KR20170103749A - 수지막 형성용 시트, 수지막 형성용 복합 시트 및 실리콘 웨이퍼의 재생 방법 - Google Patents
수지막 형성용 시트, 수지막 형성용 복합 시트 및 실리콘 웨이퍼의 재생 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170103749A KR20170103749A KR1020177012554A KR20177012554A KR20170103749A KR 20170103749 A KR20170103749 A KR 20170103749A KR 1020177012554 A KR1020177012554 A KR 1020177012554A KR 20177012554 A KR20177012554 A KR 20177012554A KR 20170103749 A KR20170103749 A KR 20170103749A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin film
- sheet
- forming
- silicon wafer
- mass
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 357
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 357
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 115
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 115
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 52
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 62
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 62
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 42
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 32
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 32
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 claims description 9
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 9
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 140
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 36
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 31
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 26
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 22
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 20
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 20
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 18
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 14
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 13
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 12
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- CHADYUSNUWWKFP-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazol-2-ylsilane Chemical compound [SiH3]c1ncc[nH]1 CHADYUSNUWWKFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanol Chemical compound OCC1=NC=CN1 ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004941 2-phenylimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033972 Amyloid protein-binding protein 2 Human genes 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000785279 Dictyostelium discoideum Calcium-transporting ATPase PAT1 Proteins 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000779309 Homo sapiens Amyloid protein-binding protein 2 Proteins 0.000 description 1
- 101000713296 Homo sapiens Proton-coupled amino acid transporter 1 Proteins 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000980 acid dye Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;titanium(2+) Chemical class [Ti+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000982 direct dye Substances 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920005680 ethylene-methyl methacrylate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDYPDLBFDATSCF-UHFFFAOYSA-N nonyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCOC(=O)C=C MDYPDLBFDATSCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000985 reactive dye Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKRMQEUTISXXQP-UHFFFAOYSA-N tetrasulfane Chemical compound SSSS IKRMQEUTISXXQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/16—Layered products comprising a layer of synthetic resin specially treated, e.g. irradiated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- C09J2201/622—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 위에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 하기 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키는, 리워크성 및 단부 밀착성이 우수한 수지막 형성용 시트를 제공한다. 요건 (I): 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 50㎚ 이하이다. 요건 (II): 실리콘 웨이퍼에 대한 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)이 1.0 내지 7.0N/25㎜이다. 요건 (III): 특정한 점착제로 형성된 두께 10 내지 50㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층에 대한, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측과는 반대측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)이 4.0N/25㎜ 이상이다.
Description
본 발명은 수지막 형성용 시트, 및 지지 시트 위에 당해 수지막 형성용 시트가 적층한 구성을 갖는 수지막 형성용 복합 시트, 그리고 실리콘 웨이퍼의 재생 방법에 관한 것이다.
근년, 소위 페이스 다운 방식이라고 불리는 실장법을 사용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 기판의 회로면 위에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩(이하, 간단히 「칩」이라고도 함)이 탑재되고, 칩의 전극이 기판과 접합된다. 이로 인해, 기판과 접합된 측과는 반대측의 칩의 표면(이하, 「칩의 이면」이라고도 함)은 노출이 되는 경우가 있다.
이 노출이 된 칩의 이면에는 유기 재료를 포함하는 수지막이 형성되어, 수지막 부착 칩으로서 반도체 장치에 도입되는 경우가 있다. 당해 수지막은, 다이싱 공정이나 패키징 후에 크랙의 발생을 방지하기 위한 보호막으로서의 기능이나, 얻어진 칩을, 다이 패드부나 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 위에 접착하기 위한 접착막으로서의 기능을 담당할 수 있다.
일반적으로, 이 수지막 부착 칩은, 수지를 포함하는 조성물의 용액을 스핀 코트법 등에 의해, 웨이퍼의 이면에 도포하여 도막을 형성한 후, 당해 도막을 건조 및 경화시켜, 수지막을 형성하여, 얻어진 수지막 부착 웨이퍼를 다이싱 함으로써 제조된다.
또한, 경화성의 수지막 형성용 시트를 웨이퍼의 이면에 부착하고, 웨이퍼의 다이싱의 전후에, 에너지선의 조사나 가열에 의해 당해 수지막 형성용 시트를 경화시켜 수지막으로 함으로써, 수지막 부착 웨이퍼 또는 수지막 부착 칩을 제조할 수도 있다.
이와 같은 칩의 이면이나 웨이퍼의 이면 위에, 보호막이나 접착막으로서의 기능도 담당하는 수지막을 형성하는 재료로서, 다양한 수지막 형성용 시트가 제안되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는 아크릴계 공중합체를 포함하는 중합체 성분, 에너지선 경화성 성분, 염료 또는 안료, 무기 필러 및 광중합 개시제를 포함하는 에너지선 경화형 보호막 형성층이 2매의 박리 시트에 협지된 구성을 갖는 칩 보호용 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 1의 기재에 의하면, 당해 칩 보호용 필름은 에너지선의 조사에 의해, 레이저 마킹 인식성, 경도 및 웨이퍼와의 밀착성이 양호한 보호막을 형성하는 것이 가능하고, 종래의 칩 보호용 필름에 비해, 공정의 간략화가 가능하다고 되어 있다.
또한, 특허문헌 2에는 기재 및 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프의 점착제층 위에, 착색되고, 또한 소정의 탄성률을 갖는 웨이퍼 이면 보호 필름을 갖는, 다이싱 테이프 일체형 웨이퍼 이면 보호 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 2의 기재에 의하면, 당해 웨이퍼 이면 보호 필름은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼와의 유지력이 양호하게 되어 있다.
그런데, 특허문헌 1 및 2에 기재된 보호 필름을 웨이퍼 위에 부착하는 공정에 있어서, 웨이퍼 위에 부착하는 보호 필름의 위치의 어긋남이 발생하거나, 웨이퍼 위에 이물이 부착된 상태에서, 당해 웨이퍼 위에 이물도 포함되게 보호 필름을 부착해 버리는 일이 일어날 수 있다. 이와 같은 경우, 웨이퍼 위에 한번 부착한 보호 필름을, 웨이퍼로부터 리워크(재박리)하는 것은 어렵다.
특히, 특허문헌 1 및 2에 개시된 보호 필름은 부착 시의 웨이퍼와의 밀착성이나, 부착 후의 웨이퍼와의 유지력의 향상을 목적으로 한 것이므로, 웨이퍼 위에 한번 부착하면, 웨이퍼와의 밀착성이 높기 때문에, 리워크하는 것은 매우 곤란하다.
즉, 웨이퍼에 부착한 보호 필름을 억지로 박리하려고 힘을 가했을 때에 웨이퍼가 파손되거나, 웨이퍼를 파손시키지 않고 보호 필름을 박리할 수 있었다고 해도, 웨이퍼 위에 보호 필름의 일부가 잔존해 버리는 경우가 있다.
특허문헌 1 및 2에서는 기재된 보호 필름에 대해, 부착 시의 웨이퍼와의 밀착성이나, 부착 후의 웨이퍼와의 유지력의 관점에서의 검토는 이루어져 있지만, 한번 웨이퍼에 부착된 보호 필름의 리워크성에 대한 검토는 일절 이루어져 있지 않다.
또한, 보호 필름의 재부착의 필요성을 인식하는 것은, 보호 필름과 웨이퍼를 부착한 직후뿐만 아니라, 부착 후에, 웨이퍼 위에 보호 필름이 부착된 적층체의 상태에서, 24시간 정도 정치된 후에 인식하는 경우가 많다.
웨이퍼에 보호 필름을 부착 후, 시간이 경과할수록, 웨이퍼와 보호 필름의 밀착성은 향상되므로, 보호 필름을 리워크하기 어려운 것이 일반적이다.
또한, 실리콘 웨이퍼에 부착 후의 리워크성을 중시하여, 웨이퍼와 부착하는 측의 표면을 거칠게 설계한 보호 필름을 사용하는 것도 생각할 수 있지만, 이와 같은 보호 필름은 웨이퍼와 부착 후, 단부에 들뜸이나 박리가 발생하기 쉬워, 단부 밀착성이 떨어진다는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 리워크성 및 단부 밀착성이 우수한 수지막 형성용 시트, 및 지지 시트 위에 당해 수지막 형성용 시트가 적층한 구성을 갖는 수지막 형성용 복합 시트, 그리고 실리콘 웨이퍼의 재생 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 표면에 있어서의, 표면 조도 및 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력, 그리고 당해 표면과는 반대측의 다른 쪽 표면에 있어서의, 일반적인 점착 시트의 점착제층에 대한 점착력을 조정한 수지막 형성용 시트가, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 하기 〔1〕 내지 〔10〕을 제공하는 것이다.
〔1〕 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 위에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 하기 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키는, 수지막 형성용 시트.
요건 (I): 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 50㎚ 이하이다.
요건 (II): 실리콘 웨이퍼에 대한 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)이 1.0 내지 7.0N/25㎜이다.
요건 (III): 부틸아크릴레이트 및 아크릴산에서 유래하는 구성 단위를 갖고, 질량 평균 분자량이 60만 내지 100만인 아크릴계 수지 100질량부와, 가교제 0.01 내지 10질량부를 포함하는 점착제로 형성된, 두께 10 내지 50㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층에 대한, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측과는 반대측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)이 4.0N/25㎜ 이상이다.
〔2〕 23℃에서의 저장 탄성률이 0.10 내지 20㎬인, 상기 〔1〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔3〕 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 있어서의 물에 대한 접촉각이 70 내지 110°인, 상기 〔1〕또는 〔2〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔4〕 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는, 상기 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔5〕 중합체 성분 (A)가 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는, 상기 〔4〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔6〕 아크릴계 중합체 (A1)이, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a1) 및 니트릴계 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a2)를 갖는 아크릴계 공중합체인, 상기 〔5〕에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔7〕 실리콘 웨이퍼 위에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인, 상기 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트.
〔8〕 지지 시트 위에, 상기 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트가 적층한 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
〔9〕 상기 수지막 형성용 시트가 2개의 지지 시트에 협지된 구성을 갖는, 상기 〔8〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔10〕 실리콘 웨이퍼 위에, 상기 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)가 직접 부착된 적층체로부터, 당해 수지막 형성용 시트를 리워크하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 방법이며,
하기 공정 (1) 내지 (2)를 갖는, 실리콘 웨이퍼의 재생 방법.
공정 (1): 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착하는 공정.
공정 (2): 공정 (1)에서 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착한 상기 점착 시트를 인장하여, 상기 실리콘 웨이퍼 위에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 리워크하는 공정.
본 발명의 수지막 형성용 시트는 리워크성 및 단부 밀착성이 우수하다.
그로 인해, 본 발명의 수지막 형성용 시트를 한번 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에, 재부착의 필요성이 발생한 경우에는, 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고, 또한 부착한 수지막 형성용 시트의 일부가 실리콘 웨이퍼 위에 부착되어 잔존하는 것을 억제하면서, 당해 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 리워크할 수 있다. 그 결과, 당해 수지막 형성용 시트를, 리워크 후의 실리콘 웨이퍼에 대해서는, 재이용할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「수지막 형성용 시트를 리워크한다」란, 실리콘 웨이퍼 위에 한번 부착된 수지막 형성용 시트를 재박리하는 것을 가리킨다.
또한, 「수지막 형성용 시트의 리워크성」이란, 실리콘 웨이퍼에 부착한 후에 리워크할 때에, 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고, 또한 실리콘 웨이퍼 위에 수지막 형성용 시트의 일부를 잔존시키지 않고, 재박리할 수 있는 성질을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 복합 시트의 단면도이다.
본 명세서의 기재에 있어서, 각 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) 및 수 평균 분자량 (Mn)의 값은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 나타내는 용어로서 사용하고 있고, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 예를 들어 자외선이나 전자선 등을 가리키고, 자외선이 바람직하다.
〔수지막 형성용 시트〕
본 발명의 수지막 형성용 시트는 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 위에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 하기 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키는 것이다.
요건 (I): 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)(이하, 간단히 「표면 (α)의 표면 조도 (Ra)」라고도 함)가 50㎚ 이하이다.
요건 (II): 실리콘 웨이퍼에 대한 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)(이하, 간단히 「표면 (α)의 점착력 (α1)」이라고도 함)이 1.0 내지 7.0N/25㎜이다.
요건 (III): 부틸아크릴레이트 및 아크릴산에서 유래하는 구성 단위를 갖고, 질량 평균 분자량이 60만 내지 100만인 아크릴계 수지 100질량부와, 가교제 0.01 내지 10질량부를 포함하는 점착제로 형성된, 두께 10 내지 50㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층에 대한, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측과는 반대측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)(이하, 간단히 「표면 (β)의 점착력 (β1)」이라고도 함)이 4.0N/25㎜ 이상이다.
본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)는 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 면이고, 표면 (β)는, 실리콘 웨이퍼와 부착 후에, 실리콘 웨이퍼로부터 당해 수지막 형성용 시트를 리워크하기 위해 부착되는 범용의 점착 시트의 점착제층과의 부착면이다.
또한, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 형태는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 긴 테이프 형상, 단엽의 라벨 등의 형태여도 된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 1종의 조성물로 형성된 1층으로 이루어지는 단층체여도 되고, 2종 이상의 조성물로 형성된 2층 이상으로 이루어지는 복층체여도 된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트가 2층 이상으로 이루어지는 복층체인 경우, 표면 (α)측의 층의 형성 재료인 조성물 (α')과, 표면 (β)측의 층의 형성 재료인 조성물 (β')에 대해서서는, 상기 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키도록, 각각 포함되는 성분의 종류나 배합량을 조정하는 것이 바람직하다. 그로 인해, 조성물 (α')과 조성물 (β')은 서로 다른 것인 것이 바람직하다.
<요건 (I)>
본 발명의 수지막 형성용 시트는 상기 요건 (I)을 만족시킴으로써, 웨이퍼와 부착 후, 웨이퍼의 단부에 들뜸이나 박리의 발생을 억제하여, 단부 밀착성이 우수한 것이 된다.
즉, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 50㎚를 초과하면, 얻어지는 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착했을 때에, 실리콘 웨이퍼와의 밀착성이 불충분하여, 특히 실리콘 웨이퍼의 단부에 들뜸이나 박리가 발생하기 쉬워져, 단부 밀착성이 떨어진다. 이와 같은 밀착성의 저하, 특히 단부 밀착성의 저하가 발생하면, 당해 수지막 형성용 시트와 실리콘 웨이퍼와의 계면에 다이싱 시에 사용하는 세정수가 침입하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 오염시키거나, 다이싱 시의 칩핑의 발생을 야기하는 원인이 된다.
상기 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)로서는, 바람직하게는 40㎚ 이하, 보다 바람직하게는 35㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎚ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 25㎚ 이하이다.
또한, 리워크성을 보다 향상시킨 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 바람직하게는 5㎚ 이상, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 15㎚ 이상이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는 JIS B0601:2001에 준거하여 측정된 값이며, 보다 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.
또한, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)는, 예를 들어 수지막 형성용 시트 중에 포함될 수 있는 무기 충전재나 착색제 등의 미립자 성분의 종류, 평균 입경 및 함유량 등을 적절히 설정함으로써 조정 가능하다. 또한, 수지막 형성용 시트의 표면 (α) 위에, 표면이 거친 요철면을 갖는 박리 필름의 요철면을 접합하여, 요철 형상을 전사하는 방법에 의해서도 조정할 수 있다.
<요건 (II)>
본 발명의 수지막 형성용 시트는 요건 (II)를 만족시킴으로써, 실리콘 웨이퍼와의 부착 후의 밀착성, 특히 단부 밀착성을 양호하게 유지하면서도, 24시간 정도 경과해도 리워크 가능한 것이 된다.
예를 들어, 특허문헌 1 및 2에 개시된 바와 같은, 종래의 수지막 형성용 시트는 실리콘 웨이퍼와의 밀착성 및 유지성의 향상을 목적으로 하는 경우가 많아, 요건 (II)에서 규정하는 표면 (α)의 점착력의 값을 높게 하기 위한 재료 설계가 이루어져 있다.
그러나, 표면 (α)의 점착력 (α1)이 7.0N/25㎜를 초과하면, 얻어지는 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착 후의 리워크가 곤란해지는 경향이 있다. 특히, 실리콘 웨이퍼에 부착하고 나서의 시간이 경과할수록, 실리콘 웨이퍼와 수지막 형성용 시트의 밀착성이 향상되므로, 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 억지로 리워크하려고 하면, 그 리워크하려고 하는 힘에 의해, 실리콘 웨이퍼를 파손시켜 버리는 경우가 있다.
한편, 표면 (α)의 점착력 (α1)이 1.0N/25㎜ 미만이면, 실리콘 웨이퍼와의 밀착성이 불충분하여, 특히 얻어지는 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착했을 때, 실리콘 웨이퍼의 단부에 들뜸이나 박리가 발생하기 쉬워, 단부 밀착성이 떨어진다.
따라서, 본 발명의 수지막 형성용 시트에서는 표면 (α)의 점착력 (α1)을, 요건 (II)에서 규정하는 범위로 조정하고 있다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)은 실리콘 웨이퍼와의 밀착성, 특히 실리콘 웨이퍼와의 부착 후의 단부 밀착성을 향상시킨 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 바람직하게는 1.3N/25㎜ 이상, 보다 바람직하게는 1.5N/25㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 1.8N/25㎜ 이상, 보다 더욱 바람직하게는 2.0N/25㎜ 이상이고, 리워크성을 향상시킨 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 바람직하게는 6.8N/25㎜ 이하, 보다 바람직하게는 6.5N/25㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 6.0N/25㎜ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 5.5N/25㎜ 이하이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 표면 (α)의 점착력 (α1)은 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.
또한, 표면 (α)의 점착력 (α1)은, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)측의 층의 형성 재료인 조성물에 포함되는 중합체 성분, 경화성 성분, 무기 충전재 및 첨가제 등의 종류나 함유량을 적절히 선택하여, 상기 범위가 되도록 조정할 수 있다. 구체적으로는, 수지막 형성용 시트 중에 포함되는 각 성분의 항목에 있어서의 사항을 적절히 조합하여 고려하면, 용이하게 조정할 수 있다.
<요건 (III)>
본 발명의 수지막 형성용 시트는 요건 (III)을 만족시킴으로써, 24시간 정도 경과해도 리워크 가능한 것이 된다.
본 발명의 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착 후에, 당해 수지막 형성용 시트를 재박리할 필요가 발생한 경우에는, 당해 수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 범용의 점착 시트의 점착제층을 부착하고, 당해 점착 시트를 인장함으로써, 당해 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 리워크할 수 있다.
이때에, 표면 (β)의 점착력 (β1)이 4.0N/25㎜ 미만이면, 당해 점착 시트의 점착제층을 표면 (β)에 부착하고, 당해 점착 시트와 함께 당해 수지막 형성용 시트를 박리하려고 해도, 실리콘 웨이퍼 위에 당해 수지막 형성용 시트의 일부가 잔존해 버리는 경향이 높아, 리워크 후의 실리콘 웨이퍼는 재이용할 수 없다.
상기 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)은, 바람직하게는 4.5N/25㎜ 이상, 보다 바람직하게는 5.0N/25㎜ 이상이다.
또한, 표면 (β)의 점착력의 상한값으로서는, 특별히 제한은 없지만, 표면 (β)의 점착력 (β1)은 통상 20N/25㎜ 이하이다.
요건 (III)에서 규정하는 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)은, 부틸아크릴레이트 및 아크릴산에서 유래하는 구성 단위를 갖고, 질량 평균 분자량이 60만 내지 100만인 아크릴계 수지 100질량부와, 가교제 0.01 내지 10질량부를 포함하는 점착제로 형성된, 두께 10 내지 50㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층에 대한 점착력이다.
이 점착제의 조성은 시판되어 있는 일반적인 아크릴계 점착제를 규정한 것이고, 요건 (III)은 일반적인 아크릴계 점착제로 형성된 점착제층에 대한 표면 (β)의 점착력을 규정한 것이다.
또한, 요건 (III)을 만족시키는 점착제는 시장에 널리 유통되고 있는 극히 일반적인 아크릴계 점착제이다.
그로 인해, 본 발명의 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 리워크할 때에 사용하는 점착 시트의 선택성은 매우 넓어, 일반적인 아크릴계 점착제를 포함하는 점착제층을 갖는 점착 시트를 사용하여, 리워크하는 것이 가능하다.
또한, 표면 (β)의 점착력 (β1)은 보다 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.
또한, 표면 (β)의 점착력 (β1)은, 수지막 형성용 시트의 표면 (β)측의 층의 형성 재료인 조성물에 포함되는 중합체 성분, 경화성 성분, 무기 충전재 및 첨가제 등의 종류나 함유량을 적절히 선택하여, 상기 범위가 되도록 조정할 수 있다. 구체적으로는, 수지막 형성용 시트 중에 포함되는 각 성분의 항목에 있어서의 사항을 적절히 조합하여 고려하면, 용이하게 조정할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트에 있어서, 리워크성을 더욱 향상시킨 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 표면 (β)의 점착력 (β1)은 표면 (α)의 점착력 (α1)의 점착력보다도 높은 값인 것이 바람직하다.
상기 관점에서, 점착력 (β1)과 점착력 (α1)의 차 〔(β1)-(α1)〕로서는, 바람직하게는 0 내지 8.0N/25㎜, 보다 바람직하게는 0.1 내지 7.0N/25㎜, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 6.0N/25㎜, 보다 더욱 바람직하게는 1.5 내지 5.5N/25㎜이다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 23℃에서의 저장 탄성률은 바람직하게는 0.10 내지 20㎬, 보다 바람직하게는 0.15 내지 15㎬, 더욱 바람직하게는 0.20 내지 10㎬, 보다 더욱 바람직하게는 0.30 내지 5.0㎬이다.
당해 저장 탄성률이 0.10㎬ 이상이면, 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착 후에, 다시 박리할 때에, 당해 수지막 형성용 시트가 실을 당기는 것처럼 변화되는 현상을 억제하여, 실리콘 웨이퍼 위에 수지막 형성용 시트의 일부를 잔존시키는 일 없이, 수지막 형성용 시트를 박리할 수 있다.
한편, 당해 저장 탄성률이 20㎬ 이하이면, 실리콘 웨이퍼에 대한 밀착성을 양호하게 할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 수지막 형성용 시트의 저장 탄성률은 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 있어서의 물에 대한 접촉각은 리워크성을 더욱 향상시킨 수지막 형성용 시트로 하는 관점에서, 바람직하게는 70 내지 110°, 보다 바람직하게는 75 내지 100°, 더욱 바람직하게는 80 내지 95°, 보다 더욱 바람직하게는 83 내지 93°이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 있어서의 물에 대한 접촉각은 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.
<수지막 형성용 시트의 구성 성분>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키는 표면 (α) 및 표면 (β)를 갖는 것이라면 특별히 제한은 되지 않지만, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키는 표면 (α) 및 표면 (β)를 형성하는 관점에서, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기 성분 (A) 및 (B)와 함께, 무기 충전재 (C), 착색제 (D), 커플링제 (E), 레벨링제 (F) 및 범용 첨가제 (G)로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고 있어도 된다.
이하, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 구성 성분이 될 수 있는, 상기 성분 (A) 내지 (G)에 대해 설명한다.
[중합체 성분 (A)]
본 명세서에 있어서, 「중합체 성분」이란, 질량 평균 분자량 (Mw)가 2만 이상이고, 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 화합물을 의미한다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 수지막 형성용 시트는 중합체 성분 (A)를 함유함으로써, 가요성 및 조막성을 부여하고, 시트상의 형상 유지성을 양호하게 할 수 있다. 그 결과, 수지막 형성용 시트의 23℃에서의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정할 수 있다.
중합체 성분 (A)의 질량 평균 분자량 (Mw)로서는, 얻어지는 수지막 형성용 시트의 23℃에서의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 2만 이상, 보다 바람직하게는 2만 내지 300만, 보다 바람직하게는 5만 내지 200만, 더욱 바람직하게는 10만 내지 150만이다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 중합체 성분 (A)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 5 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 8 내지 40질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 35질량%, 보다 더욱 바람직하게는 15 내지 30질량%이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「수지막 형성용 시트의 전량에 대한 성분 (A)의 함유량」은 「수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물 중의 유효 성분의 전량에 대한 성분 (A)의 함유량」과 동의이고, 이하에 설명하는 다른 성분의 함유량에 대해서도 마찬가지이다.
즉, 각 성분의 함유량 규정에 있어서의 「수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해」라는 용어는 「수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대해」라는 용어로 치환해도, 함유량의 규정은 동의이다.
또한, 상기의 「유효 성분」이란, 조성물 중의 용매 등의 직접적 및 간접적으로 반응이나 형성되는 시트의 물성에 영향을 미치지 않는 물질을 제외한 성분을 의미하고, 구체적으로는 물 및 유기 용매 등의 용매 이외의 성분을 의미한다.
중합체 성분 (A)로서는, 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는 것이 바람직하지만, 아크릴계 중합체 (A1) 이외의, 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 등의 비아크릴계 중합체 (A2)가 포함되어 있어도 된다.
이들 중합체 성분은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중에 포함되는 중합체 성분 (A)의 전량(100질량%)에 대한, 아크릴계 중합체 (A1)의 함유량으로서는, 바람직하게는 50 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 60 내지 100질량%, 더욱 바람직하게는 70 내지 100질량%, 보다 더욱 바람직하게는 80 내지 100질량%이다.
(아크릴계 중합체 (A1))
아크릴계 중합체 (A1)의 질량 평균 분자량 (Mw)는 수지막 형성용 시트에 가요성 및 조막성을 부여하고, 수지막 형성용 시트의 23℃에서의 저장 탄성률을 상술한 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 2만 내지 300만, 보다 바람직하게는 10만 내지 150만, 더욱 바람직하게는 15만 내지 120만, 보다 더욱 바람직하게는 25만 내지 100만이다.
아크릴계 중합체 (A1)로서는, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a1)을 갖는 아크릴계 중합체가 바람직하고, 특히 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 당해 구성 단위 (a1) 및 니트릴계 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a2)를 갖는 아크릴계 공중합체인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은 구성 단위 (a1) 및 (a2) 이외에, 알킬(메트)아크릴레이트 및 니트릴계 단량체에는 해당하지 않는 다른 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a3)을 더 갖고 있어도 된다.
또한, 아크릴계 중합체 (A1)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 아크릴계 중합체 (A1)이 공중합체인 경우, 당해 공중합체의 형태는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다.
(구성 단위 (a1))
구성 단위 (a1)을 구성하는 알킬(메트)아크릴레이트의 알킬기의 탄소수로서는, 수지막 형성용 시트에 가요성 및 조막성을 부여하는 관점에서, 바람직하게는 1 내지 18이고, 보다 바람직하게는 1 내지 12, 더욱 바람직하게는 1 내지 8이다.
알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a1-1)의 함유량은 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 5 내지 99질량%, 보다 바람직하게는 10 내지 98질량%, 더욱 바람직하게는 20 내지 97질량%, 보다 더욱 바람직하게는 25 내지 97질량%이다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 구성 단위 (a1)의 함유량은 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 50 내지 99질량%, 더욱 바람직하게는 55 내지 98질량%, 보다 더욱 바람직하게는 60 내지 97질량%이다.
(구성 단위 (a2))
구성 단위 (a2)를 구성하는 니트릴계 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴로니트릴, α-클로로(메트)아크릴로니트릴, α-에톡시(메트)아크릴로니트릴, 푸마로니트릴 등을 들 수 있다.
또한, 이들 니트릴계 단량체는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, (메트)아크릴로니트릴이 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 니트릴계 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a2)의 함유량은 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 1 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 45질량%, 보다 바람직하게는 10 내지 42질량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 40질량%, 보다 더욱 바람직하게는 20 내지 35질량%이다.
구성 단위 (a2)의 함유량이 1질량% 이상이면, 얻어지는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하기 쉽다. 한편, 구성 단위 (a2)의 함유량이 50질량% 이하이면, 당해 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)을 상기 범위로 조정하기 쉽다.
(구성 단위 (a3))
아크릴계 중합체 (A1)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기의 구성 단위 (a1) 및 (a2) 이외에, 알킬(메트)아크릴레이트 및 니트릴계 단량체에는 해당하지 않는 다른 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a3)을 갖고 있어도 된다.
구성 단위 (a3)을 구성하는 다른 단량체로서는, 예를 들어 히드록시기 함유 단량체, 카르복시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체 등의 관능기를 갖는 관능기 함유 단량체; 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르류 단량체; 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀류 단량체; 스티렌, 메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 방향족 비닐 단량체: 부타디엔, 이소프렌 등의 디엔계 단량체; 등을 들 수 있다.
수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1)은 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a3-1)을 포함하는 것이 바람직하다.
히드록시 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A1) 중의 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a3-1)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0.5 내지 30질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 25질량%, 더욱 바람직하게는 2 내지 20질량%, 보다 더욱 바람직하게는 3 내지 15질량%, 특히 바람직하게는 3.5 내지 12질량%이다.
또한, 아크릴계 중합체 (A1) 중의 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 증가하면, 얻어지는 수지막 형성용 시트와 실리콘 웨이퍼의 밀착성이 향상되어, 점착력 (α1)의 값이 상승하는 경향이 있다. 그로 인해, 아크릴계 중합체 (A1) 중의 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위의 함유량은 적을수록 바람직하다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1) 중의 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a3-2)의 함유량으로서는, 상기 관점에서, 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0 내지 15질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 10질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 5질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 3.5질량%이다.
에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트, 3-에폭시시클로-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르; 글리시딜크로토네이트, 알릴글리시딜에테르 등의 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체; 등을 들 수 있다.
후술하는 경화성 성분 (B)로서, 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우에는 카르복실기와 에폭시계 열경화성 성분 중의 에폭시기가 반응해 버리므로, 아크릴계 중합체 (A1) 중의 카르복실기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위의 함유량은 적을수록 바람직하다.
경화성 성분 (B)로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우, 본 발명의 일 형태에서 사용하는 카르복시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a3-3)의 함유량은 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 2질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0질량%(구성 단위 (a3-3)을 포함하지 않음)이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 에폭시기 함유 단량체에서 유래하는 구성 단위를 갖는, 질량 평균 분자량이 2만 이상인 아크릴계 중합체는 열경화성을 갖고 있지만, 경화성 성분 (B)가 아니라, 중합체 성분 (A)의 개념에 포함되는 것으로 한다.
카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 아크릴계 중합체 (A1) 중의 구성 단위 (a3)의 함유량은 아크릴계 중합체 (A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0 내지 30질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 20질량%, 더욱 바람직하게는 2 내지 10질량%이다.
(비아크릴계 수지(A2))
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 필요에 따라, 상술한 아크릴계 중합체 (A1) 이외의 중합체 성분으로서, 비아크릴계 중합체 (A2)를 함유해도 된다.
비아크릴계 중합체 (A2)로서는, 예를 들어 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 등을 들 수 있다.
이들 비아크릴계 중합체 (A2)는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
비아크릴계 중합체 (A2)의 질량 평균 분자량 (Mw)로서는, 바람직하게는 2만 이상, 보다 바람직하게는 2만 내지 10만, 더욱 바람직하게는 2만 내지 8만이다.
[경화성 성분 (B)]
경화성 성분 (B)는 수지막 형성용 시트를 경화시켜, 경질의 수지막을 형성하는 역할을 담당하는 것이고, 질량 평균 분자량 (Mw)가 2만 미만인 화합물이다.
본 발명에서 사용하는 수지막 형성용 시트는 경화성 성분 (B)로서, 열경화성 성분 (B1) 및 에너지선 경화성 성분 (B2) 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하고, 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막의 착색을 억제하는 관점, 경화 반응을 충분히 진행시키는 관점, 그리고 비용 저감의 관점에서, 열경화성 성분 (B1)을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
열경화성 성분 (B1)로서는, 적어도 가열에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 에폭시기를 갖는 화합물 (B11)을 함유하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 에너지선 경화성 성분 (B2)는 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)을 함유하는 것이 바람직하다.
이들 경화성 성분이 갖는 관능기끼리가 반응하여, 삼차원 그물눈 구조가 형성됨으로써 경화가 실현된다.
경화성 성분 (B)의 질량 평균 분자량 (Mw)는, 성분 (A)와 조합하여 사용함으로써 수지막 형성용 시트의 형성 재료인 조성물의 점도를 억제하여, 취급성을 향상시키는 등의 관점에서, 바람직하게는 20,000 미만, 보다 바람직하게는 10,000 이하, 더욱 바람직하게는 100 내지 10,000이다.
(열경화성 성분 (B1))
열경화성 성분 (B1)로서는, 에폭시계 열경화성 성분이 바람직하다.
에폭시계 열경화성 성분은, 에폭시기를 갖는 화합물 (B11)과 함께, 열경화제 (B12)를 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시기를 갖는 화합물 (B11)(이하, 「에폭시 화합물 (B11)」이라고도 함)로서는, 예를 들어 다관능계 에폭시 수지, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 및 그의 수소 첨가물, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등의 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
이들 에폭시 화합물 (B11)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 노볼락형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 특히 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 비페닐형 에폭시 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
노볼락형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지에서 선택되는 1종 이상의 합계 함유량은 에폭시 화합물 (B11)의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 70 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 80 내지 100질량%, 더욱 바람직하게는 90 내지 100질량%, 보다 더욱 바람직하게는 95 내지 100질량%이다.
또한, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 비페닐형 에폭시 수지의 함유량은 에폭시 화합물 (B11)의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 70 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 80 내지 100질량%, 더욱 바람직하게는 90 내지 100질량%, 보다 더욱 바람직하게는 95 내지 100질량%이다.
에폭시 화합물 (B11)의 함유량은 성분 (A) 100질량부에 대해, 바람직하게는 1 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 3 내지 300질량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 150질량부, 보다 더욱 바람직하게는 10 내지 100질량부이다.
(열경화제 (B12))
열경화제 (B12)는 에폭시 화합물 (B11)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제로서는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다.
당해 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 페놀성 수산기, 아미노기 또는 산 무수물이 바람직하고, 페놀성 수산기 및 아미노기가 보다 바람직하고, 아미노기가 더욱 바람직하다.
페놀기를 갖는 페놀계 열경화제로서는, 예를 들어 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 아르알킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
아미노기를 갖는 아민계 열경화제로서는, 예를 들어 디시안디아미드(DICY) 등을 들 수 있다.
이들 열경화제 (B12)는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 페놀계 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다.
페놀계 열경화제의 함유량은 열경화제 (B12)의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 50 내지 100질량%, 보다 바람직하게는 70 내지 100질량%, 더욱 바람직하게는 80 내지 100질량%, 보다 더욱 바람직하게는 90 내지 100질량%이다.
열경화제 (B12)의 함유량은 에폭시 화합물 (B11) 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 200질량부이다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트에 있어서, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 에폭시 화합물 (B1)로서 비페닐형 에폭시 수지를 포함하고, 또한 열경화제 (B12)로서 페놀계 열경화제를 포함하고, 양 성분을 병용하는 것이 바람직하다.
또한, 이 경우, 중합체 성분 (A)로서, 니트릴계 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a2-1)을 갖는 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
(경화 촉진제 (B13))
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 당해 시트의 가열에 의한 경화 속도를 조정하는 관점에서, 경화 촉진제 (B13)을 함유해도 된다.
경화 촉진제 (B13)은, 열경화성 성분 (B1)로서 에폭시 화합물 (B11)과 병용하는 것이 바람직하다.
경화 촉진제 (B13)으로서는, 예를 들어 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다.
이들 경화 촉진제 (B13)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
경화 촉진제 (B13)의 함유량은 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막의 접착성의 향상의 관점에서, 에폭시 화합물 (B11) 및 열경화제 (B12)의 합계량 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 6질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 4질량부이다.
(에너지선 경화성 성분 (B2))
에너지선 경화성 성분 (B2)로서는, 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)을 단독으로 사용해도 되지만, 화합물 (B21)과 함께, 광중합 개시제 (B22)를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
(에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21))
에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물 (B21)(이하, 「에너지선 반응성 화합물 (B21)」이라고도 함)로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.
이들 에너지선 반응성 화합물 (B21)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 에너지선 반응성 화합물 (B21)의 질량 평균 분자량 (Mw)는 바람직하게는 100 내지 30,000, 보다 바람직하게는 300 내지 10,000이다.
에너지선 반응성 화합물 (B21)의 함유량은 성분 (A) 100질량부에 대해, 바람직하게는 1 내지 1500질량부 포함되고, 보다 바람직하게는 3 내지 1200질량부이다.
(광중합 개시제 (B22))
상술한 에너지선 반응성 화합물 (B21)과 함께, 광중합 개시제 (B22)와 병용함으로써, 중합 경화 시간을 짧게 하고, 광선 조사량을 적게 해도, 수지막 형성용 시트의 경화를 진행시킬 수 있다.
광중합 개시제 (B22)로서는, 예를 들어 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등을 들 수 있다.
보다 구체적인 광중합 개시제로서는, 예를 들어 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
이들 광중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
광중합 개시제 (B22)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 경화 반응을 충분히 진행시킴과 함께, 잔류물의 생성을 억제하는 관점에서, 에너지선 반응성 화합물 (B21) 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 5질량부이다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 경화성 성분 (B)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 5 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 8 내지 40질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 30질량%, 보다 더욱 바람직하게는 12 내지 25질량%이다.
또한, 상기의 「경화성 성분 (B)의 함유량」은 상술한 에폭시 화합물 (B11), 열경화제 (B12) 및 경화 촉진제 (B13)을 포함하는 열경화성 성분 (B1), 그리고 에너지선 반응성 화합물 (B21) 및 광중합 개시제 (B22)를 포함하는 에너지선 경화성 성분 (B2)의 합계 함유량을 가리킨다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)의 합계 함유량으로서는, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 더욱 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 더욱 바람직하게는 70질량% 이상이다.
[무기 충전재 (C)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 무기 충전재 (C)를 더 포함하고 있어도 된다.
무기 충전재 (C)를 포함함으로써, 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막의 열팽창 계수를 적당한 범위로 조정하는 것이 가능해지고, 수지막 부착 칩의 열팽창 계수를 최적화함으로써, 당해 칩이 조립된 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막의 흡습률을 저감시키는 것도 가능해진다.
무기 충전재 (C)로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이들 무기 충전재 (C)는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 실리카 및 알루미나가 바람직하다.
무기 충전재 (C)의 평균 입경으로서는, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 400㎚ 이하, 보다 바람직하게는 300㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하이고, 한편, 수지막 형성용 시트를 사용하여 제조되는 수지막 부착 칩의 신뢰성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 10㎚ 이상, 보다 바람직하게는 20㎚ 이상이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 무기 충전재 (C)의 평균 입경은 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 측정한 값이고, 부피 중위 입경 (D50)을 의미한다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 무기 충전재 (C)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점에서, 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0 내지 50질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 45질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 40질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 30질량%이다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트를 2종 이상의 조성물로 형성된 2층 이상으로 이루어지는 복층체로 하는 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 표면 (α)측의 층의 형성 재료인 조성물 중에 포함되는 무기 충전재 (C)는 평균 입경을 작게 하고, 함유량을 적게 하여, 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 조정하는 것이 바람직하다.
한편, 표면 (β)측의 층의 형성 재료인 조성물에는 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)에 영향을 미치지 않는 범위에서, 평균 입경이 0.01㎛ 이상인 무기 충전재 (C')를 배합해도 된다.
무기 충전재 (C')의 평균 입경으로서는, 통상 0.01 내지 5㎛, 바람직하게는 0.02 내지 3㎛이다.
[착색제 (D)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 착색제 (D)를 더 포함하고 있어도 된다.
수지막 형성용 시트에 착색제 (D)를 함유함으로써, 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막을 갖는 반도체 칩을 기기에 조립했을 때, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등을 차폐하여, 반도체 칩의 오작동을 방지할 수 있다.
착색제 (D)로서는, 유기 또는 무기의 안료 및 염료를 사용할 수 있다.
염료로서는, 예를 들어 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어떤 염료라도 사용하는 것이 가능하다.
또한, 안료로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 안료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 전자파나 적외선의 차폐성이 양호하고, 또한 레이저 마킹법에 의한 식별성을 보다 향상시키는 관점에서, 흑색 안료가 바람직하다.
흑색 안료로서는, 예를 들어 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등을 들 수 있지만, 반도체 칩의 신뢰성을 높이는 관점에서, 카본 블랙이 바람직하다.
또한, 이들 착색제 (D)는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
착색제 (D)의 평균 입경으로서는, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)를 상기 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 400㎚ 이하, 보다 바람직하게는 300㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하이고, 또한 바람직하게는 10㎚ 이상, 보다 바람직하게는 20㎚ 이상이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 착색제 (D)의 평균 입경은 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 측정한 값이고, 부피 중위 입경 (D50)을 의미한다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 착색제 (D)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0.01 내지 30질량%, 보다 바람직하게는 0.05 내지 25질량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 15질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.15 내지 5질량%이다.
[커플링제 (E)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 커플링제 (E)를 더 포함하고 있어도 된다.
커플링제 (E)를 포함함으로써, 얻어지는 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막의 내열성을 손상시키는 일 없이, 내수성을 향상시킬 수도 있다. 또한, 실리콘 웨이퍼와의 부착 후의 단부 밀착성의 향상에도 기여한다.
커플링제 (E)로서는, 성분 (A)나 성분 (B)가 갖는 관능기와 반응하는 화합물이 바람직하고, 실란 커플링제가 보다 바람직하다.
실란 커플링제로서는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.
이들 커플링제 (E)는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
커플링제 (E)로서는, 올리고머 타입의 커플링제가 바람직하다.
올리고머 타입의 커플링제도 포함한 커플링제 (E)의 분자량으로서는, 바람직하게는 100 내지 15000, 보다 바람직하게는 150 내지 10000, 보다 바람직하게는 200 내지 5000, 더욱 바람직하게는 250 내지 3000, 보다 더욱 바람직하게는 350 내지 2000이다.
또한, 커플링제 (E)를 포함함으로써, 피착체인 실리콘 웨이퍼나, 수지막 형성용 시트 중에 무기 충전재 (C)가 포함되는 경우에 무기 충전재 (C)의 표면을 결합하여, 접착성이나 응집성이 향상되고, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1)도 상승하는 것이 생각된다.
그로 인해, 리워크성이 우수한 수지막 형성용 시트를 얻는다는 관점에서, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 커플링제 (E)의 함유량은 적을수록 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 커플링제 (E)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 상기 관점에서 바람직하게는 3.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 1.5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.8질량% 이하, 보다 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이하이고, 한편, 당해 수지막 형성용 시트의 실리콘 웨이퍼와의 부착 후의 단부 밀착성을 양호하게 하는 관점, 그리고 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.10질량% 이상이다.
[레벨링제 (F)]
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 레벨링제 (F)를 더 포함하고 있어도 된다.
레벨링제 (F)를 포함함으로써, 얻어지는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)을 상기 범위로 용이하게 조정할 수 있다.
레벨링제 (F)로서는, 예를 들어 실리콘계 레벨링제, 불소계 레벨링제, 아크릴계 레벨링제, 비닐계 레벨링제, 및 불소계와 아크릴계가 복합화된 레벨링제 등을 들 수 있다.
이들 레벨링제 (F)는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)을 상기 범위로 용이하게 조정할 수 있다는 관점에서, 실리콘계 레벨링제를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 수지막 형성용 시트 중에 레벨링제 (F)가 포함되면, 표면 (α)의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하는 것이 용이해지지만, 표면 (β)의 점착력 (β1)이 저하되고, 수지막 형성용 시트의 리워크성이 저하될 우려가 있다. 그로 인해, 수지막 형성용 시트의 표면 (β)측에는 레벨링제의 함유량이 적을수록 바람직하다.
얻어지는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 레벨링제 (F)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0.010질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.050질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.100질량% 이상이다.
또한, 당해 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 레벨링제 (F)의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0.500질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.300질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.200질량% 이상이다.
또한, 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)을 밸런스 좋게 조정하는 관점에서, 본 발명의 수지막 형성용 시트가 레벨링제를 포함하는 시트인 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 일 형태로서는, 레벨링제를 포함하는 조성물 (α')으로 형성된 층과, 레벨링제를 실질적으로 포함하지 않는 조성물 (β')으로 형성된 층을 갖는 복층체인 것이 바람직하다.
조성물 (α')은 수지막 형성용 시트의 표면 (α)측의 층의 형성 재료가 되고, 조성물 (β')은 수지막 형성용 시트의 표면 (β)측의 층의 형성 재료가 된다.
조성물 (α') 중의 레벨링제 (F)의 함유량은 표면 (α)의 점착력 (α1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 조성물 (α')에 포함되는 유효 성분의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0.010 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0.050 내지 7질량%, 더욱 바람직하게는 0.100 내지 5질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.150 내지 2질량%이다.
한편, 조성물 (β') 중의 레벨링제 (F)의 함유량은 표면 (β)의 점착력 (β1)을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 조성물 (β')에 포함되는 유효 성분의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0 내지 0.500질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 0.100질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 0.010질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 0.001질량%이다.
[범용 첨가제 (G)]
본 발명의 일 형태에서 사용하는 수지막 형성용 시트에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기의 성분 외에, 필요에 따라 범용 첨가제 (G)를 함유해도 된다.
범용 첨가제 (G)로서는, 예를 들어 가교제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 아민계 가교제, 아미노 수지계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 가교제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트 중의 이들 범용 첨가제 (G)의 각각의 함유량은 수지막 형성용 시트의 전량(100질량%)에 대해, 바람직하게는 0 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0 내지 2질량%이다.
<수지막 형성용 시트의 제조 방법>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.
예를 들어, 수지막 형성용 시트의 형성 재료가 되는, 상술한 각 성분을 포함하는 수지막 형성용 조성물을 제조한 후, 적절히 유기 용매를 가하여 희석하여, 수지막 형성용 조성물의 용액을 얻는다. 그리고, 당해 수지막 형성용 조성물의 용액을, 지지 시트 위에 공지의 도포 방법에 의해 도포하여 도막을 형성하고, 해당 도막을 건조시킴으로써, 수지막 형성용 시트를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트가 2층 이상의 복층체인 경우, 당해 수지막 형성용 시트의 제조 방법으로서는, 예를 들어 2개 이상의 지지 시트 위에, 각각 수지막 형성용 조성물의 용액을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 접합하여 도막을 적막(積膜)하고 나서, 건조시켜 제조하는 방법 등을 들 수 있다.
수지막 형성용 조성물의 용액의 제조에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다.
유기 용매를 배합한 경우의 수지막 형성용 조성물의 용액의 고형분 농도는 바람직하게는 10 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 65질량%이다.
도포 방법으로서는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 롤 나이프 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트의 두께는 용도에 따라 적절히 설정되지만, 바람직하게는 3 내지 300㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 250㎛, 더욱 바람직하게는 7 내지 200㎛이다.
또한, 수지막 형성용 시트가 2층 이상으로 구성된 복층체인 경우도, 당해 복층체의 총 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<수지막 형성용 시트의 용도>
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 페이스 다운 방식의 칩용 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 실리콘 웨이퍼 등의 워크의 이면에 부착되어, 워크 위에 수지막을 형성할 수 있다. 이 수지막은, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 워크의 이면을 보호하는 보호막으로서의 기능을 갖는다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼에 부착한 경우에는, 수지막이 웨이퍼를 보강하는 기능을 가지므로 웨이퍼의 파손 등을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는, 실리콘 웨이퍼 위에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트로 형성되는 수지막은 접착 필름으로서의 기능도 부여할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트를 사용하여 형성한 수지막이 접착막으로서의 기능을 갖는 경우, 당해 수지막을 갖는 칩은 다이 패드부 또는 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 위(칩 탑재부 위)에 접착할 수 있고, 반도체 장치의 제조를 하기 위한 생산성의 향상에 기여할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 실리콘 웨이퍼 위에 접착막을 형성하기 위한 접착막 형성용 시트로 할 수도 있다.
〔수지막 형성용 복합 시트의 구성〕
본 발명의 수지막 형성용 복합 시트(이하, 간단히 「복합 시트」라고도 함)는, 지지 시트 위에, 상술한 수지막을 형성할 수 있는 본 발명의 수지막 형성용 시트가 적층된 구성을 갖는 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태의 복합 시트의 형태에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 긴 테이프 형상, 단엽의 라벨 등의 형태여도 된다.
도 1은 본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 복합 시트의 단면도이다.
본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같은 지지 시트(11) 위에 수지막 형성용 시트(10)가 직접 적층한 구성을 갖는 복합 시트(1a)를 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 복합 시트의 수지막 형성용 시트(10)의 형상으로서는, 피착체인 실리콘 웨이퍼와 대략 동일 형상 혹은 실리콘 웨이퍼의 형상을 포함할 수 있는 형상이면 된다.
또한, 도 1의 (a)의 복합 시트(1a)는 지지 시트(11)와 수지막 형성용 시트(10)가 대략 동일한 형상이지만, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이 수지막 형성용 시트(10)의 형상이, 지지 시트(11)의 형상보다도 작은 복합 시트(1b)여도 된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 링 형상의 지그 접착층(12)을 갖는 복합 시트(1c)를 들 수 있다.
링 형상의 지그 접착층(12)은 링 프레임 등의 지그와 접착할 때에, 당해 지그에 대한 접착력을 향상시킬 목적으로 설치되는 것이고, 기재(코어재)를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제로 형성할 수 있다.
또한, 도 1의 (c)에 나타난 복합 시트(1c)에서는 도 1의 (a)의 복합 시트(1a)에 대해, 지그 접착층(12)을 더 설치한 구성을 나타내고 있지만, 본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (b)의 복합 시트(1b)의 지지 시트(11)의 면 위에, 지그 접착층(12)을 설치한 구성의 복합 시트도 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 복합 시트로서는, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이 수지막 형성용 시트(10)가 2개의 지지 시트(11, 11')에 협지된 구성을 갖는 복합 시트(1d)로 해도 된다.
또한, 복합 시트(1d)의 구성과 마찬가지로, 도 1의 (b)의 복합 시트(1b)의 표출하고 있는 수지막 형성용 시트(10)의 면 위에, 지지 시트(11)와는 별도의 지지 시트를 설치해도 된다.
또한, 마찬가지로, 도 1의 (c)에 나타내는 복합 시트(1c)의 수지막 형성용 시트(10)의 면 위 및 지그 접착층(12)의 면 위에, 지지 시트(11)와는 별도의 지지 시트를 설치해도 된다.
<지지 시트>
본 발명의 일 형태의 복합 시트가 갖는 지지 시트는, 수지막 형성용 시트의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트, 혹은 다이싱 공정 등에서 수지막 형성용 시트의 표면을 보호하기 위한 다이싱 시트 등의 역할을 하는 것이다.
본 발명에서 사용하는 지지 시트는 수지 필름을 갖는 구성인 것이 바람직하다.
당해 수지 필름으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이나 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 에틸렌ㆍ프로필렌 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌ㆍ아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌ㆍ(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌ㆍ(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태에서 사용하는 지지 시트로서는, 1종류의 수지 필름으로 이루어지는 단층 필름이어도 되고, 2종 이상의 수지 필름을 적층한 적층 필름이어도 된다.
또한, 상기의 수지 필름은 가교 필름이어도 된다.
또한, 이들 수지 필름을 착색한 것, 또는 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다.
또한, 수지 필름은, 열가소성 수지를 압출 형성에 의해 시트화한 것이어도 되고, 연신된 것이어도 되고, 경화성 수지를 소정 수단에 의해 박막화 및 경화하여 시트화한 것이 사용되어도 된다.
이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하고, 또한 적당한 유연성을 가지므로 익스팬드 적성을 갖고, 픽업 적성도 유지되기 쉽다는 관점에서, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 수지 필름이 바람직하다.
또한, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 수지 필름을 갖는 지지 시트의 구성으로서는, 폴리프로필렌 필름만을 포함하는 단층 구조여도 되고, 폴리프로필렌 필름과 다른 수지 필름을 포함하는 복층 구조여도 된다.
수지막 형성용 시트가 열경화성인 경우, 지지 시트를 구성하는 수지 필름이 내열성을 가짐으로써, 지지 시트의 열에 의한 손상을 억제하여, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 문제의 발생을 억제할 수 있다.
지지 시트를 수지막 형성용 시트의 표면에 먼지 등의 부착을 방지하는 박리 시트로서 사용하는 경우, 당해 지지 시트로서는, 실리콘 웨이퍼와의 부착 시나 다이싱 공정 시에 용이하게 수지막 형성용 시트로부터 박리할 수 있는 수지 필름이 바람직하다.
또한, 당해 지지 시트로서는, 상술한 수지 필름의 표면에, 박리 처리를 실시한 수지 필름을 사용해도 된다.
당해 박리 처리의 방법으로서는, 상술한 수지 필름의 표면 위에, 박리제로 형성한 박리막을 설치하는 방법이 바람직하다.
당해 박리제로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 알키드계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리올레핀계 수지, 왁스계 수지 등에서 선택되는 수지를 포함하는 박리제 등을 들 수 있다.
지지 시트를 다이싱 공정 등에서 수지막 형성용 시트의 표면을 보호하기 위한 다이싱 시트로서 사용하는 경우, 당해 지지 시트로서는, 상술한 수지 필름 위에 점착제로 형성된 점착제층을 갖는 점착 시트가 바람직하다.
당해 점착제에 포함되는 점착성 수지로서는, 점착성 수지의 구조에 착안한 경우, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있고, 기능에 착안한 경우, 예를 들어 에너지선 경화형 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태에 있어서, 픽업성을 양호하게 하는 관점에서, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제가 바람직하다.
또한, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제로 형성된 점착제층을 수지 필름 위에 설치하는 경우, 당해 점착제층은 에너지선을 조사하여 경화한 점착제층이어도 되고, 에너지선을 조사하기 전의 미경화의 점착제층이어도 된다. 또한, 에너지선을 조사하기 전의 미경화의 점착제층을 갖는 지지 시트를 사용하는 경우, 픽업 공정 전에, 에너지선을 조사하여 당해 점착제층을 경화시켜도 된다.
지지 시트의 두께로서는, 용도에 따라 적절히 선택되지만, 바람직하게는 10 내지 500㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 350㎛, 더욱 바람직하게는 30 내지 200㎛이다.
또한, 상기의 지지 시트의 두께에는, 지지 시트를 구성하는 수지 필름의 두께뿐만 아니라, 점착제층 또는 박리막을 갖는 경우에는, 당해 점착제층 또는 박리막의 두께도 포함된다.
<지그 접착층>
지그 접착층은, 기재(코어재)를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제를 포함하는 점착제 조성물로 형성할 수 있다.
당해 기재(코어재)로서는, 상술한 지지 시트로서 사용할 수 있는 수지 필름을 들 수 있고, 폴리프로필렌 필름이 바람직하다.
또한, 상기 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐에테르계 수지 등을 들 수 있다.
지그 접착층의 두께는 바람직하게는 1 내지 80㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 60㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 40㎛이다.
〔실리콘 웨이퍼의 재생 방법〕
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 위에 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)가 직접 부착된 적층체로부터, 당해 수지막 형성용 시트를 리워크하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 방법도 제공한다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은 하기 공정 (1) 내지 (2)를 갖는다.
공정 (1): 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착하는 공정
공정 (2): 공정 (1)에서 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착한 상기 점착 시트를 인장하여, 상기 실리콘 웨이퍼 위에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 리워크하는 공정
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은, 실리콘 웨이퍼 위에 본 발명의 수지막 형성용 시트를 부착한 후에, 리워크할 필요가 발생한 경우에, 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고, 또한 부착된 수지막 형성용 시트의 일부가 실리콘 웨이퍼 위에 부착되어 잔존하는 것을 억제하면서, 리워크할 수 있다는, 본 발명의 수지막 형성용 시트의 성질을 이용한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태의 실리콘 웨이퍼의 재생 방법은, 실리콘 웨이퍼 위에 본 발명의 수지막 형성용 시트의 표면 (α)가 직접 부착한 직후의 적층체뿐만 아니라, 부착하고 나서 24시간 정도 경과하여, 실리콘 웨이퍼와 수지막 형성용 시트의 밀착성이 향상된 상태의 적층체에 대해서도 적용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 재생 방법의 공정 (1) 및 (2)에 대해 설명한다.
<공정 (1)>
공정 (1)에서는 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착하는 공정이다.
본 공정에서 사용하는 점착 시트로서는, 기재 및 점착제층을 갖는 것이다.
당해 기재로서는, 수지 필름이 바람직하고, 상술한 지지 시트의 항목에서 예시한 수지 필름을 들 수 있다.
당해 점착제층으로서는, 요건 (III)에서 규정하는, 부틸아크릴레이트 및 아크릴산에서 유래하는 구성 단위를 갖고, 질량 평균 분자량이 60만 내지 100만인 아크릴계 수지 100질량부와, 가교제 0.01 내지 10질량부를 포함하는 점착제로 형성된 두께 10 내지 50㎛의 점착제층이 바람직하다.
단, 본 발명의 일 형태에 있어서는, 상기의 점착제 이외에도, 표면 (β)의 점착력 (β1)이 상술한 범위가 되는 점착제층을 형성할 수 있는 점착제라면 사용할 수 있다.
당해 점착 시트의 형상으로서는, 특별히 한정은 없지만, 다음의 공정 (2)에서의 조작성의 관점에서, 수지막 형성용 시트와 동일한 형상, 혹은 수지막 형성용 시트보다도 큰 형상의 점착 시트가 바람직하다.
본 공정에서의, 표면 (β)와 점착 시트의 점착제층과의 부착 방법으로서는, 기계를 사용하여 부착해도 되고, 수작업으로 행해도 된다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태의 복합 시트가 갖는 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를 실리콘 웨이퍼에 부착하고, 표면 (β)측에, 지지 시트로서 다이싱 시트가 이미 적층되어 있는 경우에는, 당해 다이싱 시트를 본 공정의 점착 시트로서 이용할 수도 있다.
<공정 (2)>
공정 (2)에서는 공정 (1)에서 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착한 상기 점착 시트를 인장하여, 상기 실리콘 웨이퍼 위에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 리워크하는 공정이다.
본 공정에 있어서는, 본 발명의 수지막 형성용 시트를 사용하고 있고, 당해 수지막 형성용 시트의 점착력 (α1) 및 (β1)이 상술한 범위이므로, 공정 (1)에서 표면 (β)에 부착한 점착 시트를 인장함으로써, 수지막 형성용 시트도 함께 끌어서, 상기 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 리워크할 수 있다.
점착 시트를 인장할 때의 속도 및 각도로서는, 특별히 제한은 없고, 적절히 설정할 수 있다.
또한, 본 공정에 있어서, 기계를 사용하여 점착 시트를 인장해도 되지만, 조작성의 관점에서, 수작업으로 점착 시트를 인장하여, 상기 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 리워크하는 것이 바람직하다.
또한, 본 공정에 있어서, 수지막 형성용 시트를 제거 후, 필요에 따라, 에탄올 등의 유기 용매로 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정해도 된다.
이상의 공정을 거침으로써, 한번 수지막 형성용 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 재생할 수 있다.
실시예
제조예 1 내지 8에서 사용한 각 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) 또는 수 평균 분자량 (Mn)의 측정법은 이하와 같다.
<질량 평균 분자량 (Mw), 수 평균 분자량 (Mn)>
겔 침투 크로마토그래프 장치(도소 가부시키가이샤제, 제품명 「HLC-8220GPC」)를 사용하여, 하기의 조건 하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용했다.
(측정 조건)
ㆍ 칼럼: 「TSK guard column HXL-H」 「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(모두 도소 가부시키가이샤제)
ㆍ 칼럼 온도: 40℃
ㆍ 전개 용매: 테트라히드로푸란
ㆍ 유속: 1.0mL/min
제조예 1 내지 8
(수지막 형성용 조성물의 용액의 제조)
표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 배합하여 수지막 형성용 조성물 (1) 내지 (8)(표 1 중에서는 「조성물 (1) 내지 (8)」이라고 약기함)을 각각 제조한 후, 또한 메틸에틸케톤으로 희석하여, 고형분 농도 61질량%의 조성물의 용액을 제조했다.
또한, 표 1 중의 각 성분의 배합량은 각 조성물의 전량(성분 (A) 내지 (G)의 합계 배합량) 100질량%에 대한 비율(단위: 질량%(유효 성분비))이다. 또한, 표 1에 기재된 각 성분의 상세는 이하와 같다.
<중합체 성분 (A)>
ㆍ (A-1): 메틸아크릴레이트(MA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(구성 비율: MA/HEA=95/5(질량%), Mw=80만).
ㆍ (A-2): n-부틸아크릴레이트(BA), 에틸아크릴레이트(EA), 아크릴로니트릴(AN) 및 글리시딜메타크릴레이트(GMA)를 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(구성 비율: BA/EA/AN/GMA=39/29/29/3(질량%), Mw=80만).
ㆍ (A-3): n-부틸아크릴레이트(BA), 메틸아크릴레이트(MA), 글리시딜메타크릴레이트(GMA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(구성 비율: BA/MA/GMA/HEA=55/10/20/15(질량%), Mw=80만).
ㆍ (A-4): n-부틸아크릴레이트(BA), 에틸아크릴레이트(EA) 및 글리시딜메타크릴레이트(GMA)를 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(구성 비율: BA/EA/GMA=53/44/3(질량%), Mw=80만).
<경화성 성분 (B)>
ㆍ (B-1): 아크릴로일기 부가 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「CNA-147」, 상기 성분 (B11)에 해당하는 에폭시 화합물).
ㆍ (B-2): 비페닐아르알킬형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「NC-3000H」, 상기 성분 (B11)에 해당하는 에폭시 화합물).
ㆍ (B-3): 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「jER828」, 상기 성분 (B11)에 해당하는 에폭시 화합물).
ㆍ (B-4): 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「jER1055」, 상기 성분 (B11)에 해당하는 에폭시 화합물).
ㆍ (B-5): 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤제, 상품명 「에피클론HP-7200HH」, 상기 성분 (B11)에 해당하는 에폭시 화합물).
ㆍ (B-6): 비페닐렌아르알킬형 페놀 수지(메이와 가세이 가부시키가이샤제, 상품명 「MEH-7851-H」, 상기 성분 (B12)에 해당하는 열경화제).
ㆍ (B-7): 디시안디아미드(가부시키가이샤 ADEKA제, 상품명 「아데카 하드너 3636AS」, 상기 성분 (B12)에 해당하는 열경화제).
ㆍ (B-8): 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「큐어졸2PHZ」, 상기 성분 (B13)에 해당하는 경화 촉진제).
<무기 충전재 (C)>
ㆍ (C-1): 실리카 필러(평균 입경=50㎚).
ㆍ (C-2): 실리카 필러(평균 입경=500㎚).
<착색제 (D)>
ㆍ (D-1): 카본 블랙(평균 입경=28㎚).
<실란 커플링제 (E)>
ㆍ (E-1): 실란 커플링제(신에쓰 가가쿠 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「KBM-403」).
<레벨링제 (F)>
ㆍ (F-1): 실리콘계 레벨링제(모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ머티리얼즈ㆍ재팬사제, 상품명 「XF42-334」).
<범용 첨가제 (G)>
ㆍ (G-1): 이소시아네이트계 가교제(도요켐 가부시키가이샤제, 상품명 「BHS8515」).
실시예 1
박리 처리가 실시된 수지 필름으로 구성된 제1 지지 시트(린텍사제, 상품명 「SP-PET3811」, 두께: 38㎛)의 박리 처리면 위에, 제조예 2에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (2)의 용액을 도포하고, 건조시켜 도막 (α')을 형성했다.
또한, 제1 지지 시트와 동일한 것인 제2 지지 시트의 박리 처리면 위에, 제조예 1에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (1)의 용액을 도포하고, 건조시켜 도막(β')을 형성했다.
그리고, 이 2개의 지지 시트 위에 형성한 도막 (α')과 (β')을 접합하고, 120℃에서 2분간의 건조 처리를 행하여, 2층의 합계의 두께가 25㎛인 수지막 형성용 시트를 형성하여, 제1 지지 시트/수지막 형성용 시트/제2 지지 시트로 구성된 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
또한, 당해 복합 시트에 있어서, 제1 지지 시트를 제거했을 때에 표출되는 당해 수지막 형성용 시트의 표면이 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측이 「표면 (α)」이고, 제2 지지 시트를 제거했을 때에 표출하는 당해 수지막 형성용 시트의 표면이 「표면 (β)」이다.
실시예 2
실시예 1에 있어서, 「제조예 2에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (2)의 용액」 대신에, 「제조예 3에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (3)의 용액」을 사용한 것 이외는 마찬가지로 하여, 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 「제조예 2에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (2)의 용액」 대신에, 「제조예 4에서 제조한 수지막 형성용 조성물(4)의 용액」을 사용한 것 이외는 마찬가지로 하여, 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
실시예 4
실시예 1에 있어서, 「제조예 2에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (2)의 용액」 대신에, 「제조예 5에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (5)의 용액」을 사용한 것 이외는 마찬가지로 하여, 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
실시예 5
박리 처리가 실시된 수지 필름으로 구성된 제1 지지 시트(린텍사제, 상품명 「SP-PET3811」, 두께: 38㎛)의 박리 처리면 위에, 제조예 6에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (6)의 용액을 도포하여 도막을 형성하고, 120℃에서 2분간의 건조 처리를 행하여, 두께 25㎛의 수지막 형성용 시트를 형성했다.
그리고, 형성한 수지막 형성용 시트의 표면과, 제1 지지 시트와 동일한 것인 제2 지지 시트의 박리 처리면을 접합하여, 제1 지지 시트/수지막 형성용 시트/제2 지지 시트로 구성된 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
비교예 1
실시예 5에 있어서, 「제조예 6에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (6)의 용액」 대신에, 「제조예 3에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (3)의 용액」을 사용한 것 이외는 마찬가지로 하여, 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
비교예 2
실시예 5에 있어서, 「제조예 6에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (6)의 용액」 대신에, 「제조예 7에서 제조한 수지막 형성용 조성물(7)의 용액」을 사용한 것 이외는 마찬가지로 하여, 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
비교예 3
실시예 5에 있어서, 「제조예 6에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (6)의 용액」 대신에, 「제조예 8에서 제조한 수지막 형성용 조성물 (8)의 용액」을 사용한 것 이외는 마찬가지로 하여, 수지막 형성용 복합 시트를 제작했다.
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트를 사용하여, 이하의 물성값의 측정, 그리고 평가를, 하기와 같이 행하였다. 이들의 결과를 표 2에 나타낸다.
<요건 (I): 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 제1 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)에 대해, 접촉식 표면 조도계(미츠토요사제, 제품명 「SURFTEST SV-3000」)를 사용하여, 컷오프값 λc를 0.8㎜, 평가 길이 Ln을 4㎜로 하고, JIS B0601:2001에 준거하여 측정했다.
<요건 (II): 실리콘 웨이퍼에 대한 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 제1 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경: 200㎜, 두께: 600㎛)의 연마면을, 테이프 마운터(린텍(주)제, 제품명 「Adwill RAD-3600F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착했다.
계속해서, 복합 시트의 제2 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (β)와, 배킹 테이프로서 사용하는 시판의 점착 시트(린텍(주)제, 상품명 「PET50(A) PAT1」, 폭: 25㎜)의 점착제층을, 70℃로 가열한 핫 플레이트 위에서 2㎏의 롤러를 사용하여 부착한 후, 23℃, 50% RH(상대 습도)의 환경 하에서, 24시간 정치했다.
정치 후, 만능 시험기((주) 시마츠 세이사쿠쇼제, 제품명 「오토그래프AG-IS」)를 사용하여, 박리 각도 180°, 박리 속도 0.3m/min의 조건에서, 인장 시험을 행하고, 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 보호막 형성용 시트 및 배킹 테이프를 박리했을 때의 하중을 측정했다. 이 하중의 값을, 실리콘 웨이퍼에 대한 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력으로 했다.
또한, 배킹 테이프로서 사용하는 상기 시판의 점착 시트는 인장 시험을 행할 때에, 보호막 형성용 시트와 당해 점착 시트의 점착제층과의 계면에서 박리되지 않고, 당해 보호막 형성용 시트와 실리콘 웨이퍼와의 계면에서 안정적으로 박리할 수 있을 정도의 점착력을 갖는 것이다.
<요건 (III): 점착 시트의 점착제층에 대한 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력의 측정>
실리콘 웨이퍼 위에, 수지막 형성용 시트의 고정용 양면 점착 테이프(린텍(주)제, 상품명 「TL-4100S-50」)를 실온(25℃)에서 고무 롤을 사용하여 부착했다. 또한, 당해 양면 점착 테이프는 인장 시험 시에, 보호막 형성용 시트를 충분히 고정할 수 있는 것을 선택하고 있다.
이어서, 이 양면 점착 테이프의 접착면과, 실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 제1 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)를, 테이프 마운터(린텍(주)제, 제품명 「Adwill RAD-3600F/12」)를 사용하여, 실온에서 부착했다.
그리고, 복합 시트가 갖는 제2 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (β)와, 후술하는 점착 시트의 점착제층을, 23℃에서 2㎏의 롤러를 사용하여 부착하고, 23℃, 50% RH(상대 습도)의 환경 하에서 20분간 정치했다.
정치 후, 만능 시험기((주) 시마츠 세이사쿠쇼제, 제품명 「오토그래프AG-IS」)를 사용하여, 박리 각도 180°, 박리 속도 0.3m/min의 조건에서, 인장 시험을 행하고, 보호막 형성용 시트의 표면 (β)로부터 점착 시트를 박리했을 때의 하중을 측정했다. 이 하중의 값을, 점착 시트의 점착제층에 대한 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력으로 했다.
(표면 (β)에 부착하는 점착 시트의 상세)
코로나 처리를 실시한 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(구성 비율: 에틸렌/메틸메타크릴레이트=90/10(질량비))를 포함하는 수지 필름의 코로나 처리면 위에, 하기의 점착제 조성물로 형성된 두께 20㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트를 사용했다.
ㆍ 점착제 조성물: 부틸아크릴레이트(BA) 및 아크릴산(AA)을 공중합하여 얻어지는 아크릴 공중합체(BA/AA=90/10(질량비), Mw=70만) 100질량부에 대해, 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄 고교사제) 5질량부를 배합한 것이다.
<수지막 형성용 시트의 23℃에서의 저장 탄성률의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 2개의 지지 시트를 제거하여 이루어지는 수지막 형성용 시트를 복수 적층하여, 두께 0.18㎜, 폭 4.5㎜, 길이 20.0㎜의 시험 샘플을 제작했다.
당해 시험 샘플에 대해, 동적 점탄성 측정 장치(TA instruments사제, 제품명 「DMAQ800」을 사용하여, 인장 모드로, 주파수 11㎐, 23℃, 대기 분위기 하에서, 수지막 형성용 시트의 23℃에서의 저장 탄성률(단위: ㎬)을 측정했다.
<수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 있어서의 물에 대한 접촉각의 측정>
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 제2 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 대해, 증류수를 10ml 적하하고, 10분간 정치했다.
정치 후, 자동 접촉각계(KRUSS사제, 제품명 「DSA100S」)를 사용하여, 표면 (β)와 물방울이 이루는 각도를 측정하고, 당해 각도를 「표면 (β)에 있어서의 물에 대한 접촉각」으로 했다.
<평가 (1): 수지막 형성용 시트의 리워크성>
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 제1 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경: 200㎜, 두께: 600㎛)의 연마면을, 테이프 마운터(린텍(주)제, 제품명 「Adwill RAD-3600F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하고, 23℃, 50% RH(상대 습도)의 환경 하에서, 24시간 정치했다.
정치 후, 복합 시트가 갖는 제2 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (β)와, 시판의 범용 다이싱 테이프(린텍(주)제, 상품명 「Adwill D-510T」, 상술한 요건 (III)에서 규정한 점착제로 형성된 점착제층을 갖는 점착 시트)의 점착층의 표면을, 실온(25℃)에서 부착하고, 20분간 정치했다.
그 후, 수작업으로 범용 다이싱 테이프를 인장함으로써, 수지막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 리워크하려고 했을 때에, 리워크를 할 수 있는지 여부 및 리워크 후의 실리콘 웨이퍼의 표면 위의 잔존물의 부착의 유무를 관찰하여, 이하의 기준에 의해, 수지막 형성용 시트의 리워크성을 평가했다.
A: 보호막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 완전히 박리할 수 있었다. 리워크 후의 실리콘 웨이퍼 위에는 육안으로 확인할 수 있는 보호막 형성용 시트의 잔존물은 보이지 않았다.
B: 보호막 형성용 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리할 수 있었다. 리워크 후의 실리콘 웨이퍼 위에는 약간의 보호막 형성용 시트의 잔존물이 보였지만, 에탄올로 닦아내면 완전히 제거할 수 있을 정도였다.
C: 리워크 중에 실리콘 웨이퍼가 파손되어 버리거나, 혹은 실리콘 웨이퍼를 파손시키지 않고 리워크할 수 있었다고 해도, 리워크 후의 실리콘 웨이퍼 위에는 에탄올로 닦아내는 것이 어려울 정도의 보호막 형성용 시트의 잔존물이 확인되었다.
<평가 (2): 수지막 형성용 시트의 단부 밀착성>
실시예 및 비교예에서 제작한 복합 시트가 갖는 제1 지지 시트를 제거하고, 표출된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)와, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경: 200㎜, 두께: 600㎛)의 연마면을, 테이프 마운터(린텍(주)제, 제품명 「Adwill RAD-3600F/12」)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하고, 그 후, 제2 지지 시트도 제거하고, 실리콘 웨이퍼와 수지막 형성용 시트를 부착했다.
그리고, 수지막 형성용 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼의 단부를 육안으로 관찰하고, 0.5㎜ 이상의 버 또는 절결의 수에 따라, 이하의 기준에 의해, 수지막 형성용 시트의 단부 밀착성을 평가했다.
A: 0.5㎜ 이상의 버 또는 절결의 수가 0개소이다.
B: 0.5㎜ 이상의 버 또는 절결의 수가 1 내지 4개소이다.
C: 0.5㎜ 이상의 버 또는 절결의 수가 5개소 이상이다.
표 2에 의해, 본 발명의 일 형태인 실시예 1 내지 5에서 제작한 수지막 형성용 시트는 리워크성 및 단부 밀착성의 양쪽 모두 우수한 결과가 되었다.
한편, 비교예 1의 수지막 형성용 시트는 표면 (β)의 점착력 (β1)의 값이 낮기 때문에, 점착 시트를 사용한 당해 수지막 형성용 시트의 리워크 작업 시에, 당해 수지막 형성용 시트의 일부가 실리콘 웨이퍼 위에 잔존해 버려, 리워크성이 떨어지는 결과가 되었다.
또한, 비교예 3의 수지막 형성용 시트는 표면 (α)의 점착력 (α1)의 값이 높기 때문에, 점착 시트를 사용한 당해 수지막 형성용 시트의 리워크 작업의 도중에, 실리콘 웨이퍼가 파손되어 버려, 리워크성이 떨어지는 결과가 되었다.
또한, 비교예 2의 수지막 형성용 시트는 리워크성은 양호하지만, 실리콘 웨이퍼 부착 후의 단부 밀착성이 떨어지는 결과가 되었다.
본 발명의 일 형태의 수지막 형성용 시트는 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막의 형성 재료로서, 혹은 다이 패드부 또는 다른 부위 위에 접착 가능한 접착막의 형성 재료로서 적합하다.
1a, 1b, 1c, 1d : 수지막 형성용 복합 시트
10 : 수지막 형성용 시트
11, 11' : 지지 시트
12 : 지그 접착층
10 : 수지막 형성용 시트
11, 11' : 지지 시트
12 : 지그 접착층
Claims (10)
- 실리콘 웨이퍼에 부착되어, 당해 실리콘 웨이퍼 위에 수지막을 형성하기 위한 시트이며, 하기 요건 (I) 내지 (III)을 만족시키는, 수지막 형성용 시트.
요건 (I): 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 표면 조도 (Ra)가 50㎚ 이하이다.
요건 (II): 실리콘 웨이퍼에 대한 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (α)의 점착력 (α1)이 1.0 내지 7.0N/25㎜이다.
요건 (III): 부틸아크릴레이트 및 아크릴산에서 유래하는 구성 단위를 갖고, 질량 평균 분자량이 60만 내지 100만인 아크릴계 수지 100질량부와, 가교제 0.01 내지 10질량부를 포함하는 점착제로 형성된, 두께 10 내지 50㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층에 대한, 실리콘 웨이퍼와 부착되는 측과는 반대측의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)의 점착력 (β1)이 4.0N/25㎜ 이상이다. - 제1항에 있어서, 23℃에 있어서의 저장 탄성률이 0.10 내지 20㎬인, 수지막 형성용 시트.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β)에 있어서의 물에 대한 접촉각이 70 내지 110°인, 수지막 형성용 시트.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B)를 포함하는, 수지막 형성용 시트.
- 제4항에 있어서, 중합체 성분 (A)가 아크릴계 중합체 (A1)을 포함하는, 수지막 형성용 시트.
- 제5항에 있어서, 아크릴계 중합체 (A1)이, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위 (a1) 및 니트릴계 단량체에서 유래하는 구성 단위 (a2)를 갖는 아크릴계 공중합체인, 수지막 형성용 시트.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 위에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트인, 수지막 형성용 시트.
- 지지 시트 위에, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트가 적층한 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
- 제8항에 있어서, 상기 수지막 형성용 시트가 2개의 지지 시트에 협지된 구성을 갖는, 수지막 형성용 복합 시트.
- 실리콘 웨이퍼 위에, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 시트의 표면 (α)가 직접 부착된 적층체로부터, 당해 수지막 형성용 시트를 리워크하여 실리콘 웨이퍼를 재생하는 방법이며,
하기 공정 (1) 내지 (2)를 갖는, 실리콘 웨이퍼의 재생 방법.
공정 (1): 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트의 당해 점착제층을, 상기 적층체의 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착하는 공정.
공정 (2): 공정 (1)에서 상기 수지막 형성용 시트의 표면 (β) 위에 부착한 상기 점착 시트를 인장하여, 상기 실리콘 웨이퍼 위에 부착된 상기 수지막 형성용 시트를 리워크하는 공정.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2015-005168 | 2015-01-14 | ||
| JP2015005168 | 2015-01-14 | ||
| PCT/JP2015/082433 WO2016113998A1 (ja) | 2015-01-14 | 2015-11-18 | 樹脂膜形成用シート、樹脂膜形成用複合シート、及びシリコンウエハの再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170103749A true KR20170103749A (ko) | 2017-09-13 |
| KR102343970B1 KR102343970B1 (ko) | 2021-12-27 |
Family
ID=56405555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177012554A KR102343970B1 (ko) | 2015-01-14 | 2015-11-18 | 수지막 형성용 시트, 수지막 형성용 복합 시트 및 실리콘 웨이퍼의 재생 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6464196B2 (ko) |
| KR (1) | KR102343970B1 (ko) |
| CN (1) | CN107001664B (ko) |
| SG (1) | SG11201704005XA (ko) |
| TW (2) | TWI694129B (ko) |
| WO (1) | WO2016113998A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021162252A1 (ko) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | 주식회사 나노인 | 기판의 구조충진을 위한 가역적 코팅 방법 및 봉지 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7086102B2 (ja) * | 2017-12-07 | 2022-06-17 | リンテック株式会社 | ワーク加工用シートおよび加工済みワークの製造方法 |
| JP7025231B2 (ja) * | 2018-02-01 | 2022-02-24 | 日東電工株式会社 | 表面保護フィルム |
| KR102590639B1 (ko) * | 2018-06-06 | 2023-10-17 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 점착 테이프 |
| JP7251167B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2023-04-04 | 株式会社レゾナック | フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009138026A (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム |
| JP2009246302A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | ダイソートテープ |
| JP2009246301A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | チップの保持構造、ダイソート用シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010199543A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム |
| KR20130099854A (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 자발 권취성 점착 필름 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1053746A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Oji Paper Co Ltd | 保護フィルム剥離方法 |
| JP2003003131A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-08 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護シートの剥離用テープ |
| JP3766304B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-04-12 | クレハエラストマー株式会社 | 加熱剥離型粘着シート |
| JP2013237732A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Dainippon Printing Co Ltd | エネルギー線易剥離型粘着剤組成物及び粘着テープ |
| JP2014096422A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Fujifilm Corp | 基板支持部材、基板処理装置、基板支持部材の製造方法、及び基板処理方法 |
| WO2014092200A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム |
-
2015
- 2015-11-18 JP JP2016569240A patent/JP6464196B2/ja active Active
- 2015-11-18 CN CN201580063556.8A patent/CN107001664B/zh active Active
- 2015-11-18 KR KR1020177012554A patent/KR102343970B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-18 SG SG11201704005XA patent/SG11201704005XA/en unknown
- 2015-11-18 WO PCT/JP2015/082433 patent/WO2016113998A1/ja active Application Filing
- 2015-11-24 TW TW104138951A patent/TWI694129B/zh active
- 2015-11-24 TW TW109110851A patent/TWI736196B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009138026A (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム |
| JP2009246302A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | ダイソートテープ |
| JP2009246301A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | チップの保持構造、ダイソート用シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010199543A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム |
| KR20130099854A (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 자발 권취성 점착 필름 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021162252A1 (ko) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | 주식회사 나노인 | 기판의 구조충진을 위한 가역적 코팅 방법 및 봉지 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI694129B (zh) | 2020-05-21 |
| CN107001664A (zh) | 2017-08-01 |
| KR102343970B1 (ko) | 2021-12-27 |
| SG11201704005XA (en) | 2017-07-28 |
| TW201638260A (zh) | 2016-11-01 |
| TW202030287A (zh) | 2020-08-16 |
| CN107001664B (zh) | 2020-05-12 |
| JP6464196B2 (ja) | 2019-02-06 |
| TWI736196B (zh) | 2021-08-11 |
| JPWO2016113998A1 (ja) | 2017-10-19 |
| WO2016113998A1 (ja) | 2016-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101570959B1 (ko) | 보호막 형성용 복합 시트 | |
| WO2014030699A1 (ja) | 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法 | |
| JP6562172B2 (ja) | 樹脂膜形成用シート、及び樹脂膜形成用複合シート | |
| TWI694129B (zh) | 樹脂膜形成用薄片、樹脂膜形成用複合薄片、及矽晶圓之再生方法 | |
| TWI689412B (zh) | 樹脂膜形成用複合薄片、及附樹脂膜之晶片之製造方法 | |
| KR20150135313A (ko) | 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 있는 칩 및 보호막이 있는 칩의 제조 방법 | |
| JP6541359B2 (ja) | 保護膜形成用シート、及び保護膜形成用複合シート | |
| TW201906962A (zh) | 切晶帶一體型背面保護膜 | |
| TW201900803A (zh) | 膜狀接著劑複合片以及半導體裝置的製造方法 | |
| WO2016140248A1 (ja) | フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20170029416A (ko) | 보호막 형성용 필름 | |
| EP2927952B1 (en) | Sheet for forming resin film for chips and method for manufacturing semiconductor device | |
| CN108778721B (zh) | 保护膜形成用复合片 | |
| JP7141515B2 (ja) | ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法 | |
| TWI783920B (zh) | 保護膜形成用複合片 | |
| TW202348756A (zh) | 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、半導體裝置之製造方法、以及保護膜形成膜之使用 | |
| JP2023031526A (ja) | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、保護膜付きワークの製造方法、及び、保護膜付きワーク加工物の製造方法 | |
| JP2022146567A (ja) | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、保護膜付きワーク加工物の製造方法、及び保護膜付きワークの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |