KR20170006264A - 기판 반송 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 반송 스루풋을 향상시킬 수 있으며, 기판의 추가적인 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있는 기판 반송 방법을 제공한다.
웨이퍼(W)의 기판 처리실(15)에의 반송 경로에 배치된 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 상방을 웨이퍼(W)의 엣지에 통과시킴으로써, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 4개의 엣지 교차점이 취득되고, 4개의 엣지 교차점으로부터 인접한 2개의 엣지 교차점으로 이루어지는 기준 엣지 교차점의 세트가 작성되며, 기준 엣지 교차점의 세트를 구성하지 않는 나머지 2개의 엣지 교차점 중, 기준 엣지 교차점의 세트를 구성하는 2개의 엣지 교차점에 기초하여 규정된 2개의 원에 의해 둘러싸인 영역 내에 존재하는 엣지 교차점이 유효 엣지 교차점으로서 또한 선별되고, 기준 엣지 교차점 및 유효 엣지 교차점을 통과하는 원의 중심 위치가 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 취득된다.

Description

기판 반송 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE CONVEYANCE METHOD, PROGRAM, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 반송 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히, 기판의 어긋남을 보정하는 기판 반송 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
통상, 기판 처리 장치는 도 14에 나타내는 바와 같이, 기판으로서의 원판형의 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 함)(W)를 반송하는 반송 로봇(140)을 내장한 기판 반송실(141)과, 그 기판 반송실(141)의 둘레에 방사형으로 배치된 복수의 기판 처리실(142)을 구비한다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 반송 로봇(140)이 각 기판 처리실(142)에 대하여 웨이퍼(W)를 반출반입한다.
그런데, 웨이퍼(W)는 기판 처리실(142)에 배치된 배치대(143)에 배치되는데, 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리 등을 실시하는 경우, 배치대(143)에 있어서 웨이퍼(W)를 소정의 위치에 정확하게 배치할 필요가 있다. 그래서, 기판 처리 장치에서는, 기판 반송실(141)의 내부에 웨이퍼(W)의 위치를 취득하는 위치 센서(144)를 배치하고, 반송 로봇(140)에 의해 웨이퍼(W)를 위치 센서(144)까지 반송하여 웨이퍼(W)의 위치를 취득한다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 그 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(142)에 반입할 때, 취득된 웨이퍼(W)의 위치에 기초하여 웨이퍼(W)의 위치를 보정한다.
일본 특허 공개 제2007-211317호 공보
그러나, 도 14에 나타내는 바와 같이, 위치 센서(144)는 각 기판 처리실(142)로부터 떨어진 위치에 배치되기 때문에, 위치 센서(144)에 의해 웨이퍼(W)의 위치를 취득한 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(142)로 이동시키기 위해 일정 시간을 요하며, 그 결과, 스루풋이 저하한다고 하는 문제가 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 위치 센서(144)로부터 기판 처리실(142)로 이동시키기까지의 반송 경로가 길어지고, 또한 그 반송 경로에 있어서 웨이퍼(W)의 진로가 크게 변경되기 때문에, 위치 센서(144)에 의해 위치가 취득된 웨이퍼(W)의 위치가 반송중에 더욱 어긋난다고 하는 문제도 있다.
본 발명의 목적은, 기판 반송 스루풋을 향상시킬 수 있으며, 기판의 추가적인 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있는 기판 반송 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기판 반송 방법은, 원판형의 기판을 반송 수단에 의해 기판 처리실로 반송하는 기판 반송 방법으로서, 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하는 공정과, 상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과, 상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하는 공정을 포함하며, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은, 상기 기판의 반송 경로에 있어서, 2개의 위치 센서를 상기 기판의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격하고, 또한 상기 기판에 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 2개의 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 4개의 교차점을 취득하는 공정과, 상기 4개의 교차점 중 2개의 교차점을 기준 교차점으로서 선택하는 공정과, 상기 2개의 기준 교차점을 통과하며 또한 서로 직경이 상이한 2개의 원을 규정하는 공정과, 상기 4개의 교차점으로부터 상기 기준 교차점으로서 선택되지 않은 2개의 교차점 중 상기 2개의 원에 의해 둘러싸인 영역 내에 존재하는 교차점을 선별하고, 상기 선별된 교차점 및 상기 2개의 기준 교차점에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기판 반송 방법은, 원판형의 기판을 반송 수단에 의해 기판 처리실로 반송하는 기판 반송 방법으로서, 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하는 공정과, 상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과, 상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하는 공정을 포함하며, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은, 상기 기판의 반송 경로에 있어서, 2개의 위치 센서를 상기 기판의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격하고, 또한 상기 반송되는 기판에 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 2개의 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 4개의 교차점을 취득하는 공정과, 상기 4개의 교차점으로부터 3개의 교차점으로 이루어지는 교차점의 조합을 복수개 작성하는 공정과, 각 상기 조합에 있어서 상기 3개의 교차점을 통과하는 원을 규정하는 공정과, 상기 규정된 원 중, 상기 반송되는 기판의 직경에 가장 가까운 직경을 갖는 원에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기판 반송 방법은, 원판형의 기판을 반송 수단에 의해 기판 처리실로 반송하는 기판 반송 방법으로서, 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하는 공정과, 상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과, 상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정과, 상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하는 공정을 포함하며, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은, 상기 기판의 반송 경로에 있어서, 위치 센서를 상기 반송되는 기판에 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 2개의 교차점을 취득하는 공정과, 상기 2개의 교차점 및 상기 반송되는 기판의 반경에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 기하학적으로 취득하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판 반송 스루풋을 향상시킬 수 있으며, 기판의 추가적인 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 반송 로봇의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에 있어서의 센서쌍에 의한 웨이퍼의 엣지의 통과 검지 타이밍 에 대해서 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 실시형태에 있어서의 우측 센서의 위치 및 좌측 센서의 위치의 취득 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 있어서의 웨이퍼 위치 보정 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 6은 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로의 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 있어서의 웨이퍼 및 위치 센서의 상대적인 이동을 설명하기 위한 도면이며, 도 7의 (A)는 반송 로봇 좌표계에 있어서의 웨이퍼의 이동을 나타내고, 도 7의 (B)는 웨이퍼 좌표계에 있어서의 위치 센서의 이동을 나타낸다.
도 8은 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼의 중심 위치의 취득 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 있어서의 웨이퍼 위치 보정 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시형태에 있어서의 웨이퍼 및 위치 센서의 상대적인 이동을 설명하기 위한 도면이며, 도 10의 (A)는 반송 로봇 좌표계에 있어서의 웨이퍼의 이동을 나타내고, 도 10의 (B)는 웨이퍼 좌표계에 있어서의 위치 센서의 이동을 나타낸다.
도 11은 본 실시형태에 있어서의 엣지 교차점의 선별 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 있어서의 웨이퍼 위치 보정 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 13은 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼의 중심 위치의 취득 방법의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 종래의 기판 처리 장치로서의 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 제1 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 1에 있어서, 플라즈마 처리 장치(10)는 예컨대 직경이 φ300 ㎜인 웨이퍼(W)를 소정 매수 수용한 캐리어인 후프(도시하지 않음)를 배치하기 위해 마련된 3개의 로드 포트(11)를 구비한다.
이 플라즈마 처리 장치(10)에는, 로드 포트(11)에 인접하며, 후프에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하기 위한 로더실(12)이 배치된다. 로더실(12)의 내부는 항상 대기압 분위기이고, 로더실(12) 내에는 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 로봇(도시하지 않음)이 배치되어 있다.
또한, 로더실(12)을 사이에 두고 로드 포트(11)의 반대측에는, 기판 전달실로서의 2개의 로드록실(13)이 배치되어 있다. 로더실(12)은 로드 포트(11)에 배치된 후프와 로드록실(13) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 로드록실(13)은 그 내부가 선택적으로 진공 분위기 또는 대기압 분위기로 전환 가능하게 구성되고, 로드록실(13)의 내부는 로더실(12)과 연통할 때에는 대기압 분위기가 되며, 후술하는 기판 반송실(14)과 연통할 때에는 진공 분위기가 된다. 로드록실(13)은 로더실(12)과 기판 반송실(14) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 중간 반송실로서의 역할을 담당한다.
로드록실(13)을 사이에 두고, 로더실(12)의 반대측에는 예컨대 평면에서 보아 오각형을 나타내는 기판 반송실(14)이 배치된다. 기판 반송실(14)의 둘레에는 방사형으로 배치되어 기판 반송실(14)에 접속되는 6개의 기판 처리실(15)이 배치되어 있다. 기판 반송실(14)의 내부는 항상 소정의 진공도로 유지되고, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 로봇(16)이 배치되어 있다. 반송 로봇(16)은 각 기판 처리실(15) 사이나 기판 처리실(15)과 로드록실(13) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 그 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성 요소의 동작을 제어하는 제어부(17)를 구비한다. 제어부(17)는 CPU나 메모리 등을 가지고, CPU는 메모리 등에 저장된 프로그램에 따라 후술하는 기판 반송 방법을 실행한다.
플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 각 기판 처리실(15) 및 기판 반송실(14)은 게이트 밸브(18)를 통해 접속되고, 게이트 밸브(18)는 각 기판 처리실(15) 및 기판 반송실(14)의 연통을 제어한다. 각 기판 처리실(15)의 내부는 소정의 진공도로 진공으로 유지되며, 웨이퍼(W)를 내부에 배치된 배치대(19)에 배치하여, 그 웨이퍼(W)에 소정의 플라즈마 처리, 예컨대, 플라즈마 에칭 처리를 실시한다.
도 2는 도 1에 있어서의 반송 로봇의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2에 있어서, 반송 로봇(16)은 수평면 내에서 회전 가능한, 평면에서 보아 대략 삼각형의 대좌(20)와, 그 대좌(20)에 대하여 수평 방향으로 신축 가능한 다관절 아암(21)과, 다관절 아암(21)의 선단에 부착되어 웨이퍼(W)를 배치하는 평면에서 보아 대략 U자형의 포크(22)를 갖는다. 또한, 대좌(20)는 수평 방향, 구체적으로는 도 1의 상하 방향으로 이동 가능하게도 구성된다. 반송 로봇(16)은 대좌(20)의 회전 및 이동 및 다관절 아암(21)의 신축의 각각을 실행하는 3개의 모터(도시하지 않음)를 내장하며, 대좌(20)의 회전 및 이동 및 다관절 아암(21)의 신축에 의해, 포크(22)에 배치된 웨이퍼(W)를 원하는 부분에 반송한다.
그런데, 기판 처리실(15)에서 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리 등을 실시하는 경우, 배치대(19)에 있어서 웨이퍼(W)를 소정의 위치에 정확하게 배치할 필요가 있지만, 웨이퍼(W)의 위치는 로더실(12)에 부수되는 얼라인먼트실(도시하지 않음)에 의해 조정되기 때문에, 웨이퍼(W)를 로더실(12)로부터 로드록실(13)을 통해 기판 처리실(15)로 반송할 때에, 웨이퍼(W)에 작용하는 관성 모멘트 등에 의해 웨이퍼(W)의 위치가 원하는 위치, 예컨대, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 포크(22)의 무게 중심 위치로부터 어긋날 가능성이 있다. 그 때문에, 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 웨이퍼(W)의 원하는 위치로부터의 어긋남(이하, 단순히 「위치 어긋남」이라고 함)을 산출하고, 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 웨이퍼(W)의 위치를 보정할 필요가 있다.
위치 어긋남의 해소에 관하여, 배치대(19)는 웨이퍼(W)의 위치를 보정하는 기능을 갖고 있지 않기 때문에, 웨이퍼(W)의 위치는 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 그 반송 로봇(16)에 의해 보정될 필요가 있다. 구체적으로는, 반송 로봇(16)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 경로를 수정할 필요가 있기 때문에, 본 실시형태에서는, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이 산출된 후, 웨이퍼(W)의 반송 경로가 수정된다. 또한, 위치 어긋남의 산출에 관하여, 기판 처리실(15)로 반송되는 웨이퍼(W)의 위치를 측정(취득)할 필요가 있기 때문에, 본 실시형태에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 반송실(14)의 내부에 있어서 각 기판 처리실(15)의 앞, 보다 구체적으로는, 각 게이트 밸브(18)에 대향하도록 2개의 위치 센서로 이루어지는 센서쌍(23)이 배치된다. 이하, 하나의 센서쌍(23)에 있어서 기판 처리실(15)을 향하여 우측의 위치 센서를 우측 센서(23a)라고 칭하고, 기판 처리실(15)을 향하여 좌측의 위치 센서를 좌측 센서(23b)라고 칭한다.
각 센서쌍(23)에 있어서, 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)는 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격되고, 모두 반송 로봇(16)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 이면에 대향하도록 배치된다. 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 각각은, 상방에 있어서의 웨이퍼(W)의 외측 가장자리(이하, 단순히 「엣지」라고 함)의 통과를 검지한다. 제어부(17)는 웨이퍼(W)의 엣지가 우측 센서(23a)나 좌측 센서(23b)의 상방을 통과하였을 때의 웨이퍼(W)의 반송 로봇(16)의 위치, 구체적으로는, 포크(22)의 무게 중심 위치를 반송 로봇(16)의 3개의 모터의 인코더값으로부터 산출한다.
도 3은 도 1에 있어서의 센서쌍에 의한 웨이퍼의 엣지의 통과 검지 타이밍에 대해서 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 본 실시형태에 있어서의 우측 센서의 위치 및 좌측 센서의 위치의 취득 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 있어서, 센서쌍(23)이 웨이퍼(W)의 반송 방향(도면 중의 화살표)에 대하여 우측으로 오프셋되어 있는 경우, 먼저, 웨이퍼(W)의 좌측 엣지가 좌측 센서(23b)의 상방을 통과하고, 이때의 포크(22)의 무게 중심 위치(24a)가 산출된다[도 3의 (B)]. 계속해서, 웨이퍼(W)의 우측 엣지가 우측 센서(23a)의 상방을 통과하고, 이때의 포크(22)의 무게 중심 위치(24b)가 산출된다[도 3의 (C)]. 그 후, 재차, 웨이퍼(W)의 우측 엣지가 우측 센서(23a)의 상방을 통과하고, 이때의 포크(22)의 무게 중심 위치(24c)가 산출되며[도 3의 (D)], 또한, 재차, 웨이퍼(W)의 좌측 엣지가 좌측 센서(23b)의 상방을 통과하고, 이때의 포크(22)의 무게 중심 위치(24d)가 산출된다[도 3의 (E)]. 즉, 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과할 때, 4개의 포크(22)의 무게 중심 위치(24a∼24d)가 산출된다.
다음에, 도 4에 있어서, 반송 로봇(16)의 포크(22)의 무게 중심 위치의 이동을 나타내는 좌표계(이하, 「반송 로봇 좌표계」라고 함)에 있어서 산출된 4개의 포크(22)의 무게 중심 위치를 플로팅하고, 먼저, 좌측 센서(23b)가 웨이퍼(W)의 좌측 엣지를 통과하였을 때의 포크(22)의 무게 중심 위치(24a, 24d)를 중심으로 웨이퍼(W)의 반경과 동일한 반경(r)의 2개의 원(25a, 25d)(도면에서 일점 쇄선으로 나타냄)을 그려, 2개의 원(25a, 25d)의 교차점을 반송 로봇 좌표계에 있어서의 좌측 센서(23b)의 위치(26b)로서 취득한다. 또한, 우측 센서(23a)가 웨이퍼(W)의 우측 엣지를 통과하였을 때의 포크(22)의 무게 중심 위치(24b, 24c)를 중심으로 웨이퍼(W)의 반경과 동일한 반경(r)의 2개의 원(25b, 25c)(도면에서 이점 쇄선으로 나타냄)을 그려, 2개의 원(25b, 25c)의 교차점을 반송 로봇 좌표계에 있어서의 우측 센서(23a)의 위치(26a)로서 취득한다.
도 5는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 있어서의 웨이퍼 위치 보정 처리를 나타내는 흐름도이다.
본 실시형태에서는, 도 5의 처리는 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 반송할 때마다 실행되지만, 도 5의 처리의 실행 전에, 미리 반송 로봇 좌표계에 있어서의 우측 센서(23a)의 위치 및 좌측 센서(23b)의 위치를 각각 기준 우측 센서 위치 및 기준 좌측 센서 위치로서 취득하는 것을 전제로 한다. 또한, 기준 우측 센서 위치 및 기준 좌측 센서 위치의 취득 방법으로서는, 전술한 도 4의 취득 방법을 이용할 수도 있다.
먼저, 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 반송하고, 그 반송되는 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과할 때, 전술한 바와 같이, 포크(22)의 무게 중심 위치(24a∼24d)를 산출하며, 처음에, 도 4의 취득 방법을 이용하여 무게 중심 위치(24b, 24c)로부터 우측 센서(23a)의 위치(26a)를 취득한다(단계 S51).
계속해서, 기준 우측 센서 위치[미리 취득된 반송 로봇 좌표계에 있어서의 우측 센서(23a)의 위치] 및 우측 센서(23a)의 위치(26a)의 차분(위치 어긋남)을 산출한다(단계 S52). 여기서, 우측 센서(23a)의 위치(26a)는 우측 센서(23a)와 웨이퍼(W)의 우측 엣지가 교차하는 위치에 좌우되고, 또한, 그 교차하는 위치는 반송되는 웨이퍼(W)의 위치에 좌우된다. 따라서, 우측 센서(23a)의 위치(26a)에는 반송되는 웨이퍼(W)의 위치가 반영되기 때문에, 기준 우측 센서 위치 및 우측 센서(23a)의 위치(26a)의 위치 어긋남은 웨이퍼(W)의 위치 어긋남에 대응한다. 그래서, 본 실시형태에서는, 기준 우측 센서 위치 및 우측 센서(23a)의 위치(26a)의 위치 어긋남[기준 우측 센서 위치에 대한 우측 센서(23a)에 의해 검출된 위치(26a)의 위치 어긋남]을 웨이퍼(W)의 위치 어긋남으로 간주한다.
계속해서, 도 4의 취득 방법을 이용하여 무게 중심 위치(24a, 24d)로부터 좌측 센서(23b)의 위치(26b)를 취득하고(단계 S53), 더욱, 기준 좌측 센서 위치[미리 취득된 반송 로봇 좌표계에 있어서의 좌측 센서(23b)의 위치] 및 좌측 센서(23b)의 위치(26b)의 차분(위치 어긋남)을 산출한다(단계 S54). 좌측 센서(23b)의 위치(26b)에도 반송되는 웨이퍼(W)의 위치가 반영되기 때문에, 본 실시형태에서는, 기준 좌측 센서 위치 및 좌측 센서(23b)의 위치(26b)의 위치 어긋남을 웨이퍼(W)의 위치 어긋남[기준 좌측 센서 위치에 대한 좌측 센서(23b)에 의해 검출된 위치(26b)의 위치 어긋남]으로 간주한다.
계속해서, 기준 우측 센서 위치에 대한 우측 센서(23a)에 의해 검출된 위치(26a)의 위치 어긋남 및 기준 좌측 센서 위치에 대한 좌측 센서(23b)에 의해 검출된 위치(26b)의 위치 어긋남을 평균화하고(단계 S55), 그 평균화된 위치 어긋남을 웨이퍼(W)의 위치를 보정할 때에 이용하는 웨이퍼(W)의 위치 어긋남(이하, 「보정용 위치 어긋남」이라고 함)(δ)으로서 취득한다.
그 후, 취득된 보정용 위치 어긋남(δ)에 기초하여 웨이퍼(W)의 반송 경로를 수정한다(단계 S56). 구체적으로는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반송 경로(33)에 있어서의 당초의 목표 위치(33a)로부터 보정용 위치 어긋남(δ)만큼 오프셋시킨 수정 목표 위치(33b)를 향하여 웨이퍼(W)가 반송되도록 웨이퍼(W)의 반송 경로를 수정한다. 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정은 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과하여 웨이퍼(W)의 위치 어긋남(δ)이 취득된 후부터 수정 목표 위치(33b)에 이르기까지의 동안에 걸쳐 행해지며, 웨이퍼(W)에 가해지는 힘의 변화를 완만하게 하도록 많은 시간을 들여 행해진다.
계속해서, 웨이퍼(W)가 수정 목표 위치(33b)까지 반송된 후, 본 처리를 종료한다.
도 5의 처리에 따르면, 웨이퍼(W)의 기판 처리실(15)에의 반송 경로에 있어서, 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)가 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격되며, 또한 반송되는 웨이퍼(W)에 대향하도록 배치되고, 웨이퍼(W)의 우측 엣지나 좌측 엣지가 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 상방을 통과할 때, 4개의 포크(22)의 무게 중심 위치(24a∼24d)가 산출되며, 이들 무게 중심 위치(24a∼24d)에 기초하여 반송 로봇 좌표계에 있어서의 우측 센서(23a)의 위치(26a) 및 좌측 센서(23b)의 위치(26b)가 취득되고, 그 취득된 우측 센서(23a)의 위치(26a) 및 좌측 센서(23b)의 위치(26b)에 기초하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득된다.
즉, 웨이퍼(W)가 기판 처리실(15)로 반송될 때, 웨이퍼(W)의 반송 경로에 배치된 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)를 이용하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득되기 때문에, 보정용 위치 어긋남(δ)을 취득하기 위해, 기판 처리실(15)로부터 떨어진 위치에 배치되는 위치 센서를 이용할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 취득한 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 이동시키기 위해 일정 시간을 요하는 일이 없다.
또한, 웨이퍼(W)의 반송 경로에 배치된 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)를 이용하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득되면, 보정용 위치 어긋남(δ)을 해소하도록 기판 처리실(15)까지의 웨이퍼(W)의 반송 경로가 수정된다. 즉, 웨이퍼(W)가 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 상방을 통과하고 나서 웨이퍼(W)의 반송 경로가 수정되기 때문에, 기판 처리실(15)로부터 떨어진 위치에 배치되는 위치 센서로부터 기판 처리실(15)로 웨이퍼(W)가 이동하는 경우에 비해서, 반송 경로에 있어서 웨이퍼(W)의 진로가 크게 변경되는 일이 없다. 또한, 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정은 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득된 후, 미리 설정된 수정 시간에 행해지는데, 보정용 위치 어긋남(δ)의 대소에 관계없이, 상기 수정 시간의 전부를 사용하여 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정이 행해진다. 이에 의해, 단위 시간당의 반송 경로의 수정량을 저감할 수 있어, 반송 경로에 있어서 웨이퍼(W)의 진로가 크게 변경되는 것을 방지할 수 있다.
이상으로부터, 웨이퍼(W) 반송 스루풋을 향상시킬 수 있으며, 웨이퍼(W)의 반송중에 웨이퍼(W)의 추가적인 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 5의 처리에서는, 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득될 때, 기준 우측 센서 위치 및 우측 센서(23a)의 위치(26a)의 위치 어긋남 및 기준 좌측 센서 위치 및 좌측 센서(23b)의 위치(26b)의 위치 어긋남이 평균화된다. 이에 의해, 보정용 위치 어긋남(δ)의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 나아가서는, 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)는 웨이퍼(W)의 엣지의 통과를 검지함으로써, 실질적으로 포크(22)에 배치된 웨이퍼(W)의 유무를 검지할 수 있기 때문에, 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)와는 별도로 웨이퍼(W)의 유무를 검지하기 위한 센서를 마련할 필요를 없앨 수 있다.
또한, 도 5의 처리는 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 반송할 때마다 실행되기 때문에, 반송되는 각 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)의 배치대(19)에 있어서의 소정의 위치에 정확하게 배치할 수 있고, 따라서, 각 웨이퍼(W)의 각 부분에 정확하게 플라즈마 에칭 처리를 실시할 수 있다.
본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)가 기판 처리실(15)을 향하여 반송될 때에 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)를 이용하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득되었지만, 웨이퍼(W)가 기판 처리실(15)로부터 반출될 때에 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)를 이용하여 보정용 위치 어긋남(δ)을 취득하여도 좋다. 이 경우, 취득된 보정용 위치 어긋남(δ)을 이용하여, 다음에 반송되는 웨이퍼(W)의 반송 경로가 수정된다.
또한, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남은 웨이퍼(W)에 작용하는 관성 모멘트뿐만 아니라, 반송 로봇(16)의 경년 열화, 구체적으로는, 다관절 아암(21)에 내장되는 구동 벨트의 경년 신장에 의해서도 생길 우려가 있지만, 반송 로봇(16)의 경년 열화가 예측되는 시점에서, 도 5의 처리를 실행함으로써, 반송 로봇(16)의 경년 열화에서 기인하는 웨이퍼(W)의 위치 어긋남도 해소할 수 있으며, 따라서, 반송 로봇(16)이 경년 열화하여도, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)의 배치대(19)에 있어서의 소정의 위치에 정확하게 배치할 수 있다.
또한, 센서쌍(23)을 교환하면, 교환 전후의 센서쌍(23)의 측정 오차의 차이에서 기인하여, 예컨대, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 동일한 위치의 웨이퍼(W)의 위치를 취득할 때, 교환 후의 센서쌍(23)을 이용하여 취득된 웨이퍼(W)의 위치가, 교환 전의 센서쌍(23)을 이용하여 취득된 웨이퍼(W)의 위치에 대하여 어긋나는 경우가 있다. 이 경우, 센서쌍(23)의 교환 후에 도 5의 처리를 실행함으로써, 교환 후의 센서쌍(23)의 측정 결과에 대한 보정용 위치 어긋남(δ)을 취득할 수 있다. 그 후, 교환 후의 센서쌍(23)을 이용하여 측정을 행할 때, 이 보정용 위치 어긋남(δ)을 이용하여 웨이퍼(W)의 반송 경로를 수정함으로써, 교환 전후의 센서쌍(23)의 측정 오차의 차이를 해소할 수 있고, 따라서, 센서쌍(23)을 교환하여도, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)의 배치대(19)에 있어서의 소정의 위치에 정확하게 배치할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제2 실시형태에 대해서 설명한다.
본 실시형태는 그 구성, 작용이 전술한 제1 실시형태와 기본적으로 동일하기 때문에, 중복되는 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하, 상이한 구성, 작용에 대해서만 설명한다.
도 7의 (A)에 나타내는 바와 같이, 반송 로봇 좌표계에서는, 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 반송할 때, 우측 센서(23a)에 대하여 웨이퍼(W)가 이동하여, 우측 센서(23a)가 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 통과를 2회 검지하지만, 웨이퍼(W)를 고정한 좌표계(이하, 「웨이퍼 좌표계」라고 함)에서는, 도 7의 (B)에 나타내는 바와 같이, 우측 센서(23a)에 대한 웨이퍼(W)의 이동이, 웨이퍼(W)에 대한 우측 센서(23a)의 이동으로 환산되어, 우측 센서(23a)는 그 우측 센서(23a) 및 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 교차를 2회 검지한다. 이들 우측 센서(23a) 및 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 교차점(이하, 「엣지 교차점」이라고 함)은 반송 로봇 좌표계에 있어서의 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 통과가 검지되었을 때의 웨이퍼(W)의 중심 위치(이하, 「엣지 통과 검지점」이라고 함)에 대응한다. 구체적으로는, 반송 로봇 좌표계에 있어서 최초로 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 통과가 검지되었을 때의 엣지 통과 검지점(27a)은 웨이퍼 좌표계에 있어서 최초로 검지되는 엣지 교차점(28a)에 대응하고, 반송 로봇 좌표계에 있어서 다음에 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 통과가 검지되었을 때의 엣지 통과 검지점(27b)은 웨이퍼 좌표계에 있어서 다음에 검지되는 엣지 교차점(28b)에 대응한다. 또한, 웨이퍼 좌표계에서는, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 우측 센서(23a)에 대한 웨이퍼(W)의 이동이 웨이퍼(W)에 대한 우측 센서(23a)의 이동으로 환산되기 때문에, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 원점(27c)으로부터 엣지 통과 검지점(27a, 27b)으로의 이동 벡터의 역벡터가, 웨이퍼 좌표계에 있어서의 원점(28c)으로부터 엣지 교차점(28a, 28b)으로의 이동 벡터에 상당한다.
그런데, 포크(22)의 무게 중심 위치가 웨이퍼(W)의 중심 위치와 일치하는 경우, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 엣지 통과 검지점(27a, 27b)의 좌표는 반송 로봇(16)의 3개의 모터의 인코더값으로부터 산출할 수 있고, 또한, 전술한 바와 같이, 웨이퍼 좌표계에 있어서의 원점으로부터 엣지 교차점(28a, 28b)으로의 이동 벡터는 반송 로봇 좌표계에 있어서의 원점으로부터 엣지 통과 검지점(27a, 27b)으로의 이동 벡터로부터 산출할 수 있다. 따라서, 엣지 통과 검지점(27a, 27b)의 좌표로부터 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b)의 좌표를 산출할 수 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b)의 좌표로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출한다.
도 8은 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼의 중심 위치의 취득 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 웨이퍼 좌표계에 있어서 엣지 교차점(28a, 28b)의 중점(28g)의 좌표를 산출한다. 여기서, 엣지 교차점(28a, 28b)은 모두 웨이퍼(W)의 엣지에 존재하기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심 위치(28h), 중점(28g) 및 엣지 교차점(28a)[또는 엣지 교차점(28b)]은, 사변의 길이가 웨이퍼(W)의 반경(r)과 일치하는 직각 삼각형을 구성한다. 그래서, 엣지 교차점(28a)으로부터 중점(28g)에의 벡터를 벡터(29a)로 하고, 중점(28g)으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치(28h)에의 벡터를 벡터(29b)로 하면, 벡터(29a)의 스칼라량은 엣지 교차점(28a)의 좌표 및 중점(28g)의 좌표로부터 산출 가능하기 때문에, 피타고라스의 정리로부터 벡터(29b)의 스칼라량을 산출할 수 있다. 또한, 벡터(29b)는 벡터(29a)에 대하여 수직이기 때문에, 벡터(29b)를 산출할 수 있다. 중점(28g)으로부터 벡터(29b)만큼 이동한 점이 웨이퍼(W)의 중심 위치(28h)가 되기 때문에, 본 실시형태에서는, 산출된 중점(28g)의 좌표 및 벡터(29b)로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치(28h)를 취득한다.
또한, 도 7 및 도 8에 있어서, 웨이퍼 좌표계는 우측 센서(23a)를 기준으로 하였지만, 좌측 센서(23b)(다른 위치 센서)를 기준으로 하는 웨이퍼 좌표계도 존재하고, 그 웨이퍼 좌표계에 있어서도 도 8과 동일한 취득 방법으로 웨이퍼(W)의 중심 위치의 좌표를 산출할 수 있다. 이하, 본 실시형태에 있어서, 우측 센서(23a)를 기준하는 웨이퍼 좌표계(이하, 「제1 웨이퍼 좌표계」라고 함)에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치(28h)를 「제1 웨이퍼 중심 위치」(반송시 기판 위치)라고 칭하고, 좌측 센서(23b)를 기준하는 웨이퍼 좌표계(이하, 「제2 웨이퍼 좌표계」라고 함)에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 「제2 웨이퍼 중심 위치」(다른 반송시 기판 위치)라고 칭한다.
도 9는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 있어서의 웨이퍼 위치 보정 처리를 나타내는 흐름도이다.
본 실시형태에서도, 도 9의 처리는 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 반송할 때마다 실행되지만, 도 9의 처리의 실행 전에, 미리, 제1 웨이퍼 좌표계 및 제2 웨이퍼 좌표계에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 각각 제1 기준 웨이퍼 위치(기준 기판 위치) 및 제2 기준 웨이퍼 위치(기준 기판 위치)로 하여 취득하는 것을 전제로 한다. 또한, 제1 기준 웨이퍼 위치의 취득 방법으로서는 도 8의 취득 방법을 이용할 수도 있고, 제2 기준 웨이퍼 위치의 취득 방법으로서는 도 8과 동일한 취득 방법을 이용할 수도 있다.
먼저, 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 반송하고, 그 반송되는 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과할 때, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b)을 취득하며, 더욱, 도 8의 취득 방법에 따라 제1 웨이퍼 중심 위치를 취득한다(단계 S91). 그 후, 제1 기준 웨이퍼 위치 및 제1 웨이퍼 중심 위치의 차분(제1 웨이퍼 위치 어긋남)을 산출한다(단계 S92).
계속해서, 반송되는 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과할 때, 마찬가지로, 제2 웨이퍼 좌표계에 있어서의 2개의 엣지 교차점(다른 교차점)을 취득하고, 더욱, 도 8과 동일한 취득 방법에 따라 제2 웨이퍼 중심 위치를 취득한다(단계 S93). 그 후, 제2 기준 웨이퍼 위치 및 제2 웨이퍼 중심 위치의 차분(제2 웨이퍼 위치 어긋남)을 산출한다(단계 S94).
계속해서, 제1 웨이퍼 위치 어긋남 및 제2 웨이퍼 위치 어긋남을 평균화하고(단계 S95), 그 평균화된 위치 어긋남을 보정용 위치 어긋남(δ)으로서 취득한다. 그 후, 취득된 보정용 위치 어긋남(δ)에 기초하여 웨이퍼(W)의 반송 경로를 수정하고(단계 S96), 웨이퍼(W)가 수정 목표 위치(33b)까지 반송된 후, 본 처리를 종료한다.
도 9의 처리에 따르면, 웨이퍼(W)의 기판 처리실(15)에의 반송 경로에 배치된 우측 센서(23a)의 상방을 웨이퍼(W)의 엣지에 통과시킴으로써, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 엣지 교차점(28a, 28b)이 취득되고, 엣지 교차점(28a, 28b) 및 반송되는 웨이퍼(W)의 반경(r)에 기초하여 제1 웨이퍼 중심 위치가 기하학적으로 취득된다. 또한, 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 기판 처리실(15)에의 반송 경로에 배치된 좌측 센서(23b)의 상방을 웨이퍼(W)의 엣지에 통과시킴으로써, 제2 웨이퍼 좌표계에 있어서 2개의 엣지 교차점이 취득되고, 그 2개의 엣지 교차점 및 반송되는 웨이퍼(W)의 반경(r)에 기초하여 제2 웨이퍼 중심 위치가 기하학적으로 취득된다. 즉, 웨이퍼(W)가 기판 처리실(15)로 반송될 때, 웨이퍼(W)의 반송 경로에 배치된 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)를 이용하여 제1 웨이퍼 중심 위치 및 제2 웨이퍼 중심 위치가 취득되기 때문에, 기판 처리실(15)로부터 떨어진 위치에 배치되는 위치 센서를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 제1 웨이퍼 중심 위치나 제2 웨이퍼 중심 위치를 취득한 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 이동시키기 위해 일정 시간을 요하는 일이 없다.
또한, 제1 실시형태와 마찬가지로, 웨이퍼(W)가 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 상방을 통과하고 나서 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정이 행해지는데, 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정은 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득된 후, 보정용 위치 어긋남(δ)의 대소에 관계없이, 미리 설정된 수정 시간의 전부를 사용하여 행해진다. 이에 의해, 제1 실시형태와 마찬가지로, 단위 시간당의 반송 경로의 수정량을 줄일 수 있어, 반송 경로에 있어서 웨이퍼(W)의 진로가 크게 변경되는 것을 방지할 수 있다.
이상으로부터, 웨이퍼(W) 반송 스루풋을 향상시킬 수 있으며, 웨이퍼(W)의 반송중에 웨이퍼(W)의 추가적인 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 9의 처리에서는, 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득될 때, 보정용 위치 어긋남(δ)은 제1 웨이퍼 위치 어긋남 및 제2 웨이퍼 위치 어긋남을 평균하여 취득되기 때문에, 그 보정용 위치 어긋남(δ)의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 나아가서는, 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 센서쌍(23)에 있어서 우측 센서(23a) 또는 좌측 센서(23b)가 고장난 경우, 제1 웨이퍼 중심 위치 또는 제2 웨이퍼 중심 위치만을 취득하고, 제1 기준 웨이퍼 위치 및 제1 웨이퍼 중심 위치의 차분, 또는 제2 기준 웨이퍼 위치 및 제2 웨이퍼 중심 위치의 차분만을 보정용 위치 어긋남(δ)으로서 취득하여도 좋다. 이에 의해, 티칭을 수반하기 때문에 소정의 메인터넌스 시간을 요하는 센서쌍(23)의 교환을 즉시 행할 필요를 없앨 수 있다. 특히, 티칭을 행할 때에는, 직경을 미리 알고 있는 웨이퍼(이하, 「티칭용 웨이퍼」라고 함)를, 기판 처리실(15)의 덮개(도시하지 않음)를 개방하여 기판 처리실(15)의 배치대(19)에 직접 배치함으로써, 간접적으로 티칭용 웨이퍼를 기판 반송실(14)에 투입하는데, 이때, 기판 처리실(15)은 대기 개방되기 때문에, 웨이퍼의 처리가 가능한 상태로 복귀하기 위해 필요한 기판 처리실(15)의 내부 클리닝 및 오염 체크(파티클 확인)에 시간을 요하는 경우가 있다. 따라서, 센서쌍(23)의 교환을 즉시 행하지 않고 티칭의 실행을 뒤로 미룸으로써, 기판 처리실(15)의 내부 클리닝 및 오염 체크의 실행을 회피하여 기판 처리실(15)에 있어서의 웨이퍼의 처리에 관한 효율을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제3 실시형태에 대해서 설명한다.
본 실시형태도 그 구성, 작용이 전술한 제1 실시형태와 기본적으로 동일하기 때문에, 중복되는 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하, 상이한 구성, 작용에 대해서만 설명한다.
도 10의 (A)에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태와 마찬가지로, 반송 로봇 좌표계에서는, 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 반송할 때, 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)에 대하여 웨이퍼(W)가 이동하고, 우측 센서(23a)가 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 통과를 2회 검지하며, 좌측 센서(23b)가 웨이퍼(W)의 좌측 엣지의 통과를 2회 검지하지만, 제1 웨이퍼 좌표계에서는, 도 10의 (B)에 나타내는 바와 같이, 우측 센서(23a)에 대한 웨이퍼(W)의 이동이 웨이퍼(W)에 대한 우측 센서(23a)의 이동으로 환산되어, 우측 센서(23a)는 그 우측 센서(23a) 및 웨이퍼(W)의 우측 엣지의 교차를 2회 검지한다. 또한, 제2 웨이퍼 좌표계에서는, 좌측 센서(23b)에 대한 웨이퍼(W)의 이동이 웨이퍼(W)에 대한 좌측 센서(23b)의 이동으로 환산되어, 좌측 센서(23b)는 그 좌측 센서(23b) 및 웨이퍼(W)의 좌측 엣지의 교차를 2회 검지한다.
이때, 제2 웨이퍼 좌표계를 제1 웨이퍼 좌표계에 통합하면, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 엣지 통과 검지점(27a)은 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 우측 센서(23a)가 최초로 웨이퍼의 우측 엣지와 교차하는 엣지 교차점(28a)에 대응하고, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 엣지 통과 검지점(27b)은 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 우측 센서(23a)가 다음에 웨이퍼의 우측 엣지와 교차하는 엣지 교차점(28b)에 대응한다. 또한, 반송 로봇 좌표계에 있어서 최초로 웨이퍼(W)의 좌측 엣지의 통과가 좌측 센서(23b)에 의해 검지되었을 때의 엣지 통과 검지점(27d)은 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 좌측 센서(23b)가 최초로 웨이퍼의 좌측 엣지와 교차하는 엣지 교차점(28d)에 대응하고, 반송 로봇 좌표계에 있어서 다음에 웨이퍼(W)의 좌측 엣지의 통과가 좌측 센서(23b)에 의해 검지되었을 때의 엣지 통과 검지점(27e)은 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 좌측 센서(23b)가 다음에 웨이퍼의 좌측 엣지와 교차하는 엣지 교차점(28e)에 대응한다.
또한, 제2 실시형태에서 설명한 바와 같이, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 원점(27c)으로부터 엣지 통과 검지점(27a, 27b)으로의 이동 벡터의 역벡터가, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 우측 센서(23a)의 원점(28c)으로부터 엣지 교차점(28a, 28b)으로의 이동 벡터에 상당하는데, 마찬가지로, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 원점(27c)으로부터 엣지 통과 검지점(27d, 27e)으로의 이동 벡터의 역벡터가, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 좌측 센서(23b)의 원점(28f)으로부터 엣지 교차점(28d, 28e)으로의 이동 벡터에 상당하다.
또한, 포크(22)의 무게 중심 위치가 웨이퍼(W)의 중심 위치와 일치하는 경우, 반송 로봇 좌표계에 있어서의 엣지 통과 검지점(27a, 27b, 27d, 27e)의 좌표는 반송 로봇(16)의 3개의 모터의 인코더값으로부터 산출할 수 있기 때문에, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)의 좌표도 산출할 수 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)의 좌표로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출한다.
그런데, 기하학상, 3점의 좌표가 규정되면, 그 3점을 통과하는 원을 규정할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 있어서도, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하기 위해, 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)으로부터 적어도 3개의 엣지 교차점을 선별하면 좋다. 그래서, 본 실시형태에서는, 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e) 중 2개의 엣지 교차점을 기준으로 하여 나머지 2개의 엣지 교차점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하기 위해 이용하는 엣지 교차점(이하, 「유효 엣지 교차점」이라고 함)을 선별한다.
도 11은 본 실시형태에 있어서의 엣지 교차점의 선별 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)을 취득하여[도 11의 (A)], 이들 좌표로부터 기준이 되는 2개의 엣지 교차점, 예컨대, 엣지 교차점(28a, 28d)을 기준 엣지 교차점으로서 선별하고, 선별된 엣지 교차점(28a, 28d)을 통과하며 또한 서로 직경이 상이한 2개의 원(30a, 30b)을 규정한다. 2개의 원(30a, 30b)의 직경은 플라즈마 처리 장치(10)의 사용자들에 의해 미리 설정된다. 또한, 본 실시형태에서는, 원(30b)의 직경이 원(30a)의 직경보다 크게 설정된다.
2개의 원(30a, 30b)이 규정된 후, 나머지 2개의 엣지 교차점(28b, 28e) 중 2개의 원(30a, 30b)에 의해 둘러싸인 영역 내에 존재하는 엣지 교차점을 유효 엣지 교차점으로서 또한 선별한다. 또한, 도 11의 (B)는 엣지 교차점(28e)만이 유효 엣지 교차점으로서 선별된 경우를 나타낸다.
그 후, 기준 엣지 교차점 및 유효 엣지 교차점으로서 선별된 엣지 교차점(28a, 28d, 28e)을 통과하는 원(31)을 규정하고, 그 원(31)의 중심 위치를 웨이퍼(W)의 중심 위치(반송시 기판 위치)로서 취득한다.
도 12는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 있어서의 웨이퍼 위치 보정 처리를 나타내는 흐름도이다.
본 실시형태에서도, 도 12의 처리는 반송 로봇(16)이 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 반송할 때마다 실행되지만, 도 12의 처리의 실행 전에, 미리, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 기준 웨이퍼 위치(기준 기판 위치)로서 취득하는 것을 전제로 한다. 또한, 기준 웨이퍼 위치의 취득 방법으로서는 도 11의 선별 방법을 이용할 수도 있다.
먼저, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)을 취득하고(단계 S121), 이들 엣지 교차점으로부터 임의의 2개의 엣지 교차점을 선별하여 기준 엣지 교차점의 세트를 작성한다. 이때, 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e) 중 서로 인접한 2개의 엣지 교차점으로 이루어지는 4개의 기준 엣지 교차점의 세트[구체적으로는, 엣지 교차점(28a, 28b)의 세트, 엣지 교차점(28b, 28e)의 세트, 엣지 교차점(28e, 28d)의 세트 및 엣지 교차점(28d, 28a)의 세트]를 작성한다(단계 S122).
계속해서, 예컨대, 엣지 교차점(28a, 28b)의 세트를 구성하는 2개의 엣지 교차점을 통과하며 또한 서로 직경이 상이한 2개의 원을 규정한다. 2개의 원이 규정된 후, 엣지 교차점(28a, 28b)의 세트를 구성하지 않는 나머지 2개의 엣지 교차점(28e, 28d) 중, 규정된 2개의 원에 의해 둘러싸인 영역 내에 존재하는 엣지 교차점을 유효 엣지 교차점으로서 또한 선별하고(단계 S123), 기준 엣지 교차점 및 유효 엣지 교차점으로서 선별된 합계 3개의 엣지 교차점을 통과하는 원을 규정하며, 그 원의 중심 위치를 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 취득한다(단계 S124). 또한, 유효 엣지 교차점으로서 2개의 엣지 교차점이 선별된 경우는, 2개의 유효 엣지 교차점의 각각과 2개의 기준 엣지 교차점을 조합한다. 이때, 3개의 엣지 교차점으로 이루어지는 엣지 교차점의 조합이 2개 작성되지만, 2개의 엣지 교차점의 조합의 각각에 있어서, 3개의 엣지 교차점을 통과하는 원을 규정하고, 그 원의 중심 위치를 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 취득한다.
계속해서, 단계 S122에 있어서 작성된 모든 기준 엣지 교차점의 세트에 대해서 웨이퍼(W)의 중심 위치가 취득되었는지의 여부를 판별하고, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 취득되지 않은 기준 엣지 교차점의 세트가 존재할 때는 단계 S123으로 되돌아가며, 모든 기준 엣지 교차점의 세트에 대해서 웨이퍼(W)의 중심 위치가 취득되었을 때는, 단계 S124가 반복됨으로써 취득된 복수의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 평균화한다(단계 S126).
계속해서, 기준 웨이퍼 위치 및 평균화된 웨이퍼 중심 위치의 차분을 보정용 위치 어긋남(δ)으로서 산출하고(단계 S127), 산출된 보정용 위치 어긋남(δ)에 기초하여 웨이퍼(W)의 반송 경로를 수정하며(단계 S128), 웨이퍼(W)가 수정 목표 위치(33b)까지 반송된 후, 본 처리를 종료한다.
도 12의 처리에 따르면, 웨이퍼(W)의 기판 처리실(15)에의 반송 경로에 배치된 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 상방을 웨이퍼(W)의 엣지에 통과시킴으로써, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)이 취득되고, 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)으로부터 선별된 3개의 엣지 교차점을 통과하는 원이 규정되며, 그 원의 중심 위치가 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 취득된다. 즉, 웨이퍼(W)가 기판 처리실(15)로 반송될 때, 웨이퍼(W)의 반송 경로에 배치된 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치가 취득되기 때문에, 기판 처리실(15)로부터 떨어진 위치에 배치되는 위치 센서를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 웨이퍼 중심 위치를 취득한 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리실(15)로 이동시키기 위해 일정 시간을 요하는 일이 없다.
또한, 제1 실시형태와 마찬가지로, 웨이퍼(W)가 2개의 우측 센서(23a) 및 좌측 센서(23b)의 상방을 통과하고 나서 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정이 행해지는데, 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정은 웨이퍼(W)가 센서쌍(23)의 상방을 통과하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 취득된 후, 보정용 위치 어긋남(δ)의 대소에 관계없이, 미리 설정된 수정 시간의 전부를 사용하여 행해진다. 이에 의해, 제1 실시형태와 마찬가지로, 단위 시간당의 반송 경로의 수정량을 줄일 수 있어, 반송 경로에 있어서 웨이퍼(W)의 진로가 크게 변경되는 것을 방지할 수 있다.
이상으로부터, 웨이퍼(W) 반송 스루풋을 향상시킬 수 있으며, 웨이퍼(W)의 반송중에 웨이퍼(W)의 추가적인 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 9의 처리에서는, 기준 엣지 교차점의 세트를 구성하지 않는 나머지 2개의 엣지 교차점 중, 기준 엣지 교차점의 세트를 구성하는 2개의 엣지 교차점에 기초하여 규정된 2개의 원에 의해서 둘러싸인 영역 내에 존재하는 엣지 교차점이 유효 엣지 교차점으로서 또한 선별되기 때문에, 이상 위치에 존재하는 엣지 교차점을 제외시킨 뒤에, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득할 수 있다. 이에 의해, 취득되는 웨이퍼(W)의 중심 위치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 9의 처리에서는, 모든 기준 엣지 교차점의 세트에 대해서 취득된 웨이퍼(W)의 복수의 중심 위치가 평균화된 웨이퍼 중심 위치가 산출되고, 그 평균화된 웨이퍼 중심 위치에 기초하여 보정용 위치 어긋남(δ)이 산출되기 때문에, 그 보정용 위치 어긋남(δ)의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 나아가서는, 웨이퍼(W)의 반송 경로의 수정 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 9의 처리에서는, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득할 때에 웨이퍼(W)의 반경(r)을 필요로 하지 않기 때문에, 반송되는 웨이퍼(W)의 반경(r)의 변동이 취득되는 웨이퍼(W)의 중심 위치에 영향을 미치는 일이 없고, 이에 의해서도, 웨이퍼 중심 위치에 기초하여 산출되는 보정용 위치 어긋남(δ)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
전술한 도 9의 처리에서는, 서로 인접한 2개의 엣지 교차점으로 이루어지는 기준 엣지 교차점의 세트를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득하였지만, 3개의 엣지 교차점으로 이루어지는 엣지 교차점의 세트를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득하여도 좋다.
도 13은 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼의 중심 위치의 취득 방법의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)을 취득하여, 3개의 엣지 교차점(28a, 28e, 28d)을 통과하는 원(32a)을 규정하고, 그 원(32a)의 반경(r1)을 취득한다[도 13의 (A)]. 계속해서, 3개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28e)을 통과하는 원(32b)을 규정하고, 그 원(32b)의 반경(r2)을 취득하여[도 13의 (B)], 3개의 엣지 교차점(28b, 28e, 28d)을 통과하는 원(32c)을 규정하고, 그 원(32c)의 반경(r3)을 취득하여[도 13의 (C)], 또한, 3개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d)을 통과하는 원(32d)을 규정하고, 그 원(32d)의 반경(r4)을 취득한다[도 13의 (D)]. 그 후, 웨이퍼(W)의 반경(r)에 가장 가까운 반경을 갖는 원을 원(32a∼32d)으로부터 선택하고, 그 선택된 원의 중심 위치를 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 취득한다.
또한, 원(32a∼32d)의 반경(r1∼r4)의 취득 방법은 이하와 같다. 예컨대, 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 원(32a)의 방정식을 하기 식 (1)로 한 경우,
X2+Y2+lX+mY+n=0…(1)
각 엣지 교차점(28a, 28e, 28d)의 제1 웨이퍼 좌표계에 있어서의 각각의 좌표를 (X1, Y1), (X2, Y2), (X3, Y3)으로 하면, 상기 (1)은 행렬 A 및 행렬 B를 이용하여 하기 식 (2)와 같이 나타낸다.
Figure pat00001
상기 식 (2)에 좌측으로부터 행렬 A의 역행렬 A-1을 곱하면 하기 식 (3)이 되고, 역행렬 A-1 및 행렬 B, 즉, 각 엣지 교차점(28a, 28e, 28d)의 좌표로부터 상기 식 (1)의 계수(l, m, n)를 구할 수 있다.
Figure pat00002
이에 의해, 원(32a)을 규정할 수 있고, 원(32a)의 반경(r1)을 취득할 수 있다. 원(32b∼32d)의 반경(r2∼r4)도 마찬가지로 취득할 수 있다.
도 13의 웨이퍼의 중심 위치의 취득 방법의 변형예에서는, 4개의 엣지 교차점(28a, 28b, 28d, 28e)으로부터 선별된 3개의 엣지 교차점에 의해 규정되는 원(32a∼32d) 중 웨이퍼(W)의 반경(r)에 가장 가까운 반경을 갖는 원의 중심 위치가 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 취득되기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 취득할 때에 이상 위치에 존재하는 엣지 교차점을 제외시킬 수 있다. 이에 의해, 취득되는 웨이퍼(W)의 중심 위치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명에 대해서, 각 실시형태를 이용하여 설명하였지만, 본 발명은 전술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니다.
또한, 본 발명의 목적은 전술한 각 실시형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 제어부(17) 등이 구비하는 컴퓨터(도시하지 않음)에 공급하고, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 읽어내어 실행함으로써도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 전술한 각 실시형태의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예컨대, RAM, NVRAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광 자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 비휘발성 메모리 카드, 그 외의 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 좋다. 혹은, 상기 프로그램 코드는 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 로컬 에어리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않는 다른 컴퓨터나 데이터 베이스 등으로부터 다운로드함으로써 컴퓨터에 공급되어도 좋다.
또한, 컴퓨터가 읽어낸 프로그램 코드를 실행함으로써, 상기 각 실시형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, CPU 상에서 가동되고 있는 OS(operating system) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 전술한 각 실시형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기록된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 전술한 각 실시형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램 코드의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 좋다.
W 웨이퍼 10 플라즈마 처리 장치
14 기판 반송실 15 기판 처리실
16 반송 로봇 17 제어부
23 센서쌍 23a 우측 센서
23b 좌측 센서

Claims (10)

  1. 원판형의 기판을 반송 수단에 의해 기판 처리실로 반송하는 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하는 공정과,
    상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정과,
    상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하는 공정
    을 포함하며,
    상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은,
    상기 기판의 반송 경로에 있어서, 2개의 위치 센서를 상기 기판의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격하고, 또한 상기 기판에 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 2개의 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 4개의 교차점을 취득하는 공정과,
    상기 4개의 교차점 중 2개의 교차점을 기준 교차점으로서 선택하는 공정과,
    상기 2개의 기준 교차점을 통과하며 또한 서로 직경이 상이한 2개의 원을 규정하는 공정과,
    상기 4개의 교차점으로부터 상기 기준 교차점으로서 선택되지 않은 2개의 교차점 중 상기 2개의 원에 의해 둘러싸인 영역 내에 존재하는 교차점을 선별하고, 상기 선별된 교차점 및 상기 2개의 기준 교차점에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  2. 원판형의 기판을 반송 수단에 의해 기판 처리실로 반송하는 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하는 공정과,
    상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정과,
    상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하는 공정
    을 포함하며,
    상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은,
    상기 기판의 반송 경로에 있어서, 2개의 위치 센서를 상기 기판의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격하고, 또한 상기 반송되는 기판에 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 2개의 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 4개의 교차점을 취득하는 공정과,
    상기 4개의 교차점으로부터 3개의 교차점으로 이루어지는 교차점의 조합을 복수개 작성하는 공정과,
    각 상기 조합에 있어서 상기 3개의 교차점을 통과하는 원을 규정하는 공정과,
    상기 규정된 원 중, 상기 반송되는 기판의 직경에 가장 가까운 직경을 갖는 원에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  3. 원판형의 기판을 반송 수단에 의해 기판 처리실로 반송하는 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하는 공정과,
    상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정과,
    상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하는 공정
    을 포함하며,
    상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은,
    상기 기판의 반송 경로에 있어서, 위치 센서를 상기 반송되는 기판에 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 2개의 교차점을 취득하는 공정과,
    상기 2개의 교차점 및 상기 반송되는 기판의 반경에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 기하학적으로 취득하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정은,
    상기 기판의 반송 경로에 있어서, 다른 위치 센서를 상기 반송되는 기판에 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 다른 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 2개의 다른 교차점을 취득하는 공정과,
    상기 2개의 다른 교차점 및 상기 반송되는 기판의 반경에 기초하여 상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 다른 반송시 기판 위치를 기하학적으로 취득하는 공정과,
    상기 반송시 기판 위치 및 상기 다른 반송시 기판 위치를 평균한 평균 기판 위치를 산출하는 공정과,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 평균 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 반송될 때에, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과, 상기 위치 어긋남을 산출하는 공정과, 상기 기판의 진로를 수정하는 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 수단의 경년 열화가 예측되는 시점에서, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과, 상기 위치 어긋남을 산출하는 공정과, 상기 기판의 진로를 수정하는 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위치 센서를 교환한 시점에서, 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 공정과, 상기 위치 어긋남을 산출하는 공정과, 상기 기판의 진로를 수정하는 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  8. 기판 처리실과, 원판형의 기판을 상기 기판 처리실로 반송하는 반송 수단을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    제어부와,
    상기 기판의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격되며, 또한 상기 반송되는 기판에 대향하도록 상기 기판의 반송 경로에 배치되는 2개의 위치 센서
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하며,
    상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하고,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하며,
    상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하고,
    또한, 상기 제어부는, 상기 반송시 기판 위치를 취득할 때,
    상기 2개의 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 4개의 교차점을 취득하며,
    상기 4개의 교차점 중 2개의 교차점을 기준 교차점으로서 선택하고,
    상기 2개의 기준 교차점을 통과하며 또한 서로 직경이 상이한 2개의 원을 규정하고,
    상기 4개의 교차점으로부터 상기 기준 교차점으로서 선택되지 않은 2개의 교차점 중 상기 2개의 원에 의해 둘러싸인 영역 내에 존재하는 교차점 및 상기 2개의 기준 교차점을 선별하고, 상기 선별된 교차점에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 기판 처리실과, 원판형의 기판을 상기 기판 처리실로 반송하는 반송 수단을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    제어부와,
    상기 기판의 직경보다 작은 간격으로 서로 이격되며, 또한 상기 반송되는 기판에 대향하도록 상기 기판의 반송 경로에 배치되는 2개의 위치 센서
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하며,
    상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하고,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하며,
    상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하고,
    또한, 상기 제어부는, 상기 반송시 기판 위치를 취득할 때,
    상기 2개의 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 4개의 교차점을 취득하며,
    상기 4개의 교차점으로부터 3개의 교차점으로 이루어지는 교차점의 조합을 복수개 작성하고,
    각 상기 조합에 있어서 상기 3개의 교차점을 통과하는 원을 규정하며,
    상기 규정된 원 중, 상기 반송되는 기판의 직경에 가장 가까운 직경을 갖는 원에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 취득하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 기판 처리실과, 원판형의 기판을 상기 기판 처리실로 반송하는 반송 수단을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    제어부와,
    상기 반송되는 기판에 대향하도록 상기 기판의 반송 경로에 배치되는 위치 센서
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 위치의 기준이 되는 기준 기판 위치를 미리 취득하며,
    상기 기판 처리실로 반송되는 상기 기판의 위치인 반송시 기판 위치를 취득하고,
    상기 기준 기판 위치에 대한 상기 반송시 기판 위치의 위치 어긋남을 산출하며,
    상기 산출된 위치 어긋남을 해소하도록 상기 기판 처리실까지의 상기 기판의 진로를 수정하고,
    또한, 상기 제어부는, 상기 반송시 기판 위치를 취득할 때,
    상기 위치 센서가 상기 기판의 외측 가장자리와 교차하는 2개의 교차점을 취득하며,
    상기 2개의 교차점 및 상기 반송되는 기판의 반경에 기초하여 상기 반송시 기판 위치를 기하학적으로 취득하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102230866B1 (ko) * 2020-10-27 2021-03-25 한국야스카와전기(주) 반도체 반송장치 및 반도체 반송장치의 티칭방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6463227B2 (ja) * 2015-07-07 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
KR101927698B1 (ko) 2016-11-14 2018-12-12 세메스 주식회사 이송 로봇, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6767253B2 (ja) * 2016-12-13 2020-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6842934B2 (ja) * 2017-01-27 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、検出位置較正方法および基板処理装置
CN108666258A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 奇景光电股份有限公司 晶圆夹具及夹持晶圆的方法
JP7037964B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-17 東京エレクトロン株式会社 測定器、及びフォーカスリングを検査するためのシステムの動作方法
WO2019174727A1 (en) * 2018-03-14 2019-09-19 Applied Materials, Inc. Method of handling a mask arrangement, reference substrate for an optical inspection of a mask arrangement, and vacuum deposition system
KR102099115B1 (ko) * 2018-06-08 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 틀어짐 보정 방법
JP7105629B2 (ja) * 2018-06-20 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 自動教示方法及び制御装置
CN112775956A (zh) * 2019-11-08 2021-05-11 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种机械手awc纠偏***实现方法
JP7470586B2 (ja) * 2020-07-14 2024-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システム及び基板搬送方法
CN114005768A (zh) * 2021-10-29 2022-02-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备、托盘及片盒
JP2023128504A (ja) * 2022-03-03 2023-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、および半導体製造システム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110873A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003254738A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Olympus Optical Co Ltd ウエハ芯出し装置及び方法並びにプログラム
JP2007211317A (ja) 2006-02-12 2007-08-23 Sanbo Copper Alloy Co Ltd 銅合金製塑性加工材及びその製造方法
KR20080092013A (ko) * 2007-04-10 2008-10-15 세메스 주식회사 웨이퍼 이송 방법
WO2014157358A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
TW350115B (en) * 1996-12-02 1999-01-11 Toyota Automatic Loom Co Ltd Misregistration detection device and method thereof
JPH11106044A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Mitsubishi Electric Corp 基板搬送装置および基板搬送方法
JPH11297794A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Jeol Ltd ウエハアライメント方法
JP2000012657A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Olympus Optical Co Ltd 半導体ウェハの位置決め装置
JP2000164680A (ja) * 1998-09-22 2000-06-16 Olympus Optical Co Ltd ウェハ位置調整装置
US6629053B1 (en) * 1999-11-22 2003-09-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining substrate offset using optimization techniques
JP4402811B2 (ja) * 2000-05-26 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法
JP4696373B2 (ja) * 2001-02-20 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び被処理体の搬送方法
JP4260423B2 (ja) * 2002-05-30 2009-04-30 ローツェ株式会社 円盤状物の基準位置教示方法、位置決め方法および搬送方法並びに、それらの方法を使用する円盤状物の基準位置教示装置、位置決め装置、搬送装置および半導体製造設備
US6760976B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for active wafer centering using a single sensor
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US8634633B2 (en) * 2003-11-10 2014-01-21 Brooks Automation, Inc. Wafer center finding with kalman filter
JP4961895B2 (ja) * 2006-08-25 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体
CN101405838B (zh) * 2006-09-01 2011-12-14 株式会社尼康 移动体驱动方法及移动体驱动***、图案形成方法及装置、曝光方法及装置、组件制造方法、以及校正方法
JP4697192B2 (ja) * 2007-06-12 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 位置ずれ検出装置及びこれを用いた処理システム
JP5453590B2 (ja) * 2007-12-29 2014-03-26 日本電産サンキョー株式会社 ロボットのハンドの制御方法及びワーク搬送ロボットシステム
JP5628549B2 (ja) * 2010-04-27 2014-11-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板貼合装置
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5918518B2 (ja) * 2011-11-30 2016-05-18 川崎重工業株式会社 搬送ワークのヨーイング補正機構とその補正方法
CN103367194B (zh) * 2012-03-26 2016-08-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于晶圆传送位置校正的装置及方法
KR101944148B1 (ko) * 2012-06-12 2019-01-30 에리히 탈너 기판 정렬 장치 및 방법
JP6113742B2 (ja) * 2012-10-29 2017-04-12 ローツェ株式会社 半導体基板の位置検出装置及び位置検出方法
JP6063716B2 (ja) 2012-11-14 2017-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
JP6463227B2 (ja) * 2015-07-07 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110873A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003254738A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Olympus Optical Co Ltd ウエハ芯出し装置及び方法並びにプログラム
JP2007211317A (ja) 2006-02-12 2007-08-23 Sanbo Copper Alloy Co Ltd 銅合金製塑性加工材及びその製造方法
KR20080092013A (ko) * 2007-04-10 2008-10-15 세메스 주식회사 웨이퍼 이송 방법
WO2014157358A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102230866B1 (ko) * 2020-10-27 2021-03-25 한국야스카와전기(주) 반도체 반송장치 및 반도체 반송장치의 티칭방법

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Publication number Publication date
KR20230145291A (ko) 2023-10-17
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TW201724329A (zh) 2017-07-01
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