019-12-25
TW201812962A (zh) 2018-04-01
KR20180028971A (ko) 2018-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107808844B (zh) 容器容纳设备
CN108140598B (zh) 吹净装置、吹净储料器以及吹净方法
JP6052469B2 (ja) パージ装置及びパージ方法
TWI647017B (zh) Purification device, purification system, purification method and control method of purification system
EP3104401B1 (en) Purge device and purge method
KR20170121191A (ko) 반송실
TWI643684B (zh) Purification storage and purification method
JP6610476B2 (ja) 容器収納設備
KR101674454B1 (ko) 풉 퍼징용 사이드 트랙 버퍼
JP6468358B2 (ja) パージストッカ、及びパージストッカにおけるパージガスの供給方法
TW201939650A (zh) 設備前端模組
JP6217281B2 (ja) 自動倉庫、及びガス供給方法
TW201711935A (zh) 保管裝置及保管方法
CN113169103A (zh) 晶片储存器
US10978328B2 (en) Article storage facility
CN107265032B (zh) 容器收纳设备
JP7048885B2 (ja) Ｅｆｅｍ
JP2018041924A (ja) 容器収納設備
CN111573091B (zh) 物品保管设备
JP7277813B2 (ja) 搬送システム及び容器開閉装置
US20230125666A1 (en) Purging Device, and Container Storage Facility Including Purging Device
US11222803B2 (en) Stocker
KR20240104208A (ko) 이에프이엠

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant