FR3045156A1 - Procede de detection de defauts et dispositif associe - Google Patents

Procede de detection de defauts et dispositif associe Download PDF

Info

Publication number
FR3045156A1
FR3045156A1 FR1562233A FR1562233A FR3045156A1 FR 3045156 A1 FR3045156 A1 FR 3045156A1 FR 1562233 A FR1562233 A FR 1562233A FR 1562233 A FR1562233 A FR 1562233A FR 3045156 A1 FR3045156 A1 FR 3045156A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
pixel
defect
hole
intensity
size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1562233A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3045156B1 (fr
Inventor
Olivier Pfersdorff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Priority to FR1562233A priority Critical patent/FR3045156B1/fr
Priority to TW105138739A priority patent/TWI713638B/zh
Priority to JP2016229308A priority patent/JP6776492B2/ja
Priority to CN201611113931.8A priority patent/CN107036531B/zh
Priority to DE102016224467.1A priority patent/DE102016224467A1/de
Priority to KR1020160167731A priority patent/KR20170069946A/ko
Priority to US15/374,902 priority patent/US10509214B2/en
Publication of FR3045156A1 publication Critical patent/FR3045156A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3045156B1 publication Critical patent/FR3045156B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/04—Measuring microscopes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
    • G02B21/0016—Technical microscopes, e.g. for inspection or measuring in industrial production processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/06—Means for illuminating specimens
    • G02B21/08—Condensers
    • G02B21/10—Condensers affording dark-field illumination
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/24—Base structure
    • G02B21/26—Stages; Adjusting means therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/36—Microscopes arranged for photographic purposes or projection purposes or digital imaging or video purposes including associated control and data processing arrangements
    • G02B21/365—Control or image processing arrangements for digital or video microscopes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8822—Dark field detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
    • G01N2021/8874—Taking dimensions of defect into account
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
    • G01N21/892—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles characterised by the flaw, defect or object feature examined
    • G01N2021/8928—Haze defects, i.e. with a part of diffracted light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10056—Microscopic image
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20076—Probabilistic image processing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé de détermination de la taille d'un défaut de type trou sur une face supérieure d'une structure comprenant une couche superficielle disposée sur un substrat, ledit défaut étant situé dans la couche superficielle ; le procédé comprenant : a) une étape d'introduction de la structure dans un dispositif de microscopie en champ sombre par réflexion pour générer, à partir d'un rayon lumineux diffusé par la face supérieure, un premier signal de défauts et un second signal de rugosité ; b) une étape de capture sur une pluralité de pixels de l'intensité du second signal de rugosité ; Le procédé étant remarquable en ce qu'il comprend en outre : c) une étape de traitement pour comparer l'intensité captée par chaque pixel avec celles captées par des pixels voisins et définir si ledit pixel est inclus dans une zone anormale ; d) une étape d'extraction de l'écart-type des valeurs des intensités captées par les pixels de la zone anormale ; e) une étape de détermination de la taille du défaut de type trou relatif a la zone anormale, à partir de l'écart-type extrait. L'invention concerne également un dispositif de détection de défauts de type trou.

Description

PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE DÉFAUTS ET DISPOSITIF ASSOCIÉ DOMAINE DE 1/ INVENTION
La présente invention concerne le domaine de l'inspection de défauts situés sur la surface d'un substrat. Elle concerne en particulier un procédé de détection et de détermination de la taille de défauts de type trou dans une couche mince disposée sur un substrat, et un dispositif associé.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION
Le procédé et le dispositif selon la présente invention utilisent une technique bien connue de l'art antérieur pour identifier les défauts visibles en surface d'un substrat. Il s'agit de la microscopie en champ sombre par réflexion, représentée schématiquement à titre d'exemple en figure 1.
Cette technique consiste à projeter un rayon lumineux incident 1 sur la surface d'un substrat 4, par exemple, de manière oblique, selon un angle β par rapport à un plan P, parallèle à la surface du substrat à observer. Selon les modes de réalisation de l'art antérieur, il est également possible de projeter le rayon lumineux 1 de manière perpendiculaire à la surface d'un substrat 4 (également appelé mode normal). Le rayon lumineux incident 1 est ainsi dirigé en direction de la surface du substrat 4, par exemple à l'aide de miroirs plans 2 et/ou concaves 3 permettant de le concentrer sur la surface du substrat 4. En conséquence, si la surface du substrat à observer était un miroir plan sans défaut, le rayon lumineux incident 1 serait entièrement réfléchi par la surface du substrat 4 avec le même angle β (appelé rayon réfléchi « β » et illustré par la référence 1' sur la figure 1). Ainsi, le rayon lumineux incident 1 n'étant pas dévié, aucune lumière ne serait diffusée en direction d'un canal de collecte 5 au bout duquel se trouve un organe de détection 6 (tel qu'un photomultiplicateur) ; ce dernier détecte l'intensité lumineuse d'un rayon lumineux diffusé (c'est-à-dire réfléchi en dehors de la trajectoire du rayon réfléchi « β » 1') par la surface du substrat 4. Dans un tel cas, le dispositif de détection capterait une image sombre uniforme.
Dans le cas où la surface du substrat 4 à observer comporte des défauts, une partie du rayon lumineux incident 1 illuminant la surface du substrat 4 est diffusée par les défauts en direction du canal de collecte 5. L'organe de détection 6 capte ainsi l'intensité lumineuse, qui est transformée en données numériques, puis transmises à un moyen de traitement des données pour être affichées, par exemple, sur un écran 7. L'image obtenue est une représentation de défauts, situés sur la surface du substrat 4, de manière claire sur fond sombre.
Rappelons que l'éclairage en champ sombre par réflexion est particulièrement indiqué pour l'étude des surfaces. La microscopie en champ sombre par réflexion permet de minimiser la quantité de lumière directement transmise et de ne collecter que la lumière déviée ou diffusée par les défauts situés en surface du substrat 4. Elle permet alors d'augmenter considérablement le contraste de l'image illustrant les défauts, tout en ne nécessitant que peu d'équipement et une préparation simple du substrat 4. Toutefois, cette technique souffre d'une faible intensité lumineuse collectée et est toujours affectée par une limite de résolution.
Un domaine important d'application de ce type de technologie est celui de la microélectronique. En effet, dans l'industrie des semi-conducteurs, la microscopie par réflexion en champ sombre est utilisée pour le contrôle des surfaces de substrats, notamment pour détecter les particules issues de diverses sources de contamination. En constante évolution, cette industrie requiert des niveaux de qualité de produits de plus en plus élevés. Grâce à l'éclairage en champ sombre, principe utilisé par de nombreux équipements de métrologie, on peut détecter des particules de taille inférieure à 0,1 micron, notamment sur des substrats en silicium.
Les structures de type FDSOI (pour « Fully Depleted Silicon On Insulator » selon la terminologie anglo-saxonne) sont utilisées de manière croissante comme substrats pour la fabrication de composants. En plus des particules en surface, d'autres types de défauts peuvent être situés dans la couche superficielle de silicium constituant la couche utile de la structure SOI ; des défauts de type trou (également appelés « voids » selon la terminologie anglo-saxonne), c'est-à-dire correspondant à des zones dépourvues de ladite couche superficielle utile, peuvent notamment être présents dans la couche superficielle. Pour garantir le niveau de qualité des structures SOI, il est essentiel de savoir identifier et classifier les défauts de ce type, inférieurs à 500 microns (les défauts de taille supérieure à 500 microns pouvant être identifiés par d'autres techniques d'inspection visuelle). Et le niveau de qualité requis continuant à évoluer, la classification de défauts inférieurs à 250 microns de diamètre, voire 100 microns, sera même nécessaire dans un avenir proche. Ces défauts spécifiques aux structures SOI ont une signature en terme de rayon lumineux diffusé différente de celle des particules. Les solutions de l'état de l'art ne permettent pas de classer par taille de tels défauts : les mesures actuelles, obtenues grâce à des équipements de métrologie reconnus pour la mesure et le comptage de particules, donnent des résultats de classification de très faible précision, ce qui ne permet pas de trier de manière fiable les structures SOI selon le critère de taille de ces défauts « trous », pour qualifier leur niveau de qualité.
OBJET DE 1/ INVENTION
Un objet de l'invention est donc de proposer un procédé de détection obviant les inconvénients de l'art antérieur. Un objet de l'invention est notamment de proposer un procédé et un dispositif d'inspection de structures SOI permettant de détecter et de classifier par taille les défauts de type trou situés dans la couche superficielle utile.
BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION
La présente invention concerne un procédé de détermination de la taille d'un défaut de type trou sur une face supérieure d'une structure comprenant une couche superficielle disposée sur un substrat, ledit défaut étant situé dans la couche superficielle ; le procédé comprenant : a) une étape d'introduction de la structure dans un dispositif de microscopie en champ sombre par réflexion pour générer, à partir d'un rayon lumineux diffusé par la face supérieure, un premier signal de défauts et un second signal de rugosité ; b) une étape de capture sur une pluralité de pixels de l'intensité du second signal de rugosité.
Le procédé est remarquable en ce qu'il comprend en outre : c) une étape de traitement pour comparer l'intensité captée par chaque pixel avec celles captées par des pixels voisins et définir si ledit pixel est inclus dans une zone anormale ; d) une étape d'extraction de l'écart-type des valeurs des intensités captées par les pixels de la zone anormale ; e) une étape de détermination de la taille du défaut de type trou relatif à la zone anormale, à partir de l'écart-type extrait.
Le procédé selon l'invention permet ainsi, à partir d'un attribut spécifique de la zone anormale (1'écart-type des valeurs d'intensités captées par les pixels inclus dans ladite zone anormale), de déterminer la taille des défauts de type trou.
Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison : • le rayon lumineux diffusé est issu de la réflexion sur la face supérieure de la structure d'un rayon lumineux incident de direction oblique par rapport à un plan parallèle à ladite face ; • la structure se déplace selon au moins un axe de translation et/ou un axe de rotation sous le rayon lumineux incident pour permettre l'étape de capture b) ; • chaque pixel peut mesurer entre 20 microns et 1000 microns de côté ; • l'étape de détermination est réalisée par application d'une courbe de corrélation liant l'écart-type et la taille des défauts de type trou ; • la taille des défauts est mesurée sur des structures par microscopie électronique à balayage pour établir la courbe de corrélation ; • la courbe de corrélation s'applique à des défauts de type trou dont la taille est comprise entre 5 et 500 microns ; • l'étape de traitement définit qu'un pixel donné est inclus dans la zone anormale lorsque le ratio de l'intensité captée par le pixel donné et de l'intensité captée par au moins un pixel voisin est supérieur à un facteur prédéterminé ; • les pixels voisins du pixel donné sont compris dans une zone périphérique dudit pixel, présentant une forme annulaire ; • la forme annulaire présente un diamètre intérieur de 600 microns et un diamètre extérieur de 2500 microns. L'invention concerne également un dispositif de détection d'un défaut de type trou sur une face supérieure d'une structure comprenant une couche superficielle disposée sur un substrat, ledit défaut étant situé dans la couche superficielle ; le dispositif comprend : • un appareillage de microscopie en champ sombre par réflexion configuré pour projeter un rayon lumineux incident en direction de la face supérieure de la structure et pour collecter un rayon lumineux diffusé par la face supérieure ; • un organe de détection configuré pour générer, à partir du rayon lumineux diffusé, un premier signal de défauts et un second signal de rugosité, et pour capturer sur une pluralité de pixels, l'intensité du second signal de rugosité ;
Le dispositif est remarquable en ce qu'il comprend : • un premier organe de traitement, connecté à l'organe de détection, configuré pour comparer l'intensité captée par chaque pixel avec celles captées par des pixels voisins et définir si ledit pixel est inclus dans une zone anormale ; • un second organe de traitement configuré pour extraire l'écart-type des valeurs des intensités captées par les pixels de la zone anormale ; • une courbe de corrélation pour déterminer la taille du défaut de type trou relatif à la zone anormale, à partir de l'écart-type extrait.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : - la figure 1 présente une vue schématique d'un dispositif de microscopie en champ sombre par réflexion connu de l'art antérieur ; - la figure 2 présente une vue schématique du dispositif de détection de défauts selon l'invention ; - la figure 3 présente un exemple de défaut détecté grâce au dispositif et selon le procédé, conformes à l'invention ; - la figure 4 présente un autre exemple de défaut détecté grâce au dispositif et selon le procédé, conformes à l'invention ; - la figure 5 présente la courbe de corrélation entre la taille de défauts et l'écart-type des valeurs de l'intensité captée par les pixels inclus dans une zone anormale.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION
Les techniques d'inspection de défauts connues de l'art antérieur, utilisant un dispositif de microscopique en champ sombre par réflexion, ne permettent pas de déterminer précisément la taille des défauts de type trou présents notamment dans la couche superficielle de structures SOI, et plus particulièrement des défauts inférieurs à 500 μπι de diamètre. Rappelons qu'une structure SOI comprend une couche superficielle disposée sur un substrat support ; les défauts que l'on cherche à détecter sont des trous dans cette couche superficielle.
De manière non limitative, des modes de réalisation possibles respectivement du dispositif et du procédé de détection de défauts conformes à l'invention, et permettant de palier aux problématiques précédemment énoncées, vont maintenant être décrits en faisant référence aux figures 2 à 5.
Comme décrit précédemment, la microscopie en champ sombre par réflexion consiste à illuminer la face supérieure d'une structure 4 à l'aide d'au moins un rayon lumineux incident 1 dirigé selon un angle β défini par rapport à un plan P, parallèle à la face supérieure de la structure 4 à observer, tels qu'illustré en figure 2. L'angle β est compris entre 0 et 90°. Selon les modes de réalisation, le rayon lumineux incident 1 peut être configuré pour balayer partiellement ou totalement la face supérieure de la structure 4. De manière avantageuse, la structure 4 se déplace selon au moins un axe de translation et/ou un axe de rotation sous le rayon lumineux incident 1, pour permettre l'inspection de tout ou partie de sa face supérieure. Le rayon lumineux 1 est ainsi dirigé en direction de la face supérieure, par exemple, à l'aide d'une première série d'un ou plusieurs miroirs plans 2 et/ou concaves 3 permettant d'orienter et de concentrer le rayon lumineux incident 1 sur la surface à analyser. De manière non limitative, le rayon lumineux 1 peut être par exemple un faisceau laser.
La surface de la structure 4 peut comporter une ou des zones planes sans défaut ni rugosité et une ou des zones comprenant au moins un défaut (particule, défaut de type trou, rugosité...) .
Dans le cas où le rayon lumineux 1 est dirigé sur une zone plane et non rugueuse, il est entièrement réfléchi avec le même angle β que celui défini par l'orientation du rayon lumineux incident 1 par rapport au plan P. Ainsi, le rayon lumineux 1 n' est pas dévié de sa course et est évacué du dispositif (rayon réfléchi 1') à l'aide d'une deuxième série de miroirs plans 2 et/ou concaves 3.
Dans le cas où le rayon lumineux 1 arrive sur une zone comprenant au moins un défaut ou une zone rugueuse, au moins une partie du rayon lumineux 1 est réfléchie (rayon lumineux 1'') par le défaut en direction d'un canal de collecte 5. Une telle réflexion est essentiellement diffuse car le rayon lumineux incident 1 est réfléchi dans un grand nombre de directions. Dans la suite de la présente description, nous appellerons le rayon lumineux réfléchi par un défaut à la surface de la structure 4, rayon lumineux diffusé 1''.
Au bout du canal de collecte 5 se trouve un organe de détection 6 tel qu'un photomultiplicateur ; ce dernier détecte l'intensité du rayon lumineux 1'' diffusé. De manière non limitative, le canal d'observation 5 peut comporter un ou plusieurs filtres optiques et/ou lentilles pour diriger, concentrer ou filtrer le rayon lumineux 1'' diffusé vers le photomultiplicateur 6 selon les besoins de mise en application du dispositif de détection selon l'invention.
Une autre fonctionnalité, connu dans l'état de l'art, du photomultiplicateur 6 consiste à décomposer le rayon lumineux diffusé 1'' capté en deux signaux, un premier signal de défauts et un second signal de rugosité. Le premier signal permet notamment de détecter les défauts de type A (c'est-à-dire par exemple, des particules ou autres défauts faisant saillie au-dessus de la surface du substrat). Le second signal de rugosité permet de détecter notamment les défauts de type B (par exemple, le niveau de rugosité de la surface de la structure 4, ...) et est communément appelé signal de « haze » (« haze » traduisant l'état de surface, la rugosité, selon la terminologie anglo-saxonne). La décomposition de l'intensité du rayon lumineux diffusé 1'' en un premier signal de défauts et un second signal de rugosité dépend de seuils de sensibilité définis en fonction de la taille des défauts de type A et/ou du niveau de rugosité que l'on souhaite mesurer, des filtres optiques éventuellement mis en place, et du matériau qui constitue la couche superficielle de la structure 4 .
Le photomultiplicateur 6 est associé à un réseau d'une pluralité de pixels, non représenté. De manière non limitative, un pixel, habituellement en forme de carré, peut mesurer entre 20pm et lOOOpm de coté. Dans le présent mode de réalisation et à titre d'exemple, chaque pixel mesure 200pm*200pm.
Ainsi, le photomultiplicateur 6 peut capter l'intensité du second signal (de rugosité) sur chaque pixel pour la transformer en donnée numérique caractéristique de ladite intensité. On peut ainsi obtenir une image, à partir de la pluralité de pixels, des défauts de type B (la rugosité ou « haze »), directement transmise à un dispositif de représentation 7 de manière à représenter lesdits défauts, par exemple, sur un écran.
Le photomultiplicateur 6 du dispositif selon l'invention transmet le second signal de rugosité à un premier organe de traitement 8. Le rôle de ce premier organe 8 est de comparer l'intensité de ce second signal captée par chaque pixel avec celles captées par les pixels voisins afin de définir si ledit pixel fait partie d'une zone anormale.
Le premier organe de traitement 8 définit qu'un pixel donné est inclus dans une zone anormale lorsque le ratio de l'intensité captée par le pixel donné et de l'intensité captée par au moins un pixel voisin est supérieur à un facteur prédéterminé. Un pixel donné a pour voisins tous les pixels compris dans une zone périphérique présentant une forme annulaire et dont le pixel donné est le centre. Avantageusement, la forme annulaire a pour diamètre intérieur 600 microns et pour diamètre extérieur 2500 microns. Le facteur prédéterminé peut par exemple varier entre 1 et 20, avantageusement, entre 2 et 10. A tire d'exemple, il est égal à 4 ; une zone anormale comporte dans ce cas au moins un pixel captant une intensité lumineuse quatre fois plus intense que l'un de ses pixels voisins.
En présence d'un défaut de type trou, l'intensité du second signal de rugosité captée va varier d'un pixel à un autre. En particulier, la bordure de ce type de défaut consistant en une marche ou plusieurs niveaux de marche entre la surface de la couche superficielle et la surface du substrat sous-jacent, l'intensité du second signal relatif au rayon diffusé à cet endroit sera plus importante que l'intensité du second signal relatif au rayon diffusé dans une zone voisine plane de la couche superficielle. De la même façon, la partie centrale du défaut de type trou étant plus profonde que sa bordure, l'intensité du second signal relatif au rayon diffusé à cet endroit sera plus importante que celle au niveau de la bordure. Ce sont ces écarts d'intensité entre pixels voisins qui vont permettre de définir une zone anormale.
Les figures 3 et 4 présentent des illustrations de zones anormales 20 identifiées sur la face supérieure d'une structure 4. Chaque zone anormale 20 traduit la présence d'un défaut de type trou, situé dans la couche superficielle de la structure 4. La surface de la zone anormale 20 pourrait être extraite ; néanmoins, cette valeur corréle mal avec la taille réelle du défaut, définie par le contour 21.
Sur les figures 3 et 4, chaque valeur reportée dans la zone anormale 20 traduit l'intensité du second signal de rugosité du rayon lumineux diffusé 1'' captée par un pixel. A titre d'exemple, les pixels dans les parties centrales 22 des zones anormales 20 présentent des valeurs (normalisées) de 13 ppm ; les bordures du défaut (entre le contour 22 et le contour 21 illustrés sur la figure 3) montrent un dégradé d'intensité (valeurs (normalisées) entre 0,4 et 5 ppm, par exemple) traduisant une variation de profondeur du défaut. Dans la partie périphérique au défaut de la zone anormale 20 (à l'extérieur du contour 21 illustré sur la figure 3), les valeurs (normalisées) sont inférieures à 0,4 ppm.
La demanderesse a extrait l'écart-type desdites valeurs dans chaque zone anormale 20 identifiée et a démontré une bonne corrélation avec la taille réelle du défaut de type trou associé, la taille réelle du défaut ayant été mesurée, par ailleurs, par une technique de mesure fiable (par exemple la microscopie électronique à balayage). Cette corrélation qui n'était pas évidente au premier abord, s'explique par le fait qu'une zone anormale 20 comporte d'autant plus de pixels pour lesquels la valeur d'intensité est élevée que le défaut de type trou a une taille importante. Ainsi, l'écart-type de la distribution des valeurs d'intensité dans une zone anormale sera d'autant plus grand que le défaut sera grand : car l'écart-type sera influencé par le nombre de valeurs hautes qui tendra à élargir le profil de la distribution.
La figure 5 présente une courbe de corrélation entre l'écart-type des valeurs d'intensité du second signal du rayon lumineux diffusé 1'' et la taille de défauts de type trou. L'extraction des écart-types des valeurs normalisées (représentatives de l'intensité du second signal du rayon diffusé) reportées sur les zones anormales 20 des figures 3 et 4, respectivement 5,34ppm et l,84ppm, mène à la détermination de la taille des défauts de type trou, respectivement 1260 microns et 250 microns, à partir de la courbe de corrélation.
Dans l'exemple de la figure 5, des pixels de taille 200 x 200 microns ont été utilisés, on peut noter que la limite de corrélation apparaît pour des tailles de défauts de l'ordre et inférieures à 50 microns. En utilisant des tailles de pixels plus petites (par exemple 20 microns), la courbe de corrélation pourra présenter une bonne corrélation jusqu'à des tailles de défauts de l'ordre de 5 microns. Elle pourra également présenter une corrélation plus précise entre l'écart type et la taille des défauts de type trou.
Selon le dispositif de détection et le procédé de détermination de la taille des défauts de type trou de l'invention, il est possible de définir la taille d'un défaut de type trou avec un niveau de précision de l'ordre de +/-15%, et ce, pour des défauts de taille supérieure à environ 5pm.
Le dispositif selon l'invention comporte donc avantageusement un second organe de traitement 9, connecté au premier organe de traitement, permettant d'extraire l'écart-type des valeurs d'intensité captées par les pixels inclus dans la zone anormale 20. Ces valeurs peuvent alors être corrélées à la taille réelle du défaut de type trou relatif à la zone anormale 20 identifiée, grâce à l'application de la table ou courbe de corrélation. Il peut également comporter un organe de représentation 7 de l'image de la zone anormale 20 correspondant à un défaut de type trou, situé sur la face supérieure de la structure 4, par exemple de manière claire sur fond sombre.
Avantageusement, le dispositif selon l'invention peut être connecté à un système de tri automatique, qui sur la base des tailles de défauts de type trou (déterminées à partir de l'écart-type des intensités dans chaque zone anormale identifiée sur une structure 4), établira un niveau de qualité pour ladite structure 4.
Le dispositif et le procédé selon l'invention permettent de contrôler l'état de surface d'une structure 4, de déterminer la taille de défauts de type trou dans la couche superficielle et ainsi de définir un niveau de qualité relatif à la taille de ces défauts.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications.

Claims (11)

  1. REVENDICATIONS
    1. Procédé de détermination de la taille d'un défaut de type trou sur une face supérieure d'une structure (4) comprenant une couche superficielle disposée sur un substrat, ledit défaut étant situé dans la couche superficielle ; le procédé comprenant : a) une étape d'introduction de la structure (4) dans un dispositif de microscopie en champ sombre par réflexion pour générer, à partir d'un rayon lumineux (1'') diffusé par la face supérieure, un premier signal de défauts et un second signal de rugosité ; b) une étape de capture sur une pluralité de pixels de l'intensité du second signal de rugosité ; le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre : c) une étape de traitement pour comparer l'intensité captée par chaque pixel avec celles captées par des pixels voisins et définir si ledit pixel est inclus dans une zone anormale ; d) une étape d'extraction de l'écart-type des valeurs des intensités captées par les pixels de la zone anormale ; e) une étape de détermination de la taille du défaut de type trou relatif à la zone anormale, à partir de l'écart-type extrait.
  2. 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le rayon lumineux diffusé (1'') est issu de la réflexion sur la face supérieure de la structure (4) d'un rayon lumineux incident 1 de direction oblique par rapport à un plan (P) parallèle à ladite face.
  3. 3. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la structure se déplace selon au moins un axe de translation et/ou un axe de rotation sous le rayon lumineux incident (1) pour permettre l'étape de capture b).
  4. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque pixel peut mesurer entre 20 microns et 1000 microns de côté.
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape de détermination est réalisée par application d'une courbe de corrélation liant l'écart-type et la taille des défauts de type trou.
  6. 6. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la taille des défauts est mesurée sur des structures (4) par microscopie électronique à balayage pour établir la courbe de corrélation.
  7. 7. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la courbe de corrélation s'applique à des défauts de type trou dont la taille est comprise entre 5 et 500 microns.
  8. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape de traitement définit qu'un pixel donné est inclus dans la zone anormale lorsque le ratio de l'intensité captée par le pixel donné et de l'intensité captée par au moins un pixel voisin est supérieur à un facteur prédéterminé.
  9. 9. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel les pixels voisins du pixel donné sont compris dans une zone périphérique dudit pixel, présentant une forme annulaire.
  10. 10. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la forme annulaire présente un diamètre intérieur de 600 microns et un diamètre extérieur de 2500 microns.
  11. 11. Dispositif de détection d'un défaut de type trou sur une face supérieure d'une structure (4) comprenant une couche superficielle disposée sur un substrat, ledit défaut étant situé dans la couche superficielle ; le dispositif comprenant : • un appareillage de microscopie en champ sombre par réflexion configuré pour projeter un rayon lumineux incident (1) en direction de la face supérieure de la structure (4) et pour collecter un rayon lumineux (1'') diffusé par la face supérieure ; • un organe de détection (6) configuré pour générer, à partir du rayon lumineux diffusé (1''), un premier signal de défauts et un second signal de rugosité, et pour capturer sur une pluralité de pixels, l'intensité du second signal de rugosité ; le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend : • un premier organe de traitement (8), connecté à l'organe de détection, configuré pour comparer l'intensité captée par chaque pixel avec celles captées par des pixels voisins et définir si ledit pixel est inclus dans une zone anormale ; • un second organe de traitement (9) configuré pour extraire l'écart-type des valeurs des intensités captées par les pixels de la zone anormale ; • une courbe de corrélation pour déterminer la taille du défaut de type trou relatif à la zone anormale, à partir de l'écart-type extrait.
FR1562233A 2015-12-11 2015-12-11 Procede de detection de defauts et dispositif associe Active FR3045156B1 (fr)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1562233A FR3045156B1 (fr) 2015-12-11 2015-12-11 Procede de detection de defauts et dispositif associe
TW105138739A TWI713638B (zh) 2015-12-11 2016-11-24 缺陷檢測方法及相關裝置
JP2016229308A JP6776492B2 (ja) 2015-12-11 2016-11-25 欠陥を検出するための方法及び関連する装置
CN201611113931.8A CN107036531B (zh) 2015-12-11 2016-12-07 确定空洞型缺陷的尺寸的方法和检测空洞型缺陷的装置
DE102016224467.1A DE102016224467A1 (de) 2015-12-11 2016-12-08 Verfahren zur Erkennung von Defekten und dazugehörige Vorrichtung
KR1020160167731A KR20170069946A (ko) 2015-12-11 2016-12-09 결함들을 검출하기 위한 방법 및 연관된 디바이스
US15/374,902 US10509214B2 (en) 2015-12-11 2016-12-09 Method for detecting defects and associated device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1562233A FR3045156B1 (fr) 2015-12-11 2015-12-11 Procede de detection de defauts et dispositif associe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3045156A1 true FR3045156A1 (fr) 2017-06-16
FR3045156B1 FR3045156B1 (fr) 2017-12-22

Family

ID=55182459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1562233A Active FR3045156B1 (fr) 2015-12-11 2015-12-11 Procede de detection de defauts et dispositif associe

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10509214B2 (fr)
JP (1) JP6776492B2 (fr)
KR (1) KR20170069946A (fr)
CN (1) CN107036531B (fr)
DE (1) DE102016224467A1 (fr)
FR (1) FR3045156B1 (fr)
TW (1) TWI713638B (fr)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3073287A1 (fr) * 2017-08-18 2019-02-21 Somadetect Inc. Procedes et systemes d'evaluation de l'etat de sante d'un mammifere en lactation
US10712292B2 (en) * 2018-03-29 2020-07-14 The Boeing Company Backscatter x-ray inspection system for pipes
US10295476B1 (en) * 2018-08-14 2019-05-21 Applied Materials Israel Ltd. System and method for multiple mode inspection of a sample
CN110837717B (zh) * 2019-11-06 2022-09-06 成都数之联科技股份有限公司 一种基于Map图的玻璃面板多元缺陷根因分析方法
CN110806412A (zh) * 2019-11-15 2020-02-18 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于光学元件的缺陷尺寸检测方法及***
CN111595850B (zh) * 2020-04-27 2022-07-15 平安科技（深圳）有限公司 切片缺陷检测方法、电子装置及可读存储介质
US11733172B2 (en) * 2020-05-15 2023-08-22 Kla Corporation Apparatus and method for rotating an optical objective
CN112345544A (zh) * 2020-09-24 2021-02-09 海克斯康制造智能技术(青岛)有限公司 多功能连杆自动化检测线
CN112347527B (zh) * 2020-11-09 2022-06-03 武汉科技大学 一种用于暗场缺陷检测的光罩掩模板图形设计方法
CN113534430B (zh) * 2021-06-08 2023-10-10 浙江工商职业技术学院 一种金相显微镜用暗场聚光镜的设计方法及装置
CN115546568B (zh) * 2022-12-01 2023-03-10 合肥中科类脑智能技术有限公司 绝缘子缺陷检测方法、***、设备及存储介质

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020088952A1 (en) * 2000-11-15 2002-07-11 Rao Nagaraja P. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US6724947B1 (en) * 2000-07-14 2004-04-20 International Business Machines Corporation Method and system for measuring characteristics of curved features
US20040235206A1 (en) * 2003-05-19 2004-11-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for enabling robust separation between signals of interest and noise
US20080027665A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Hitachi High-Technologies Corporation Surface inspection apparatus and surface inspection method
US20090140180A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
EP2128701A1 (fr) * 2008-05-30 2009-12-02 ASML Netherlands BV Méthode de détermination de défauts dans un substrat et appareil pour exposer un substrat dans un procédé de lithographie
US20110161014A1 (en) * 2009-12-28 2011-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-pattern wafer inspection device
US20110176718A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-21 Hitachi, Ltd. Apparatus for evaluating degradation of pattern features
US20120019835A1 (en) * 2009-02-27 2012-01-26 Toshiyuki Nakao Defect inspecting method and defect inspecting apparatus
US20150131087A1 (en) * 2012-05-16 2015-05-14 Hitachi High- Technologies Corporation Inspection system

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803388B2 (ja) * 1991-04-26 1998-09-24 三菱電機株式会社 部品検査装置
US6157444A (en) * 1997-11-28 2000-12-05 Hitachi, Ltd. Defect inspection apparatus for silicon wafer
JPH11237226A (ja) * 1997-11-28 1999-08-31 Hitachi Ltd 欠陥検査装置
JP2003098111A (ja) * 2000-09-21 2003-04-03 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
US8965075B2 (en) * 2002-09-16 2015-02-24 Imatx, Inc. System and method for predicting future fractures
US7840247B2 (en) * 2002-09-16 2010-11-23 Imatx, Inc. Methods of predicting musculoskeletal disease
US7557910B2 (en) * 2004-12-19 2009-07-07 Kla-Tencor Corporation System and method for controlling a beam source in a workpiece surface inspection system
US7990546B2 (en) * 2007-07-16 2011-08-02 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput across-wafer-variation mapping
US8223327B2 (en) * 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
EP2443651B1 (fr) * 2009-06-19 2015-08-12 KLA-Tencor Corporation Systèmes d'inspection et procédés pour détecter des défauts sur des ébauches de masque dans le domaine ultraviolet extrême
US8781070B2 (en) * 2011-08-11 2014-07-15 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Detection of wafer-edge defects
JP2013117490A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Olympus Corp 検査システム及びレシピ設定方法
EP2828646B1 (fr) * 2012-03-20 2022-05-04 KLA-Tencor Corporation Utilisation de cartes réfléchies et d'émission pour détecter une dégradation de réticule
US9714827B2 (en) * 2012-07-05 2017-07-25 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system, device manufacturing method and substrate
US8830464B2 (en) * 2012-11-06 2014-09-09 Kla-Tencor Corporation Film thickness, refractive index, and extinction coefficient determination for film curve creation and defect sizing in real time
US9341580B2 (en) * 2014-06-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Linear inspection system
US9797846B2 (en) * 2015-04-17 2017-10-24 Nuflare Technology, Inc. Inspection method and template
EP3427183A1 (fr) * 2016-03-10 2019-01-16 Genomic Vision Procédé de détection et d'analyse de signal curviligne, et plate-forme associée

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6724947B1 (en) * 2000-07-14 2004-04-20 International Business Machines Corporation Method and system for measuring characteristics of curved features
US20020088952A1 (en) * 2000-11-15 2002-07-11 Rao Nagaraja P. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US20040235206A1 (en) * 2003-05-19 2004-11-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for enabling robust separation between signals of interest and noise
US20080027665A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Hitachi High-Technologies Corporation Surface inspection apparatus and surface inspection method
US20090140180A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
EP2128701A1 (fr) * 2008-05-30 2009-12-02 ASML Netherlands BV Méthode de détermination de défauts dans un substrat et appareil pour exposer un substrat dans un procédé de lithographie
US20120019835A1 (en) * 2009-02-27 2012-01-26 Toshiyuki Nakao Defect inspecting method and defect inspecting apparatus
US20110161014A1 (en) * 2009-12-28 2011-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-pattern wafer inspection device
US20110176718A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-21 Hitachi, Ltd. Apparatus for evaluating degradation of pattern features
US20150131087A1 (en) * 2012-05-16 2015-05-14 Hitachi High- Technologies Corporation Inspection system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MANN N ET AL: "Reducing disorder-induced losses for slow-light photonic crystal waveguides through Bloch mode engineering", CLEO: 2013, THE OPTICAL SOCIETY, 9 June 2013 (2013-06-09), pages 1 - 2, XP032602694 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW201727218A (zh) 2017-08-01
US20170168279A1 (en) 2017-06-15
FR3045156B1 (fr) 2017-12-22
TWI713638B (zh) 2020-12-21
JP2017129569A (ja) 2017-07-27
US10509214B2 (en) 2019-12-17
DE102016224467A1 (de) 2017-06-14
JP6776492B2 (ja) 2020-10-28
CN107036531A (zh) 2017-08-11
CN107036531B (zh) 2020-07-10
KR20170069946A (ko) 2017-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3045156A1 (fr) Procede de detection de defauts et dispositif associe
EP2888552B1 (fr) Procede et dispositif pour controler la revelation de structures enterrees sur des objets tels que des wafers
EP3211367B1 (fr) Dispositif microscope confocal chromatique
CA2898641C (fr) Procede de reglage de la position relative d'un analyte par rapport a un faisceau lumineux
EP2556164B1 (fr) Procédé de détection d'amas de particules biologiques.
FR3027392A1 (fr) Procede et ensemble de verification de la calibration d'un systeme de controle non destructif de pieces.
WO2016120276A1 (fr) Procédés et dispositifs de détection de la contamination surfacique par des particules évoluant en air libre
WO2019134887A1 (fr) Procede et systeme d'inspection optique d'un substrat
EP3341678B1 (fr) Procédé et dispositif de contrôle d'un fil de découpe à abrasifs liés
EP2742320B1 (fr) Procede et appareil optoelectronique pour mesurer le diametre interne d'un corps creux
WO2019135060A1 (fr) Système d'imagerie holographique et procédé d'analyse par imagerie holographique avec détection de défauts dans la chambre d'observation
EP0908986A2 (fr) Disque amplificateur laser et procédé de contrÔle du collage du disque
WO2010034955A1 (fr) Mise au point d'un microscope a reflexion
BE1028508B1 (fr) Sonde pour analyse spectroscopique d'objets individuels en défilement
WO2023152458A1 (fr) Procede de suivi de fragilisation d'une interface entre un substrat et une couche et dispositif permettant un tel suivi
EP1676125B1 (fr) Procede et dispositif optoelectronique d inspection d une surface de revolution d un recipient
FR3128022A1 (fr) Dispositif et procédé opto-informatique d’analyse en lumière traversante d’un récipient en verre à l’aide d’une caméra numérique polarimétrique
FR3131959A1 (fr) Procédé de détection d’objets biologiques par imagerie par résonance plasmonique de surface
FR2911429A1 (fr) "procede et systeme de detection d'amas de defauts a la surface d'un substrat"

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20170616

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9