KR20170069946A - 결함들을 검출하기 위한 방법 및 연관된 디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 결함은 상부층에 위치되고, 상기 방법은,
a) 상부 측에 의해 산란된 광선으로부터, 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호를 생성하기 위해 반사된 암시야 마이크로스코피(reflected darkfield microscopy) 디바이스에 구조를 도입하는 단계; 및
b) 거칠기-관련 제 2 신호의 강도를 복수의 픽셀들로 포착하는 단계를 포함하고, 이 방법은,
c) 각 픽셀에 의해 포착된 강도를 이웃 픽셀들에 의해 포착된 강도들과 비교하고 상기 픽셀이 비정상 구역에 포함되는지 여부를 정의하기 위한 프로세싱 단계;
d) 상기 비정상 구역의 픽셀들에 의해 포착된 강도 값들의 표준 편차를 추출하는 단계; 및
e) 추출된 표준 편차로부터, 상기 비정상 구역과 연관된 보이드-형 결함의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는 것에 주목할만 하다.
본 발명은 또한 보이드-형 결함들을 검출하기 위한 디바이스에 관한 것이다.

Description

결함들을 검출하기 위한 방법 및 연관된 디바이스{METHOD FOR DETECTING DEFECTS AND ASSOCIATED DEVICE}
본 발명은 기판의 표면 상에 위치된 결함들의 검사의 분야에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 기판 상에 배치된 박층(thin layer)의 보이드-형 결함(void-type defect)들을 검출하고 그 크기를 결정하는 방법 및 연관된 디바이스에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법 및 장치는 기판의 표면 상에서 볼 수 있는 결함들을 식별하기 위해 당 분야에 알려진 기술을 사용한다. 그것은 반사된 암시야 마이크로스코피(reflected darkfield microscopy)의 문제이며, 그 원리는 도 1에서 예로서 개략적으로 도시된다.
이 기술은 예를 들어, 관찰될 기판의 표면에 평행한 평면(P)에 대해 각도(β)로 비스듬하게, 기판(4)의 표면 상에 입사 광선(1)을 프로젝팅하는 것으로 구성된다. 종래 기술의 실시예들에 따라, 광선(1)을 기판(4)의 표면에 대해 수직으로 프로젝팅(노멀(normal) 모드라고도 칭함)하는 것도 가능하다. 입사 광선(1)은 이에 따라 예를 들어, 평면 및/또는 오목 거울들(2, 3)을 사용하여 기판(4)의 표면 방향으로 지향되어, 입사 광선(1)이 기판(4)의 표면 상에 집중되도록 허용한다. 따라서, 관찰될 기판의 표면이 무결함 평면 거울인 경우, 입사 광선(1)은 동일한 각도(β)로 기판(4)의 표면에 의해 완전히 반사될 것이다("β" 반사선(reflected ray)이라 칭해지고 도 1에서 참조 부호(1')에 의해 참조됨). 따라서, 이 경우에, 입사 광선(1)이 편향되지 않기 때문에, 검출 유닛(6)(예컨대, 광전자 증배관(photomultiplier))이 위치되는 단부에서 수집 채널(5)의 방향으로 어떠한 광도 산란되지 않으며; 이 검출 유닛(6)은 기판(4)의 표면에 의해 산란된(즉, "β" 반사선(1')의 경로 밖으로 반사된) 광선의 광 강도를 검출한다. 그러한 경우에, 검출 디바이스는 균일한 어두운 이미지를 포착할 것이다.
관찰될 기판(4)의 표면이 결함들을 포함하는 경우에, 기판(4)의 표면을 조명하는 입사 광선(1)의 일부는 결함들에 의해 수집 채널(5)의 방향으로 산란된다. 따라서, 검출 유닛(6)은 그의 광 강도를 포착하고, 이 광 강도는 예를 들어, 스크린(7) 상에 디스플레이되기 위해 디지털 데이터로 변환되고, 그 후 데이터-프로세싱 수단에 송신된다. 획득된 이미지는 기판(4)의 표면 상에 위치된 결함들이 어두운 배경에서 밝게 나타나는 표현이다.
반사된 암시야 조명은 특히 표면들의 연구에 권장된다는 것이 상기될 것이다. 반사된 암시야 마이크로스코피는 직접 투과되는 광의 양이 최소화되고, 기판(4)의 표면 상에 위치되는 결함들에 의해 편향되거나 산란된 광만이 수집되도록 허용한다. 그것은 이에 따라, 비교적 적은 장비 및 기판(4)의 간단한 준비를 요구하면서, 결함들을 예시하는 이미지의 콘트라스트가 상당히 증가되도록 허용한다. 그러나 이 기술은 수집된 낮은 광 강도에 시달리고 항상 해상도 제한의 영향을 받는다.
이러한 타입의 기술의 중요한 응용 분야는 마이크로일렉트로닉스(microelectronics)의 분야이다. 특히, 반도체 업계에서, 반사된 암시야 마이크로스코피는, 특히 다양한 오염 소스들에 의해 생성된 미립자들을 검출하기 위해, 기판들의 표면들을 검사하는데 사용된다. 끊임없이 발전하면서, 이 업계는 점점 더 높은 제품 품질 레벨들을 요구한다. 계측 장비의 많은 부분들에서 사용되는 암시야 조명(darkfield illumination) 덕분에, 특히 실리콘 기판 상에서 0.1 미크론(micron)보다 작은 크기의 미립자들을 검출하는 것이 가능하다.
FDSOI(Fully depleted silicon-on-insulator) 구조들은 컴포넌트들의 제조를 위한 기판들로 점점 더 많이 사용된다. 표면 미립자들 이외에도, 다른 타입들의 결함들이 SOI 구조의 유용한 층을 형성하는 실리콘 상부 층에 위치될 수 있으며; 보이드-형 결함들, 즉 상기 유용한 상부층이 없는 구역들에 대응하는 결함들이 특히 상부층에 존재할 수 있다. SOI 구조의 품질 레벨들을 보장하기 위해서, 크기가 500 미크론보다 작은 이러한 타입의 결함들(500 미크론보다 큰 크기의 결함들은 다른 시각적 검사 기술들에 의해 식별가능함)을 식별하고 분류할 수 있게 되는 것이 필수적이다. 또한, 요구되는 품질 레벨이 계속해서 증가하기 때문에, 250 미크론 직경 또는 심지어 100 미크론 직경보다 작은 결함의 분류가 조만간 필요할 수도 있다. SOI 구조에 특유한 이러한 결함들은 미립자들의 것과는 상이한 산란된 광선의 관점에서의 시그니처(signature)를 갖는다.
문헌 US2004/0235206은 기판 상에 증착된 노출된 기판 또는 막 스택에 적용되는, 표본 검사를 위한 장치 및 방법을 개시한다. 이 방법은 (결함 검출을 위해) 관심있는 신호들과 노이즈 사이의 강력한 분리를 가능케 한다. 그럼에도, 그것은 특정 보이드-형 결함의 크기의 분류를 허용하지 않는다.
일반적으로, 종래 기술의 해결책들은 보이드-형 결함들이 크기에 의해 분류되는 것을 허용하지 않는다. 미립자들을 측정하고 카운트하도록 의도된 계측 장비의 부분들에 의해 획득되는 현재 측정들은 매우 부정확한 분류 결과를 산출하고, 그리하여, SOI 구조들이 그들의 품질 레벨을 충족하도록 이러한 "보이드" 결함들의 크기에 의해 신뢰성있게 정렬되는 것을 방해한다.
따라서, 본 발명의 하나의 목적은 종래 기술의 단점들을 제거하는 검출 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 하나의 목적은 특히, 유용한 상부 층에 위치하는 보이드-형 결함들이 검출되고 크기에 의해 분류되도록 허용하는, SOI 구조를 검사하기 위한 디바이스 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 결함은 상부층에 위치되고, 방법은,
a) 상부 측에 의해 산란된 광선으로부터, 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호를 생성하기 위해 반사된 암시야 마이크로스코피 디바이스에 구조를 도입하는 단계; 및
b) 거칠기-관련 제 2 신호의 강도를 복수의 픽셀들로 포착하는 단계를 포함하고,
이 방법은,
c) 각 픽셀에 의해 포착된 강도를 이웃 픽셀들에 의해 포착된 강도들과 비교하고 상기 픽셀이 비정상 구역에 포함되는지 여부를 정의하기 위한 프로세싱 단계;
d) 비정상 구역의 픽셀들에 의해 포착된 강도 값들의 표준 편차를 추출하는 단계; 및
e) 추출된 표준 편차로부터, 비정상 구역과 연관된 보이드-형 결함의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는 것에 주목할만 하다.
따라서, 본 발명에 따른 방법은 비정상 구역의 특정 속성(상기 비정상 구역에 포함된 픽셀들에 의해 포착된 강도 값들의 표준 편차)으로부터 보이드-형 결함의 크기가 결정되도록 허용한다.
본 발명의 유리한 특징들에 따라, 이 특징들이 단독으로 또는 조합되어 구현될 수 있다:
· 산란된 광선은 구조의 상부 측으로부터, 상기 면에 평행한 평면에 대하여 비스듬한 방향의 입사 광선의 반사에 의해 생성됨,
· 구조는 포착 단계 b)를 허용 가능하도록 입사 광선 아래의 적어도 하나의 회전축을 중심으로 및/또는 적어도 하나의 병진 축(translational axis)을 따라 이동됨,
· 각각의 픽셀은 측면 길이가 20 미크론 내지 1000 미크론일 수 있음,
· 상기 결정하는 단계는 보이드-형 결함의 크기와 표준 편차와 관련된 상관 곡선을 적용함으로써 수행됨,
· 보이드-형 결함들의 크기는 상관 곡선을 설정하도록 스캐닝 전자 마이크로스코피에 의해 구조에서 측정됨,
· 상관 곡선은 크기가 5 내지 500 미크론인 보이드-형 결함에 적용 가능함,
· 상기 프로세싱 단계는 주어진 픽셀에 의해 포착된 강도 대 적어도 하나의 이웃 픽셀에 의해 포착된 강도의 비가 미리 설정된 팩터보다 높을 때 주어진 픽셀이 비정상 구역에 포함된다고 정의함,
· 상기 주어진 픽셀에 이웃하는 픽셀들은 픽셀의 주변 구역에 포함되고 환형을 가짐,
· 환형은 600 미크론의 내경과 2500 미크론 외경을 가짐.
본 발명은 또한, 기판 상에 배치된 상부 층을 포함하는 구조의 상부 측에서 보이드-형 결함을 검출하기 위한 디바이스에 관한 것이며, 상기 결함은 상부 층에 위치되고, 디바이스는,
· 입사 광선을 구조의 상부 측 방향으로 프로젝팅하고 상부 측에 의해 산란된 광선을 수집하도록 구성된 반사된 암시야 마이크로스코피 장치; 및
· 산란된 광선으로부터, 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호를 생성하고, 거칠기-관련 제 2 신호의 강도를 복수의 픽셀들로 포착하도록 구성된 검출 유닛을 포함하고,
이 디바이스는,
· 검출 유닛에 연결되고, 각각의 픽셀에 의해 포착된 강도를 이웃 픽셀들에 의해 포착된 강도와 비교하고, 상기 픽셀이 비정상 구역에 포함되는지 여부를 정의하도록 구성된 제 1 프로세싱 유닛;
· 비정상 구역의 픽셀들에 의해 포착된 강도들의 값들의 표준 편차를 추출하도록 구성된 제 2 프로세싱 유닛; 및
· 추출된 표준 편차로부터, 비정상 구역과 연관된 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 상관 곡선을 포함하는 것에 주목할만 하다.
본 발명의 다른 특징들 및 이점들은 첨부된 도면들을 참조하여 주어진 본 발명의 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 알려진 종래-기술의 반사된 암시야 마이크로스코피 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따라 결함들을 검출하기 위한 디바이스의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 방법을 이용하여 그리고 디바이스에 의해 검출된 결함의 예를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 방법을 이용하여 그리고 디바이스에 의해 검출된 결함의 다른 예를 도시한다.
도 5는 비정상 구역에 포함된 픽셀들에 의해 포착된 강도의 값들의 표준 편차와 결함 크기 사이의 상관 곡선을 도시한다.
반사된 암시야 마이크로스코피 디바이스를 사용하는 알려진 종래 기술의 결함 검사 기술들은 특히, SOI 구조들의 상부층에 존재하는 보이드-형 결함들(및 보다 구체적으로, 직경이 500㎛보다 작은 보이드-형 결함들)의 크기가 정밀하게 결정되도록 허용하지 않는다. SOI 구조는 캐리어 기판 상에 배치된 상부 층을 포함하고; 검출하려고 하는 결함은 이 상부층의 보이드라는 것이 상기될 것이다.
비제한적으로, 본 발명에 따라 결함들을 검출하고 상술된 이슈들을 완화하기 위한 디바이스 및 방법의 가능한 실시예들이 이제 도 2 내지 도 5를 참조하여 각각 설명될 것이다.
위에서 설명된 바와 같이, 반사된 암시야 마이크로스코피는, 도 2에서 예시된 바와 같이 관찰될 구조(4)의 상부측과 평행한 평면(P)에 대해 정의된 각도(β)로 지향되는 적어도 하나의 입사 광선(1)을 사용하여 구조(4)의 상부 측을 조명하는 것으로 구성된다. 각도(β)는 0 내지 90°이다. 실시예들에 따라, 입사 광선(1)은 구조(4)의 상부 측을 부분적으로 또는 완전히 스캔하도록 구성될 수 있다. 유리하게는, 구조(4)는 그의 상부 측의 일부 또는 전부가 검사되도록 허용하기 위해, 입사 광선(1) 아래의 적어도 하나의 회전축을 중심으로 및/또는 적어도 하나의 병진 축(translational axis)을 따라 이동된다. 따라서, 광선(1)은 예를 들어, 입사 광선(1)이 분석될 표면 상에 배향되고 집중되도록 허용하는 제 1 일련의 하나 또는 그 초과의 평면 및/또는 오목 거울들(2, 3)을 사용하여 상부 측 방향으로 지향된다. 비제한적으로, 광선(1)은 예를 들어, 레이저 빔일 수 있다.
구조(4)의 표면은 하나 또는 그 초과의 평활한 무결함 평면 구역(smooth defect-free planner zones)들 및 적어도 하나의 결함(미립자, 보이드-형 결함, 거칠기 등)을 포함하는 하나 또는 그 초과의 구역들을 포함할 수 있다.
광선(1)이 평활한 평면 구역으로 지향되는 경우, 그것은 평면(P)에 대해 입사 광선(1)의 배향에 의해 정의되는 것과 동일한 각도(β)로 완전히 반사된다. 따라서, 광선(1)은 그 경로로부터 편향되지 않고, 제 2 일련의 평면 및/또는 오목 거울들(2, 3)을 사용하여 디바이스로부터 제거된다(반사선(1')).
광선(1)이 적어도 하나의 결함 또는 거친 구역을 포함하는 구역에 충돌하는 경우, 광선(1) 중 적어도 일부는 결함에 의해 수집 채널(5) 방향으로 반사된다(광선(1'')). 입사 광선(1)이 여러 방향들로 반사되기 때문에 이러한 반사는 본질적으로 확산한다. 본 설명의 잔여부에서, 구조(4)의 표면 상의/의 결함에 의해 반사된 광선은 산란된 광선(1'')이라 칭해질 것이다.
광전자 증배관(photomultiplier)과 같은 검출 유닛(6)은 수집 채널(5)의 단부에 위치되고; 상기 유닛은 산란된 광선(1'')의 강도를 검출한다. 비제한적으로, 관찰 채널(5)은 본 발명에 따른 검출 디바이스의 적용의 요건들에 의존하여, 광전자 증배관(6)쪽으로 산란된 광선(1'')을 지향, 집중 또는 필터링하기 위한 하나 또는 그 초과의 광학 필터들 및/또는 렌즈들을 포함할 수 있다.
종래 기술에서 알려진 광전자 증배관(6)의 또 다른 기능성은 포착된 산란된 광선(1'')을 2개의 신호들, 즉 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호로 분해하는 것이다. 제 1 신호는 특히, 타입 A 결함들(즉, 예를 들어, 기판의 표면으로부터 돌출된 미립자들 또는 다른 결함들)이 검출되도록 허용한다. 거칠기-관련 제 2 신호는 특히, 타입 B 결함들(예를 들어, 구조(4)의 표면의 거칠기 레벨 등)이 검출되도록 허용하며, 일반적으로 "헤이즈(haze)" 신호라고 칭한다. 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호로의 산란된 광선(1'')의 강도의 분해는, 타입 A 결함들의 크기 및/또는 측정하기를 원하는 거칠기 레벨, (만약 있다면) 이용된 광학 필터들, 및 구조(4)의 상부 층이 이루어진 물질에 의존하여 정의된 민감도 임계치들에 의존한다.
광전자 증배관(6)은 복수의 픽셀들의 어레이(도시되지 않음)와 연관된다. 비제한적으로, 종래의 정사각형의 픽셀은 측면 길이가 20㎛ 내지 1000㎛이다. 본 실시예에서 그리고 예로서, 각 픽셀은 200 μm x 200 μm이다.
본 발명에 따라, 이는 타입-A-결함 제 1 신호가 아니라 관심있는 보이드-형 결함을 추가로 특성화하는데 사용되는 거칠기-관련 제 2 신호이다.
따라서, (거칠기- 관련) 제 2 신호의 강도는 상기 강도의 수치 데이터 특성으로 변환되기 위해 광전자 증배관(6)의 각각의 픽셀에 의해 포착될 수 있다. 따라서, 복수의 픽셀들로부터, B 타입 결함들(거칠기 또는 "헤이즈")의 이미지를 획득하는 것이 가능하며, 이 이미지는 예를 들어, 스크린 상에 상기 결함들을 디스플레이하도록 디스플레이 디바이스(7)에 직접 송신된다.
본 발명에 따른 디바이스의 광전자 증배관(6)은 거칠기-관련 제 2 신호를 제 1 프로세싱 유닛(8)에 송신한다. 제 1 유닛(8)의 역할은, 상기 픽셀이 비정상 구역의 일부를 형성하는지 여부를 정의하기 위해 각각 픽셀에 의해 포착된 제 2 신호의 강도를 이웃 픽셀들에 의해 포착된 강도들과 비교하는 것이다.
제 1 프로세싱 유닛(8)은 주어진 픽셀에 의해 포착된 강도 대 적어도 하나의 이웃 픽셀에 의해 포착된 강도의 비(ratio)가 미리 설정된 팩터보다 높을 때 주어진 픽셀이 비정상 구역에 포함된다고 정의한다. 주어진 픽셀의 이웃들은, 주어진 픽셀을 그 중심에 둔 환형을 갖는 주변 구역에 포함된 모든 픽셀들이다. 유리하게는, 환형의 내경은 600 미크론이고, 그 외경은 2500 미크론이다. 미리 설정된 팩터가 예를 들어, 1 내지 20, 유리하게는, 2 내지 10에서 변동될 수 있다. 예로서, 그것이 4와 동일하고; 이 경우, 비정상 구역은 그의 이웃하는 픽셀들 중 하나보다 4배 더 강한 광 강도를 포착하는 적어도 하나의 픽셀을 포함한다.
보이드-형 결함의 존재 시에, 포착된 거칠기-관련 제 2 신호의 강도는 픽셀마다 변동될 것이다. 특히, 이러한 타입의 결함의 경계는 상부층의 표면과 하부 기판의 표면 사이의 단계 또는 복수의 단계 레벨들로 구성되기 때문에, 이 위치에서 산란되는 광선들과 연관된 제 2 신호의 강도는 상부 층의 평면 이웃 구역에서 산란된 광선들과 연관된 제 2 신호의 강도보다 더 높을 것이다. 이러한 방식으로, 보이드-형 결함의 중심 부분이 그 경계보다 더 깊기 때문에, 이 위치에서 산란되는 광선들과 연관된 제 2 신호의 강도는 경계에서의 강도보다 더 높을 것이다. 그것은 비정상 구역이 정의되도록 허용하는 이웃 픽셀들 간의 이러한 강도 차이들이다.
도 3 및 도 4는 구조(4)의 상부 측에서 식별된 비정상 구역들(20)의 예시를 도시한다. 비정상 구역(20)은 외곽선(20') 내의 모든 영역을 포함한다.
각각의 비정상 구역(20)은 구조(4)의 상부 층에 위치되는 보이드-형 결함의 존재를 표시한다. 비정상 구역(20)의 영역이 추출될 수 있고; 그럼에도, 이 값은 결함의 실제 크기와는 상관이 거의 없으며, 크기는 외곽선(21)에 의해 정의된다.
도 3 및 도 4에서, 비정상 구역(20)에서 수집된 각각의 값은 하나의 픽셀에 의해 포착된 산란된 광선(1'')의 거칠기-관련 제 2 신호의 강도의 표시이다. 예로서, 비정상 구역들(20)의 중앙 부분들(22)의 픽셀들은 13ppm의(정규화된) 값을 갖고; (도 3에 예시된 외곽선(22)과 외곽선(21) 사이의) 결함의 경계들은 결함 깊이의 변동을 표시하는 강도(예를 들어, 0.4ppm 내지 5 ppm 사이의(정규화된) 값들)의 점진적인 감소를 나타낸다. 결함의 주변 부분에서, 비정상 구역(20)(도 3에 예시된 외곽선(21) 외부)에서, (정규화된) 값들은 0.4 ppm보다 낮다.
본 출원인은 다수의 식별된 비정상 구역들(20)로부터 상기 값들의 표준 편차를 추출하고 연관된 보이드-형 결함의 실제 크기와의 양호한 상관을 나타내었으며, 더욱이 상기 결함의 실제 크기는 신뢰성있는 측정 기술(예를 들어, 스캐닝 전자 마이크로스코피)에 의해 측정되었다. 처음에는 명확하지 않았던 이 상관은, 비정상 구역(20)에서, 강도 값이 높은 픽셀들의 수가, 보이드-형 결함의 크기에 따라 증가한다는 사실에 기인한다. 따라서, 비정상 구역에서 강도 값들의 분포의 표준 편차는 보이드-형 결함의 크기가 증가함에 따라 증가하고; 표준 편차는 높은 값들의 수에 의해 영향을 받으며, 이는 분포의 프로파일을 넓히는 경향이 있을 것이다.
도 5는 산란된 광선(1'')의 제 2 신호의 강도 값들의 표준 편차와 보이드 형-결함 크기 사이의 상관 곡선을 도시한다. 도 3 및 도 4의 비정상 구역(20)에서 수집된 정규화된 값들(각각 5.34ppm 및 1.84ppm)(산란된 광선의 제 2 신호의 강도를 나타냄)의 표준 편차들의 추출은, 보이드-형 결함들의 크기가 상관 곡선으로부터 결정되도록 허용한다(각각 1260 미크론 및 250 미크론).
도 5의 예에서, 200 × 200 미크론의 픽셀들이 사용되었고; 상관 제한은 약 50 미크론 이하의 결함 크기에 대한 것임을 알 수 있다. 더 작은 픽셀 크기들(예를 들어, 20 미크론)이 사용되면, 상관 곡선은 가능하게는, 약 5 미크론의 결함 크기까지 양호한 상관을 나타낼 것이다. 그것은 또한, 표준 편차와 보이드-형 결함들의 크기 사이의 보다 정밀한 상관을 나타낼 것이다.
본 발명의 보이드-형 결함들을 검출하기 위한 디바이스 및 그 크기를 결정하기 위한 방법을 사용하여, 약 5㎛보다 더 큰 크기의 결함들에 대해 약 ± 15%의 정밀도 레벨로 보이드-형 결함들의 크기를 정의하는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 디바이스는 유리하게는, 비정상 구역(20)에 포함된 픽셀들에 의해 포착된 강도 값들의 표준 편차가 추출되도록 허용하는 제 1 프로세싱 유닛에 연결된 제 2 프로세싱 유닛(9)을 포함한다. 이들 값들은 그 후 상관 곡선 또는 표의 적용에 의해 식별된 비정상 구역(20)과 연관된 보이드-형 결함의 실제 크기와 상관될 수 있다. 그것은 또한, 구조(4)의 상부 측에 위치된 보이드-형 결함에 대응하는 비정상 구역(20)의 이미지를 디스플레이하기 위한 유닛(7)을 포함할 수 있으며, 결함은 예를 들어, 어두운 배경 상에서 밝게 나타난다.
유리하게는, 본 발명에 따른 디바이스는(구조(4)에서 식별된 각각의 비정상 구역의 강도들의 표준 편차로부터 결정된) 보이드-형-결함 크기들에 기초하여, 상기 구조(4)의 품질 레벨을 설정하는 자동 정렬 디바이스에 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 디바이스 및 방법은 구조(4)의 표면 마무리가 검사되도록, 상부 층의 보이드-형 결함의 크기를 결정하도록 그리고 그에 따라 이들 결함들의 크기에 대한 품질 레벨이 정의되도록 허용한다.
물론, 본 발명은 설명된 실시예들에 제한되지 않으며, 변형 실시예들이 청구범위에 의해 정의된 바와 같은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 구현될 수 있다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함(void-type defect)의 크기를 결정하기 위한 방법으로서, 상기 결함은 상기 상부층에 위치되며; 상기 방법은,
    a) 상기 상부 측에 의해 산란된 광선(1")으로부터, 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호를 생성하기 위해 반사된 암시야 마이크로스코피(reflected darkfield microscopy) 디바이스에 상기 구조(4)를 도입하는 단계; 및
    b) 거칠기-관련 제 2 신호의 강도를 복수의 픽셀들로 포착하는 단계를 포함하고,
    상기 방법은,
    c) 각 픽셀에 의해 포착된 강도를 이웃 픽셀들에 의해 포착된 강도들과 비교하고 상기 픽셀이 비정상 구역에 포함되는지 여부를 정의하기 위한 프로세싱 단계;
    d) 상기 비정상 구역의 픽셀들에 의해 포착된 강도 값들의 표준 편차를 추출하는 단계; 및
    e) 추출된 표준 편차로부터, 상기 비정상 구역과 연관된 보이드-형 결함의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산란된 광선(1")은, 상기 구조(4)의 상부 측으로부터, 상기 면과 평행한 평면(P)에 대해 비스듬한 방향의 입사 광선(1)의 반사에 의해 생성되는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 구조는 포착 단계 b)를 허용하도록 상기 입사 광선(1) 아래의 적어도 하나의 회전축을 중심으로 및/또는 적어도 하나의 병진 축(translational axis)을 따라 이동되는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 측면 길이가 20 미크론 내지 1000 미크론일 수 있는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 결정하는 단계는 보이드-형 결함들의 크기와 상기 표준 편차와 관련된 상관 곡선을 적용함으로써 수행되는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 보이드-형 결함들의 크기는 상기 상관 곡선을 설정하도록 스캐닝 전자 마이크로스코피에 의해 상기 구조(4)에서 측정되는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 상관 곡선은 크기가 5 내지 500 미크론인 보이드-형 결함들에 적용 가능한,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세싱 단계는 주어진 픽셀에 의해 포착된 강도 대 적어도 하나의 이웃 픽셀에 의해 포착된 강도의 비가 미리 설정된 팩터보다 높을 때 상기 주어진 픽셀이 상기 비정상 구역에 포함된다고 정의하는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 주어진 픽셀에 이웃하는 픽셀들은 상기 픽셀의 주변 구역에 포함되고 환형을 갖는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 환형은 600 미크론의 내경과 2500 미크론 외경을 갖는,
    기판 상에 배치된 상부층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 방법.
  11. 기판 상에 배치된 상부 층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함을 검출하기 위한 디바이스로서, 상기 결함은 상기 상부 층에 위치되고, 상기 디바이스는,
    · 입사 광선(1)을 상기 구조(4)의 상부 측 방향으로 프로젝팅하고 상기 상부 측에 의해 산란된 광선(1")을 수집하도록 구성된 반사된 암시야 마이크로스코피 장치; 및
    · 상기 산란된 광선(1")으로부터, 결함-관련 제 1 신호 및 거칠기-관련 제 2 신호를 생성하고, 상기 거칠기-관련 제 2 신호의 강도를 복수의 픽셀들로 포착하도록 구성된 검출 유닛(6)을 포함하고,
    상기 디바이스는,
    · 상기 검출 유닛에 연결되고, 각각의 픽셀에 의해 포착된 강도를 이웃 픽셀들에 의해 포착된 강도들과 비교하고, 상기 픽셀이 비정상 구역에 포함되는지 여부를 정의하도록 구성된 제 1 프로세싱 유닛(8);
    · 상기 비정상 구역의 픽셀들에 의해 포착된 강도들의 값들의 표준 편차를 추출하도록 구성된 제 2 프로세싱 유닛(9); 및
    · 추출된 표준 편차로부터, 상기 비정상 구역과 연관된 보이드-형 결함의 크기를 결정하기 위한 상관 곡선을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 배치된 상부 층을 포함하는 구조(4)의 상부 측에서 보이드-형 결함을 검출하기 위한 디바이스.

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3073287A1 (en) * 2017-08-18 2019-02-21 Somadetect Inc. Methods and systems for assessing a health state of a lactating mammal
US10712292B2 (en) * 2018-03-29 2020-07-14 The Boeing Company Backscatter x-ray inspection system for pipes
US10295476B1 (en) * 2018-08-14 2019-05-21 Applied Materials Israel Ltd. System and method for multiple mode inspection of a sample
CN110837717B (zh) * 2019-11-06 2022-09-06 成都数之联科技股份有限公司 一种基于Map图的玻璃面板多元缺陷根因分析方法
CN110806412A (zh) * 2019-11-15 2020-02-18 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于光学元件的缺陷尺寸检测方法及***
CN111595850B (zh) * 2020-04-27 2022-07-15 平安科技（深圳）有限公司 切片缺陷检测方法、电子装置及可读存储介质
US11733172B2 (en) * 2020-05-15 2023-08-22 Kla Corporation Apparatus and method for rotating an optical objective
CN112345544A (zh) * 2020-09-24 2021-02-09 海克斯康制造智能技术(青岛)有限公司 多功能连杆自动化检测线
CN112347527B (zh) * 2020-11-09 2022-06-03 武汉科技大学 一种用于暗场缺陷检测的光罩掩模板图形设计方法
CN113534430B (zh) * 2021-06-08 2023-10-10 浙江工商职业技术学院 一种金相显微镜用暗场聚光镜的设计方法及装置
CN115546568B (zh) * 2022-12-01 2023-03-10 合肥中科类脑智能技术有限公司 绝缘子缺陷检测方法、***、设备及存储介质

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803388B2 (ja) * 1991-04-26 1998-09-24 三菱電機株式会社 部品検査装置
US6157444A (en) * 1997-11-28 2000-12-05 Hitachi, Ltd. Defect inspection apparatus for silicon wafer
JPH11237226A (ja) * 1997-11-28 1999-08-31 Hitachi Ltd 欠陥検査装置
US6724947B1 (en) * 2000-07-14 2004-04-20 International Business Machines Corporation Method and system for measuring characteristics of curved features
JP2003098111A (ja) * 2000-09-21 2003-04-03 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
AU2002219847A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-27 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US8965075B2 (en) * 2002-09-16 2015-02-24 Imatx, Inc. System and method for predicting future fractures
US7840247B2 (en) * 2002-09-16 2010-11-23 Imatx, Inc. Methods of predicting musculoskeletal disease
EP1639342A4 (en) * 2003-05-19 2010-04-14 Kla Tencor Tech Corp DEVICE AND METHOD FOR ENABLING A ROBUST SEPARATION BETWEEN INTERESTING SIGNALS AND NOISE
US7557910B2 (en) * 2004-12-19 2009-07-07 Kla-Tencor Corporation System and method for controlling a beam source in a workpiece surface inspection system
JP5319876B2 (ja) * 2006-07-31 2013-10-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査装置及び表面検査方法
US7990546B2 (en) * 2007-07-16 2011-08-02 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput across-wafer-variation mapping
JP2009133778A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査方法
EP2128701A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-02 ASML Netherlands BV Method of determining defects in a substrate and apparatus for exposing a substrate in a lithographic process
US8223327B2 (en) * 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
JP2010197352A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
EP2443651B1 (en) * 2009-06-19 2015-08-12 KLA-Tencor Corporation Inspection systems and methods for detecting defects on extreme ultraviolet mask blanks
KR101678043B1 (ko) * 2009-12-28 2016-11-22 삼성전자 주식회사 비패턴 웨이퍼 검사 장치
US8401273B2 (en) * 2010-01-21 2013-03-19 Hitachi, Ltd. Apparatus for evaluating degradation of pattern features
US8781070B2 (en) * 2011-08-11 2014-07-15 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Detection of wafer-edge defects
JP2013117490A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Olympus Corp 検査システム及びレシピ設定方法
EP2828646B1 (en) * 2012-03-20 2022-05-04 KLA-Tencor Corporation Using reflected and transmission maps to detect reticle degradation
KR20140117640A (ko) * 2012-05-16 2014-10-07 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 검사 장치
US9714827B2 (en) * 2012-07-05 2017-07-25 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system, device manufacturing method and substrate
US8830464B2 (en) * 2012-11-06 2014-09-09 Kla-Tencor Corporation Film thickness, refractive index, and extinction coefficient determination for film curve creation and defect sizing in real time
US9341580B2 (en) * 2014-06-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Linear inspection system
US9797846B2 (en) * 2015-04-17 2017-10-24 Nuflare Technology, Inc. Inspection method and template
EP3427183A1 (en) * 2016-03-10 2019-01-16 Genomic Vision Method of curvilinear signal detection and analysis and associated platform

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