KR20190087700A - 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 노광방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 표시 장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서, 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부, 및 얼라인노광부의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 기판 상에 정의된 화소 상의 패턴과 다른 크기의 패턴을 갖는 경계노광부;를 포함하고, 경계노광부는 얼라인노광부에서 멀어질수록 증가하는 크기로 배치된 제 1 패턴을 포함하는 제 1 행, 및 얼라인노광부에서 멀어질수록 작아지는 크기로 배치된 제 2 패턴을 포함하는 제 2 행을 포함한다.

Description

마스크 및 이를 이용한 표시장치의 노광방법{MASK, AND EXPOSURE METHOD OF DISPLAY USING THEROF}
본 발명은 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 노광방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마스크 공정 중 발생되는 스티치(stitch) 불량 및 화질 불량을 개선한 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 노광방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가 받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호를 변환함으로써 영상이 표시된다.
최근 표시장치가 대면적화, 고집적화 되어 감에 따라, 일반적으로 마스크 크기보다 표시 장치 기판의 액티브 영역(active area)이 큰 경우가 많다. 따라서, 최근 표시장치 제조방법은 상기 액티브 영역에 패턴을 형성하기 위해서, 액티브 영역을 분할하여 스텝 앤 리피트(step and repeat) 공정을 수행하는 분할 노광이 적용된다. 상기 분할 노광은 하나의 액티브 영역을 둘 이상의 샷으로 노광하는 방식이다. 이러한 분할 노광 방식의 경우, 실제의 샷은 공정 산포로 인한 전이(shift), 회전(rotation), 비틀림(distortion) 등의 왜곡이 발생하기 때문에 샷 사이에 스티치(Stitch) 불량이 발생하며, 이는 화상이 표시될 때, 서로 다른 샷 간의 밝기 차이 또는 샷 사이의 경계에서 얼룩으로 나타난다.
본 발명은 대형 표시 패널에서 마스크 공정 중 발생되는 스티치(stitch) 불량을 개선하고, 다수의 노광 샷 횟수를 줄이고자 하는 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 노광방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 표시 장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서, 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부, 상기 기판 상에 정의된 화소 상의 패턴과 다른 크기의 패턴을 갖는 경계노광부를 포함하고, 상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 증가하는 크기로 배치된 제 1 패턴을 포함하는 제 1 행, 및 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 작아지는 크기로 배치된 제 2 패턴을 포함하는 제 2 행을 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 표시장치는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역 사이에 배치되는 제 2 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 박막 트랜지스터, 상기 기판 상에 복수의 행과 열에 따라 배치된 복수의 스페이서를 포함하고, 상기 복수의 스페이서는 상기 제 2 영역의 중심부에서 멀어질수록 증가하는 면적으로 상기 제 1 영역의 제 1 행에 배치되고, 상기 제 2 영역의 중심부에서 멀어질수록 감소하는 면적으로 상기 제 1 영역의 제 2 행에 배치되며, 상기 제 1 영역과 동일한 면적으로 상기 제 1 영역의 제 2 행에 배치된다.
제 1 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 상기 제 2 패턴과 동일한 크기를 갖는다.
본 발명의 일실시예에 따른 노광마스크는 상기 얼라인노광부와 동일한 크기를 갖는 제 3 패턴을 포함하는 제 3 행을 더 포함한다. 제 3 패턴은 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴과 다른 화소 패턴 열에 배치된다.
제 1 내지 제 3 패턴은 스페이서 패턴, 콘택홀 패턴 및 공통전극 패턴 중 어느 하나이다.
본 발명의 일 실시예는, 표시 장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서, 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와, 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트 간격을 가지며 이동되는 경계노광부;를 포함하고, 상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부에 가까워질수록 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 패턴을 포함하는 제 1 행, 상기 얼라인노광부와 동일하게 배치된 패턴을 포함하는 제 2 행, 및 상기 얼라인노광부에 가까워질수록 감소하는 쉬프트 간격으로 배치된 패턴을 포함하는 제 3 행을 포함한다.
복수의 스페이서의 높이는 상기 복수의 스페이서의 면적 변화량에 비례하여 변화한다. 제 1 행에 배치된 복수의 스페이서는 제2 영역에 배치된 복수의 스페이서보다 큰 높이를 갖는다. 제 2 행에 배치된 복수의 스페이서는 상기 제 2 영역에 배치된 복수의 스페이서보다 작은 높이를 갖는다.
본 발명의 일 실시예는, 표시 장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서, 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부, 상기 얼라인노광부의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트 간격을 가지며 이동되는 경계노광부;를 포함하고, 상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 제 1 방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 1 패턴을 포함하는 제 1 행, 및 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 제 2 방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 2 패턴을 포함하는 제 2 행을 포함한다.
상기 제 1 방향은 +X 방향이고 상기 제 2 방향은 -X방향이다.
상기 경계 노광부는 상기 제 2 행에 인접하여 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 3 패턴을 포함하는 제 3 행, 및 상기 얼라인 노광부에서 멀어질수록 +X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 4 패턴을 포함하는 제 4 행을 더 포함한다.
상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하고, 상기 제 3 패턴과 상기 제 4 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치한다.
상기 제 1 패턴과 상기 제 3 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 서로 동일한 쉬프트 간격을 갖고, 상기 제 2 패턴과 상기 제 4 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 서로 동일한 쉬프트 간격을 갖는다.
상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 컬러 필터 패턴이다.
본 발명의 일실시예에 따른 노광마스크는 상기 제 1 행과 상기 제 3 행에서 상기 제 1 패턴 및 상기 제 3 패턴과 인접하여 각각 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 5 패턴, 및 상기 제 2 행과 상기 제 4 행에서 상기 제 2 패턴과 상기 제 4 패턴과 인접하여 각각 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 6 패턴을 더 포함한다.
상기 제 1 방향은 +X 방향이고 상기 제 2 방향은 +X방향이다.
상기 경계 노광부는 상기 제 2 행에 인접하여 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 3 패턴을 포함하는 제 3 행, 및 상기 얼라인 노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 4 패턴을 포함하는 제 4 행을 더 포함한다.
상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하고, 상기 제 3 패턴과 상기 제 4 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치한다.
상기 제 1 방향은 +Y 방향이고 상기 제 2 방향은 -Y방향이다.
상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴은 컬러필터 패턴, 화소전극 패턴, 및 블랙매트릭스 패턴 중 어느 하나이다.
본 발명의 일 실시예는, n개의 노광영역으로 정의된 기판의 각 영역을 노광하는 방법에 있어서, 상기 n번째 노광영역에 상기 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와, 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트 간격으로 배치된 패턴을 갖는 경계노광부를 포함하는 노광마스크를 통해 제 1 노광공정을 진행하는 단계; 상기 노광마스크를 이동시켜, n+1번째 노광영역에 제 2 노광공정을 진행하는 단계를 포함하며, 상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부와의 상기 행방향으로 15mm 내지 20mm의 폭을 갖는다.
본 발명에 따르면, 노광 마스크 샷의 경계 영역인 스티치 영역에서 스티치 좌우로 스페이서 패턴의 크기(size), 컬러필터 패턴의 오버레이(overlay), 및 블랙매트릭스 패턴의 오버레이(overlay)를 점진적으로 변경하는 패턴을 형성함으로써 스티치 불량을 개선할 수 있어 표시 장치의 화면 품질을 개선할 수 있다.
도 1은 일반적인 분할 노광 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 표시 장치의 인접한 두 숏을 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 스티치 영역을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분할 노광 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 스티치 영역과 이에 대응하는 제 1 노광영역을 확대 도시한 도면이다.
도 6은 노광마스크의 일부분을 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광마스크의 경계노광부에 형성된 패턴을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 도 5의 I-I’를 따라 자른 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광 마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 10는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 노광 마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 노광 마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
도 1은 일반적인 분할 노광 공정을 개략적으로 도시한 도면으로, 제 1 및 제 2 노광영역으로 분할된 기판에 대한 노광 공정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 액티브영역(AA)이 제 1 및 제 2 노광영역(13, 15)으로 분할되어 정의된 기판(1) 상부로, 마스크(20)를 위치시키는데, 이때 마스크(20)는 노광하고자 하는 제 1 노광영역(13)에 대응되어 위치한다.
다음으로 마스크(20)의 상부에 빛을 조사하여 노광하게 된다. 이때, 마스크(20)에는 기판(1)의 제 1 노광영역(13)과 대응되는 노광부(21)가 구성되어 있으며, 노광부(21) 내에는 개구부와 차단부가 구성되어 있어 원하는 패턴의 모양에 따라 선택적으로 빛을 투과 또는 차단하여 기판(1)의 노광영역(13, 15) 내에 여러 패턴을 형성한다.
이로 인하여, 제 1 노광영역(13)의 노광 공정이 완료된 후, 마스크(20)를 이동시켜 제 1 노광영역(13)에 이웃하는 제 2 노광영역(15)을 노광하여, 단위패널의 액티브영역(AA)을 모두 분할 노광하게 된다.
이때, 하나의 노광영역(13)을 노광한 후 순차적으로 다른 노광영역(15)을 노광하는 분할 노광 공정에 있어서, 마스크(20)의 오정렬로 인하여 이웃하는 노광영역(13, 15) 간의 경계면 부근에서 패턴들간의 오정렬이 발생하게 되고, 이로 인하여 각 노광영역(13, 15)의 경계면에서 휘도 불균일이 발생됨으로써, 육안으로 노광영역(13, 15)의 경계면 부분이 띠처럼 보이는 스티치(stitch) 불량을 발생시키게 된다.
도 2는 표시 장치의 인접한 두 숏을 나타낸 평면도이고, 도 3는 도 2의 스티치 영역을 확대한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 인접한 두 숏(A, B) 사이의 경계 부분에서 스티치 영역(S1)을 형성된다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 인접한 두 숏, 예를 들면, 흰 부분으로 나타내 왼쪽의 A숏과 검은 부분으로 나타낸 오른쪽의 B숏 사이의 중첩 부분인 스티치 영역(S1)은 다수의 단위 스티치 영역, 예를 들면, 10×9개의 단위 스티치 영역으로 이루어진다. 여기서, 단위 스티치 영역은 보통 하나의 단위 화소 또는 수개의 단위 화소가 될 수 있으며, 또한 수개의 단위 스티치 영역이 모여서 하나의 화소가 될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 마스크와 노광 마스크에 의하여 분할 노광된 표시 기판을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 5는 도 4의 노광 마스크와 이에 대응되는 표시 기판의 제 1 노광영역을 확대 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 다수의 화소(P)가 정의되어 있는 액티브영역(AA)이 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)으로 분할되어 정의된 기판(111) 상부로 노광마스크(120)가 위치하는데, 노광마스크(120)는 노광하고자 하는 제 1 노광 영역(113)에 대응하여 위치한다.
즉, 표시장치의 상부 및 하부기판을 제작하기 위해서는 여러 개의 노광마스크(120)를 사용하여 동일 횟수의 노광공정을 거치게 되고, 기판이 대형화됨에 따라 하나의 층을 패터닝할때도 기판(111)을 일정부분 나누어 노광하게 된다. 이때, 노광마스크(120)는 그 크기가 기판(111) 면적에 비하여 상당히 작아, 기판(111)의 전면에 패턴들을 형성하기 위해서는 기판(111)의 액티브영역(AA)을 다수개의 영역(113, 115)으로 분할한 후, 각 영역(113, 115)을 차례로 다수의 샷을 통해 노광하는 분할 노광을 진행해야 한다.
따라서, 기판(111) 상의 액티브영역(AA)은 분할노광을 진행하기 위하여 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)으로 분할되어 정의되며, 노광마스크(120)는 먼저 제 1 노광영역(113)에 대응하여 위치하는 것이다.
제 1 노광영역(113)에 대응하여 형성된 노광마스크(120)를 사용하여 제 1 노광영역(113)의 제 1 샷에 의한 노광 공정이 완료되면, 노광마스크(120)는 제 2 노광영역(115)에 대응하도록 이동되어 제 2 노광영역(115)의 제 2 샷에 의한 노광공정을 진행하게 된다.
여기서, 노광마스크(120)는 기판(111) 상의 액티브영역(AA)에 정의된 화소(P)에 대응하여 빛이 조사되는 다수의 노광부를 포함하며, 다수의 노광부(121)는 개구부와 차단부로 이루어진 패턴을 가지고 선택적으로 빛을 투과 또는 차단하여 기판(111)의 노광영역(113, 115)상에 여러 패턴을 형성한다. 이때, 본 발명의 노광마스크(120)는 얼라인 노광부(121)와 기판(111)의 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 간의 경계면 주위에 대응하는 경계 노광부(123)를 포함한다.
도 5를 참조하면, 얼라인 노광부(121)는 기판(111) 상에 정의된 화소 상의 설계 패턴과 일치하는 기준 패턴(122)을 포함한다. 여기서, 기판(111)의 설계 패턴이라 함은 기판(111)상에서 소정의 크기와 위치로 배치되는 기준 패턴을 의미한다.
경계 노광부(123)는 기판(111) 상에 정의된 화소 상의 설계 패턴과 일치하는 기준 패턴(122)과 기판(111) 상에 정의된 화소 상의 설계 패턴에 비하여 행방향 또는 열방향으로 쉬프트된 간격을 갖거나, 다른 크기의 변경 패턴(124)을 포함한다.
도 4와 도 5를 참조하면, 이러한 노광마스크(120)를 이용하여 기판(111)의 노광영역(113)을 노광하면, 기판(111)의 중앙부는 노광마스크(120)의 얼라인 노광부(121)에 의하여 패턴되고 기판(111)의 경계부는 노광마스크(120)의 경계 노광부(123)에 의하여 패턴된다.
경계 노광부(123)는 기판(111) 상에 정의된 화소 상의 설계 패턴과 일치하는 기준 패턴(122)과 기판(111) 상에 정의된 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향) 또는 열방향(도면상으로 정의된 ±Y축방향)으로 규칙적인 쉬프트된 변경 패턴(124)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 기판(111)의 스티치 영역상에 기준 패턴(122)에 대응하는 설계 패턴과 변경 패턴에 대응하는 쉬프트된 패턴이 형성된다. 여기서, 패턴은 컬러필터 패턴, 화소전극 패턴 및 블랙매트릭스 중 어느 하나를 의미한다.
한편, 경계 노광부(123)는 기판(111) 상에 정의된 화소 상의 설계 패턴과 일치하는 기준 패턴(122)과 화소 상의 설계 패턴과 다른 크기를 갖는 변경 패턴(124)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 기판(111)의 스티치 영역상에 기준 패턴(122)에 대응하는 패턴과 변경 패턴에 대응하는 다른 크기를 갖는 패턴이 형성된다. 여기서, 패턴은 스페이서 패턴, 콘택홀 패턴 및 공통전극 패턴 중 어느 하나를 의미한다.
이를 통해, 변경 패턴(124)은 경계 노광부(123) 내에서 점진적으로 쉬프트된 간격으로 배치되거나 점진적으로 증감하는 크기를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들을 도 6 내지 도 11을 참조하여 좀 더 자세히 설명하기로 한다.
도 6은 노광마스크의 일부분을 나타낸 평면도이다. 경계 노광부(123)는 노광 마스크(120)의 양측에 3개의 패턴열을 각각 포함한다.
예를 들어, 경계 노광부(123)는 행방향으로 전체적으로 15mm 내지 20mm의 폭을 갖는다. 경계 노광부(123)의 기준 패턴과 다른 변경 패턴(124)은 행방향 또는 열방향으로 점진적으로 쉬프트되거나 다른 크기를 갖는다.
후술하는 도면은 본 발명의 일 실시예에 따른 경계 노광부에 의해 형성되는 다양한 패턴을 설명하기 위한 도면으로, 각각의 실시예를 설명하기 위해 도 6의 경계영역(123)의 일부를 'B'로 정의하여 설명하고자 한다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6과 도 7을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광 마스크는 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인 노광부(121)와, 얼라인 노광부(121)의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 기판 상에 정의된 화소 상의 패턴과 다른 크기의 변경 패턴(124)을 갖는 경계 노광부(123)를 포함한다.
경계 노광부(123)는 얼라인 노광부(121)에서 멀어질수록 증가하는 면적으로 배치된 제 1 패턴(125)을 포함하는 제 1 행(301), 및 얼라인노광부(121)에서 멀어질수록 작아지는 면적으로 배치된 제 2 패턴(126)을 포함하는 제 2 행(302)을 포함한다.
즉, 제 1 패턴(125)은 기준 패턴 대비 일정한 비율로 증가되는 면적을 갖고 제 2 패턴(126)은 기준 패턴 대비 일정한 비율로 감소되는 면적을 갖는다. 이때, 제 1 패턴(125)의 면적 증가율은 동일한 화소 패턴 열에서 제 2 패턴(126)의 면적 감소율과 동일할 수 있다.
또한, 경계 노광부(123)는 얼라인 노광부(121)의 기준 패턴과 동일한 면적을 갖는 제 3 패턴(127)을 포함하는 제 3 행(303)을 포함한다. 제 3 행(303)은 제 1 행(301)과 제 2 행(302)사이에 위치할 수 있다.
제 3 패턴(127)은 제 1 패턴(125) 및 제 2 패턴(126)과 다른 화소 패턴 열에 배치될 수 있다.
제 1 패턴 내지 제 3 패턴은 스페이서 패턴일 수 있다.
여기서, 제 1 패턴(125)의 면적은 제 1 행(301)에서 얼라인노광부(121)에서 2개의 화소 열만큼 멀어질수록 기준 패턴 대비 0.16um2 내지 0.64um2씩 점차 증가하고, 제 2 패턴(126)의 면적은 제 2 행(302)에서 얼라인 노광부(121)에서 2개의 화소 열만큼 멀어질수록 기준 패턴 대비 0.16um2 내지 0.64um2씩 점차 감소한다. 제 3 패턴(127)은 제 3 행(303)에서 2개의 화소 열마다 얼라인 노광부(121)의 기준 패턴과 동일한 면적을 갖는다.
또한, 각 패턴은 가로변과 세로변을 가지는 다각형의 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 제 1 패턴(125)의 가로변과 세로변은 제 1 행(301)에서 얼라인노광부(121)에서 2개의 화소 열만큼 멀어질수록 기준 패턴 대비 0.4um 내지 0.8 um씩 점차 증가하고, 제 2 패턴(126)의 가로변과 세로변은 제 2 행(302)에서 얼라인노광부(121)에서 2개의 화소 열만큼 멀어질수록 기준 패턴 대비 0.4um 내지 0.8 um씩 점차 감소한다. 제 3 패턴(127)의 가로변과 세로변은 제 3 행(303)에서 2개의 화소 열마다 얼라인 노광부(121)의 기준 패턴과 동일한 길이를 갖고 배치된다.
도 8은 도 5의 I-I’를 따라 자른 단면도이다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광 마스크의 패턴이 스페이서인 경우, 표시기판(111)은 노광 마스크에 의하여 패턴된 스페이서(215)를 갖는다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스페이서(215)는 기판(220)의 박막트랜지스터 상에 배치된다.
여기서, 박막트랜지스터는 게이트라인과 접속되어 게이트라인으로부터 주사신호가 인가되는 게이트전극(211), 게이트전극(211) 위에 배치되어 게이트전극(211)에 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널을 형성하는 반도체층(212)과, 반도체층(212) 위에 배치되어 반도체층(212)이 활성화됨에 따라 데이터라인을 통해 입력되는 화상신호를 화소내로 전달하는 소스전극(213) 및 드레인전극(214)으로 이루어진다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 스페이서의 폭(W1>W2>W3)은 얼라인 노광 영역에서 멀어질수록 각각 0.4um 내지 0.8 um씩 증가하거나 감소한다. 또한, 복수의 스페이서의 면적은 얼라인 노광 영역에서 멀어질수록 0.16um 내지 0.64um씩 증감한다. 이에 따라, 복수의 스페이서의 높이(t1>t2>t3)는 복수의 스페이서의 폭의 변화량에 비례하여 증감한다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 노광 마스크에 의하여 패턴된 기판(111)의 경계 영역에서 스페이서는 제 1 행(301)에서 점진적으로 더 큰 면적 또는 높이를 갖고, 제 2 행(302)에서 점진적으로 더 작은 면적 또는 높이를 가지며, 제 3 행(303)에서 동일한 면적 또는 높이를 갖게 된다.
지금까지, 경계 노광부(123)의 패턴이 화소 행을 따라 점진적으로 증감하는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 화소 열을 따라 점진적으로 증감하는 것도 가능함은 당연하다.
이러한 구성에 의하여, 기판(111)은 스티치 영역에서 행마다 서로 다른 액정의 셀갭을 갖게 된다. 이러한 구성에 의하여 표시장치는 스티치 영역의 행 또는 열마다 서로 다른 액정의 선경사로 인하여 서로 다른 투과율을 갖게 되므로, 노광으로 인한 스티치 영역이 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광 마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 10는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 노광 마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 11은 제4 실시예에 따른 노광 마스크의 경계 노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이다.
노광 마스크는 기판(111) 상에 정의된 화소(도 5의 P)와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부(121)와, 행방향 또는 열방향으로 쉬프트된 화소 패턴을 갖는 경계노광부(123)를 포함한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광 마스크는 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부(121)와, 얼라인노광부의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향, 즉 ±X방향으로 쉬프트된 패턴을 갖는 경계노광부(123)를 포함한다.
경계노광부(123)는 얼라인노광부(121)에서 멀어질수록 +X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 1 패턴(128)을 포함하는 제 1 행(301), 및 얼라인 노광부(121)에서 멀어질수록 +X방향과 반대 방향인 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 2 패턴(129)을 포함하는 제 2 행(302)을 포함한다. 이 때, +X방향과 -X방향은 제 1 행(301) 및 제 2 행(302)과 평행하지만, 서로 반대방향이다.
예를 들어, 제 1 패턴(128)은 제 1 행(301)에서 얼라인노광부(121)에 멀어질수록 각각 +X방향으로 0.4um 내지 0.8 um씩 점차 증가하고, 제 2 패턴(129)는 제 2 행(302)에서 얼라인 노광부(121)에서 멀어질수록 -X방향으로 각각 0.4um 내지 0.8 um씩 점차 증가한다.
제 1 패턴(128)과 제 2 패턴(129)은 인접한 다른 화소 패턴 열에 위치한다.
인접한 화소 패턴 열에 배치된 제 1 패턴(128)과 제 2 패턴(129)은 +X방향과 -X방향으로 반대 방향이지만 동일한 쉬프트 간격을 갖는다. 제 1 행(301)은 제 2 행(302)과 서로 인접하고 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 경계 노광부(123)는 제 2 행과 인접하여 배치되고 얼라인노광부(121)에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 3 패턴(130)을 포함하는 제 3 행(303), 및 얼라인 노광부(121)에서 멀어질수록 +X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 4 패턴(131)을 포함하는 제 4 행(304)을 포함한다.
제 3 패턴(130)과 제 4 패턴(131)은 인접한 다른 화소 패턴 열에 위치한다.
인접한 화소 패턴 열에 배치된 제 3 패턴(130)과 제 4 패턴(131)은 -X방향과 +X방향으로 반대 방향이지만 동일한 쉬프트 간격을 갖는다. 제 3 행(303)은 제 4 행(304)과 서로 인접하고 있다.
한편, 제 1 패턴(128) (또는, 제 2 패턴(129)) 과 제 3 패턴(130) (또는, 제 4 패턴(131))은 동일한 화소 패턴 열에 위치한다. 또한, 동일한 화소 패턴 열에 배치된 제 1 패턴(128) (또는, 제 2 패턴(129))과 제 3 패턴(130) (또는, 제 4 패턴(131))은 +X방향과 -X방향으로 서로 반대 방향이지만 동일한 쉬프트 간격을 갖는다.
또한, 경계 노광부(123)는 제 1 행(301)과 제 3 행(303)에서 제 1 패턴(128) 및 제 3 패턴(130)과 인접하여 각각 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트되지 않고 기준패턴과 동일한 제 5 패턴(132)과 제 2 행(302)과 제 4 행(304)에서 제 2 패턴(129) 및 제 4 패턴(131)과 인접하여 각각 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트되지 않고 기준 패턴과 동일한 제 6 패턴(133)을 더 포함할 수 있다.
제 1 패턴(128)과 제 3 패턴(130)은 컬러 필터 패턴으로서 청색 화소 패턴이고, 제 2 패턴(129)과 제 4 패턴(131)은 컬러 필터 패턴으로서 적색 화소 패턴이고, 제 5 패턴(132)은 컬러 필터 패턴으로서 적색 화소 패턴이며, 제 6 패턴(133)은 컬러 필터 패턴으로서 청색 화소 패턴일 수 있다. 도면에 도시된 것과 달리, 제 1 패턴 내지 제 6 패턴(128, 129, 130, 131, 132, 133)은 컬러 필터 패턴인 청색 화소 패턴, 녹색 화소 패턴 및 적색 화소 패턴 중 어느 하나일 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 경계 노광부(123)는 얼라인노광부(121)에서 멀어질수록 +X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 1 패턴(134)을 포함하는 제 1 행(301), 및 얼라인 노광부(121)에서 멀어질수록 +X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 2 패턴(135)을 포함하는 제 2 행(302)을 포함한다.
예를 들어, 제 1 패턴(134)은 얼라인노광부(121)에 멀어질수록 각각 행방향인 +X방향으로 0.4um 내지 0.8 um씩 점차 증가하고, 제 2 패턴(135)는 제 2 행(302)에서 얼라인 노광부(121)에서 멀어질수록 +X방향으로 각각 0.4um 내지 0.8 um씩 점차 증가한다.
제 1 패턴(134)과 제 2 패턴(135)은 인접한 다른 화소 패턴 열에 위치한다. 인접한 화소 패턴 열에 배치된 제 1 패턴(134)과 제 2 패턴(135)은 동일한 +X방향으로 동일한 쉬프트 간격을 갖는다. 제 1 행(301)은 제 2 행(302)과 서로 인접하고 있다.
또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 경계 노광부(123)는 제 2 행과 인접하여 얼라인노광부(121)에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 3 패턴(136)을 포함하는 제 3 행(303), 및 얼라인 노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 4 패턴(137)을 포함하는 제 4 행(304)을 포함한다.
제 3 패턴(136)과 제 4 패턴(137)은 인접한 다른 화소 패턴 열에 위치한다. 인접한 화소 패턴 열에 배치된 제 3 패턴(136)과 제 4 패턴(137)은 동일한 -X방향으로 동일한 쉬프트 간격을 갖는다. 제 3 행(303)은 제 4 행(304)과 서로 인접하고 있다.
한편, 제 1 패턴(134) (또는, 제 2 패턴(135)) 과 제 3 패턴(136) (또는, 제 4 패턴(137))은 동일한 화소 패턴 열에 위치한다. 또한, 동일한 화소 패턴 열에 배치된 제 1 패턴(134) (또는, 제 2 패턴(135))과 제 3 패턴(136) (또는, 제 4 패턴(137))은 +X방향과 -X방향으로 반대 방향이지만 동일한 쉬프트 간격을 갖는다.
또한, 경계 노광부(123)는 제 1 행(301)과 제 3 행(303)에서 제 1 패턴(134) 및 제 3 패턴(136)과 인접하여 각각 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트되지 않는 제 5 패턴(132)과 제 2 행(302)와 제 4 행(304)에서 제 2 패턴(135) 및 제 4 패턴(137)과 인접하여 각각 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트되지 않는 제 6 패턴(133)을 더 포함할 수 있다.
제 1 패턴(134) 및 제 3 패턴(136)은 청색 화소 패턴이고, 제 2 패턴(135) 및 제 4 패턴(137)은 적색 화소 패턴이고, 제 5 화소 패턴(132)은 적색 화소 패턴이며, 제 6 화소 패턴(133)은 청색 화소 패턴일 수 있다. 도면에 도시된 것과 달리, 제 1 패턴 내지 제 6 패턴(132, 133, 134, 135, 136, 137)은 컬러 필터 패턴인 청색 화소 패턴, 녹색 화소 패턴 및 적색 화소 패턴 중 어느 하나일 수 있다.
이를 통해, 경계 노광부(123)는 서로 반대방향으로 동일한 쉬프트 간격을 가지고 있어 오버레이(overlay)를 점진적으로 변화시킴과 동시에 두 행 사이의 쉬프트 간격 차이를 서로 보상할 수 있다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예에 따른 경계노광부(123)는 화소(도 5의 P)로부터 행방향으로 점차 증감하는 쉬프트 간격으로 배치되고 열방향으로 동일한 증감량을 갖는 패턴을 포함함으로써 오버레이(overlay)를 점진적으로 변화시킴과 동시에 두 행 사이의 쉬프트 간격 차이를 보상할 수 있어 스티치 현상이 최소화된다.
도 11는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 노광 마스크의 경계노광부에 형성된 패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 노광 마스크는 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부(121)와, 얼라인노광부(121)의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 열방향, 즉 ±Y방향으로 쉬프트된 패턴을 갖는 경계노광부(123)를 포함한다.
경계노광부(123)는 얼라인노광부(121)에서 멀어질수록 +Y방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 1 패턴(138)을 포함하는 제 1 행(301), 및 얼라인 노광부에서 멀어질수록 +Y방향과 반대 방향인 -Y방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 2 패턴(139)을 포함하는 제 2 행(302)을 포함한다. 이 때, +Y방향과 -Y방향은 제 1 행 및 제 2 행과 평행하지만, 서로 반대방향이다.
제 1 패턴(138)과 제 2 패턴(139)은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치한다. 인접한 화소 패턴 열에 배치된 제 1 패턴(138)과 제 2 패턴(139)은 +Y방향과 -Y방향으로 반대 방향이지만 동일한 쉬프트 간격을 갖는다. 제 1 행(301)은 제 2 행(302)과 서로 인접하고 있으며, 서로 교번하여 배치된다.
또한, 경계 노광부(123)는 제 1 행(301)에서 제 1 패턴(138)과 인접하여 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 열방향(±Y방향)으로 쉬프트되지 않고 기준패턴과 동일한 제 3 패턴(140)과 제 2 행(302)에서 제 2 패턴(139)과 인접하여 배치되고 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트되지 않고 기준 패턴과 동일한 제 4 패턴(141)을 더 포함할 수 있다.
도 11을 참조하면, 경계노광부(123)에 형성된 패턴이 블랙매트릭스 패턴인 경우, 예를 들어, 경계노광부(123)는 얼라인노광부(121)에 멀어질수록 얼라인노광부(121)의 패턴보다 상측(도면상으로 정의한 +Y축 방향)으로 0.4um씩 점차 증가하는 쉬프트 간격으로 이동되는 제 1 패턴(138)과 얼라인노광부(121)에 멀어질수록 얼라인노광부(121)의 패턴보다 하측(도면상으로 정의한 -Y축 방향)으로 0.4um씩 점차 증가하는 쉬프트 간격으로 이동되는 제 2 패턴(139)을 포함한다.
이에 따라 상측과 하측으로 이동된 쉬프트 간격이 중첩되어 합성됨에 따라 오버레이(overlay) 편차를 줄일 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
111: 기판
120: 노광마스크
121: 얼라인노광부
123: 경계노광부

Claims (28)

  1. 표시 장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서,
    기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부; 및
    상기 얼라인노광부의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소 상의 패턴과 다른 크기의 패턴을 갖는 경계노광부;를 포함하고,
    상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 증가하는 크기로 배치된 제 1 패턴을 포함하는 제 1 행, 및 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 작아지는 크기로 배치된 제 2 패턴을 포함하는 제 2 행을 포함하는 노광마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 상기 제 2 패턴과 동일한 크기를 갖는 노광마스크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인노광부와 동일한 크기를 갖는 제 3 패턴을 포함하는 제 3 행을 더 포함하는 노광마스크.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 패턴은 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴과 다른 화소 패턴 열에 배치된 노광마스크.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 패턴은 스페이서 패턴, 콘택홀 패턴 및 공통전극 패턴 중 어느 하나인 노광마스크.
  6. 제 1 영역과, 상기 제 1 영역 사이에 배치되는 제 2 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선;
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 기판 상에 복수의 행과 열에 따라 배치된 복수의 스페이서를 포함하고,
    상기 복수의 스페이서는 상기 제 2 영역의 중심부에서 멀어질수록 증가하는 면적으로 상기 제 1 영역의 제 1 행에 배치되고, 상기 제 2 영역의 중심부에서 멀어질수록 감소하는 면적으로 상기 제 1 영역의 제 2 행에 배치되며, 상기 제 1 영역과 동일한 면적으로 상기 제 1 영역의 제 2 행에 배치되는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 스페이서의 높이는 상기 복수의 스페이서의 면적 변화량에 비례하여 변화하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제 1 행에 배치된 복수의 스페이서는 상기 제2 영역에 배치된 복수의 스페이서보다 큰 높이를 갖는 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제 2 행에 배치된 복수의 스페이서는 상기 제 2 영역에 배치된 복수의 스페이서보다 작은 높이를 갖는 표시 장치.
  10. 표시 장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서,
    기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부; 및
    상기 얼라인노광부의 적어도 일측에 인접하여 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트 간격을 가지며 이동되는 경계노광부;를 포함하고,
    상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 제 1 방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 1 패턴을 포함하는 제 1 행, 및 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 제 2 방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 2 패턴을 포함하는 제 2 행을 포함하는 노광마스크.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 방향은 +X 방향이고 상기 제 2 방향은 -X방향인 노광마스크.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 경계 노광부는 상기 제 2 행에 인접하여 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 3 패턴을 포함하는 제 3 행; 및
    상기 얼라인 노광부에서 멀어질수록 +X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 4 패턴을 포함하는 제 4 행을 더 포함하는 노광마스크.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하고, 상기 제 3 패턴과 상기 제 4 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하는 노광마스크.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 3 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 서로 동일한 쉬프트 간격을 갖고, 상기 제 2 패턴과 상기 제 4 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 서로 동일한 쉬프트 간격을 갖는 노광마스크.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 컬러 필터 패턴인 노광마스크.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 행과 상기 제 3 행에서 상기 제 1 패턴 및 상기 제 3 패턴과 인접하여 각각 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 5 패턴; 및
    상기 제 2 행과 상기 제 4 행에서 상기 제 2 패턴과 상기 제 4 패턴과 인접하여 각각 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 6 패턴을 더 포함하는 노광 마스크.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 5 패턴과 상기 제 6 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하는 노광마스크.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 방향은 +X 방향이고 상기 제 2 방향은 +X방향인 노광마스크.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 경계 노광부는 상기 제 2 행에 인접하여 상기 얼라인노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 3 패턴을 포함하는 제 3 행; 및
    상기 얼라인 노광부에서 멀어질수록 -X방향으로 증가하는 쉬프트 간격으로 배치된 제 4 패턴을 포함하는 제 4 행을 더 포함하는 노광마스크.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하고, 상기 제 3 패턴과 상기 제 4 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하는 노광마스크.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 3 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 서로 동일한 쉬프트 간격을 갖고, 상기 제 2 패턴과 상기 제 4 패턴은 동일한 화소 패턴 열에서 서로 동일한 쉬프트 간격을 갖는 노광마스크.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 1 행과 상기 제 3 행에서 상기 제 1 패턴 및 상기 제 3 패턴과 인접하여 각각 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 5 패턴; 및
    상기 제 2 행과 상기 제 4 행에서 상기 제 2 패턴과 상기 제 4 패턴과 인접하여 각각 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 6 패턴을 더 포함하는 노광 마스크.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 5 패턴과 상기 제 6 패턴은 서로 다른 화소 패턴 열에 위치하는 노광마스크.
  24. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 방향은 +Y 방향이고 상기 제 2 방향은 -Y방향인 노광마스크.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 1 행에서 상기 제 1 패턴과 인접하여 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 3 패턴; 및
    상기 제 2 행에서 상기 제 2 패턴과 인접하여 배치되고 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 쉬프트되지 않는 제 4 패턴을 더 포함하는 노광 마스크.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 블랙 매트릭스 패턴인 노광마스크.
  27. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴은 컬러필터 패턴, 화소전극 패턴, 및 블랙매트릭스 패턴 중 어느 하나인 노광마스크.
  28. n개의 노광영역으로 정의된 기판의 각 영역을 노광하는 방법에 있어서,
    상기 n번째 노광영역에 상기 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와, 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트 간격으로 배치된 패턴을 갖는 경계노광부를 포함하는 노광마스크를 통해 제 1 노광공정을 진행하는 단계;
    상기 노광마스크를 이동시켜, n+1번째 노광영역에 제 2 노광공정을 진행하는 단계를 포함하며,
    상기 경계노광부는 상기 얼라인노광부에서 상기 행방향으로 15mm 내지 20mm의 폭을 갖는 표시장치의 노광방법.
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