KR20200136313A - 중간 접속 부재 및 검사 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 인터페이스를 간략화할 수 있는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 본 개시의 일 태양에 의한 중간 접속 부재는, 복수의 제 1 단자를 갖는 제 1 부재와 복수의 제 2 단자를 갖는 제 2 부재 사이에 마련되고, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 전기적으로 접속하는 중간 접속 부재로서, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 전기적으로 접속하는 복수의 접속부와, 상기 복수의 접속부를 유지하는 유지부를 갖고, 상기 접속부는, 적어도 표면에 도전성이 부여된 탄성체에 의해 형성되어 있다.

Description

중간 접속 부재 및 검사 장치{INTERMEDIATE CONNECTION MEMBER AND INSPECTION APPARATUS}
본 개시는, 중간 접속 부재 및 검사 장치에 관한 것이다.
검사실 내에 배치된 복수의 검사 유닛 중의 1개에 대해서 공용의 반송 로봇 또는 이동 스테이지가 기판의 반송을 행하고 있는 동안에, 다른 검사 유닛에서 별도의 기판에 대한 검사를 행할 수 있는 검사 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특허공개 2016-46285호 공보
본 개시는, 인터페이스를 간략화할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 중간 접속 부재는, 복수의 제 1 단자를 갖는 제 1 부재와 복수의 제 2 단자를 갖는 제 2 부재 사이에 마련되고, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 전기적으로 접속하는 중간 접속 부재로서, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 전기적으로 접속하는 복수의 접속부와, 상기 복수의 접속부를 유지하는 유지부를 갖고, 상기 접속부는, 적어도 표면에 도전성이 부여된 탄성체에 의해 형성되어 있다.
본 개시에 의하면, 인터페이스를 간략화할 수 있다.
도 1은 제 1 실시형태의 검사 유닛의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 제 1 실시형태의 검사 유닛의 구성예를 나타내는 다른 단면도이다.
도 3은 중간 접속 부재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 중간 접속 부재의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 검사 장치의 온도 조절 장치의 설명도이다.
도 6은 반송 장치의 상면도이다.
도 7은 제 2 실시형태의 검사 유닛의 구성예를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이 아닌 예시의 실시형태에 대해서 설명한다. 첨부의 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
〔제 1 실시형태〕
제 1 실시형태의 검사 유닛에 대해서 설명한다. 검사 유닛은, 피검사체에 형성된 복수의 피검사 디바이스(DUT: Device Under Test)에 전기 신호를 주어서 디바이스의 여러 가지의 전기 특성을 검사하는 유닛이다. 피검사체는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 한다) 등의 기판이다.
도 1은, 제 1 실시형태의 검사 유닛의 구성예를 나타내는 단면도이다. 도 2는, 제 1 실시형태의 검사 유닛의 구성예를 나타내는 다른 단면도이다.
도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이, 검사 유닛(100)은, 검사실(110)과, 복수의 검사 장치(120)와, 반송 장치(130)를 구비한다.
검사실(110)은, 내부에 환경 제어(예를 들면 드라이 에어에 의해 노점(露点) 관리)된 공간 S를 형성한다. 검사실(110)은, 복수의 검사 장치(120) 및 반송 장치(130)를 수용한다.
복수의 검사 장치(120)는, 동일 평면(XY 평면) 내에 있어서, 예를 들면 일 방향(X 방향)으로 나란히 배치되어 있다. 각 검사 장치(120)는, 반송 장치(130)에 의해 반송된 쉘(10)의 웨이퍼(11)에 형성된 각 DUT의 전기 특성을 검사한다.
쉘(10)은, 웨이퍼(11)와, 프로브 카드(12)와, 하우징(13)과, 열 중개 유로(14)를 갖는 구조체이다. 웨이퍼(11)의 표면에는, 복수의 DUT(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 프로브 카드(12)는, 베이스부(12a)와, 복수의 프로브(12b)를 갖는다. 베이스부(12a)는, 상면에 복수의 단자(도시하지 않음)를 갖는 판 형상의 부재이다. 복수의 프로브(12b)는, 베이스부(12a)의 하면에 마련되고, 웨이퍼(11)에 형성된 DUT에 접촉되도록 되어 있다. 하우징(13)은, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)를 수용한다. 열 중개 유로(14)는, 하우징(13) 내에 형성되어 있고, 후술하는 온도 조절 장치(123)로부터의 열매체가 공급된다. 열 중개 유로(14)에 열매체가 공급되는 것에 의해, 하우징(13)에 수용된 웨이퍼(11)의 온도가 조정된다.
각 검사 장치(120)는, 테스터(121)와, 중간 접속 부재(122)와, 온도 조절 장치(123)와, 하우징(124)을 갖는다. 각 검사 장치(120)에 있어서는, 웨이퍼(11)에 형성된 복수의 DUT의 전기 특성의 검사를, 프로브 카드(12)를 통해서 테스터(121)에 의해 행한다.
테스터(121)는, 테스터 머더보드(121a)와, 복수의 검사 회로 보드(121b)를 갖는다. 테스터 머더보드(121a)는, 수평으로 마련되어 있고, 바닥부에는 복수의 단자(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 복수의 검사 회로 보드(121b)는, 테스터 머더보드(121a)의 슬롯에 세워 설치한 상태로 장착되어 있다.
중간 접속 부재(122)는, 테스터(121)와 프로브 카드(12)를 전기적으로 접속하기 위한 부재이다. 중간 접속 부재(122)는, 유지부(122a)와, 복수의 접속부(122b)를 갖는다.
유지부(122a)는, 복수의 접속부(122b)를 소정 위치에 유지한다. 소정 위치는, 프로브 카드(12)의 베이스부(12a)의 상면에 형성된 복수의 단자와 대응하는 위치이다. 유지부(122a)는, 절연 재료에 의해 형성된 판 형상 부재 또는 시트 형상 부재이고, 예를 들면 실리콘 고무, 발포체여도 된다.
복수의 접속부(122b)는, 유지부(122a)에 의해, 프로브 카드(12)의 베이스부(12a)의 상면에 형성된 복수의 단자와 대응하는 위치에 유지되어 있다. 이에 의해, 복수의 접속부(122b)는, 프로브 카드(12)의 베이스부(12a)의 상면에 형성된 복수의 단자와 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 형성된 복수의 단자를 전기적으로 접속한다. 각 접속부(122b)는, 적어도 표면에 도전성이 부여된 탄성체에 의해 형성되어 있다.
중간 접속 부재(122)의 유지부(122a)와 테스터 머더보드(121a) 사이에는, 실링 부재(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 그리고, 중간 접속 부재(122)와 테스터 머더보드(121a) 사이의 공간이 진공 흡인되는 것에 의해, 실링 부재를 통해서 중간 접속 부재(122)가 테스터 머더보드(121a)에 흡착되어서 고정된다.
이와 같이 중간 접속 부재(122)는, 복수의 접속부(122b)가 각각 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 마련된 복수의 단자와 전기적으로 접속된 상태로, 테스터 머더보드(121a)에 고정되어 있다.
도 3은, 중간 접속 부재의 일례를 나타내는 도면이다. 도 3(a)는, 중간 접속 부재를 측면에서 본 도면이고, 도 3(b)는 중간 접속 부재의 접속부의 단면을 나타내는 도면이다. 도 3(a)에 나타나는 바와 같이, 중간 접속 부재(122)는, 유지부(122a)와, 복수의 접속부(122b)를 갖는다. 각 접속부(122b)의 크기는 예를 들면 0.05mm∼0.5mm 정도이고, 인접하는 접속부(122b) 사이의 거리는 예를 들면 0.5mm∼1mm 정도이다. 각 접속부(122b)는, 도 3(b)에 나타나는 바와 같이, 자성체 코어(122b1)와, 탄성층(122b2)과, 도전층(122b3)을 갖는 3층 구조를 이루고 있다.
자성체 코어(122b1)는, 강(强)자성체 재료 또는 약(弱)자성체 재료에 의해 형성되어 있고, 구(球) 형상을 갖는다. 자성체 코어(122b1)로서는, 예를 들면 니켈(Ni)을 이용할 수 있다. 자성체 코어(122b1)는, 예를 들면 연마법, 고(高)압축법, 사출 성형법에 의해 제작된다.
탄성층(122b2)은, 탄성 재료에 의해 형성되어 있고, 자성체 코어(122b1)를 피복한다. 탄성층(122b2)으로서는, 예를 들면 실리콘 고무, 발포체를 이용할 수 있다. 탄성층(122b2)은, 예를 들면 사출 성형법, 전착(電着)법에 의해 제작된다.
도전층(122b3)은, 도전성 재료에 의해 형성되어 있고, 탄성층(122b2)을 피복한다. 도전층(122b3)으로서는, 전기 접촉성이 좋은 재료가 적합하고, 예를 들면 무전해 금(Au), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 등의 귀금속, 텅스텐(W)을 이용할 수 있다. 도전층(122b3)은, 예를 들면 도금법, 증착법에 의해 제작된다.
한편, 도 3(b)의 예에서는, 각 접속부(122b)가 3층 구조를 이루고 있는 경우를 설명했지만, 각 접속부(122b)는 적어도 표면에 도전성이 부여된 탄성체에 의해 형성되어 있으면 되고, 탄성층(122b2)과 도전층(122b3)의 2층 구조여도 된다. 단, 각 접속부(122b)는, 자성체 코어(122b1)를 갖고 있는 것이 바람직하다. 각 접속부(122b)가 자성체 코어(122b1)를 갖고 있는 것에 의해, 중간 접속 부재(122)를 제작할 때에, 자력을 이용해서 각 접속부(122b)의 정확한 위치 결정을 행할 수 있다.
또한, 각 접속부(122b)에 대해서, 자성체 코어(122b1) 및 탄성층(122b2) 대신에, 자성체 입자를 함유하는 탄성 재료에 의해 형성된 탄성 자성층을 이용해도 된다. 또한, 각 접속부(122b)에 대해서, 탄성층(122b2) 및 도전층(122b3) 대신에, 도전성 입자를 함유하는 탄성 재료에 의해 형성된 탄성 도전층을 이용해도 된다. 또, 각 접속부(122b)에 대해서, 자성체 코어(122b1), 탄성층(122b2) 및 도전층(122b3) 대신에, 도전성 자성체 입자를 함유하는 탄성 재료에 의해 형성된 1층 구조를 이용해도 된다.
도 4는, 중간 접속 부재의 다른 예를 나타내는 도면이고, 중간 접속 부재를 측면에서 본 도면이다. 도 4에 나타나는 바와 같이, 중간 접속 부재(122A)는, 유지부(122a)와 복수의 접속부(122b)를 갖는 층이 겹쳐 쌓여 2층 구조를 이루고 있다. 각 유지부(122a) 및 각 접속부(122b)는, 전술의 도 3에서 나타낸 예와 마찬가지의 구조를 갖는다. 도 4에 나타나는 중간 접속 부재(122A)에 의하면, 유지부(122a)와 복수의 접속부(122b)를 갖는 층이 겹쳐 쌓여 2층 구조를 이루고 있으므로, 적층 방향에 있어서의 탄성 변형의 스트로크를 늘릴 수 있다.
한편, 도 4의 예에서는, 적층수가 2층인 경우를 설명했지만, 예를 들면 적층수는 3층 이상이어도 된다. 이에 의해, 적층 방향에 있어서의 탄성 변형의 스트로크를 더 늘릴 수 있다.
도 5는, 검사 장치(120)의 온도 조절 장치(123)의 설명도이다. 도 5에 나타나는 바와 같이, 온도 조절 장치(123)는, 고저온도원(高·低溫源)(123a)과, 열 중개 배관(123b)을 갖는다.
고저온도원(123a)은, 열 중개 배관(123b)을 통해서 쉘(10)의 열 중개 유로(14)에 열매체를 공급하고, 열 중개 유로(14)에 열매체를 순환시킨다. 고저온도원(123a)은, 예를 들면 적어도 2종류의 열매체를 전환해서 공급할 수 있도록 되어 있다. 열매체는, 고온 유체와, 저온 유체를 포함한다. 고온 유체로서는, 실온보다도 높은 온도의 유체이면 그 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 뜨거운 물, 소금물(brine)을 이용할 수 있다. 저온 유체로서는, 실온보다도 낮은 온도의 유체이면 그 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 냉수, 소금물을 이용할 수 있다. 웨이퍼(11)의 온도를 실온보다도 높은 온도로 조정하는 경우, 고저온도원(123a)은 열 중개 배관(123b)을 통해서 쉘(10)의 열 중개 유로(14)에 고온 유체를 공급한다. 한편, 웨이퍼(11)의 온도를 실온보다도 낮은 온도로 조정하는 경우, 고저온도원(123a)은 열 중개 배관(123b)을 통해서 쉘(10)의 열 중개 유로(14)에 저온 유체를 공급한다.
열 중개 배관(123b)은, 고저온도원(123a)과 쉘(10)의 열 중개 유로(14)를 접속한다. 열 중개 배관(123b)은, 고저온도원(123a)으로부터의 열매체를 쉘(10)의 열 중개 유로(14)에 공급함과 더불어, 쉘(10)의 열 중개 유로(14)로부터의 열매체를 고저온도원(123a)으로 되돌린다. 열 중개 배관(123b)은, 열 중개 유로(14)와 탈착 가능하게 형성되어 있다.
이러한 온도 조절 장치(123)에 의하면, 고저온도원(123a)이 열 중개 배관(123b)을 통해서 쉘(10)의 열 중개 유로(14)에 열매체를 공급하고, 열 중개 유로(14) 내를 순환시키는 것에 의해, 쉘(10)의 온도를 조정한다.
하우징(124)은, 테스터(121), 중간 접속 부재(122) 및 온도 조절 장치(123)를 수용한다. 또한, 하우징(124)은, 반송 장치(130)에 의해 반입된 쉘(10)을 수용한다.
반송 장치(130)는, 검사실(110)에 반입된 쉘(10)을 각 검사 장치(120)에 반송한다. 도 6은, 반송 장치(130)의 상면도이다. 도 6에 나타나는 바와 같이, 반송 장치(130)는, 벨트 컨베이어(131)와, 승강 기구(132)를 갖는다.
벨트 컨베이어(131)는, 모터(도시하지 않음)에 의해 구동되고, 검사실(110)에 반입된 쉘(10)을 각 검사 장치(120)의 하방까지 반송한다.
승강 기구(132)는, 지지부(132a)와, 승강부(132b)를 갖는다. 지지부(132a)는, 벨트 컨베이어(131)의 진행 방향을 따라 연장되는 판 형상 부재에 의해 형성되어 있고, 승강부(132b)를 지지한다.
승강부(132b)는, 각 검사 장치(120)의 하방에 마련되어 있다. 승강부(132b)는, 신장하는 것에 의해, 벨트 컨베이어(131) 상에 반송된 쉘(10)을 지지해서 들어 올린다. 이에 의해, 프로브 카드(12)의 베이스부(12a)의 상면에 형성된 복수의 단자와 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 형성된 복수의 단자를 중간 접속 부재(122)를 통해서 전기적으로 접속시킨다. 이때, 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 마련된 위치 결정 핀(도시하지 않음)이 프로브 카드(12)의 상면에 형성된 위치 결정 구멍(도시하지 않음)에 삽입 끼움된다. 이에 의해, 프로브 카드(12)의 베이스부(12a)의 상면에 형성된 복수의 단자와 중간 접속 부재(122)의 복수의 접속부(122b)가 위치 결정된다. 단, 해당 복수의 단자와 해당 복수의 접속부(122b)의 위치 결정 기구는, 위치 결정 핀과 위치 결정 구멍을 이용한 기구로 한정되지 않고, 여러 가지의 위치 결정 기구를 이용할 수 있다. 예를 들면, 승강부(132b)가 회전 가능하게 구성되어 있고, 승강부(132b)의 회전에 의해 쉘(10)을 회전시킴으로써, 해당 복수의 단자와 해당 복수의 접속부(122b)가 위치 결정되도록 구성되어 있어도 된다.
또한, 쉘(10)은, 테스터(121)에 대해서 위치 결정된 상태로, 고정구(固定具)(도시하지 않음)에 의해 테스터 머더보드(121a)에 고정되어도 된다. 한편, 고정구 대신에, 중간 접속 부재(122)의 유지부(122a)와 프로브 카드(12) 사이에 실링 부재(도시하지 않음)가 마련되어 있어도 된다. 이 경우, 중간 접속 부재(122)와 프로브 카드(12) 사이의 공간이 진공 흡인되는 것에 의해, 실링 부재를 통해서 프로브 카드(12)가 중간 접속 부재(122)에 흡착되어서 고정된다.
다음으로, 제 1 실시형태의 검사 유닛(100)을 이용한 검사 방법의 일례에 대해서, 도 1 및 도 2를 참조해서 설명한다.
우선, 반송 장치(130)의 벨트 컨베이어(131) 상에 쉘(10)이 반입되면, 벨트 컨베이어(131)를 동작시켜서, 임의의 검사 장치(120)의 하방까지 쉘(10)을 반송한다.
계속해서, 승강부(132b)를 신장시켜서 쉘(10)을 지지해서 들어 올리는 것에 의해, 프로브 카드(12)의 베이스부(12a)의 상면에 형성된 복수의 단자와 중간 접속 부재(122)의 복수의 접속부(122b)를 전기적으로 접속시킨다. 이때, 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 마련된 위치 결정 핀이 프로브 카드(12)의 상면에 형성된 위치 결정 구멍에 삽입 끼움되는 것에 의해, 해당 복수의 단자와 해당 복수의 접속부(122b)가 위치 결정된다. 또한, 쉘(10)의 열 중개 유로(14)와 온도 조절 장치(123)의 열 중개 배관(123b)을 접속하고, 고저온도원(123a)으로부터 열 중개 배관(123b)을 통해서 열 중개 유로(14)에 열매체를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(11)의 온도를 검사 온도로 조정한다.
계속해서, 테스터(121)에 의해, 웨이퍼(11)에 형성된 복수의 DUT의 전기 특성의 검사를, 중간 접속 부재(122) 및 프로브 카드(12)를 통해서 행한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 제 1 실시형태에서는, 웨이퍼(11)에 형성된 복수의 DUT의 전극에 프로브 카드(12)의 프로브(12b)를 전기적으로 접촉시킨 상태로, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)를 일체로 해서 검사 유닛(100)에 반입한다. 그리고, 검사 유닛(100)에서는, 프로브 카드(12)의 상면에 형성된 복수의 단자와 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 형성된 복수의 단자를 중간 접속 부재(122)의 접속부(122b)를 통해서 전기적으로 접속하고, 복수의 DUT의 검사를 실시한다. 이에 의해, 검사 유닛(100)의 인터페이스를 간략화할 수 있다. 또한, 검사 유닛(100)에서는, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)의 위치 결정이 불필요해진다. 그 때문에, 검사 유닛(100)마다 얼라이너를 마련할 필요가 없기 때문에, 검사 유닛(100)의 구조가 심플해진다. 한편, 검사 유닛(100)에서는, 프로브 카드(12)와 테스터(121)의 위치 결정이 행해지지만, 해당 위치 결정은 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)의 위치 결정에 비해 높은 정밀도가 요구되지 않는다. 그 때문에, 예를 들면 위치 결정 핀을 이용해서 위치 결정을 행할 수 있다. 위치 결정 정밀도의 요구 사양의 일례로서는, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)의 위치 결정에서는 μm 오더인데 비해, 프로브 카드(12)와 테스터(121)의 위치 결정에서는 mm 오더이다.
〔제 2 실시형태〕
제 2 실시형태의 검사 유닛에 대해서 설명한다. 제 2 실시형태의 검사 유닛은, 쉘(10)과 중간 접속 부재(122)가 일체가 된 상태로, 검사 장치(120)에 반입되는 점에서, 제 1 실시형태의 검사 유닛과 상이하다. 한편, 그 밖의 점에 대해서는, 제 1 실시형태와 마찬가지이므로, 이하에서는 상이한 점을 중심으로 설명한다.
도 7은, 제 2 실시형태의 검사 유닛의 구성예를 나타내는 단면도이며, 검사 유닛에 있어서의 1개의 검사 장치의 일부인, 중간 접속 부재 및 쉘을 나타내고 있다.
도 7에 나타나는 바와 같이, 제 2 실시형태의 검사 유닛(100A)에서는, 프로브 카드(12)의 상면에 형성된 복수의 단자와 중간 접속 부재(122)의 복수의 접속부(122b)가 전기적으로 접속된 상태로, 검사 장치(120)의 하방까지 반송된다. 그 후, 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 형성된 위치 결정 핀(121c)이 프로브 카드(12)의 상면에 형성된 위치 결정 구멍(12c)에 삽입 끼움된다. 이에 의해, 중간 접속 부재(122)의 복수의 접속부(122b)와 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 형성된 복수의 단자가 위치 결정되어서 전기적으로 접속된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 제 2 실시형태에서는, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)를 포함하는 쉘(10)과 중간 접속 부재(122)를 일체로 해서 검사 유닛(100A)에 반입한다. 그리고, 검사 유닛(100A)에서는, 프로브 카드(12)의 상면에 형성된 복수의 단자와 테스터 머더보드(121a)의 바닥부에 형성된 복수의 단자를 중간 접속 부재(122)의 접속부(122b)를 통해서 전기적으로 접속하고, 복수의 DUT의 검사를 실시한다. 이에 의해, 검사 유닛(100A)의 인터페이스를 간략화할 수 있다. 또한, 검사 유닛(100A)에서는, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)의 위치 결정이 불필요해진다. 그 때문에, 검사 유닛(100A)마다 얼라이너를 마련할 필요가 없기 때문에, 검사 유닛(100A)의 구조가 심플해진다. 한편, 검사 유닛(100A)에서는, 프로브 카드(12)와 테스터(121)의 위치 결정이 행해지지만, 해당 위치 결정은 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)의 위치 결정에 비해 높은 정밀도가 요구되지 않는다. 그 때문에, 예를 들면 위치 결정 핀을 이용해서 위치 결정을 행할 수 있다. 위치 결정 정밀도의 요구 사양의 일례로서는, 웨이퍼(11)와 프로브 카드(12)의 위치 결정에서는 μm 오더인데 비해, 프로브 카드(12)와 테스터(121)의 위치 결정에서는 mm 오더이다.
한편, 상기의 실시형태에 있어서, 테스터 머더보드(121a)는 제 1 부재의 일례이고, 테스터 머더보드(121a)의 단자는 제 1 단자의 일례이다. 또한, 프로브 카드(12)는 제 2 부재의 일례이고, 베이스부(12a)의 단자는 제 2 단자의 일례이다. 예를 들면, 프로브 카드(12)에 상당하는 것을 본 발명의 중간 접속 부재로 해도 된다. 이 경우에는, 중간 접속 부재(122)와는 다른 중간 부재, 또는 테스터 머더보드(121a)가 제 1 부재가 되고, 웨이퍼(11)가 제 2 부재가 된다.
이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
10: 쉘
11: 웨이퍼
12: 프로브 카드
100: 검사 유닛
120: 검사 장치
121: 테스터
122: 중간 접속 부재
122a: 유지부
122b: 접속부
122b1: 자성체 코어
122b2: 탄성층
122b3: 도전층

Claims (8)

  1. 복수의 제 1 단자를 갖는 제 1 부재와 복수의 제 2 단자를 갖는 제 2 부재 사이에 마련되고, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 전기적으로 접속하는 중간 접속 부재로서,
    상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 전기적으로 접속하는 복수의 접속부와,
    상기 복수의 접속부를 유지하는 유지부
    를 갖고,
    상기 접속부는, 적어도 표면에 도전성이 부여된 탄성체에 의해 형성되어 있는,
    중간 접속 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접속부는, 구(球) 형상으로 형성되어 있는,
    중간 접속 부재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접속부는,
    자성체에 의해 형성된 자성체 코어와,
    상기 자성체 코어를 피복하고, 탄성 재료에 의해 형성된 탄성층과,
    상기 탄성층을 피복하고, 도전성 재료에 의해 형성된 도전층
    을 갖는,
    중간 접속 부재.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접속부는,
    자성체에 의해 형성된 자성체 코어와,
    상기 자성체 코어를 피복하고, 도전성 입자를 함유하는 탄성 재료에 의해 형성된 탄성 도전층
    을 갖는,
    중간 접속 부재.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접속부는,
    자성체 입자를 함유하는 탄성 재료에 의해 형성된 탄성 자성층과,
    상기 탄성 자성층을 피복하고, 도전성 재료에 의해 형성된 도전층
    을 갖는,
    중간 접속 부재.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접속부는, 도전성 자성체 입자를 함유하는 탄성 재료에 의해 형성되어 있는,
    중간 접속 부재.
  7. 기판에 형성된 복수의 디바이스에 전기 신호를 주고, 상기 디바이스의 전기 특성을 검사하는 테스터와,
    상기 복수의 디바이스의 전극에 접촉시키는 프로브를 갖는 프로브 카드와,
    상기 테스터의 복수의 단자와 상기 프로브 카드의 복수의 단자를 전기적으로 접속하는 중간 접속 부재
    를 구비하고,
    상기 중간 접속 부재는,
    상기 테스터의 단자와 상기 프로브 카드의 단자를 전기적으로 접속하는 복수의 접속부와,
    상기 복수의 접속부를 유지하는 유지부
    를 갖고,
    상기 복수의 접속부의 각각은, 적어도 표면에 도전성이 부여된 탄성체에 의해 형성되어 있는,
    검사 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 프로브 카드는, 상기 프로브를 상기 복수의 디바이스의 전극에 접촉시킨 상태로,
    상기 기판과 일체로 해서 반송되는,
    검사 장치.
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