KR20200004266A - 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{MULTICYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 2018년 7월 3일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0077111호의 출원일 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 명세서에서, 유기 발광 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 발광 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 발광 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 발광 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 발광 소자이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 억제 물질, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다.
또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도펀트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도펀트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도펀트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도펀트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 억제 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되므로 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
일본 특허 공개 공보 제2018-043984호
본 명세서에는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성하고,
A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
n1 내지 n3는 각각 0 내지 3의 정수이고, n1 내지 n3가 각각 2 이상인 경우 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물은 분자 내에 N을 포함하는 비방향족 5각 고리(사이클로 알켄고리)를 포함하여, 평면 구조가 아닌 뒤틀린 구조를 가짐으로써, 승화온도를 낮추어 증착공정시 열에 의한 화합물의 안정성을 높아, 유기 발광 소자에 적용 시, 고효율, 저전압 및 장수명 특성을 가지는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물은 지방족 탄화수소 고리를 포함함으로써, 반치폭이 좁고 색순도가 우수한 유기 발광 소자를 얻을 수 있다,
또한, 본 발명의 화합물은 높은 용해도를 가지므로, 용액공정으로도 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 전자억제층(5), 발광층(6), 제1 전자수송층(7), 제2 전자수송층(8) 및 음극(9)로 이루어진 유기 발광 소자를 도시한 것이다.
도 2는 9H-카바졸의 HOMO 및 LUMO 전자 분포도를 도시한 것이다.
도 3은 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸의 HOMO 및 LUMO 전자 분포도를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 낮은 승화온도를 가지므로 안정적이며, 유기 발광 소자의 유기물층에 적용 시, 유기 발광 소자의 효율 및 수명 특성이 향상된다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에 있어서,
Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성하고,
A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
n1 내지 n3는 각각 0 내지 3의 정수이고, n1 내지 n3가 각각 2 이상인 경우 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 중심의 축합고리 코어에 헥사하이드로카바졸고리를 포함하거나, R3 위치에 헥사하이드로카바졸기를 포함한다. 헥사하이드로카바졸은 카바졸에 비하여 컨쥬게이션이 축소되어 있어, 카바졸과 상이한 성질을 띤다.
Figure pat00003
하기 표에서 HOMO는 최고점유에너지, LUMO는 최저비점유에너지, T1은 삼중항에너지, S1은 일중항에너지를 의미한다. 9H-카바졸은 방향족 고리를 포함한 것이며, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸은 지방족 고리를 포함한 것으로 상기 화학식 1의 헥사하이드로카바졸의 유도체에 대응될 수 있다.
Figure pat00004
상기 표에서, HOMO 및 LUMO 값을 비교해 보면, 9H-카바졸이 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 보다 깊은 HOMO의 값을 가지고 있다. 이는, 전자 주개 특성을 가지는 아민의 영향력이 9H-카바졸이 더 큰 것을 보여준다. 화합물의 HOMO 에너지가 깊을수록, 그 화합물은 소자 내에서 다른 화합물로의 전자 주개 특성이 떨어지게 되므로, 9H-카바졸은 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸보다 소자에서의 전자 주개 특성이 떨어진다.
또한 상기 표에서, 삼중항에너지 값(T1)을 비교해 보면, 9H-카바졸이 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 보다 낮은 삼중항에너지를 갖는다. 컨쥬게이션이 확장될수록 삼중항에너지가 낮아지므로, 컨쥬게이션이 확장된 9H-카바졸의 삼중항에너지 값이 낮은 것이다. 이를 비교해 볼 때, 9H-카바졸과 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸은 확연히 다른 특성을 가지는 다른 물질임을 알 수 있다.
도 2는 9H-카바졸의 HOMO 및 LUMO 전자 분포도를 도시한 것이고, 도 3은 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸의 HOMO 및 LUMO 전자 분포도를 도시한 것이다. 도 2 및 3에서의 HOMO 및 LUMO 전자분포도를 비교해보면, 9H-카바졸의 경우 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸과 다르게 HOMO 오비탈과 LUMO 오비탈이 넓게 퍼져있다. 이는 컨쥬게이션의 확장에 기인한 것으로, 카바졸의 아민이 두 개의 벤젠 고리에 영향을 주는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 9H-카바졸이 유기 발광 소자의 발광층의 도펀트로 사용될 때, 반치폭 및 파장에 영향을 끼쳐 넓은 반치폭을 가지게 된다.
반면, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸의 경우 아민이 하나의 벤젠 고리에만 영향을 미치게 되어, 도펀트 물질로 사용될 때 소자의 반치폭이 좁아 색 순도가 높다.
이하 치환기 및 용어에 관하여 설명한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서,
Figure pat00005
는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소(-D); 할로겐기; 니트릴기(-CN); 실릴기; 붕소기; 알킬기; 알케닐기; 알키닐기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 아민기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 도 있다.
본 명세서에서 "A 또는 B로 치환된"이라는 용어는 i) A 하나로 치환되는 경우, ii) B 하나로 치환되는 경우 뿐만 아니라 iii) A 및 B로 치환되는 경우도 포함한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)가 있다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -Si(Y101)(Y102)(Y103)의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Y101, Y102 및 Y103는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기의 예로 트리알킬실릴기, 트리아릴실릴기를 들 수 있으며, 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -B(Y104)(Y105)의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Y104 및Y105는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; 아릴알킬아민기; 아릴아민기; 아릴헤테로아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 상기 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40일 수 있고, 일 실시예에 따르면 1 내지 20일 수 있다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 바이페닐페닐아민기, 디바이페닐아민기, 플루오레닐페닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기일 수 있고, 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로아릴기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로아릴기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴알킬아민기는 아릴기 및 알킬기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬헤테로아릴아민기는 알킬기 및 헤테로아릴기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00006
등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00007
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00008
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 탄소원자와 탄소원자 사이에 이중결합을 포함하는 치환기로서, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소원자와 탄소원자 사이에 삼중결합을 포함하는 치환기로서, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기의 아릴은 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 탄화수소 고리; 또는 헤테로 고리를 의미한다.
상기 탄화수소 고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 2가기인 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 2가인 것을 제외하고는 상기 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
상기 헤테로 고리는 2가인 것을 제외하고는 상기 헤테로고리기에 대한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소 고리는 pi 전자가 완전히 컨쥬게이션되고 평면인 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소 고리는 방향족 탄화수소고리를 제외한 모든 탄화수소고리를 의미한다. 치환된 지방족 탄화수소 고리에는 방향족 고리가 축합된 지방족 탄화수소 고리도 포함된다.
본 명세서에 있어서, "치환기가 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리를 형성"한다는 것은 해당 치환기 2개가 연결하여 형성한 탄화수소 고리 하나가 지방족 고리인 것을 의미한다. "해당 치환기 2개가 연결하여 형성한 탄화수소 고리 하나"란 상기 치환기 2개를 모두 포함하고 있는 고리를 말한다. 해당 치환기 2개가 연결하여 형성한 지방족 탄화수소 고리에 지방족 탄화수소 고리 뿐만 아니라, 지방족 헤테로 고리, 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 헤테로 고리가 축합될 수 있다. 예컨대, 하기 Y106 및 Y107이 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리를 형성한다는 것은 하기 1(시클로헥산 고리를 형성) 또는 2(시클로헥센 고리를 형성) 뿐만 아니라, 하기 3(시클로헥산 고리에 시클로헥산 고리가 축합) 또는 4(시클로헥산 고리에 벤젠 고리가 축합)도 포함하는 경우도 포함한다.
Figure pat00009
이하, 본발명의 화합물에 관하여 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 서로 결합하여 중수소, 할로겐기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 메틸기, tert-부틸기, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이거나, 서로 결합하여 결합하여 중수소, 할로겐기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 메틸기, 에틸기, tert-부틸기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 아릴기이거나, 서로 결합하여 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, 지방족 탄화수소 고리 또는 방향족 탄화수소 고리가 축합 또는 비축합된 5원의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 메틸기, tert-부틸기, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이거나, 서로 결합하여 결합하여 중수소, 할로겐기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 메틸기, 에틸기, tert-부틸기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, 단환 내지 3환의 지방족 탄화수소 고리 또는 단환 내지 3환의 방향족 탄화수소 고리가 축합 또는 비축합된 5원의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure pat00010
[화학식 1-2]
Figure pat00011
상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
R1 내지 R3, Ar1 내지 Ar4 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 메틸기, tert-부틸기, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A11는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A11는 메틸기, tert-부틸기, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A12는 수소; 중수소; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 A12는 수소; 중수소; 또는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리 또는 방향족 탄화수소 고리가 축합되거나 비축합되고, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 1환 내지 3환의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리 또는 방향족 탄화수소 고리가 축합되거나 비축합되고, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 1환 내지 3환의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리 또는 방향족 탄화수소 고리가 축합되거나 비축합된 6원의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 단환 내지 2환의 지방족 탄화수소 고리 또는 단환 내지 2환의 방향족 탄화수소 고리가 축합되거나 비축합된 6원의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 하나 또는 두개의 시클로헥산 또는 벤젠이 축합되거나 비축합된 6원의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클로헥산; 치환 또는 비치환된 테트라데카하이드로페난트렌; 치환 또는 비치환된 테트라하이드로나프탈렌; 또는 치환 또는 비치환된 데카하이드로나프탈렌을 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4 중 2개는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이고, 나머지 2개는 서로 결합하여 시클로헥산; 테트라데카하이드로페난트렌; 테트라하이드로나프탈렌; 또는 데카하이드로나프탈렌을 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 내지 Ar4 중 2개가 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리를 형성하는 경우, 하기 고리 중 선택된 어느 하나 고리를 형성한다.
Figure pat00012
상기 고리에 있어서, Ar11 및 Ar12는 Ar1 내지 Ar4 중 지방족 탄화수소 고리를 형성하지 않는 치환기이며, 서로 같거나 상이하고,
상기 고리는 중수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환되거나 비치환된다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 고리는 중수소로 치환 또는 비치환된다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 고리는 비치환된다. 즉, Ar11 및 Ar12을 제외하고, 다른 치환기를 가지지 않는다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11 및 Ar12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11 및 Ar12는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4 중 2개는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다. 이 경우, 화합물끼리의 응집 현상을 막아주어 ?칭(quenching)을 억제하여 소자의 효율이 증가하는 효과를 갖는다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4 중 2개는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4 중 2개는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4 중 2개는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시된다.
[화학식 2-1]
Figure pat00013
[화학식 2-2]
Figure pat00014
상기 화학식 2-1 내지 2-2에 있어서,
A1, A2, R1 내지 R3 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
R31 내지 R35은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
인접한 R35은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성할 수 있고,
r33은 0 내지 8의 정수이고,
r34 및 r35는 각각 0 내지 4의 정수이고,
r33 내지 r35가 각각 2 이상인 경우, 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R33 내지 R35은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33 내지 R35은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 인접한 R35은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 인접한 R35은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클로헥산을 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 인접한 R35은 서로 결합하여 하나 또는 두개의 시클로헥산을 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 r33 내지 r35은 각각 0 이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1은 하기 화학식 2 내지 7 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2]
Figure pat00015
[화학식 3]
Figure pat00016
[화학식 4]
Figure pat00017
[화학식 5]
Figure pat00018
[화학식 6]
Figure pat00019
[화학식 7]
Figure pat00020
상기 화학식 2 내지 7에 있어서,
R1 내지 R3, Ar5 내지 Ar8 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1-1에서 정의한 바와 같고,
R11 내지 R14 및 R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
p1은 0 내지 8의 정수이고,
p2 내지 p4는 각각 0 내지 14의 정수이며,
p5는 0 내지 20의 정수이고,
p1 내지 p5가 각각 2 이상인 경우, 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14 및 R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14 및 R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14 및 R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14 및 R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R14, R22 및 R23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14, R22 및 R23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R21 및 R24 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 및 R24 내지 R27은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 p1 내지 p5는 각각 0 내지 2의 정수이고, p1 내지 p5 각각 2 이상인 경우, 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 p1 내지 p5는 각각 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 형성하거나, Ar5 및 Ar6 중 어느 하나와 Ar7 및 Ar8 중 어느 하나는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성하고, Ar5 내지 Ar8 중 고리를 형성하지 않은 기는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클로헥산; 치환 또는 비치환된 테트라데카페난트렌; 치환 또는 비치환된 데카하이드로나프탈렌; 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌을 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 시클로헥산; 테트라데카페난트렌; 데카하이드로나프탈렌; 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌을 형성한다.
본 명세서에 있어서, Ar5 내지 Ar8 중 인접한 기가 서로 결합하여 고리를 형성한다는 것은 i) Ar5 내지 Ar8 중 2개가 서로 결합하여 지방족 탄화수소 고리를 형성하거나, ii) Ar5 내지 Ar8 모두가 고리 형성하는 데 참여하여 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar5 내지 Ar8 중 인접한 기가 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 그룹 A 또는 B의 고리 중 선택된 어느 하나 고리를 형성한다.
[그룹 A]
Figure pat00021
[그룹 B]
Figure pat00022
상기 그룹 A 및 B의 고리에 있어서, Ar13 및 Ar14는 Ar5 내지 Ar8 중 고리를 형성하지 않는 치환기이며, 서로 동일하거나 상이하고,
상기 그룹 A 및 B의 고리는 중수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 그룹 A의 고리는 비치환된다. 즉, Ar13 및 Ar14를 제외하고, 다른 치환기를 가지지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 그룹 B의 고리는 중수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 그룹 B의 고리는 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar13 및 Ar14는 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar13 및 Ar14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar13 및 Ar14는 메틸기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1은 하기 화학식 8 내지 10 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 8]
Figure pat00023
[화학식 9]
Figure pat00024
[화학식 10]
Figure pat00025
상기 화학식 8 내지 10에 있어서,
R1 내지 R3, n1 내지 n3 및 Ar1 내지 Ar4의 정의는 상기 화학식 1-1에서 정의한 바와 같고,
R4 내지 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Y1 및 Y2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성하고,
Cy1는 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R4 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R8 및 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R8 및 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R8 및 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 및 Y2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 및 Y2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 1환 내지 3환의 지방족 탄화수소 고리를 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클로헥산; 치환 또는 비치환된 테트라데카하이드로페난트렌; 또는 치환 또는 비치환된 데카하이드로나프탈렌을 형성한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2는 서로 결합하여 시클로헥산; 테트라데카하이드로페난트렌; 또는 데카하이드로나프탈렌을 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소 고리이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소 고리이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Cy1은 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Cy1은 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 트리알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 트리아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기 또는 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디하이드로디벤조아자실린기; 스피로(디벤조실롤-디벤조아자실린)기; 스피로(아크리딘-플루오렌)기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환되고, 벤젠고리가 축합 또는 비축합된 헥사하이드로카바졸기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기 또는 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기(
Figure pat00026
); 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디하이드로디벤조아자실린기(
Figure pat00027
); 스피로(디벤조실롤-디벤조아자실린)기(
Figure pat00028
); 스피로(아크리딘-플루오렌)기(
Figure pat00029
); 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 헥사하이드로카바졸기(
Figure pat00030
); 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로벤조카바졸기(
Figure pat00031
)이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 트리메틸실릴기; 트리메틸실릴기; 메틸기; tert-부틸기; 페닐기; 바이페닐기; 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기; 메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기(
Figure pat00032
);메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디하이드로디벤조아자실린기(
Figure pat00033
); 스피로(디벤조실롤-디벤조아자실린)기(
Figure pat00034
); 스피로(아크리딘-플루오렌)기(
Figure pat00035
); 메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 헥사하이드로카바졸기(
Figure pat00036
); 또는 메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로벤조카바졸기(
Figure pat00037
)이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기; 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기 또는 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 트리메틸실릴기; 트리메틸실릴기; 메틸기; tert-부틸기; 페닐기; 바이페닐기; 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기 또는 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기(
Figure pat00038
); 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디하이드로디벤조아자실린기(
Figure pat00039
); 스피로(디벤조실롤-디벤조아자실린)기(
Figure pat00040
); 스피로(아크리딘-플루오렌)기(
Figure pat00041
); 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 헥사하이드로카바졸기(
Figure pat00042
); 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로벤조카바졸기(
Figure pat00043
)이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 메틸기; tert-부틸기; 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기; 메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기(
Figure pat00044
);메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디하이드로디벤조아자실린기(
Figure pat00045
); 스피로(디벤조실롤-디벤조아자실린)기(
Figure pat00046
); 스피로(아크리딘-플루오렌)기(
Figure pat00047
);메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 헥사하이드로카바졸기(
Figure pat00048
); 또는 메틸기, tert-부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로벤조카바졸기(
Figure pat00049
)이다.
상기 R1 내지 R3의 테트라하이드로벤조카바졸기는 바람직하게
Figure pat00050
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 101 내지 108 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 101]
Figure pat00051
[화학식 102]
Figure pat00052
[화학식 103]
Figure pat00053
[화학식 104]
Figure pat00054
[화학식 105]
Figure pat00055
[화학식 106]
Figure pat00056
[화학식 107]
Figure pat00057
[화학식 108]
Figure pat00058
상기 화학식 101 내지 108에 있어서,
A1, A2, R1 내지 R3, n1 내지 n3 및 Ar1 내지 Ar4의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
Q1은 C(R48)(R49) 또는 Si(R48)(R49)이고,
Q2는 C 또는 Si이고,
R3', R11 내지 R20 및 R41 내지 R49은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
n3'는 0 내지 3의 정수이고,
n11 내지 n14 및 n41는 각각 0 내지 2의 정수이고,
n15는 0 내지 8의 정수이고,
n16 내지 n18 및 n42 내지 n47은 각각 0 내지 4의 정수이고,
n3', n15 내지 n18 및 n42 내지 n47가 각각 2 이상인 복수개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
n11 내지 n14 및 n41가 각각 2인 경우 복수개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
Ar101 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R48 및 R49는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R48 및 R49는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R48 및 R49는 서로 같다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar101 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar101 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar101 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기 또는 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, Ar101 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면. Ar101 및 Ar102는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기 또는 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, Ar101 및 Ar102는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, Ar103 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, Ar103 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3', R11 내지 R20 및 R41 내지 R49은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3', R11 내지 R20 및 R41 내지 R49은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 부틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3', R11 내지 R20 및 R41 내지 R49은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; tert-부틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n1은 0 내지 3의 정수이고, n1이 2 이상인 경우 복수 개의 R1은 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n1 은 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 n2는 0 내지 3의 정수이고, n2가 2 이상인 경우 복수 개의 R2는 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n2은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n3는 0 내지 3의 정수이고, n3이 2 이상인 경우 복수 개의 R3은 서로 같거나 상이하다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 n3은 0 또는 1이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 11 내지 39 중 어느 하나로 표시된다.
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
상기 화학식 11 내지 39에 있어서,
R1 내지 R3 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
Q1은 C(R199)(R200) 또는 Si(R199)(R200)이고,
Q2는 C 또는 Si이고,
R101 내지 R200은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
n4는 0 내지 2의 정수이고,
m1 내지 m70는 각각 0 내지 3의 정수이고, 상기 m1 내지 m70 및 n4이 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R101 내지 R200은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 트리알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 트리아릴실릴기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R101 내지 R200은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 트리메틸실릴기; 치환 또는 비치환된 트리페닐실릴기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 치환 또는 비치환된 부틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디페닐아민기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R101 내지 R200은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 트리메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 메틸기; 에틸기; tert-부틸기; 메틸기, tert-부틸기, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 메틸기, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R199 및 R200는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R199 및 R200는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 R199 및 R200는 서로 같다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 구조들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
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Figure pat00076
Figure pat00077
Figure pat00078
Figure pat00079
Figure pat00080
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
Figure pat00088
Figure pat00089
Figure pat00090
Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
Figure pat00099
Figure pat00100
Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
Figure pat00109
Figure pat00110
Figure pat00111
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Figure pat00113
Figure pat00114
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
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Figure pat00119
Figure pat00120
Figure pat00121
Figure pat00122
Figure pat00123
Figure pat00124
Figure pat00125
Figure pat00126
Figure pat00127
Figure pat00128
Figure pat00129
Figure pat00130
Figure pat00131
Figure pat00132
Figure pat00133
Figure pat00134
Figure pat00135
Figure pat00136
Figure pat00137
Figure pat00138
Figure pat00139
Figure pat00140
Figure pat00141
Figure pat00142
Figure pat00143
Figure pat00144
Figure pat00145
Figure pat00146
Figure pat00147
Figure pat00148
Figure pat00149
Figure pat00150
Figure pat00151
Figure pat00152
Figure pat00153
Figure pat00154
Figure pat00155
Figure pat00156
Figure pat00157
Figure pat00158
Figure pat00159
Figure pat00160
Figure pat00161
Figure pat00162
Figure pat00163
Figure pat00164
Figure pat00165
Figure pat00166
Figure pat00167
Figure pat00168
Figure pat00169
Figure pat00170
Figure pat00171
Figure pat00172
Figure pat00173
Figure pat00174
Figure pat00175
Figure pat00176
Figure pat00177
Figure pat00178
Figure pat00179
Figure pat00180
Figure pat00181
Figure pat00182
Figure pat00183
Figure pat00184
Figure pat00185
Figure pat00186
Figure pat00187
Figure pat00188
Figure pat00189
Figure pat00190
Figure pat00191
Figure pat00192
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
<반응식 1>
Figure pat00193
브로모클로라이드 화합물에서 시작하여 팔라듐 촉매를 이용한 아미네이션 반응으로 다양한 종류의 아민이 치환된 아릴 중간체를 합성한다. 이어서 보론트리아이오다이드를 이용해 보론을 도입하여 상기 최종 생성물을 얻을 수 있다. 상기 반응식 1에서는 특정위치에 특정 치환기가 결합된 화합물을 합성하는 과정을 예시하였으나, 당 기술분야에 알려져있는 출발물질, 중간물질 등을 이용하여 당 기술분야에 알려져있는 합성방법에 의하여 상기 화학식 1 범위에 해당하는 화합물들을 합성할 수 있다.
본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 전술한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 및 전자주입과 전자수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 및 정공주입과 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송층 또는 정공주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 도펀트로서 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하는 녹색 유기 발광 소자이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하는 적색 유기 발광 소자이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하는 청색 유기 발광 소자이다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 안트라센계 화합물 등의 유기화합물을 호스트로 포함할 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 더 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 이리듐계(Ir) 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
상기 발광층이 도펀트 및 호스트를 포함하는 경우, 도펀트는 호스트 100 중량부 대비 0.01 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
(1) 양극/정공수송층/발광층/음극
(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극
(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극
(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극
(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극
(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극
(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극
(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극
(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극
(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극
(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극
(18) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자주입 및 수송층/음극
(19) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/제1 전자수송층/제2 전자수송층/음극
본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 전자억제층(5), 발광층(6), 제1 전자수송층(7), 제2 전자수송층(8) 및 음극(9)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(6)에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공억제층, 및 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 1층 이상을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다.
상기 정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있다. 상기 전자억제층은 스피로인돌로아크리딘계 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.
상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.
상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; LiQ(8-Quinolinolato lithium); 벤조이미다졸계 화합물; 또는 이들의 조합 등으로 이루어질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 전자수송층의 1층으로 형성될 수 있으나, 2 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공억제층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하기 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<합성예>
반응물 합성
1) 6-브로모-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸
Figure pat00194
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 테트라하이드로퓨란 1000ml에 녹인후 O℃로 낮춘후 N-브로모숙신이미드 44.2g을 천천히 넣고 1시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 6-브로모-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸을 62g 수득하였다 (수율 89%).
MS[M+H]+ = 281
2) 4a,9a-다이메틸-6-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸
Figure pat00195
질소 분위기하에서 6-브로모-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 페닐 보로닉 엑시드 23.9g, 포타슘카보네이트 49.32g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.73g을 테트라하이드로퓨란 600ml, 물300ml를 사용하여 환류조건하 3시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 4a,9a-다이메틸-6-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸을 40g 수득하였다 (수율 81%).
MS[M+H]+ = 278
3) 4a,9a-다이메틸-6-(트리메틸실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸
Figure pat00196
질소 분위기하에서 6-브로모-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 테트라하이드로퓨란 1000ml에 녹인후 -78℃로 낮춘후 N-부틸리튬 (2.5M) 22.86g을 천천히 적가후 1시간뒤 클로로트리메틸실란 25.2g을 천천히 적가하여 3시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 4a,9a-다이메틸-6-(트리메틸실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸을 34g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 274
4) 4a,9a-다이메틸-6-(트리페닐실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸
Figure pat00197
질소 분위기하에서 6-브로모-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 테트라하이드로퓨란 1000ml에 녹인후 -78℃로 낮춘후 N-부틸리튬 (2.5M) 22.86g을 천천히 적가후 1시간뒤 테트로하이드로퓨란 에 녹인 클로로트리페닐실란 68.39g을 천천히 적가하여 6시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 4a,9a-다이메틸-6-(트리페닐실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸을 61g 수득하였다 (수율 74%).
MS[M+H]+ = 460
5) 3,6-다이브로모-9H-카바졸
Figure pat00198
질소 분위기하에서 9H-카바졸 50g을 N,N-다이메틸포름아마이드 1000ml에 녹인후 상온에서 브로민 95.6g을 천천히 넣고 6시간뒤 반응 종료 후 물에 넣어 고체를 얻은 후, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 3,6-다이브로모-9H-카바졸을 84g 수득하였다 (수율 86%).
MS[M+H]+ = 326
6) 3,6-다이페닐-9H-카바졸
Figure pat00199
질소 분위기하에서 3,6-다이브로모-9H-카바졸 50g, 페닐 보로닉 엑시드 39.3g, 포타슘카보네이트 42.42g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.35g을 테트라하이드로퓨란 700ml, 물300ml를 사용하여 환류조건하 3시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정하여 3,6-다이페닐-9H-카바졸 을 41g 수득하였다 (수율 84%).
MS[M+H]+ = 320
7) 3,6-비스(트리메틸실릴)-9H-카바졸
Figure pat00200
질소 분위기하에서 3,6-다이브로모-9H-카바졸 50g, 테트라하이드로퓨란 1200ml에 녹인후 -78℃로 낮춘후 N-부틸리튬 (2.5M) 30.6g을 천천히 적가후 1시간뒤 클로로트리메틸실란 35.1g을 천천히 적가하여 3시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 3,6-비스(트리메틸실릴)-9H-카바졸을 37g 수득하였다 (수율 77%).
MS[M+H]+ = 312
8) 3,6-비스(트리페닐실릴)-9H-카바졸
Figure pat00201
질소 분위기하에서 3,6-다이브로모-9H-카바졸 50g, 테트라하이드로퓨란 1000ml에 녹인후 -78℃로 낮춘후 N-부틸리튬 (2.5M) 22.86g을 천천히 적가후 1시간뒤 테트로하이드로퓨란 에 녹인 클로로트리페닐실란 95.3g을 천천히 적가하여 6시간뒤 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여후 재결정하여 3,6-비스(트리페닐실릴)-9H-카바졸을 79g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 685
합성예 1. 화합물1의 합성
1) 중간체 I1의 합성
Figure pat00202
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 15.1g, 1,3-다이브로모-5-메틸벤젠 9.4g, 소듐-tert-부톡사이드 24g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.96g 을 톨루엔 150m에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산으로 재결정 후 중간체 I1을 16g 수득하였다. (수율 87%).
MS[M+H]+ = 491
2) 화합물1의 합성
Figure pat00203
질소 분위기하에서 중간체 I1 5g, 보론 트리 아이오다이드 10g, 트리페닐 보란 2.7g 을 다이클로로벤젠을 사용하여 160℃로 4시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 재결정 후 화합물1을 3g 수득하였다 (수율 59%).
MS[M+H]+ = 499
합성예 2. 화합물2의 합성
1) 중간체 I2의 합성
Figure pat00204
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 30g, 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 29.4g, 소듐-tert-부톡사이드 62g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.23g 을 톨루엔 300ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 액상 상태인 중간체 I2를 40g 수득하였다 (수율 84%).
MS[M+H]+ = 326
2) 중간체 I3의 합성
Figure pat00205
질소 분위기하에서 중간체 I2 6.9g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 8g, 소듐-tert-부톡사이드 15.6g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I3을 10g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 571
3) 화합물2의 합성
Figure pat00206
질소 분위기하에서 중간체 I3 2g, 보론 트리 아이오다이드 3.4g, 트리페닐 보란 0.9g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 4시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 재결정 후 화합물2를 1.5g 수득하였다 (수율 74%).
MS[M+H]+ = 579
합성예 3. 화합물3의 합성
1) 중간체 I4의 합성
Figure pat00207
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 26.75g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 30, 소듐-tert-부톡사이드 56g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.03g 을 톨루엔 300ml에 넣은후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I4를 35g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 346
2) 중간체 I5의 합성
Figure pat00208
질소 분위기하에서 중간체 I4 41.3g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 33.6g, 소듐-tert-부톡사이드 76.1g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.8g을 톨루엔 500ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I5를 50g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 591
3) 중간체 I6의 합성
Figure pat00209
질소 분위기하에서 중간체 I5 2g, 보론 트리 아이오다이드 3.3g, 트리페닐 보란 0.9g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 4시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 재결정 후 중간체 I6을 1.3g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 599
4) 화합물3의 합성
Figure pat00210
질소 분위기하에서 중간체 I6 5g, 다이페닐아민 1.9g, 소듐-tert-부톡사이드 3.6g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 화합물3을 4g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 731
합성예 4. 화합물4의 합성
1) 중간체 I7의 합성
Figure pat00211
질소 분위기하에서 2,2,3,3-테트라메틸인돌린 14.1g, 1,3-다이브로모-5-메틸벤젠 10g, 소듐-tert-부톡사이드 25g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.02g 을 톨루엔100m에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제 후 중간체 I7을 12g 수득하였다. (수율 68%).
MS[M+H]+ = 438
2) 화합물4의 합성
Figure pat00212
질소 분위기하에서 중간체 I7 4g, 보론 트리 아이오다이드 8.9g, 트리페닐 보란 2.4g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 4시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제 후 재결정으로 화합물4를 3.1g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 447
합성예 5. 화합물5의 합성
1) 중간체 I8의 합성
Figure pat00213
질소 분위기하에서 2,2,3,3-테트라메틸인돌린 10.0g, 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 11.72g, 소듐-tert-부톡사이드 24.2g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.87g 을 톨루엔 100ml에 넣은 후 5시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I8을 12g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 300
2) 중간체 I9의 합성
Figure pat00214
질소 분위기하에서 중간체 I8 10.65g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 10.00g, 소듐-tert-부톡사이드 22.63g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.54g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I9를 14g 수득하였다 (수율 72%).
MS[M+H]+ = 545
3) 화합물5의 합성
Figure pat00215
질소 분위기하에서 중간체 I9 4.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.18g, 트리페닐 보란 1.95g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 4시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제 후 재결정으로 화합물5를 3.0g 수득하였다 (수율 74%).
MS[M+H]+ = 553
합성예 6. 화합물6의 합성
1) 중간체 I10의 합성
Figure pat00216
질소 분위기하에서 중간체 I8 17.93g, 9H-카바졸 10.00g, 소듐-tert-부톡사이드 38.08g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.92g을 톨루엔 200ml에 넣은 후 8시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I10을 17g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 431
2) 화합물6의 합성
Figure pat00217
질소 분위기하에서 중간체 I10 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.82g, 트리페닐 보란 1.86g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 5시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제 후 재결정으로 화합물6을 2.3g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 553
합성예 7. 화합물7의 합성
1) 중간체 I11의 합성
Figure pat00218
질소 분위기하에서 중간체 I8 14.89g, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 10g, 소듐-tert-부톡사이드 31.63g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.76g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I11을 16g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 465
2) 화합물7의 합성
Figure pat00219
질소 분위기하에서 중간체 I11 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.31g, 트리페닐 보란 1.72g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물7을 2.5g 수득하였다 (수율 82%).
MS[M+H]+ = 472
합성예 8. 화합물8의 합성
1) 중간체 I12의 합성
Figure pat00220
질소 분위기하에서 중간체 I4 10g, 2,2,3,3-테트라메틸인돌린 5.06g, 소듐-tert-부톡사이드 12.26g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.44g을 톨루엔 110ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I12를 11g 수득하였다 (수율 79%).
MS[M+H]+ = 486
2) 중간체 I13의 합성
Figure pat00221
질소 분위기하에서 중간체 I12 5.00g, 보론 트리 아이오다이드 10.07g, 트리페닐 보란 2.74g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제 후 재결정으로 중간체 I13을 3g 수득하였다 (수율 59%).
MS[M+H]+ = 493
3) 화합물8의 합성
Figure pat00222
질소 분위기하에서 중간체 I13 3g, 다이페닐아민 1.02g, 소듐-tert-부톡사이드 3.87g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g을 톨루엔 40ml에 넣은 후 5시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제 후 재결정하여 화합물8 을 4g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 626
합성예 9. 화합물9의 합성
1) 중간체 I14의 합성
Figure pat00223
질소 분위기하에서 중간체 I4 10g, 9H-카바졸 4.82g, 소듐-tert-부톡사이드 12.25g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.44g을 톨루엔 110ml에 넣은 후 8시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I14를 9g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 478
2) 중간체 I15의 합성
Figure pat00224
질소 분위기하에서 중간체 I14 5.00g, 보론 트리 아이오다이드 10.23g, 트리페닐 보란 2.78g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 5시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제 후 재결정으로 중간체 I15를 3.4g 수득하였다 (수율 67%).
MS[M+H]+ = 485
3) 화합물9의 합성
Figure pat00225
질소 분위기하에서 중간체 I15 3g, 다이페닐아민 1.03g, 소듐-tert-부톡사이드 3.87g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g을 톨루엔 40ml에 넣은 후 7시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정하여 화합물9를 2.3g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 618
합성예 10. 화합물10의 합성
1) 중간체 I16의 합성
Figure pat00226
질소 분위기하에서 중간체 I2 6.9g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 8g, 소듐-tert-부톡사이드 15.6g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I16을 11g 수득하였다 (수율 78.1%).
MS[M+H]+ = 571
2) 화합물10의 합성
Figure pat00227
질소 분위기하에서 중간체 I16 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.1g, 트리페닐 보란 1.35g 을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물10을 2g 수득하였다 (수율 66.0%).
MS[M+H]+ = 579
합성예 11. 화합물11의 합성
1) 중간체 I17의 합성
Figure pat00228
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 다이-o-톨릴아민 4g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I17을 6g 수득하였다 (수율 67%).
MS[M+H]+ = 487
2) 화합물11의 합성
Figure pat00229
질소 분위기하에서 중간체 I17 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.64g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물11을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 495
합성예 12. 화합물12의 합성
1) 중간체 I18의 합성
Figure pat00230
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 다이-m-톨릴아민 4g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I18을 5.5g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 487
2) 화합물12의 합성
Figure pat00231
질소 분위기하에서 중간체 I18 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.64g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물12을 1.5g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 495
합성예 13. 화합물13의 합성
1) 중간체 I19의 합성
Figure pat00232
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 다이-p-톨릴아민 4g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I19을 5.8g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 487
2) 화합물13의 합성
Figure pat00233
질소 분위기하에서 중간체 I19 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.64g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물13을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 495
합성예 14. 화합물14의 합성
1) 중간체 I20의 합성
Figure pat00234
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 9H-카바졸 3.38g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I20을 5.1g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 457
2) 화합물14의 합성
Figure pat00235
질소 분위기하에서 중간체 I20 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.42g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물14을 1.9g 수득하였다 (수율 62.0%).
MS[M+H]+ = 465
합성예 15. 화합물15의 합성
1) 중간체 I21의 합성
Figure pat00236
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 3,6-다이메틸-9H-카바졸 3.95g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I21을 5.5g 수득하였다 (수율 62%).
MS[M+H]+ = 485
2) 화합물15의 합성
Figure pat00237
질소 분위기하에서 중간체 I21 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.42g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물15을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 465
합성예 16. 화합물16의 합성
1) 중간체 I22의 합성
Figure pat00238
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 2,7-다이메틸-9H-카바졸 3.95g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I22을 5.4g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 485
2) 화합물16의 합성
Figure pat00239
질소 분위기하에서 중간체 I22 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.42g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물16을 1.5g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 465
합성예 17. 화합물17의 합성
1) 중간체 I23의 합성
Figure pat00240
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 3,6-다이-tert-부틸-9H-카바졸 5.66g, 소듐-tert-부톡사이드 5.31g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I23을 5.5g 수득하였다 (수율 53%).
MS[M+H]+ = 569
2) 화합물17의 합성
Figure pat00241
질소 분위기하에서 중간체 I23 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.42g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물17을 1.5g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 465
합성예 18. 화합물18의 합성
1) 중간체 I24의 합성
Figure pat00242
질소 분위기하에서 4a,6,9a-트리메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 52.48g, 소듐-tert-부톡사이드 66.94g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.19g 을 톨루엔 600ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I24를 60g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 341
2) 중간체 I25의 합성
Figure pat00243
질소 분위기하에서 중간체 I24 6g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 5.46g, 소듐-tert-부톡사이드 5.08g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I25을 6.0g 수득하였다 (수율 58%).
MS[M+H]+ = 585
3) 화합물18의 합성
Figure pat00244
질소 분위기하에서 중간체 I25 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물18을 1.9g 수득하였다 (수율 63.0%).
MS[M+H]+ = 593
합성예 19. 화합물19의 합성
1) 중간체 I26의 합성
Figure pat00245
질소 분위기하에서 중간체 I24 6g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 5.46g, 소듐-tert-부톡사이드 5.08g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I26을 6.1g 수득하였다 (수율 59%).
MS[M+H]+ = 585
2) 화합물19의 합성
Figure pat00246
질소 분위기하에서 중간체 I26 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물19을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 593
합성예 20. 화합물20의 합성
1) 중간체 I27의 합성
Figure pat00247
질소 분위기하에서 중간체 I24 6g, 9H-카바졸 3.24g, 소듐-tert-부톡사이드 5.08g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I27을 5.9g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 471
2) 화합물20의 합성
Figure pat00248
질소 분위기하에서 중간체 I27 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.48g, 트리페닐보란 1.74g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물20을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 479
합성예 21. 화합물21의 합성
1) 중간체 I28의 합성
Figure pat00249
질소 분위기하에서 중간체 I24 6g, 3,6-다이-tert-부틸-9H-카바졸 5.42g, 소듐-tert-부톡사이드 5.08g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I28을 5.6g 수득하였다 (수율 54%).
MS[M+H]+ = 583
2) 화합물21의 합성
Figure pat00250
질소 분위기하에서 중간체 I28 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.04g, 트리페닐보란 1.37g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물21을 1.3g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 591
합성예 22. 화합물22의 합성
1) 중간체 I29의 합성
Figure pat00251
질소 분위기하에서 6-(tert-부틸)-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 59.70g, 소듐-tert-부톡사이드 55.99g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.00g 을 톨루엔 600ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I29를 58g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 382
2) 중간체 I30의 합성
Figure pat00252
질소 분위기하에서 중간체 I29 6g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 4.86g, 소듐-tert-부톡사이드 4.53g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I30을 6.2g 수득하였다 (수율 63%).
MS[M+H]+ = 627
3) 화합물22의 합성
Figure pat00253
질소 분위기하에서 중간체 I30 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.6g, 트리페닐보란 1.27g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물22을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 635
합성예 23. 화합물23의 합성
1) 중간체 I31의 합성
Figure pat00254
질소 분위기하에서 중간체 I29 6g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 4.86g, 소듐-tert-부톡사이드 4.52g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I31을 6.3g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 627
2) 화합물23의 합성
Figure pat00255
질소 분위기하에서 중간체 I31 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.62g, 트리페닐보란 1.27g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물23을 1.9g 수득하였다 (수율 63.0%).
MS[M+H]+ = 635
합성예 24. 화합물24의 합성
1) 중간체 I32의 합성
Figure pat00256
질소 분위기하에서 중간체 I29 6g, 9H-카바졸 2.89g, 소듐-tert-부톡사이드 4.53g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I32을 5.5g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 513
2) 화합물24의 합성
Figure pat00257
질소 분위기하에서 중간체 I32 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.86g, 트리페닐보란 1.55g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물24을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 521
합성예 25. 화합물25의 합성
1) 중간체 I33의 합성
Figure pat00258
질소 분위기하에서 중간체 I29 6g, 3,6-di-메틸-9H-카바졸 4.82g, 소듐-tert-부톡사이드 4.53g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I33을 6.6g 수득하였다 (수율 67%).
MS[M+H]+ = 625
2) 화합물25의 합성
Figure pat00259
질소 분위기하에서 중간체 I33 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.63g, 트리페닐보란 1.27g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물25을 1.5g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 633
합성예 26. 화합물26의 합성
1) 중간체 I34의 합성
Figure pat00260
질소 분위기하에서 4a,5,7,9a-테트라메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 49.27g, 소듐-tert-부톡사이드 62.85g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.11g 을 톨루엔 600ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I34를 58g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 354
2) 중간체 I35의 합성
Figure pat00261
질소 분위기하에서 중간체 I34 6g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 5.24g, 소듐-tert-부톡사이드 4.89g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I35을 6.1g 수득하였다 (수율 60%).
MS[M+H]+ = 599
3) 화합물26의 합성
Figure pat00262
질소 분위기하에서 중간체 I35 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.88g, 트리페닐보란 1.33g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물26을 1.7g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 607
합성예 27. 화합물27의 합성
1) 중간체 I36의 합성
Figure pat00263
질소 분위기하에서 중간체 I34 6g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 5.24g, 소듐-tert-부톡사이드 4.89g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I36을 6.0g 수득하였다 (수율 59%).
MS[M+H]+ = 599
2) 화합물27의 합성
Figure pat00264
질소 분위기하에서 중간체 I36 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.88g, 트리페닐보란 1.33g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물27을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 607
합성예 28. 화합물28의 합성
1) 중간체 I37의 합성
Figure pat00265
질소 분위기하에서 중간체 I34 6g, 9H-카바졸 3.12g, 소듐-tert-부톡사이드 4.88g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I37을 5.8g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 485
2) 화합물28의 합성
Figure pat00266
질소 분위기하에서 중간체 I37 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.27g, 트리페닐보란 1.64g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물28을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 493
합성예 29. 화합물29의 합성
1) 중간체 I38의 합성
Figure pat00267
질소 분위기하에서 중간체 I34 6g, 3,6-di-메틸-9H-카바졸 5.21g, 소듐-tert-부톡사이드 4.88g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I38을 6.1 수득하였다 (수율 60%).
MS[M+H]+ = 597
2) 화합물29의 합성
Figure pat00268
질소 분위기하에서 중간체 I38 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.90g, 트리페닐보란 1.34g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물29을 1.7g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 605
합성예 30. 화합물30의 합성
1) 중간체 I39의 합성
Figure pat00269
질소 분위기하에서 4a, 9a-다이메틸-6-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 50g, 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 40.74g, 소듐-tert-부톡사이드 51.96g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.92g 을 톨루엔 600ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I39를 61g 수득하였다 (수율 84%).
MS[M+H]+ = 402
2) 중간체 I40의 합성
Figure pat00270
질소 분위기하에서 중간체 I39 6g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 4.62g, 소듐-tert-부톡사이드 4.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I40을 6.3g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 647
3) 화합물30의 합성
Figure pat00271
질소 분위기하에서 중간체 I40 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.88g, 트리페닐보란 1.33g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물30을 1.9g 수득하였다 (수율 63.0%).
MS[M+H]+ = 655
합성예 31. 화합물31의 합성
1) 중간체 I41의 합성
Figure pat00272
질소 분위기하에서 중간체 I39 6g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 4.62g, 소듐-tert-부톡사이드 4.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 100ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I41을 6.1g 수득하였다 (수율 63%).
MS[M+H]+ = 647
2) 화합물31의 합성
Figure pat00273
질소 분위기하에서 중간체 I41 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.88g, 트리페닐보란 1.33g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물31을 1.7g 수득하였다 (수율 58.0%).
MS[M+H]+ = 655
합성예 32. 화합물32의 합성
1) 중간체 I42의 합성
Figure pat00274
질소 분위기하에서 중간체 I39 6g, 9H-카바졸 3.12g, 소듐-tert-부톡사이드 4.88g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.1g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I42을 5.8g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 533
2) 화합물32의 합성
Figure pat00275
질소 분위기하에서 중간체 I42 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.61g, 트리페닐보란 1.50g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물32을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 541
합성예 33. 화합물33의 합성
1) 중간체 I43의 합성
Figure pat00276
질소 분위기하에서 중간체 I39 6g, 3,6-디-(tert-부틸)-9H-카바졸 4.58g, 소듐-tert-부톡사이드 4.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I43을 6.4g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 645
2) 화합물33의 합성
Figure pat00277
질소 분위기하에서 중간체 I43 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.90g, 트리페닐보란 1.34g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물33을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 653
합성예 34. 화합물34의 합성
1) 중간체 I44의 합성
Figure pat00278
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 6.51g, 소듐-tert-부톡사이드 5.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I44을 7.2g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 611
2) 화합물34의 합성
Figure pat00279
질소 분위기하에서 중간체 I44 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.77g, 트리페닐보란 1.31g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물34을 1.9g 수득하였다 (수율 63.0%).
MS[M+H]+ = 619
합성예 35. 화합물35의 합성
1) 중간체 I45의 합성
Figure pat00280
질소 분위기하에서 중간체 I24 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 6.24g, 소듐-tert-부톡사이드 5.09g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I45을 7.3g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 625
2) 화합물35의 합성
Figure pat00281
질소 분위기하에서 중간체 I45 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.64g, 트리페닐보란 1.27g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물35을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 633
합성예 36. 화합물36의 합성
1) 중간체 I46의 합성
Figure pat00282
질소 분위기하에서 중간체 I29 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 5.55g, 소듐-tert-부톡사이드 4.52g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I46을 7.3g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 667
2) 화합물36의 합성
Figure pat00283
질소 분위기하에서 중간체 I46 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.28g, 트리페닐보란 1.20g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물36을 1.7g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 675
합성예 37. 화합물37의 합성
1) 중간체 I47의 합성
Figure pat00284
질소 분위기하에서 중간체 I34 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 5.99g, 소듐-tert-부톡사이드 4.89g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I47을 7.1g 수득하였다 (수율 67%).
MS[M+H]+ = 639
2) 화합물37의 합성
Figure pat00285
질소 분위기하에서 중간체 I47 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.51g, 트리페닐보란 1.25g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물37을 1.8g 수득하였다 (수율 59.0%).
MS[M+H]+ = 647
합성예 38. 화합물38의 합성
1) 중간체 I48의 합성
Figure pat00286
질소 분위기하에서 중간체 I39 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 5.28g, 소듐-tert-부톡사이드 4.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I48을 6.4g 수득하였다 (수율 62%).
MS[M+H]+ = 687
2) 화합물38의 합성
Figure pat00287
질소 분위기하에서 중간체 I48 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.51g, 트리페닐보란 1.25g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물38을 1.9g 수득하였다 (수율 58.0%).
MS[M+H]+ = 695
합성예 39. 화합물39의 합성
1) 중간체 I49의 합성
Figure pat00288
질소 분위기하에서 중간체 I2 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-4-yl)아민 6.51g, 소듐-tert-부톡사이드 5.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I49을 7.1g 수득하였다 (수율 62%).
MS[M+H]+ = 611
2) 화합물39의 합성
Figure pat00289
질소 분위기하에서 중간체 I49 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.77g, 트리페닐보란 1.31g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물39를 1.5g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 619
합성예 40. 화합물40의 합성
1) 중간체 I50의 합성
Figure pat00290
질소 분위기하에서 중간체 I24 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-4-yl)아민 6.24g, 소듐-tert-부톡사이드 5.09g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I50을 7.1g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 625
2) 화합물40의 합성
Figure pat00291
질소 분위기하에서 중간체 I50 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.64g, 트리페닐보란 1.27g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물40을 1.6g 수득하였다 (수율 53.0%).
MS[M+H]+ = 633
합성예 41. 화합물41의 합성
1) 중간체 I51의 합성
Figure pat00292
질소 분위기하에서 중간체 I29 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-4-yl)아민 5.55g, 소듐-tert-부톡사이드 4.52g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I51을 7.0g 수득하였다 (수율 67%).
MS[M+H]+ = 667
2) 화합물41의 합성
Figure pat00293
질소 분위기하에서 중간체 I51 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.28g, 트리페닐보란 1.20g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물41을 1.6g 수득하였다 (수율 53.0%).
MS[M+H]+ = 675
합성예 42. 화합물42의 합성
1) 중간체 I52의 합성
Figure pat00294
질소 분위기하에서 중간체 I34 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-4-yl)아민 5.99g, 소듐-tert-부톡사이드 4.89g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I52을 7.0g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 639
2) 화합물42의 합성
Figure pat00295
질소 분위기하에서 중간체 I52 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.51g, 트리페닐보란 1.25g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물42을 1.7g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 647
합성예 43. 화합물43의 합성
1) 중간체 I53의 합성
Figure pat00296
질소 분위기하에서 중간체 I39 6g, 다이([1,1’-바이페닐]-4-yl)아민 5.28g, 소듐-tert-부톡사이드 4.30g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.08g을 톨루엔 120ml에 넣은 후 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I53을 6.5g 수득하였다 (수율 63%).
MS[M+H]+ = 687
2) 화합물43의 합성
Figure pat00297
질소 분위기하에서 중간체 I53 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.13g, 트리페닐보란 1.16g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물43을 1.5 g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 695
합성예 44. 화합물44의 합성
1) 중간체 I54의 합성
Figure pat00298
질소 분위기하에서 중간체 I2의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I54을 45g 수득하였다 (수율 82%).
MS[M+H]+ = 368
2) 중간체 I55의 합성
Figure pat00299
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I55을 6.2g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 501
3) 화합물44의 합성
Figure pat00300
질소 분위기하에서 중간체 I55 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.03g, 트리페닐보란 1.60g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물44을 1.6 g 수득하였다 (수율 53.0%).
MS[M+H]+ = 509
합성예 45. 화합물45의 합성
1) 중간체 I56의 합성
Figure pat00301
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I56을 6.5g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 613
2) 화합물45의 합성
Figure pat00302
질소 분위기하에서 중간체 I56 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.67g, 트리페닐보란 1.28g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물45을 1.7 g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 621
합성예 46. 화합물46의 합성
1) 중간체 I57의 합성
Figure pat00303
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I57을 6.6g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 613
2) 화합물46의 합성
Figure pat00304
질소 분위기하에서 중간체 I57 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.74g, 트리페닐보란 1.30g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물46을 1.6 g 수득하였다 (수율 53.0%).
MS[M+H]+ = 621
합성예 47. 화합물47의 합성
1) 중간체 I58의 합성
Figure pat00305
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I58을 6.4g 수득하였다 (수율 79%).
MS[M+H]+ = 499
2) 화합물47의 합성
Figure pat00306
질소 분위기하에서 중간체 I58 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.06g, 트리페닐보란 1.60g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물47을 1.3 g 수득하였다 (수율 52.0%).
MS[M+H]+ = 507
합성예 48. 화합물48의 합성
1) 중간체 I59의 합성
Figure pat00307
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I59을 6.1g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 611
2) 화합물48의 합성
Figure pat00308
질소 분위기하에서 중간체 I59 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.76g, 트리페닐보란 1.31g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물48을 1.5g 수득하였다 (수율 50.0%).
MS[M+H]+ = 619
합성예 49. 화합물49의 합성
1) 중간체 I60의 합성
Figure pat00309
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I60을 7.5g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 653
2) 화합물49의 합성
Figure pat00310
질소 분위기하에서 중간체 I60 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.40g, 트리페닐보란 1.22g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물49을 1.6g 수득하였다 (수율 53.0%).
MS[M+H]+ = 661
합성예 50. 화합물50의 합성
1) 중간체 I61의 합성
Figure pat00311
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I61을 7.7g 수득하였다 (수율 72%).
MS[M+H]+ = 653
2) 화합물50의 합성
Figure pat00312
질소 분위기하에서 중간체 I61 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.40g, 트리페닐보란 1.22g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물50을 1.7g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 661
합성예 51. 화합물51의 합성
1) 중간체 I62의 합성
Figure pat00313
질소 분위기하에서 중간체 I2의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I62을 40g 수득하였다 (수율 81%).
MS[M+H]+ = 425
2) 중간체 I63의 합성
Figure pat00314
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I63을 6.6g 수득하였다 (수율 84%).
MS[M+H]+ = 557
3) 화합물51의 합성
Figure pat00315
질소 분위기하에서 중간체 I63 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.32g, 트리페닐보란 1.43g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물51을 1.7 g 수득하였다 (수율 56.0%).
MS[M+H]+ = 565
합성예 52. 화합물52의 합성
1) 중간체 I64의 합성
Figure pat00316
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I64을 6.9g 수득하였다 (수율 73%).
MS[M+H]+ = 670
2) 화합물52의 합성
Figure pat00317
질소 분위기하에서 중간체 I64 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.26g, 트리페닐보란 1.19g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물52을 1.4 g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 677
합성예 53. 화합물53의 합성
1) 중간체 I65의 합성
Figure pat00318
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I65을 5.9g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 555
2) 화합물53의 합성
Figure pat00319
질소 분위기하에서 중간체 I65 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.35g, 트리페닐보란 1.44g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물53을 1.3g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 563
합성예 54. 화합물54의 합성
1) 중간체 I66의 합성
Figure pat00320
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I66을 6.6g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 668
2) 화합물54의 합성
Figure pat00321
질소 분위기하에서 중간체 I66 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.35g, 트리페닐보란 1.44g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물54을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 675
합성예 55. 화합물55의 합성
1) 중간체 I67의 합성
Figure pat00322
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I67을 7.6g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 710
2) 화합물55의 합성
Figure pat00323
질소 분위기하에서 중간체 I67 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 4.97g, 트리페닐보란 1.13g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물55을 1.6g 수득하였다 (수율 53.0%).
MS[M+H]+ = 717
합성예 56. 화합물56의 합성
1) 중간체 I68의 합성
Figure pat00324
질소 분위기하에서 중간체 I2의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I68을 38g 수득하였다 (수율 82%).
MS[M+H]+ = 312
2) 중간체 I69의 합성
Figure pat00325
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I69을 7.1g 수득하였다 (수율 83%).
MS[M+H]+ = 445
3) 화합물56의 합성
Figure pat00326
질소 분위기하에서 중간체 I69 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.32g, 트리페닐보란 1.43g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물56을 1.4 g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 453
합성예 57. 화합물57의 합성
1) 중간체 I70의 합성
Figure pat00327
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I70을 7.2g 수득하였다 (수율 67%).
MS[M+H]+ = 557
2) 화합물57의 합성
Figure pat00328
질소 분위기하에서 중간체 I70 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.32g, 트리페닐보란 1.43g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물57을 1.5 g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 565
합성예 58. 화합물58의 합성
1) 중간체 I71의 합성
Figure pat00329
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I71을 7.1g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 557
2) 화합물58의 합성
Figure pat00330
질소 분위기하에서 중간체 I71 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.32g, 트리페닐보란 1.43g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물58을 1.4 g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 565
합성예 59. 화합물59의 합성
1) 중간체 I72의 합성
Figure pat00331
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I72을 7.1g 수득하였다 (수율 83%).
MS[M+H]+ = 443
2) 화합물59의 합성
Figure pat00332
질소 분위기하에서 중간체 I72 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.96g, 트리페닐보란 1.80g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물59을 1.3 g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 451
합성예 60. 화합물60의 합성
1) 중간체 I73의 합성
Figure pat00333
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I73을 7.7g 수득하였다 (수율 72%).
MS[M+H]+ = 554
2) 화합물60의 합성
Figure pat00334
질소 분위기하에서 중간체 I73 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.35g, 트리페닐보란 1.44g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물60을 1.5 g 수득하였다 (수율 49.0%).
MS[M+H]+ = 563
합성예 61. 화합물61의 합성
1) 중간체 I74의 합성
Figure pat00335
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I74을 8.3g 수득하였다 (수율 72%).
MS[M+H]+ = 597
2) 화합물61의 합성
Figure pat00336
질소 분위기하에서 중간체 I74 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.90g, 트리페닐보란 1.34g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물61을 1.4 g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 605
합성예 62. 화합물62의 합성
1) 중간체 I75의 합성
Figure pat00337
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I75을 8.4g 수득하였다 (수율 73%).
MS[M+H]+ = 597
2) 화합물62의 합성
Figure pat00338
질소 분위기하에서 중간체 I75 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.90g, 트리페닐보란 1.34g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물62을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 605
합성예 63. 화합물63의 합성
1) 중간체 I76의 합성
Figure pat00339
질소 분위기하에서 중간체 I2의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I76을 39g 수득하였다 (수율 88%).
MS[M+H]+ = 340
2) 중간체 I77의 합성
Figure pat00340
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I77을 6.6g 수득하였다 (수율 79%).
MS[M+H]+ = 473
3) 화합물63의 합성
Figure pat00341
질소 분위기하에서 중간체 I77 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.45g, 트리페닐보란 1.69g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물63을 1.3 g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 481
합성예 64. 화합물64의 합성
1) 중간체 I78의 합성
Figure pat00342
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I78을 8.1g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 585
2) 화합물64의 합성
Figure pat00343
질소 분위기하에서 중간체 I78 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.37g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물64을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 593
합성예 65. 화합물65의 합성
1) 중간체 I79의 합성
Figure pat00344
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I79을 8.0g 수득하였다 (수율 77%).
MS[M+H]+ = 585
2) 화합물65의 합성
Figure pat00345
질소 분위기하에서 중간체 I79 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.02g, 트리페닐보란 1.37g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물65을 1.3g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 593
합성예 66. 화합물66의 합성
1) 중간체 I80의 합성
Figure pat00346
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I80을 7.1g 수득하였다 (수율 85%).
MS[M+H]+ = 471
2) 화합물66의 합성
Figure pat00347
질소 분위기하에서 중간체 I80 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 7.49g, 트리페닐보란 1.70g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물66을 1.2g 수득하였다 (수율 39.0%).
MS[M+H]+ = 479
합성예 67. 화합물67의 합성
1) 중간체 I81의 합성
Figure pat00348
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I81을 7.7g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 583
2) 화합물67의 합성
Figure pat00349
질소 분위기하에서 중간체 I81 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 6.05g, 트리페닐보란 1.37g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물67을 1.3g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 591
합성예 68. 화합물68의 합성
1) 중간체 I82의 합성
Figure pat00350
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I82을 8.1g 수득하였다 (수율 73%).
MS[M+H]+ = 625
2) 화합물68의 합성
Figure pat00351
질소 분위기하에서 중간체 I82 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.64g, 트리페닐보란 1.28g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물68을 1.3g 수득하였다 (수율 43.0%).
MS[M+H]+ = 633
합성예 69. 화합물69의 합성
1) 중간체 I83의 합성
Figure pat00352
질소 분위기하에서 중간체 I3의 합성법과 동일한 조건을 사용하여 중간체 I83을 8.0g 수득하였다 (수율 73%).
MS[M+H]+ = 625
2) 화합물69의 합성
Figure pat00353
질소 분위기하에서 중간체 I83 3.00g, 보론 트리 아이오다이드 5.64g, 트리페닐보란 1.28g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 화합물69을 1.4g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 633
합성예 70. 화합물70의 합성
1) 중간체 I84의 합성
Figure pat00354
질소 분위기하에서 중간체 I4 40g, 다이페닐아민 19.56g, 소듐-tert-부톡사이드 33.28g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.56g 을 톨루엔 800ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I84를 48g 수득하였다 (수율 87%).
MS[M+H]+ = 480
2) 중간체 I85의 합성
Figure pat00355
질소 분위기하에서 중간체 I84 30g, 보론 트리 아이오다이드 73.55g, 트리페닐보란 16.65g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I 85을 14.5g 수득하였다 (수율 48.0%).
MS[M+H]+ = 487
3) 화합물70의 합성
Figure pat00356
질소 분위기하에서 중간체 I85 2g, 다이페닐아민 0.69g, 소듐-tert-부톡사이드 1.18g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 70을 2.0g 수득하였다 (수율 79%).
MS[M+H]+ = 620
합성예 71. 화합물71의 합성
1) 화합물71의 합성
Figure pat00357
질소 분위기하에서 중간체 I85 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 1.16g, 소듐-tert-부톡사이드 1.18g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 71을 2.3g 수득하였다 (수율 77%).
MS[M+H]+ = 732
합성예 72. 화합물72의 합성
1) 화합물72의 합성
Figure pat00358
질소 분위기하에서 중간체 I85 2g, 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 1.29g, 소듐-tert-부톡사이드 1.18g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 72을 2.4g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 764
합성예 73. 화합물73의 합성
1) 화합물73의 합성
Figure pat00359
질소 분위기하에서 중간체 I85 2g, 비스(4-(트리페닐실릴)페닐)아민 2.82g, 소듐-tert-부톡사이드 1.18g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 73을 2.5g 수득하였다 (수율 54%).
MS[M+H]+ = 1137
합성예 74. 화합물74의 합성
1) 화합물74의 합성
Figure pat00360
질소 분위기하에서 중간체 I85 2g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 1.32g, 소듐-tert-부톡사이드 1.18g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 74을 2.2g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 772
합성예 75. 화합물75의 합성
1) 중간체 I86의 합성
Figure pat00361
질소 분위기하에서 중간체 I4 40g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 32.5g, 소듐-tert-부톡사이드 33.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.59g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I86를 50g 수득하였다 (수율 73%).
MS[M+H]+ = 592
2) 중간체 I87의 합성
Figure pat00362
질소 분위기하에서 중간체 I86 30g, 보론 트리 아이오다이드 59.59g, 트리페닐보란 13.51g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I 87을 14.1g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 600
3) 화합물75의 합성
Figure pat00363
질소 분위기하에서 중간체 I87 2g, 다이페닐아민 0.57g, 소듐-tert-부톡사이드 0.96g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 75을 1.9g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 732
합성예 76. 화합물76의 합성
1) 화합물76의 합성
Figure pat00364
질소 분위기하에서 중간체 I87 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 0.94g, 소듐-tert-부톡사이드 0.96g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 76을 2.1g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 845
합성예 77. 화합물77의 합성
1) 화합물77의 합성
Figure pat00365
질소 분위기하에서 중간체 I87 2g, 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 1.05g, 소듐-tert-부톡사이드 0.96g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 77을 2.0g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 877
합성예 78. 화합물78의 합성
1) 화합물78의 합성
Figure pat00366
질소 분위기하에서 중간체 I87 2g, 비스(4-(트리페닐실릴)페닐)아민 2.29g, 소듐-tert-부톡사이드 0.96g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 78을 2.3g 수득하였다 (수율 55%).
MS[M+H]+ = 1249
합성예 79. 화합물79의 합성
1) 화합물79의 합성
Figure pat00367
질소 분위기하에서 중간체 I87 2g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 1.07g, 소듐-tert-부톡사이드 0.96g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 79을 2.4g 수득하였다 (수율 81%).
MS[M+H]+ = 885
합성예 80. 화합물80의 합성
1) 중간체 I88의 합성
Figure pat00368
질소 분위기하에서 중간체 I4 40g, 9H-카바졸 19.3g, 소듐-tert-부톡사이드 33.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.59g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I88를 43g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 478
2) 중간체 I89의 합성
Figure pat00369
질소 분위기하에서 중간체 I88 30g, 보론 트리 아이오다이드 73.86g, 트리페닐보란 16.75g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I 89을 14.5g 수득하였다 (수율 48.0%).
MS[M+H]+ = 485
3) 화합물80의 합성
Figure pat00370
질소 분위기하에서 중간체 I89 2g, 다이페닐아민 0.69g, 소듐-tert-부톡사이드 1.19g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 80을 1.9g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 732
합성예 81. 화합물81의 합성
1) 화합물81의 합성
Figure pat00371
질소 분위기하에서 중간체 I89 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 1.16g, 소듐-tert-부톡사이드 1.19g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 81을 2.3g 수득하였다 (수율 76%).
MS[M+H]+ = 730
합성예 82. 화합물82의 합성
1) 화합물82의 합성
Figure pat00372
질소 분위기하에서 중간체 I89 2g, 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 1.29g, 소듐-tert-부톡사이드 1.19g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 82을 2.6g 수득하였다 (수율 83%).
MS[M+H]+ = 762
합성예 83. 화합물83의 합성
1) 화합물83의 합성
Figure pat00373
질소 분위기하에서 중간체 I89 2g, 비스(4-(트리페닐실릴)페닐)아민 2.82g, 소듐-tert-부톡사이드 1.19g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 83을 2.8g 수득하였다 (수율 60%).
MS[M+H]+ = 1135
합성예 84. 화합물84의 합성
1) 화합물84의 합성
Figure pat00374
질소 분위기하에서 중간체 I89 2g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 1.32g, 소듐-tert-부톡사이드 1.19g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 84을 2.1g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 770
합성예 85. 화합물85의 합성
1) 중간체 I90의 합성
Figure pat00375
질소 분위기하에서 중간체 I4 40g, 3,6-di-tert-부틸-9H-카바졸 32.28g, 소듐-tert-부톡사이드 33.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.59g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I90를 47g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 590
2) 중간체 I91의 합성
Figure pat00376
질소 분위기하에서 중간체 I90 30g, 보론 트리 아이오다이드 59.80g, 트리페닐보란 13.56g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I91을 14.6g 수득하였다 (수율 48.0%).
MS[M+H]+ = 598
3) 화합물85의 합성
Figure pat00377
질소 분위기하에서 중간체 I91 2g, 다이페닐아민 0.57g, 소듐-tert-부톡사이드 0.97g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 85을 1.2g 수득하였다 (수율 49%).
MS[M+H]+ = 730
합성예 86. 화합물86의 합성
1) 화합물86의 합성
Figure pat00378
질소 분위기하에서 중간체 I91 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 0.94g, 소듐-tert-부톡사이드 1.19g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 86을 2.1g 수득하였다 (수율 74%).
MS[M+H]+ = 843
합성예 87. 화합물87의 합성
1) 화합물87의 합성
Figure pat00379
질소 분위기하에서 중간체 I91 2g, 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 1.05g, 소듐-tert-부톡사이드 0.97g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 87을 2.0g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 875
합성예 88. 화합물88의 합성
1) 화합물88의 합성
Figure pat00380
질소 분위기하에서 중간체 I91 2g, 비스(4-(트리페닐실릴)페닐)아민 2.30g, 소듐-tert-부톡사이드 0.97g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 88을 3.1g 수득하였다 (수율 74%).
MS[M+H]+ = 1247
합성예 89. 화합물89의 합성
1) 화합물89의 합성
Figure pat00381
질소 분위기하에서 중간체 I91 2g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 1.08g, 소듐-tert-부톡사이드 0.97g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 89을 2.0g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 883
합성예 90. 화합물90의 합성
1) 중간체 I92의 합성
Figure pat00382
질소 분위기하에서 중간체 I4 40g, 3,6-di-tert-부틸-9H-카바졸 32.28g, 소듐-tert-부톡사이드 33.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.59g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I92를 50g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 630
2) 중간체 I93의 합성
Figure pat00383
질소 분위기하에서 중간체 I92 30g, 보론 트리 아이오다이드 56.0g, 트리페닐보란 12.7g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I 93을 13.9g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 638
3) 화합물90의 합성
Figure pat00384
질소 분위기하에서 중간체 I93 2g, 다이페닐아민 0.53g, 소듐-tert-부톡사이드 0.90g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 90을 1.5g 수득하였다 (수율 62%).
MS[M+H]+ = 770
합성예 91. 화합물91의 합성
1) 화합물91의 합성
Figure pat00385
질소 분위기하에서 중간체 I93 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 0.88g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 91을 1.9g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 883
합성예 92. 화합물92의 합성
1) 화합물92의 합성
Figure pat00386
질소 분위기하에서 중간체 I93 2g, 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 0.98g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 92을 1.8g 수득하였다 (수율 63%).
MS[M+H]+ = 915
합성예 93. 화합물93의 합성
1) 화합물93의 합성
Figure pat00387
질소 분위기하에서 중간체 I93 2g, 비스(4-(트리페닐실릴)페닐)아민 2.15g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 93을 2.3g 수득하였다 (수율 57%).
MS[M+H]+ = 1287
합성예 94. 화합물94의 합성
1) 화합물94의 합성
Figure pat00388
질소 분위기하에서 중간체 I93 2g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 1.01g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 94을 1.7g 수득하였다 (수율 59%).
MS[M+H]+ = 923
합성예 95. 화합물95의 합성
1) 중간체 I94의 합성
Figure pat00389
질소 분위기하에서 중간체 I4 20g, 3,6-비스(트리페닐실릴)-9H-카바졸 39.5g, 소듐-tert-부톡사이드 16.7g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.3g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I94를 40g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 994
2) 중간체 I95의 합성
Figure pat00390
질소 분위기하에서 중간체 I94 30g, 보론 트리 아이오다이드 35.5g, 트리페닐보란 8.1g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 재결정으로 중간체 I 95을 12.0g 수득하였다 (수율 40.0%).
MS[M+H]+ = 1002
3) 화합물95의 합성
Figure pat00391
질소 분위기하에서 중간체 I95 2g, 다이페닐아민 0.33g, 소듐-tert-부톡사이드 0.58g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.01g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 95을 1.4g 수득하였다 (수율 62%).
MS[M+H]+ = 1135
합성예 96. 화합물96의 합성
1) 중간체 I96의 합성
Figure pat00392
질소 분위기하에서 중간체 I4 30g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 27.8g, 소듐-tert-부톡사이드 24.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.4g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I96를 41g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 632
2) 중간체 I97의 합성
Figure pat00393
질소 분위기하에서 중간체 I96 30g, 보론 트리 아이오다이드 55.82g, 트리페닐보란 12.6g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 재결정으로 중간체 I97을 14.0g 수득하였다 (수율 46.0%).
MS[M+H]+ = 640
3) 화합물96의 합성
Figure pat00394
질소 분위기하에서 중간체 I97 2g, 다이페닐아민 0.53g, 소듐-tert-부톡사이드 0.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 96을 1.3g 수득하였다 (수율 54%).
MS[M+H]+ = 772
합성예 97. 화합물97의 합성
1) 화합물97의 합성
Figure pat00395
질소 분위기하에서 중간체 I97 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 0.88g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 97을 1.8g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 885
합성예 98. 화합물98의 합성
1) 화합물98의 합성
Figure pat00396
질소 분위기하에서 중간체 I97 2g, 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 0.98g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 98을 1.9g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 917
합성예 99. 화합물99의 합성
1) 화합물99의 합성
Figure pat00397
질소 분위기하에서 중간체 I97 2g, 비스(4-(트리페닐실릴)페닐)아민 2.14g, 소듐-tert-부톡사이드 0.90g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 99을 2.4g 수득하였다 (수율 60%).
MS[M+H]+ = 1289
합성예 100. 화합물100의 합성
1) 화합물100의 합성
Figure pat00398
질소 분위기하에서 중간체 I97 2g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl)아민 1.01g, 소듐-tert-부톡사이드 0.90g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 100을 2.1g 수득하였다 (수율 73%).
MS[M+H]+ = 923
합성예 101. 화합물101의 합성
1) 중간체 I98의 합성
Figure pat00399
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-6-(트리페닐실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 10g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 4.91g, 소듐-tert-부톡사이드 6.28g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.11g을 톨루엔 150ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I98를 11g 수득하였다 (수율 84%).
MS[M+H]+ = 605
2) 중간체 I99의 합성
Figure pat00400
질소 분위기하에서 중간체 I 98 11g, 9H-카바졸 3.04g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.09g, 소듐-tert-부톡사이드 5.24g 을 톨루엔 180ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I99를 10g 수득하였다 (수율 75%).
MS[M+H]+ = 736
3) 중간체 I100의 합성
Figure pat00401
질소 분위기하에서 중간체 I99 10g, 보론 트리 아이오다이드 15.97g, 트리페닐보란 3.62g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 재결정으로 중간체 I100을 4.0g 수득하였다 (수율 40.0%).
MS[M+H]+ = 744
4) 화합물101의 합성
Figure pat00402
질소 분위기하에서 중간체 I100 2g, 다이-o-톨릴아민 0.53g, 소듐-tert-부톡사이드 0.78g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 101을 1.8g 수득하였다 (수율 74%).
MS[M+H]+ = 905
합성예 102. 화합물 102의 합성
1) 화합물102의 합성
Figure pat00403
질소 분위기하에서 중간체 I100 2g, 비스(4-tert-부틸)페닐)아민 0.75g, 소듐-tert-부톡사이드 0.77g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.01g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 102을 1.8g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 989
합성예 103. 화합물103의 합성
1) 중간체 I100의 합성
Figure pat00404
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-6-(트리메틸실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 15g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 12.39g, 소듐-tert-부톡사이드 15.81g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.28g을 톨루엔 300ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I100를 18g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 419
2) 중간체 I101의 합성
Figure pat00405
질소 분위기하에서 중간체 I 100 15g, 3,6-비스(트리메틸실릴)-9H-카바졸 11.16g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.18g, 소듐-tert-부톡사이드 10.33g을 톨루엔 180ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I101를 16g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 694
3) 중간체 I102의 합성
Figure pat00406
질소 분위기하에서 중간체 I101 15g, 보론 트리 아이오다이드 25.4g, 트리페닐보란 5.76g을 다이클로로 벤젠을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정으로 중간체 I102을 5.5g 수득하였다 (수율 36.0%).
MS[M+H]+ = 702
4) 화합물103의 합성
Figure pat00407
질소 분위기하에서 중간체 I102 2g, 다이페닐아민 0.48g, 소듐-tert-부톡사이드 0.82g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 재결정을 통하여 화합물 103을 1.5g 수득하였다 (수율 63%).
MS[M+H]+ = 835
합성예 104. 화합물 104의 합성
1) 화합물104의 합성
Figure pat00408
질소 분위기하에서 중간체 I102 2g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 0.80g, 소듐-tert-부톡사이드 0.82g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.02g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 104을 1.6g 수득하였다 (수율 59%).
MS[M+H]+ = 947
합성예 105. 화합물105의 합성
1) 화합물105의 합성
Figure pat00409
질소 분위기하에서 중간체 I85 2g, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.86g, 소듐-tert-부톡사이드 1.18g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.06g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 105을 2.1g 수득하였다 (수율 78%).
MS[M+H]+ = 652
합성예 106. 화합물106의 합성
1) 중간체 I103의 합성
Figure pat00410
질소 분위기하에서 4a,5,7,9a-테트라메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 39.4g, 소듐-tert-부톡사이드 50.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.67g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I103을 45g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 375
2) 중간체 I104의 합성
Figure pat00411
질소 분위기하에서 중간체 I103 30g, 4-(tert-부틸)-N-(4-(tert-부틸)페닐)-2-(나프탈렌-2-yl)아닐린 32.7g, 소듐-tert-부톡사이드 23.1g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.23g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I104을 31g 수득하였다 (수율 52%).
MS[M+H]+ = 746
3) 중간체 I105의 합성
Figure pat00412
질소 분위기하에서 중간체 I104 15g, 보론 트리 아이오다이드 23.6g, 트리페닐보란 5.4g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I 105을 6.9g 수득하였다 (수율 47%).
MS[M+H]+ = 736
4) 화합물106의 합성
Figure pat00413
질소 분위기하에서 중간체 I105 2g, 8-(tert-부틸)-6,6a,11,11a-테트라하이드로-5H-벤조[a]카바졸 0.83g, 소듐-tert-부톡사이드 0.78g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.04g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 106을 1.8g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 1023
합성예 107. 화합물107의 합성
1) 중간체 I106의 합성
Figure pat00414
질소 분위기하에서 9a-메틸-4a-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 34.3g, 소듐-tert-부톡사이드 43.8g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.32g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I106을 41g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 409
2) 중간체 I107의 합성
Figure pat00415
질소 분위기하에서 중간체 I106 30g, 4-(tert-부틸)-N-(4-(tert-부틸)페닐)-2-(나프탈렌-2-yl)아닐린 29.9g, 소듐-tert-부톡사이드 21.2g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.13g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I107을 29g 수득하였다 (수율 51%).
MS[M+H]+ = 780
3) 중간체 I108의 합성
Figure pat00416
질소 분위기하에서 중간체 I107 15g, 보론 트리 아이오다이드 22.6g, 트리페닐보란 5.1g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I 108을 6.9g 수득하였다 (수율 46%).
MS[M+H]+ = 788
4) 화합물107의 합성
Figure pat00417
질소 분위기하에서 중간체 I108 2g, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.78g, 소듐-tert-부톡사이드 0.73g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.04g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 107을 1.6g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 953
합성예 108. 화합물108의 합성
1) 중간체 I109의 합성
Figure pat00418
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-6-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 32.6g, 소듐-tert-부톡사이드 41.6g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.21g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I109을 39g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 423
2) 중간체 I110의 합성
Figure pat00419
질소 분위기하에서 중간체 I109 30g, 5-(tert-부틸)-N-(3-(tert-부틸)페닐)-[1,1’-바이페닐]-2-아민 28.9g, 소듐-tert-부톡사이드 20.5g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.01g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I110을 25g 수득하였다 (수율 47%).
MS[M+H]+ = 744
3) 중간체 I111의 합성
Figure pat00420
질소 분위기하에서 중간체 I110 15g, 보론 트리 아이오다이드 23.7g, 트리페닐보란 5.4g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I111을 5.9g 수득하였다 (수율 39%).
MS[M+H]+ = 752
4) 화합물108의 합성
Figure pat00421
질소 분위기하에서 중간체 I111 2g, 4a,9a-다이메틸-6-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.74g, 소듐-tert-부톡사이드 0.77g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.04g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 108을 1.7g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 993
합성예 109. 화합물109의 합성
1) 중간체 I112의 합성
Figure pat00422
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-6-(트리메틸실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 33.0g, 소듐-tert-부톡사이드 42.2g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.24g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I112을 39g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 419
2) 중간체 I113의 합성
Figure pat00423
질소 분위기하에서 중간체 I112 30g, 다이([1,1’-바이페닐]-3-yl]) 23.0g, 소듐-tert-부톡사이드 20.7g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.10g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I113을 24g 수득하였다 (수율 48%).
MS[M+H]+ = 704
3) 중간체 I114의 합성
Figure pat00424
질소 분위기하에서 중간체 I113 15g, 보론 트리 아이오다이드 25.0g, 트리페닐보란 5.7g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I114을 6.0g 수득하였다 (수율 40%).
MS[M+H]+ = 712
4) 화합물109의 합성
Figure pat00425
질소 분위기하에서 중간체 I114 2g, 4a,9a-다이메틸-6-(트리메틸실릴)-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.77g, 소듐-tert-부톡사이드 0.81g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.04g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 109을 1.8g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 949
합성예 110. 화합물110의 합성
1) 중간체 I115의 합성
Figure pat00426
질소 분위기하에서 8-(tert-부틸)-6a,11a-다이메틸-6,6a,11,11a-테트라하이드로-5H-benzo[a]카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 29.6g, 소듐-tert-부톡사이드 37.8g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.0g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I115을 38g 수득하였다 (수율 64%).
MS[M+H]+ = 451
2) 중간체 I116의 합성
Figure pat00427
질소 분위기하에서 중간체 I115 30g, 5-(tert-부틸)-N-(3-(tert-부틸)페닐)-[1,1’-바이페닐]-2-아민 23.8g, 소듐-tert-부톡사이드 19.2g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.02g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I116을 25g 수득하였다 (수율 49%).
MS[M+H]+ = 772
3) 중간체 I117의 합성
Figure pat00428
질소 분위기하에서 중간체 I116 15g, 보론 트리 아이오다이드 22.8g, 트리페닐보란 5.2g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I117을 6.1g 수득하였다 (수율 40%).
MS[M+H]+ = 780
4) 화합물110의 합성
Figure pat00429
질소 분위기하에서 중간체 I117 2g, 6a,11a-다이메틸-6,6a,11,11a-테트라하이드로-5H-벤조[a]카바졸 0.70g, 소듐-tert-부톡사이드 0.81g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.04g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 110을 1.9g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 993
합성예 111. 화합물111의 합성
1) 중간체 I118의 합성
Figure pat00430
질소 분위기하에서 6a,11a-다이메틸-6,6a,11,11a-테트라하이드로-5H-benzo[a]카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 36.2g, 소듐-tert-부톡사이드 46.2g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.5g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I118을 41g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 395
2) 중간체 I119의 합성
Figure pat00431
질소 분위기하에서 중간체 I118 30g, 다이 페닐 아민 12.9g, 소듐-tert-부톡사이드 21.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.17g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I119을 22g 수득하였다 (수율 55%).
MS[M+H]+ = 528
3) 중간체 I120의 합성
Figure pat00432
질소 분위기하에서 중간체 I119 15g, 보론 트리 아이오다이드 33.4g, 트리페닐보란 7.6g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I120을 5.9g 수득하였다 (수율 39%).
MS[M+H]+ = 535
4) 화합물111의 합성
Figure pat00433
질소 분위기하에서 중간체 I120 2g, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.75g, 소듐-tert-부톡사이드 1.1g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.06g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 111을 1.6g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 700
합성예 112. 화합물112의 합성
1) 중간체 I121의 합성
Figure pat00434
질소 분위기하에서 중간체 I109 30g, 다이 페닐 아민 12.0g, 소듐-tert-부톡사이드 20.5g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.09g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I121을 21g 수득하였다 (수율 53%).
MS[M+H]+ = 556
2) 중간체 I122의 합성
Figure pat00435
질소 분위기하에서 중간체 I121 15g, 보론 트리 아이오다이드 31.7g, 트리페닐보란 7.2g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I122을 6.3g 수득하였다 (수율 41%).
MS[M+H]+ = 563
3) 화합물112의 합성
Figure pat00436
질소 분위기하에서 중간체 I121 2g, 6-(tert-부틸)-9a-메틸-4a-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 1.39g, 소듐-tert-부톡사이드 1.0g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.06g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 112을 1.6g 수득하였다 (수율 53%).
MS[M+H]+ = 846
합성예 113. 화합물113의 합성
1) 중간체 I123의 합성
Figure pat00437
질소 분위기하에서 6-클로로-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 3-브로모-5-메틸페놀 31.7g, 소듐-tert-부톡사이드 48.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.6g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 70℃로 8시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I123을 38g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 341.88
2) 중간체 I124의 합성
Figure pat00438
질소 분위기하에서 중간체 I123 30g, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플로로부탄-1-설퍼닐 플로라이드 23.6ml, 포타슘카보네이트 36.4g을 메틸클로라이드 400ml에 넣은 후 3시간 상온 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I124을 45g 수득하였다 (수율 82%).
MS[M+H]+ = 624
2) 중간체 I125의 합성
Figure pat00439
질소 분위기하에서 중간체 I124 30g, 비스(3-(tert-부틸)페닐)아민 20.9g, 세슘카보네이트 47.0g, 비스(다이벤질리딘아세톤)팔라듐(0) 0.83g을, 엑스포스 1.38g을 자일렌 600ml에 넣은 후 8시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I125을 19g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 606
3) 중간체 I126의 합성
Figure pat00440
질소 분위기하에서 중간체 I125 15g, 보론 트리 아이오다이드 29.1g, 트리페닐보란 6.6g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I126을 5.8g 수득하였다 (수율 38%).
MS[M+H]+ = 614
4) 화합물113의 합성
Figure pat00441
질소 분위기하에서 중간체 I126 2g, 다이페닐아민 0.55g, 소듐-tert-부톡사이드 0.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.05g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 113을 1.6g 수득하였다 (수율 66%).
MS[M+H]+ = 746
합성예 114. 화합물114의 합성
1) 중간체 I127의 합성
Figure pat00442
질소 분위기하에서 6-(tert-부틸)-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1-브로모3-클로로-5-메틸벤젠 31.9g, 소듐-tert-부톡사이드 44.8g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 2.4g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 70℃로 8시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I127을 41g 수득하였다 (수율 69%).
MS[M+H]+ = 382
2) 중간체 I128의 합성
Figure pat00443
질소 분위기하에서 중간체 I127 30g, 소듐-tert-부톡사이드 20.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.07g을 톨루엔 500ml에 넣은 후 끓기 시작하면 5-(tert-부틸)-N-(3-클로로페닐)-[1,1’-바이페닐]-2-아민 23.6g을 톨루엔에 녹인 용액을 적가하여 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I128을 28g 수득하였다 (수율 58%).
MS[M+H]+ = 682
3) 중간체 I129의 합성
Figure pat00444
질소 분위기하에서 중간체 I128 15g, 보론 트리 아이오다이드 25.9g, 트리페닐보란 5.9g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I129을 5.4g 수득하였다 (수율 36%).
MS[M+H]+ = 690
4) 화합물114의 합성
Figure pat00445
질소 분위기하에서 중간체 I128 2g, 비스(-4-(tert-부틸)페닐)아민 0.82g, 소듐-tert-부톡사이드 0.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.05g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 114을 1.9g 수득하였다 (수율 70%).
MS[M+H]+ = 935
합성예 115. 화합물115의 합성
1) 중간체 I130의 합성
Figure pat00446
질소 분위기하에서 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1,3-다이브로모-5-클로로벤젠 26.9g, 소듐-tert-부톡사이드 57.3g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.0g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I130을 33g 수득하였다 (수율 65%).
MS[M+H]+ = 512
2) 중간체 I131의 합성
Figure pat00447
질소 분위기하에서 중간체 I130 15g, 보론 트리 아이오다이드 34.4g, 트리페닐보란 7.8g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I131을 6.9g 수득하였다 (수율 45%).
MS[M+H]+ = 519
3) 화합물115의 합성
Figure pat00448
질소 분위기하에서 중간체 I131 2g, 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 1.08g, 소듐-tert-부톡사이드 1.11g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.06g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 115을 2.1g 수득하였다 (수율 71%).
MS[M+H]+ = 764
합성예 116. 화합물116의 합성
1) 화합물116의 합성
Figure pat00449
질소 분위기하에서 중간체 I131 2g, 4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.78g, 소듐-tert-부톡사이드 1.11g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.06g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 116을 1.8g 수득하였다 (수율 68%).
MS[M+H]+ = 684
합성예 117. 화합물117의 합성
1) 중간체 I132의 합성
Figure pat00450
질소 분위기하에서 6-(tert-부틸)-4a,9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 40g, 1-브로모-3,5-다이클로로벤젠 35.1g, 소듐-tert-부톡사이드 44.8g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.79g을 톨루엔 800ml에 넣은 후 6시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I132을 38g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 403
2) 중간체 I133의 합성
Figure pat00451
질소 분위기하에서 중간체 I132 30g, 4a,5,7,9a-테트라메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 17.1g, 소듐-tert-부톡사이드 21.5g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.14g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I133을 21g 수득하였다 (수율 47%).
MS[M+H]+ = 596
3) 중간체 I134의 합성
Figure pat00452
질소 분위기하에서 중간체 I133 15g, 보론 트리 아이오다이드 29.6g, 트리페닐보란 6.7g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I134을 6.1g 수득하였다 (수율 40%).
MS[M+H]+ = 604
4) 화합물117의 합성
Figure pat00453
질소 분위기하에서 중간체 I134 2g, 4a,9a-다이메틸-6-페닐-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 0.92g, 소듐-tert-부톡사이드 0.95g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.05g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 117을 1.6g 수득하였다 (수율 57%).
MS[M+H]+ = 845
합성예 118. 화합물118의 합성
1) 화합물118의 합성
Figure pat00454
질소 분위기하에서 중간체 I131 2g, 10H-스파이로[아크리딘-9,9'-플로렌] 1.28g, 소듐-tert-부톡사이드 0.93g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.04g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 118을 1.9g 수득하였다 (수율 61%).
MS[M+H]+ = 814
합성예 119. 화합물119의 합성
1) 중간체 I135의 합성
Figure pat00455
질소 분위기하에서 중간체 I132 30g, 5-(tert-부틸)-4a-9a-다이메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸 19.2g, 소듐-tert-부톡사이드 17.9g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 1.14g을 톨루엔 600ml에 넣은 후 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제하여 중간체 I135을 23g 수득하였다 (수율 49%).
MS[M+H]+ = 624
2) 중간체 I136의 합성
Figure pat00456
질소 분위기하에서 중간체135 15g, 보론 트리 아이오다이드 28.3g, 트리페닐보란 6.3g을 다이클로로 벤젠 150ml을 사용하여 160℃로 6시간 교반하였다. 반응 종료하여 상온에서 추출 후 에틸아세테이트:헥산으로 컬럼 정제후 재결정으로 중간체 I136을 5.6g 수득하였다 (수율 37%).
MS[M+H]+ = 632
3) 화합물119의 합성
Figure pat00457
질소 분위기하에서 중간체136 2g, 5'H-스파이로[다이벤조[b,d]실로레-5,10'-다이벤조[b,e][1,4]아자실린] 1.10g, 소듐-tert-부톡사이드 0.91g, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) 0.05g을 톨루엔 30ml에 넣은 후 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 추출한 뒤, 에틸아세테이트:헥산 컬럼으로 정제후 재결정을 통하여 화합물 119을 1.8g 수득하였다 (수율 60%).
MS[M+H]+ = 943
<실험예>
실시예 1.
ITO(indium tin oxide)가 1,500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척 하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식 [HAT]을 50Å의 두께로 열 진공증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화학식 [NPB]를 1100Å의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 위에 하기 화학식 [HT-A]를 200 Å의 두께로 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자억제층 위에 청색 발광 도펀트로 화합물 1을 발광층 총 중량 대비 2wt%, 호스트로 9-(나프탈렌-1-yl)-10-(4-(나프탈렌-2-yl)페닐)안트라센[BH]을 300Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 [TPBI] 및 하기 화학식 [LiQ] 를 1:1 중량비로 진공증착하여 200Å의 두께로 제1 전자수송층을 형성하였다. 상기 제1 전자수송층 위에 [LiF]을 진공 증착하여 100Å의 두께로 제2 전자수송층을 형성하였다. 상기 제2 전자수송층 위에 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.9 Å/sec를 유지하였고, 제2 전자수송층의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 음극의 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 Х 10-7~ 5 Х 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00458
실시예 2 내지 119, 비교예 1 및 2.
상기 실시예 1에서 화합물 1 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure pat00459
상기에서 실시예 1 내지 119, 비교예 1 및 비교예 2에서 제조된 유기 발광 소자의 10 mA/㎠의 전류밀도에서의 효율, 수명 및 색좌표(1931 CIE color coordinate 기준)를 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
물질 효율(cd/A) 색좌표 수명
T95(hr)
CIE (x) CIE (y)
실시예 1 (화합물 1) 7.23 0.150 0.066 112
실시예 2 (화합물 2) 6.75 0.141 0.061 107
실시예 3 (화합물 3) 6.70 0.140 0.057 110
실시예 4 (화합물 4) 7.22 0.149 0.065 111
실시예 5 (화합물 5) 6.77 0.141 0.061 105
실시예 6 (화합물 6) 7.30 0.150 0.074 118
실시예 7 (화합물 7) 7.23 0.149 0.066 110
실시예 8 (화합물 8) 6.72 0.141 0.060 100
실시예 9 (화합물 9) 7.43 0.150 0.070 125
실시예 10 (화합물 10) 6.77 0.141 0.064 110
실시예 11 (화합물 11) 6.77 0.141 0.063 109
실시예 12 (화합물 12) 6.75 0.141 0.061 107
실시예 13 (화합물 13) 6.77 0.141 0.064 109
실시예 14 (화합물 14) 7.21 0.150 0.092 116
실시예 15 (화합물 15) 7.23 0.150 0.095 116
실시예 16 (화합물 16) 7.23 0.150 0.091 116
실시예 17 (화합물 17) 7.22 0.150 0.095 116
실시예 18 (화합물 18) 6.77 0.141 0.063 107
실시예 19 (화합물 19) 6.78 0.141 0.066 107
실시예 20 (화합물 20) 7.21 0.150 0.095 116
실시예 21 (화합물 21) 7.22 0.150 0.097 116
실시예 22 (화합물 22) 6.77 0.141 0.063 107
실시예 23 (화합물 23) 6.77 0.141 0.066 107
실시예 24 (화합물 24) 7.21 0.150 0.095 116
실시예 25 (화합물 25) 7.21 0.150 0.097 116
실시예 26 (화합물 26) 6.77 0.141 0.059 107
실시예 27 (화합물 27) 6.77 0.141 0.059 107
실시예 28 (화합물 28) 7.21 0.150 0.097 116
실시예 29 (화합물 29) 7.22 0.150 0.093 116
실시예 30 (화합물 30) 6.80 0.141 0.068 108
실시예 31 (화합물 31) 6.80 0.141 0.071 108
실시예 32 (화합물 32) 7.31 0.150 0.098 117
실시예 33 (화합물 33) 7.31 0.150 0.099 116
실시예 34 (화합물 34) 6.78 0.141 0.069 108
실시예 35 (화합물 35) 6.78 0.141 0.075 110
실시예 36 (화합물 36) 6.78 0.141 0.075 110
실시예 37 (화합물 37) 6.78 0.141 0.065 108
실시예 38 (화합물 38) 6.81 0.141 0.081 109
실시예 39 (화합물 39) 6.88 0.141 0.080 109
실시예 40 (화합물 40) 6.89 0.141 0.081 109
실시예 41 (화합물 41) 6.89 0.141 0.081 109
실시예 42 (화합물 42) 6.89 0.141 0.079 109
실시예 43 (화합물 43) 6.94 0.141 0.082 111
실시예 44 (화합물 44) 6.71 0.141 0.066 109
실시예 45 (화합물 45) 6.75 0.141 0.063 107
실시예 46 (화합물 46) 6.76 0.141 0.069 107
실시예 47 (화합물 47) 7.21 0.150 0.092 116
실시예 48 (화합물 48) 7.22 0.150 0.095 116
실시예 49 (화합물 49) 6.78 0.141 0.069 108
실시예 50 (화합물 50) 6.88 0.141 0.071 109
실시예 51 (화합물 51) 6.75 0.141 0.067 107
실시예 52 (화합물 52) 6.77 0.141 0.063 107
실시예 53 (화합물 53) 7.21 0.150 0.095 116
실시예 54 (화합물 54) 7.21 0.150 0.097 116
실시예 55 (화합물 55) 6.78 0.141 0.069 108
실시예 56 (화합물 56) 6.70 0.141 0.068 109
실시예 57 (화합물 57) 6.75 0.141 0.063 107
실시예 58 (화합물 58) 6.75 0.141 0.069 107
실시예 59 (화합물 59) 7.20 0.150 0.097 119
실시예 60 (화합물 60) 7.23 0.150 0.099 117
실시예 61 (화합물 61) 6.77 0.141 0.071 109
실시예 62 (화합물 62) 6.88 0.141 0.081 110
실시예 63 (화합물 63) 6.73 0.141 0.066 109
실시예 64 (화합물 64) 6.78 0.141 0.062 109
실시예 65 (화합물 65) 6.73 0.141 0.070 109
실시예 66 (화합물 66) 7.20 0.150 0.097 115
실시예 67 (화합물 67) 7.20 0.150 0.097 115
실시예 68 (화합물 68) 6.78 0.141 0.069 108
실시예 69 (화합물 69) 6.78 0.141 0.071 108
실시예 70 (화합물 70) 6.68 0.140 0.054 110
실시예 71 (화합물 71) 6.72 0.140 0.051 110
실시예 72 (화합물 72) 6.72 0.140 0.051 110
실시예 73 (화합물 73) 6.71 0.140 0.051 110
실시예 74 (화합물 74) 6.75 0.140 0.051 111
실시예 75 (화합물 75) 6.70 0.140 0.055 110
실시예 76 (화합물 76) 6.69 0.140 0.054 110
실시예 77 (화합물 77) 6.70 0.140 0.054 110
실시예 78 (화합물 78) 6.70 0.140 0.054 109
실시예 79 (화합물 79) 6.75 0.140 0.050 111
실시예 80 (화합물 80) 7.43 0.150 0.070 125
실시예 81 (화합물 81) 7.43 0.150 0.070 125
실시예 82 (화합물 82) 7.43 0.150 0.070 125
실시예 83 (화합물 83) 7.43 0.150 0.070 124
실시예 84 (화합물 84) 7.44 0.150 0.071 125
실시예 85 (화합물 85) 7.44 0.150 0.072 125
실시예 86 (화합물 86) 7.44 0.150 0.071 125
실시예 87 (화합물 87) 7.44 0.150 0.071 125
실시예 88 (화합물 88) 7.44 0.150 0.072 125
실시예 89 (화합물 89) 7.45 0.150 0.076 125
실시예 90 (화합물 90) 7.47 0.150 0.077 127
실시예 91 (화합물 91) 7.48 0.150 0.077 126
실시예 92 (화합물 92) 7.48 0.150 0.077 126
실시예 93 (화합물 93) 7.48 0.150 0.077 125
실시예 94 (화합물 94) 7.49 0.150 0.079 125
실시예 95 (화합물 95) 7.44 0.150 0.071 124
실시예 96 (화합물 96) 6.75 0.140 0.054 111
실시예 97 (화합물 97) 6.75 0.140 0.053 110
실시예 98 (화합물 98) 6.75 0.140 0.053 110
실시예 99 (화합물 99) 6.75 0.140 0.053 109
실시예 100 (화합물 100) 6.79 0.140 0.051 111
실시예 101 (화합물 101) 7.42 0.150 0.072 124
실시예 102 (화합물 102) 7.42 0.150 0.074 124
실시예 103 (화합물 103) 7.43 0.150 0.072 125
실시예 104 (화합물 104) 7.41 0.150 0.073 125
실시예 105 (화합물 105) 7.11 0.140 0.053 127
실시예 106 (화합물 106) 7.32 0.140 0.055 125
실시예 107 (화합물 107) 7.30 0.150 0.056 125
실시예 108 (화합물 108) 7.39 0.150 0.060 130
실시예 109 (화합물 109) 7.41 0.150 0.058 120
실시예 110 (화합물 110) 7.39 0.150 0.057 126
실시예 111 (화합물 111) 7.15 0.140 0.053 127
실시예 112 (화합물 112) 7.22 0.150 0.060 129
실시예 113 (화합물 113) 7.38 0.150 0.066 121
실시예 114 (화합물 114) 7.43 0.140 0.051 121
실시예 115 (화합물 115) 7.40 0.140 0.057 133
실시예 116 (화합물 116) 7.20 0.140 0.055 139
실시예 117 (화합물 117) 7.55 0.150 0.051 140
실시예 118 (화합물 118) 7.57 0.150 0.050 131
실시예 119 (화합물 119) 7.55 0.150 0.051 131
비교예 1 (화합물 BD-1) 6.11 0.174 0.190 95
비교예 2 (화합물 BD-2) 2.89 0.120 0.032 15
상기 표 1로부터, 분자 내에 N을 포함하는 비방향족 5각 고리를 포함하는 본원 화합물을 사용한 실시예 1 내지 119는, N을 포함하는 5각 고리에 벤젠고리가 축합되어 방향족 고리를 형성하는 화합물(BD-1)을 사용한 비교예 1 및 붕소원자 주위의 모든 벤젠고리가 서로 결합하여 축합고리를 형성하는 화합물(BD-2)을 사용한 비교예 2보다 효율 및 수명 특성이 매우 우수한 것을 확인할 수 있다. 또한, 일반적으로 색좌표 값이 낮아지면 수명 특성이 저하되나, 본 발명의 화합물은 낮은 색좌표 값으로 인해 진한 청색을 구현하여 색순도 측면에서 우수할 뿐만 아니라, 수명 특성도 향상되는 것을 확인할 수 있다.
1: 기판
2: 양극
3: 정공주입층
4: 정공수송층
5: 전자억제층
6: 발광층
7: 제1 전자수송층
8: 제2 전자수송층
9: 음극

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00460

    상기 화학식 1에 있어서,
    Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성하고,
    A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
    R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    n1 내지 n3는 각각 0 내지 3의 정수이고, n1 내지 n3가 각각 2 이상인 경우 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00461

    [화학식 1-2]
    Figure pat00462

    상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
    R1 내지 R3, Ar1 내지 Ar4 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    A11 및 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    Ar5 내지 Ar8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 화학식 1-1은 하기 화학식 2 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00463

    [화학식 3]
    Figure pat00464

    [화학식 4]
    Figure pat00465

    [화학식 5]
    Figure pat00466

    [화학식 6]
    Figure pat00467

    [화학식 7]
    Figure pat00468

    상기 화학식 2 내지 7에 있어서,
    R1 내지 R3, Ar5 내지 Ar8 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1-1에서 정의한 바와 같고,
    R11 내지 R14 및 R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    p1은 0 내지 8의 정수이고,
    p2 내지 p4는 각각 0 내지 14의 정수이며,
    p5는 0 내지 20의 정수이고,
    p1 내지 p5가 각각 2 이상인 경우, 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시되는 화합물:
    [화학식 2-1]
    Figure pat00469

    [화학식 2-2]
    Figure pat00470

    상기 화학식 2-1 내지 2-2에 있어서,
    A1, A2, R1 내지 R3 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    R31 내지 R35은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    인접한 R35은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성할 수 있고,
    r33은 0 내지 8의 정수이고,
    r34 및 r35는 각각 0 내지 4의 정수이고,
    r33 내지 r35가 각각 2 이상인 경우, 복수 개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 화학식 1-1은 하기 화학식 8 내지 10 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 8]
    Figure pat00471

    [화학식 9]
    Figure pat00472

    [화학식 10]
    Figure pat00473

    상기 화학식 8 내지 10에 있어서,
    R1 내지 R3, n1 내지 n3 및 Ar1 내지 Ar4의 정의는 상기 화학식 1-1에서 정의한 바와 같고,
    R4 내지 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    Y1 및 Y2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리를 형성하고,
    Cy1는 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리이다.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 101 내지 108 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 101]
    Figure pat00474

    [화학식 102]
    Figure pat00475

    [화학식 103]
    Figure pat00476

    [화학식 104]
    Figure pat00477

    [화학식 105]
    Figure pat00478

    [화학식 106]
    Figure pat00479

    [화학식 107]
    Figure pat00480

    [화학식 108]
    Figure pat00481

    상기 화학식 101 내지 108에 있어서,
    A1, A2, R1 내지 R3, n1 내지 n3 및 Ar1 내지 Ar4의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    Q1은 C(R48)(R49) 또는 Si(R48)(R49)이고,
    Q2는 C 또는 Si이고,
    R3', R11 내지 R20 및 R41 내지 R49은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,n3'는 0 내지 3의 정수이고,
    n11 내지 n14 및 n41는 각각 0 내지 2의 정수이고,
    n15는 0 내지 8의 정수이고,
    n16 내지 n18 및 n42 내지 n47은 각각 0 내지 4의 정수이고,
    n3', n15 내지 n18 및 n42 내지 n47가 각각 2 이상인 복수개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
    n11 내지 n14 및 n41가 각각 2인 경우 복수개의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
    Ar101 내지 Ar106는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 11 내지 39 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure pat00482

    Figure pat00483

    Figure pat00484

    Figure pat00485

    Figure pat00486

    상기 화학식 11 내지 39에 있어서,
    R1 내지 R3 및 n1 내지 n3의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
    Q1은 C(R199)(R200) 또는 Si(R199)(R200)이고,
    Q2는 C 또는 Si이고,
    R101 내지 R200은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    n4는 0 내지 2의 정수이고,
    m1 내지 m70는 각각 0 내지 3의 정수이고, 상기 m1 내지 m70 및 n4이 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure pat00487

    Figure pat00488

    Figure pat00489

    Figure pat00490

    Figure pat00491

    Figure pat00492

    Figure pat00493

    Figure pat00494

    Figure pat00495

    Figure pat00496

    Figure pat00497

    Figure pat00498

    Figure pat00499

    Figure pat00500

    Figure pat00501

    Figure pat00502

    Figure pat00503

    Figure pat00504

    Figure pat00505

    Figure pat00506

    Figure pat00507

    Figure pat00508

    Figure pat00509

    Figure pat00510

    Figure pat00511

    Figure pat00512

    Figure pat00513

    Figure pat00514

    Figure pat00515

    Figure pat00516

    Figure pat00517

    Figure pat00518

    Figure pat00519

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    Figure pat00521

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    Figure pat00523

    Figure pat00524

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    Figure pat00526

    Figure pat00527

    Figure pat00528

    Figure pat00529

    Figure pat00530

    Figure pat00531

    Figure pat00532

    Figure pat00533

    Figure pat00534

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    Figure pat00538

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    Figure pat00540

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    Figure pat00543

    Figure pat00544

    Figure pat00545

    Figure pat00546

    Figure pat00547

    Figure pat00548

    Figure pat00549

    Figure pat00550

    Figure pat00551

    Figure pat00552

    Figure pat00553

    Figure pat00554

    Figure pat00555
    .
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure pat00556

    Figure pat00557

    Figure pat00558

    Figure pat00559

    Figure pat00560

    Figure pat00561

    Figure pat00562

    Figure pat00563

    Figure pat00564

    Figure pat00565

    Figure pat00566

    Figure pat00567

    Figure pat00568

    Figure pat00569

    Figure pat00570

    Figure pat00571

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    Figure pat00573

    Figure pat00574

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    Figure pat00579

    Figure pat00580

    Figure pat00581

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  10. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하는 유기 발광 소자.
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