KR20160106607A - 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 수지 밀봉 반도체 장치 - Google Patents
반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 수지 밀봉 반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160106607A KR20160106607A KR1020167018981A KR20167018981A KR20160106607A KR 20160106607 A KR20160106607 A KR 20160106607A KR 1020167018981 A KR1020167018981 A KR 1020167018981A KR 20167018981 A KR20167018981 A KR 20167018981A KR 20160106607 A KR20160106607 A KR 20160106607A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- mass
- group
- parts
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 60
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 claims description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 14
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 11
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N triphenylborane;triphenylphosphane Chemical compound C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IUURMAINMLIZMX-UHFFFAOYSA-N tris(2-nonylphenyl)phosphane Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)CCCCCCCCC)C1=CC=CC=C1CCCCCCCCC IUURMAINMLIZMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N tris(4-methylphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1P(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 241000220259 Raphanus Species 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 7
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000006140 Raphanus sativus var sativus Nutrition 0.000 description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 6
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 235000019241 carbon black Nutrition 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 1-phenylimidazole Chemical compound C1=NC=CN1C1=CC=CC=C1 SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBNXSKCLVOXLPW-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethyl-6-(2-methylprop-1-enyl)cyclohex-4-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound CC1C(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C=C(C)C)C=C1C YBNXSKCLVOXLPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYKYXWQEBUNJCN-UHFFFAOYSA-N 3-methylfuran-2,5-dione Chemical compound CC1=CC(=O)OC1=O AYKYXWQEBUNJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCKYCGUJYPRCV-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-7-(2-methylprop-1-enyl)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC(C)=CC1C=C(C)C(C)C2C(=O)OC(=O)C12 WGCKYCGUJYPRCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEBYBVYXQTORU-UHFFFAOYSA-N 6-hydrazinyl-6-oxohexanoic acid Chemical compound NNC(=O)CCCCC(O)=O ALEBYBVYXQTORU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UTTHLMXOSUFZCQ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 UTTHLMXOSUFZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical class [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 210000001638 cerebellum Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000006232 furnace black Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical class [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
- C09D7/62—Additives non-macromolecular inorganic modified by treatment with other compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
- C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3218—Carbocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3227—Compounds containing acyclic nitrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3254—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen
- C08G59/3281—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
- C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/36—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/17—Amines; Quaternary ammonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(A) 분자 중에 실록세인 결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지, (B) 산무수물계 경화제, (C) 무기질 충전재로서 레이저 회절법으로 측정한 평균 입경 0.1~10μm의 구상 무기질 충전재이며, 그 표면이 (메타)아크릴 관능성 실레인 커플링제에 의해, (C)성분인 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부의 비율로 표면 처리된 표면 처리 구상 무기질 충전재, (D) 경화 촉진제를 함유하여 이루어지는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의하면 내열성, 내습성이 우수한 반도체 장치를 부여할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치 그리고 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치는 눈부신 기술 혁신을 맞이하고 있다.
스마트폰, 태블릿 등 휴대 정보, 통신 단말은 대용량의 정보를 고속으로 처리할 수 있도록 TSV(스루-실리콘-비아) 기술을 사용하여 반도체 소자를 다층 접속하고, 8인치 내지 12인치의 실리콘 인터포저에 플립칩 접속한 후, 열경화 수지에 의해 다층 접속된 반도체 소자가 복수개 탑재된 인터포저째로 밀봉한다. 반도체 소자 상의 불필요한 경화 수지를 연마한 후 개편화(個片化)하고, 박형으로 소형, 다기능 또한 고속 처리 가능한 반도체 장치를 얻을 수 있다.
8인치 정도의 소직경 웨이퍼 등의 기판을 사용한 경우는 현상황에서도 큰 문제 없이 밀봉 성형할 수 있지만, 12인치 이상의 직경에서는 밀봉 후 에폭시 수지 등의 수축 응력이 크기 때문에 반도체 소자가 금속 등의 기판으로부터 박리된다는 문제가 발생하여 양산화할 수 없다. 웨이퍼나 금속 기판의 대구경화에 따른 상기와 같은 문제를 해결하기 위해서는 필러를 90질량% 이상 충전하는 것이나, 수지의 저탄성화로 경화시의 수축 응력을 작게 하는 것이 필요했다.
그러나 실리콘 인터포저 상에 열경화 수지를 전체면 밀봉한 경우, 실리콘과 열경화성 수지의 열팽창 계수의 차이로부터 큰 휨이 발생한다. 휨이 크면 그 후의 연마 공정이나 개편화 공정에 적용할 수 없어 큰 기술 과제가 되고 있다.
또한 최근에는 반도체 소자의 적층화에 따라 밀봉층이 두꺼워지기 때문에, 밀봉한 수지층을 연마하여 박형으로 하는 반도체 장치가 주류가 되고 있다. 밀봉한 수지층을 연마할 때, 필러를 90질량% 이상 충전하는 밀봉재를 사용하면, 다이싱 장치의 블레이드가 손상되기 쉬워 교환 빈도가 높아 고비용의 원인이 되고 있다. 또 폴리싱 압력을 높게 하여 연마해야 하므로 반도체 소자가 손상되거나, 웨이퍼 자체가 깨지거나 해버리는 문제가 생기고 있다. 한편, 종래의 실리콘 화합물로 대표되는 저탄성 수지의 재료에서는 수지가 부드럽기 때문에 연마시에 수지 막힘이 발생하거나 수지 크랙이 생기거나 하는 문제가 발생하고 있다.
또한, 본 발명에 관련된 배경기술로서는 하기의 것을 들 수 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 유동성이 우수하고, 경화했을 때의 휨이 저감함과 아울러, 신뢰성이 높은 경화물을 부여하는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물, 그 경화물로 밀봉된 반도체 장치 및 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 특정의 필러 표면 처리재를 사용하여 표면 처리를 행한 구상 무기질 충전재를 사용한 액상 에폭시 수지 조성물은 반도체 장치를 밀봉한 경우에 내수성, 연마성이 양호하며, 대형 웨이퍼를 사용하여 밀봉해도 유동성이 우수하며, 휨이 저감되고, 항상 범용성이 높은 것을 알아내어 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 하기한 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물, 반도체 장치 및 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
〔1〕
(A) 분자 중에 실록세인 결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지,
(B) 산무수물계 경화제,
(C) 무기질 충전재로서 레이저 회절법으로 측정한 평균 입경 0.1~10μm의 구상 무기질 충전재이며, 그 표면이 하기 식(1)으로 표시되는 (메타)아크릴 관능성 실레인 커플링제에 의해, (C)성분의 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부의 비율로 표면 처리된 표면 처리 구상 무기질 충전재: (A), (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 600~1,000질량부,
[식 중, a는 0~3의 정수, R1은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, R2는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R3은 단결합 또는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R4는 수소 원자 또는 메틸기, A는 단결합 또는 하기 식
(식 중, R5는 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, B는 O 또는 S이다.)
(식 중, R6은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기이다.)
으로 표시되는 어느 하나의 기이다.]
(D) 경화 촉진제
를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.
〔2〕
(A)성분이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 및 하기 식
으로 표시되는 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인 〔1〕에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
〔3〕
(B)성분이 하기 식으로 표시되는 산무수물로부터 선택되는 1종 이상인 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.
(식 중, Me는 메틸기를 나타내고, i-Pr는 아이소프로필기를 나타낸다.)
〔4〕
하기 평균 조성식(2)
(식 중, R7은 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기, R8은 탄소수 1~4의 알킬기, Q는 탄소수 3~6의 알킬렌기, 옥시알킬렌기 또는 하이드록시옥시알킬렌기이며, r은 4~199의 정수, p는 1~10의 정수, q는 1~10의 정수이다.)
으로 표시되는 실리콘 변성 에폭시 수지를 (A)성분 100질량부에 대하여 1~50질량부 배합하여 이루어지는 〔1〕~〔3〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
〔5〕
(D)성분이 인계 화합물, 제3급 아민 화합물, 이미다졸 화합물로부터 선택되는 1 이상이며, 그 양이 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1~15질량부인 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
〔6〕
(D)성분이 트라이페닐포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(p-메틸페닐)포스핀, 트라이(노닐페닐)포스핀, 트라이페닐포스핀·트라이페닐보레인, 테트라페닐포스핀·테트라페닐보레이트, 트라이에틸아민, 벤질다이메틸아민, α-메틸벤질다이메틸아민, 1,8-다이아자비사이클로[5.4.0]운데센-7,2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸로부터 선택되는 1 이상인 〔5〕에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
〔7〕
JIS K 7117-1에 기재된 방법으로 측정한 25℃에 있어서의 점도가 5~1000Pa·s인 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.
〔8〕
〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치.
〔9〕
수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법으로서, 1개 이상의 반도체 소자를 형성한 실리콘 웨이퍼 또는 기판 전체를 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 일괄 밀봉할 때에, 1개 이상의 반도체 소자를 형성한 실리콘 웨이퍼 또는 기판의 편면에 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물을 압압하에 피복하거나 또는 진공 분위기하에서 감압 피복하고, 이 수지 조성물을 가열 경화하여 반도체 소자를 밀봉하고, 그 후 경화 수지층을 연마 가공, 다이싱함으로써 개편화하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법.
〔10〕
직경 12인치 이상 20인치 이하의 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것을 특징으로 하는 〔9〕에 기재된 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법.
본 발명의 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 의하면, 1개 이상의 반도체 소자를 접착제(다이본드제)로 무기 기판, 금속 기판 또는 유기 기판 상에 탑재한 반도체 소자 어레이나, 반도체 소자를 형성한 대직경의 실리콘 웨이퍼를 밀봉해도 가열 경화 후에 냉각했을 때의 휨의 발생이 거의 없고, 또한 내열성, 내습성이 우수한 반도체 장치를 부여할 수 있고, 또한 웨이퍼 레벨에서 일괄 밀봉이 가능하고 또한 용이하게 밀봉 수지를 연마, 다이싱할 수 있다.
도 1은 유리 전이 온도 이하 및 이상의 선팽창 계수를 구하는 방법을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명 조성물에 사용되는 (A) 액상 에폭시 수지로서는 실온에서 액상이면 어느 에폭시 수지도 사용할 수 있고, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 바이페닐형 에폭시 수지; 사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지 중 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 특히 바람직하고, 그들의 JIS K 7117-1에 기재된 방법으로 측정한 점도(25℃)는 바람직하게는 0.1~500Pa·s, 보다 바람직하게는 1~200Pa·s이다.
또, 하기 식으로 표시되는 에폭시 수지도 바람직하게 사용된다.
또한, 상기 식을 가지는 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 그 함유량이 (A)성분 전체의 25~100질량%, 보다 바람직하게는 50~100질량%, 더욱 바람직하게는 75~100질량%인 것이 권장된다. 25질량% 미만이면 조성물의 점도가 상승하거나, 경화물의 내열성이 저하하거나 할 우려가 있다.
(A)성분의 액상 에폭시 수지는 가수분해성 염소가 1000ppm 이하, 특히 500ppm 이하이며, 나트륨 및 칼륨이 각각 10ppm 이하인 것이 바람직하다. 가수분해성 염소가 1000ppm을 넘거나 나트륨 또는 칼륨이 10ppm을 넘는 경우에는, 반도체 장치를 고온고습하에 장시간 방치하면 내습성이 열화하는 경우가 있다.
본 발명에 사용하는 (B) 경화제는 산무수물계의 것으로, (A)성분을 경화할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 실온에서 액상이거나, (A)성분에 용해하여 액상이 되는 것이다. 예를 들면 3,4-다이메틸-6-(2-메틸-1-프로페닐)-1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산, 1-아이소프로필-4-메틸-바이사이클로[2.2.2]옥토-5-엔-2,3-다이카복실산 무수물, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸하이믹산, 파이로멜리트산 2무수물, 말레인화 알로오시멘, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라비스벤조페논테트라카복실산 2무수물, (3,4-다이카복시페닐)에터 2무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메테인 2무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 2무수물 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
신뢰성을 향상시키는 점에서, 하기 식으로 표시되는 산무수물 또는 이들의 2 이상의 혼합물이 바람직하게 사용된다. 하기 식에 있어서, Me는 메틸기, Pr은 프로필기를 나타낸다.
상기 바람직한 산무수물 중 3,4-다이메틸-6-(2-메틸-1-프로페닐)-1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산 및 1-아이소프로필-4-메틸-바이사이클로[2.2.2]옥토-5-엔-2,3-다이카복실산 무수물의 혼합물을 사용하는 경우에는, 상기 혼합물의 양이 (B)성분 전체의 5~75질량%인 것이 바람직하다. 5질량% 미만에서는 밀착성이 저하하고, PCT 등의 고온다습하에 있어서 열화하는 경우가 있다. 75질량%를 넘으면 밀착성은 향상하지만 열충격 시험 등의 시험에 있어서 크랙이 발생하는 경우가 있다.
상기 혼합물의 시판예로서 예를 들면 재팬에폭시레진사제의 YH306, YH307(상품명) 및 신니혼리카 가부시키가이샤제의 MH700(상품명)을 들 수 있다.
(B)성분이 상기 혼합물을 5~75질량% 포함하는 경우, 나머지 경화제로서는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 실온에서 액상이거나, (A)성분에 용해하여 액상이 되는 것이며, 예를 들면 상기에서 든 산무수물을 들 수 있다. 특히, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산 및 헥사하이드로 무수 프탈산으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하다. 또한, 다이사이안다이마이드나 아디프산 하이드라자이드, 아이소프탈산 하이드라자이드 등의 카복실산 하이드라자이드를 병용하는 것은 상관없다.
(B)성분의 양은 (A)성분을 경화시키기에 유효한 양이며, (B)성분의 종류에 따라 상이하지만, 상기 서술한 산무수물을 (B)성분으로서 사용하는 경우에는, 에폭시 수지 중의 에폭시기에 대한 경화제 중의 산무수물기(-CO-O-CO-)로부터 유도되는 카복실산기의 당량비가 0.5~1.5의 범위가 되도록 선택하는 것이 적합하다. 상기 하한 미만에서는 미반응의 에폭시기가 잔존하고, 유리 전이 온도의 저하가 되고, 또 밀착성이 저하할 우려가 있다. 상기 상한값을 넘으면 경화물이 단단하고 부서지기 쉬워져, 리플로우시 또는 온도 사이클 시험시에 크랙이 발생할 우려가 있다.
본 발명 조성물에 배합되는 (C) 구상 무기질 충전재로서는 에폭시 수지 조성물에 통상 배합되는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 용융 실리카, 결정성 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 질화 규소, 질화 알루미늄, 보론나이트라이드, 산화 티탄, 유리 섬유 등을 들 수 있다.
무기질 충전재의 평균 입경 및 형상은 레이저 회절법에 의해 측정한 평균 입경(누적 중량 평균값 또는 메디안 직경) 0.1~10μm, 바람직하게는 평균 입경 1~5μm의 구상이며, 이와 같은 평균 입경 및 형상을 가지는 용융 실리카가 특히 바람직하다.
(C)성분의 양은 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 600~1,000질량부이며, 바람직하게는 700~900질량부이다. 상기 하한 미만에서는 성형 후의 휨이 커져, 충분한 강도를 얻을 수 없고, 상기 상한을 넘으면 유동성이 현저하게 나빠지고, 서브 마운트 상에 배열된 반도체 소자의 완전 밀봉이 불가능하게 된다.
여기서, 무기질 충전재는 에폭시 수지와 무기질 충전재와의 상용성을 양호하게 하고, 또한 결합 강도를 강하게 하기 위해서, 하기 식(1)으로 나타내는 1종 또는 2종 이상의 실레인 커플링제로 미리 표면 처리한 것을 사용한다.
(식 중, a는 0~3의 정수, R1은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, R2는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R3은 단결합 또는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 또, A는 단결합 또는 하기 식
(식 중, R5는 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, B는 O 또는 S이다.)
(식 중, R6은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기이다.)
으로 표시되는 어느 하나의 기이다.
이 경우, a는 바람직하게는 0~3, 보다 바람직하게는 0~1이다. R1로서는 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.
R2는 바람직하게는 탄소수 1~10, 특히 1~3의 알킬렌기이며, R3은 바람직하게는 단결합 또는 탄소수 1~10, 특히 1~2의 알킬렌기이다.
A는 상기한 바와 같지만, R5는 메틸기, 에틸기가 바람직하고, 또 R6은 메틸기, 에틸기가 바람직하다.
이와 같은 실레인 커플링제의 예로서는 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM503 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제), 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM5103 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있는 것 이외에 하기 식
(식 중, R4는 상기와 같음. Me는 메틸기를 나타낸다.)
으로 표시되는 것을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
표면 처리에 사용하는 실레인 커플링제의 표면 처리 방법에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 실레인 커플링제 처리량에 대해서는 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물에 첨가하는 (C)성분의 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~1.5질량부이다.
또, 본 발명에 있어서, (D)성분인 경화 촉진제는 이하에 나타내는 것이 바람직하다. 트라이페닐포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(p-메틸페닐)포스핀, 트라이(노닐페닐)포스핀, 트라이페닐포스핀·트라이페닐보레인, 테트라페닐포스핀·테트라페닐보레이트 등의 인계 화합물, 트라이에틸아민, 벤질다이메틸아민, α-메틸벤질다이메틸아민, 1,8-다이아자비사이클로[5.4.0]운데센-7 등의 제3급 아민 화합물, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물 등을 사용할 수 있다.
경화 촉진제의 양은 에폭시 수지와 경화제와의 경화 반응을 촉진시키기 위해서 유효한 양이며, 바람직하게는 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1~15질량부, 보다 바람직하게는 0.5~10질량부이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 경화물의 응력을 저감할 목적에서, 공지의 실리콘 변성 에폭시 수지, 실리콘 고무, 실리콘 오일, 실리콘 젤, 액상의 폴리뷰타다이엔 고무, 메타크릴산 메틸-뷰타다이엔-스타이렌 등의 가요성 수지, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 양으로 배합할 수 있다.
실리콘 변성 에폭시 수지로서는 하기 식(2)으로 표시되는 수지가 바람직하다.
상기 식 중, R7은 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이며, R8은 탄소수 1~4의 알킬기, 바람직하게는 메틸기이다. Q는 탄소수 3~6의 알킬렌기, 옥시알킬렌기 또는 하이드록시옥시알킬렌기이며, 예를 들면 -CH2CH2CH2-, -OCH2-CH(OH)-CH2-O-CH2CH2CH2- 또는 -O-CH2CH2CH2-이다. r은 4~199의 정수, 바람직하게는 19~130, 보다 바람직하게는 70~109의 정수이며, p는 1~10의 정수, q는 1~10의 정수, 바람직하게는 2~5의 정수이다.
이 실리콘 변성 에폭시 수지를 배합하는 경우에는, (A) 에폭시 수지 100질량부에 대하여 1~50질량부의 배합량으로 할 수 있는데, 특히 다이오가노실록세인 단위가 1~20질량부, 특히 2~15질량부 포함되도록 배합하는 것이 바람직하고, 이것에 의해 경화물의 응력을 저하하고, 기판에 대한 밀착성도 향상시킬 수 있다. 여기서 다이오가노폴리실록세인량은 하기 식으로 구할 수 있다.
폴리실록세인량=(폴리실록세인 부분의 분자량/실리콘 변성 에폭시 수지의 분자량)×첨가량
본 발명의 밀봉 수지 조성물에는 또한 필요에 따라 이형제, 난연제, 이온 트랩제, 산화 방지제, 접착 부여제, 저응력제, 착색제 등 각종 첨가제를 배합할 수 있다.
난연제로서는 특별히 제한되지 않고 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 그 중에서도 포스파젠 화합물, 실리콘 화합물, 몰리브덴산 아연 담지 탈크, 몰리브덴산 아연 담지 산화 아연, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 산화 몰리브덴이 바람직하게 사용된다.
이온 트랩제로서는 특별히 제한되지 않고, 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트 화합물, 희토류 산화물 등이 바람직하게 사용된다.
본 발명의 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에는 또한 필요에 따라 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 예를 들면 3-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인과 같은 에폭시기를 가진 유기 규소계의 접착성 향상제, 아세틸렌 블랙, 퍼니스 블랙 등의 각종 카본블랙 등의 착색제 등을 첨가제로 하여 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 임의로 첨가 배합할 수 있다.
본 발명의 조성물은 다음에 표시되는 것 같은 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면 에폭시 수지, 경화제와 경화 촉진제를 동시에 또는 따로따로 필요에 따라 가열 처리를 가하면서 교반, 용해, 혼합, 분산시키고, 경우에 따라서는 이들 혼합물에 무기질 충전재를 가하여 혼합, 교반, 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 이 경우, 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 교반, 가열 장치를 구비한 뇌궤기, 2본 롤, 3본 롤, 볼밀, 연속 압출기, 플라네터리 믹서, 매스콜로이더 등을 사용할 수 있고, 이들 장치를 적당히 조합하여 사용해도 된다.
이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 종래부터 채용되고 있는 성형법, 예를 들면 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형, 인젝션 성형, 주형법 등을 이용하여 행할 수 있는데, 특히 컴프레션 성형을 행하는 것이 바람직하다.
이 경우, 에폭시 수지 조성물의 성형 온도는 100~180℃에서 45~600초간, 포스트 큐어는 140~180℃에서 1~6시간 행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 8인치 및 12인치 웨이퍼 상에 성형한 경우의 휨을 작게 할 수 있다. 또, 기계 강도, 절연성이 우수하고, 그 경화물로 밀봉된 반도체 장치는 장기 신뢰성이 우수하다. 또 종래 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형 재료로서 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지 조성물과 마찬가지의 장치, 성형 조건을 사용해도 플로우 마크나 미충전과 같은 성형 불량이 발생하지 않기 때문에 생산성도 우수하다.
플로우 마크는 성형물의 중심으로부터 외측을 향하여 방사상으로 남는 흰 유동흔이다. 플로우 마크가 발생하면 외관 불량이나, 실리카 불균일 분산에 의한 경화물 물성의 불균일성이나, 그것에 따른 신뢰성의 저하 등이 우려된다.
미충전은 웨이퍼 외주부에 발생하는 수지의 부족을 말한다. 미충전이 발생하면 후공정에서 웨이퍼를 반송할 때에 센서가 미충전부를 노치라고 오인식하여 위치 맞춤 특성의 저하가 우려된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한, 각 예 중의 부는 모두 질량부이며, %는 질량%이다. 또, 각 예의 평가 방법을 이하에 나타낸다.
(A)
실록세인
결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지
(1) 에폭시 수지 A1 : 비스 A형 에폭시 수지(에피코트828 : 재팬에폭시레진 가부시키가이샤제)
(2) 에폭시 수지 A2 : 나프탈렌형 에폭시 수지(HP4032D : DIC 가부시키가이샤제)
(3) 에폭시 수지 A3 : 지환식 에폭시 수지(셀록사이드2021P : 다이셀카가쿠코교사제)
(B) 경화제
(1) 경화제 B1 : 하기 식으로 표시되는 산무수물의 혼합물(YH307 : 재팬에폭시레진 가부시키가이샤제)
경화제 B2 : 하기 식으로 표시되는 산무수물의 혼합물(MH700 : 신니혼리카 가부시키가이샤제)
경화제 B3 : 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인(상품명 : 카야하드AA, 니혼카야쿠(주)제), 아민 당량 63.5
(C) 무기질 충전재
베이스 구상 용융 실리카(아드마텍스제, 평균 입경 5μm) 100부에 대하여 0.75부의 실레인 커플링제로 건식 표면 처리를 행하여, 하기 처리 실리카 A~G를 작성했다. 또한, 비교예 6에는 무처리의 상기 실리카를 사용했다.
처리 실리카 A : 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM503 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카
처리 실리카 B : 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM5103 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카
처리 실리카 C : 하기 식으로 표시되는 실레인 커플링제로 표면 처리된 실리카
처리 실리카 D : 하기 식으로 표시되는 실레인 커플링제로 표면 처리된 실리카
처리 실리카 E : γ-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인(KBM403 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카
처리 실리카 F : N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인(KBM573 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카
또한 베이스 구상 용융 실리카(다츠모리제, 평균 입경 12μm) 100부에 대하여 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM503 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제) 0.75부로 건식 표면 처리를 행하여, 처리 실리카 G를 작성했다.
(D) 경화 촉진제 : 노바큐어HX3088(아사히카세이 이매테리얼즈사제)
그 밖의 성분
(1) 카본블랙 : 덴카블랙(덴키카가쿠코교제)
(2) 접착성 향상제 : γ-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인(KBM403 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)
(3) 실리콘 변성 에폭시 수지
배합조성 (질량부) |
실시예 | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | ||
에폭시 수지 A1 | 7 | 7 | 7 | 7 | 6 | 6 | |
에폭시 수지 A2 | 33 | 33 | 33 | 33 | 30 | 30 | |
에폭시 수지 A3 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | |
경화제 B1 | 27 | 27 | |||||
경화제 B2 | 50 | 50 | 50 | 50 | 27 | 27 | |
무기질 충전재 | 처리 실리카 A | 700 | 700 | ||||
처리 실리카 B | 700 | 700 | |||||
처리 실리카 C | 700 | ||||||
처리 실리카 D | 700 | ||||||
처리 실리카 E | |||||||
처리 실리카 F | |||||||
처리 실리카 G | |||||||
경화 촉진제 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | |
실리콘 변성 에폭시 수지 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | |
카본 블랙 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
실레인 커플링제 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
수지 특성 및 평가 결과 | |||||||
점도 (Pa·s) | 215 | 195 | 255 | 243 | 295 | 267 | |
유리 전이 온도 (℃) | 145 | 145 | 146 | 146 | 140 | 140 | |
Tg 이하 선팽창계수(ppm/℃) | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | |
Tg 이상 선팽창계수(ppm/℃) | 40 | 40 | 42 | 40 | 45 | 47 | |
플로우 마크 (유/무) | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | |
미충전 (유/무) | 유 | 유 | 유 | 유 | 유 | 유 | |
연마성 (양호/NG) | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | |
다이싱성 (양호/NG) | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | |
휨 (mm) | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 | |
IR 리플로우 후의 박리, 크랙 (유/무) | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | 무 | |
TCT 시험 | 초기 | OK | OK | OK | OK | OK | OK |
250 사이클 | OK | OK | OK | OK | OK | OK | |
500 사이클 | OK | OK | OK | OK | OK | OK | |
750 사이클 | OK | OK | OK | OK | OK | OK |
배합조성 (질량부) |
비교예 | |||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | ||
에폭시 수지 A1 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 70 | 7 | |
에폭시 수지 A2 | 33 | 33 | 33 | 33 | 33 | 33 | ||
에폭시 수지 A3 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | ||
경화제 B1 | ||||||||
경화제 B2 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | ||
경화제 B3 | 30 | |||||||
무기질 충전재 | 무처리 실리카 | 700 | ||||||
처리 실리카 A | 1,100 | 500 | 700 | |||||
처리 실리카 B | ||||||||
처리 실리카 C | ||||||||
처리 실리카 D | ||||||||
처리 실리카 E | 700 | |||||||
처리 실리카 F | 700 | |||||||
처리 실리카 G | 700 | |||||||
경화 촉진제 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | |||
실리콘 변성 에폭시 수지 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | ||
카본 블랙 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | ||
실레인 커플링제 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | ||
수지 특성 및 평가 결과 | ||||||||
점도 (Pa·s) | 565 | 575 | 950 | 65 | 128 | 1,950 | 페이스트로 인해 측정불가 | |
유리 전이 온도 (℃) | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 110 | 142 | |
Tg 이하 선팽창계수(ppm/℃) | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 10 | 9 | |
Tg 이상 선팽창계수(ppm/℃) | 42 | 42 | 42 | 42 | 42 | 50 | 45 | |
플로우 마크 (유/무) | 유 | 무 | 유 | 무 | 유 | 무 | 유 | |
미충전 (유/무) | 유 | 무 | 유 | 무 | 유 | 무 | 유 | |
연마성 (양호/NG) | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | |
다이싱성 (양호/NG) | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | |
휨 (mm) | 5 | 4 | <1 | 23 | <1 | 55 | 30 | |
IR 리플로우 후의 박리, 크랙 (유/무) | 무 | 무 | 무 | 유 | 유 | 유 | 유 | |
TCT 시험 | 초기 | OK | OK | OK | NG | OK | NG | NG |
250 사이클 | OK | OK | OK | OK | ||||
500 사이클 | OK | OK | OK | OK | ||||
750 사이클 | NG | NG | OK | OK |
점도
상온(25℃)에서의 점도 측정은 브룩필드·프로그래머블 레오미터 형식 : DV-III 울트라 점도계(콘 스핀들 CP-51/1.0rpm)로 행했다.
유리 전이 온도,
선팽창
계수
5×5×15mm의 시험편을 열팽창계(Rigaku TMA8140C)에 세트하고, 승온 5℃/분, 하중 19.6mN으로 25℃로부터 300℃까지 측정했다. 치수 변화와 온도의 그래프를 작성하고, 변곡점의 온도 이하에서 치수 변화-온도 곡선의 접선이 얻어지는 임의의 온도 2점 A1, A2, 변곡점의 온도 이상에서 접선이 얻어지는 임의의 2점 B1, B2를 선택하고, A1, A2를 연결하는 직선과 B1, B2를 연결하는 직선의 교점을 유리 전이 온도로 했다. A1~A2의 경사를 Tg 이하의 선팽창 계수, B1~B2의 경사를 Tg 이상의 선팽창 계수로 했다(도 1).
휨 측정
액상 수지 조성물의 컴프레션 성형 후의 휨 측정은 웨이퍼 8인치/725μm 두께를 사용하고, 아피크야마다사제 웨이퍼 몰드(MZ407-1)로 수지 두께를 200μm로 설정하고, 컴프레션 시간 600초로 120℃에서 성형한 후, 150℃/1시간에서 완전 경화(포스토 큐어)시켜 휨을 확인했다.
플로우
마크·미충전의 유무
액상 수지 조성물을 120℃에서 600초간, 수지 두께 400μm로 컴프레션 성형 후, 150℃/1시간에서 완전 경화(포스토 큐어)시킨 후, 외관 육안에 의한 플로우 마크, 미충전의 유무를 평가했다.
연마성
액상 수지 조성물을 120℃에서 600초간, 수지 두께 400μm로 컴프레션 성형 후, 150℃/1시간으로 완전 경화(포스토 큐어)시킨 후, 연마성의 확인을 행하고, 하기의 기준으로 평가했다.
(DISCO AUTOMATIC GRINDER DAG810)
조건 Grinding 1.0μm/s, Spindle speed 4,800rpm, Stage speed 300rpm으로 행했다.
양호 : 600메시 연마가 가능하며, 또한 연마시의 부하 전류값이 8.0A 이하로 안정되어 있다.
NG : 안정적으로 600메시 연마를 할 수 없다.
다이싱성
액상 수지 조성물 또는 펠릿상 수지 조성물을 120℃에서 600초간, 수지 두께 400μm로 컴프레션 성형 후, 150℃/1시간으로 완전 경화(포스토 큐어)시킨 후, 다이싱성의 확인을 행하고, 하기의 기준으로 평가했다.
(DISCO A540)
양호 : 단면을 관찰, 실리콘이 치핑하거나, 수지와 실리콘 계면에 박리가 발생하지 않는 경우
NG : 단면을 관찰, 실리콘이 치핑하거나, 수지와 실리콘 계면에 박리가 발생한 경우
신뢰성 시험
두께 200μm, 8인치 웨이퍼에 20μm 두께로 다이본드재 SFX-513M1(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)을 사용하여(후막 스크린 인쇄기 THICK FILM PRINTER 타입 MC212) 인쇄하고, B 스테이지 상태에서 가로세로 7mm 크기로 다이싱 장치로 다이싱함과 아울러 반도체 칩을 준비했다.
이어서, 두께 200μm, 8인치 웨이퍼 상에 플립 칩 본더(Panasonic NM-SB50A)를 사용하여, 두께 220μm, 가로세로 7mm 다이본드재 부착 반도체 칩을 10N/150℃/1.0초의 조건으로 다이본드를 행하고, 반도체 칩을 탑재한 200μm 웨이퍼를 얻었다.
반도체 칩 부착 200μm 웨이퍼를 압축 성형기에 세트하고, 액상 수지 조성물을 적량 얹고, 성형 압력 최대 30MPa 내지 15MPa에서 110℃, 10분으로 경화를 행하여 웨이퍼를 얻었다. 액상 수지 조성물의 양은 성형 후의 수지 두께가 400μm±10μm가 되도록 조정했다. 그 웨이퍼를 150℃, 2시간 오븐에서 열처리하여 후경화를 행한 후, 다시 다이싱 장치로 가로세로 7.1mm로 다이싱하고, 개편화한 두께 400μm의 수지를 탑재한 반도체 칩을 얻었다.
개편화한 수지 탑재 반도체 칩을 BT 기반 상에 플립 칩 본더(Panasonic NM-SB50A)로 10N/150℃/1.5초의 조건으로 다이본드재 SFX-513S(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)로 다이본드를 행하고, 150℃, 4시간 오븐에서 열처리하고, 후경화를 행하여 수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판을 얻었다.
수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판 상에 몰딩 컴파운드재를 트랜스퍼 성형(G-LINE 프레스 아피크야마다사제)하고, 성형 조건 175℃, 90초, 9MPa로 1.5mm 두께로 성형하고, 다시 다이싱 장치로 가로세로 10.0mm로 다이싱하고, 개편화한 몰딩 컴파운드 수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판(반도체 장치)을 얻었다.
개편화한 상기 반도체 장치를 85℃, 85% RH의 조건으로 168시간 흡습 처리했다. 이것을 최대 온도 260℃, 255~260℃의 시간이 30초±3초가 되도록 미리 설정한 리플로우 오븐에 3회 통과시키고, 땜납 내열 시험(박리 검사)을 행하여 육안으로 평가했다.
TCT
(온도 사이클 시험)
개편화한 몰딩 컴파운드 수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판을 ESPEC사제 소형 냉열 충격 장치 TSE-11을 사용하여, -55℃/15분⇒+125℃/15분(자동)의 사이클을 행했다. 우선 0회에서 초음파 탐상 장치(소닉스사제 QUANTUM350)로 75MHz의 프로브를 사용하여 반도체 칩 내부의 박리 상태를 무파괴로 확인했다. 이어서 250사이클 후에 마찬가지의 검사를 행하고, 500사이클 후, 700사이클 후에 반복하여 마찬가지의 검사를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
반도체 칩의 면적에 대하여 박리 면적의 합계가 대략 5% 미만인 경우는 미소 박리로 하여 「박리 없음(OK)」, 5% 이상의 박리 면적이 있는 경우는 「박리 있음(NG)」으로 평가했다.
Claims (10)
- (A) 분자 중에 실록세인 결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지,
(B) 산무수물계 경화제,
(C) 무기질 충전재로서 레이저 회절법으로 측정한 평균 입경 0.1~10μm의 구상 무기질 충전재이며, 그 표면이 하기 식(1)으로 표시되는 (메타)아크릴 관능성 실레인 커플링제에 의해, (C)성분의 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부의 비율로 표면 처리된 표면 처리 구상 무기질 충전재: (A), (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 600~1,000질량부,
[식 중, a는 0~3의 정수, R1은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, R2는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R3은 단결합 또는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R4는 수소 원자 또는 메틸기, A는 단결합 또는 하기 식
(식 중, R5는 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, B는 O 또는 S이다.)
(식 중, R6은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기이다.)
으로 표시되는 어느 하나의 기이다.]
(D) 경화 촉진제
를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, (D)성분이 인계 화합물, 제3급 아민 화합물, 이미다졸 화합물로부터 선택되는 1 이상이며, 그 양이 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1~15질량부인 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 5 항에 있어서, (D)성분이 트라이페닐포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(p-메틸페닐)포스핀, 트라이(노닐페닐)포스핀, 트라이페닐포스핀·트라이페닐보레인, 테트라페닐포스핀·테트라페닐보레이트, 트라이에틸아민, 벤질다이메틸아민, α-메틸벤질다이메틸아민, 1,8-다이아자비사이클로[5.4.0]운데센-7,2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸로부터 선택되는 1 이상인 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, JIS K 7117-1에 기재된 방법으로 측정한 25℃에 있어서의 점도가 5~1000Pa·s인 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치.
- 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법으로서, 1개 이상의 반도체 소자를 형성한 실리콘 웨이퍼 또는 기판 전체를 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 일괄 밀봉할 때에, 1개 이상의 반도체 소자를 형성한 실리콘 웨이퍼 또는 기판의 편면에 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물을 압압하에 피복하거나 또는 진공 분위기하에서 감압 피복하고, 이 수지 조성물을 가열 경화하여 반도체 소자를 밀봉하고, 그 후 경화 수지층을 연마 가공, 다이싱함으로써 개편화하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 직경 12인치 이상 20인치 이하의 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2014-001724 | 2014-01-08 | ||
JP2014001724 | 2014-01-08 | ||
PCT/JP2014/081557 WO2015104917A1 (ja) | 2014-01-08 | 2014-11-28 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160106607A true KR20160106607A (ko) | 2016-09-12 |
KR101904509B1 KR101904509B1 (ko) | 2018-10-04 |
Family
ID=53523757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167018981A KR101904509B1 (ko) | 2014-01-08 | 2014-11-28 | 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 수지 밀봉 반도체 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9711378B2 (ko) |
EP (1) | EP3064521B1 (ko) |
JP (1) | JP6090614B2 (ko) |
KR (1) | KR101904509B1 (ko) |
CN (1) | CN105899569B (ko) |
TW (1) | TWI643897B (ko) |
WO (1) | WO2015104917A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3022548A1 (fr) * | 2014-06-18 | 2015-12-25 | Michelin & Cie | Composition de caoutchouc comprenant un elastomere epoxyde reticule par un poly-acide carboxylique |
JP6789495B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2020-11-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
CN114410066A (zh) * | 2016-05-11 | 2022-04-29 | 日立化成株式会社 | 密封用液状树脂组合物及电子部件装置 |
US20200123376A1 (en) * | 2017-04-20 | 2020-04-23 | Showa Denko K.K. | Resin composition for sealing electronic control device, electronic control device and method for producing same |
WO2019078024A1 (ja) * | 2017-10-16 | 2019-04-25 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
JP7148946B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2022-10-06 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
KR20200103682A (ko) * | 2017-12-28 | 2020-09-02 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 밀봉 조성물 및 반도체 장치 |
CN113272383B (zh) * | 2019-02-21 | 2023-11-17 | 电化株式会社 | 组合物 |
KR20220063596A (ko) | 2020-11-10 | 2022-05-17 | 한국전기연구원 | 유무기 하이브리드 액상절연소재 및 그 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05331296A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 注型用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2002097255A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2008266512A (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2009142065A1 (ja) | 2008-05-21 | 2009-11-26 | ナガセケムテックス株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2012149111A (ja) | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61221216A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物 |
FR2650410B1 (fr) * | 1989-07-28 | 1991-10-11 | Bull Sa | Dispositif convertisseur d'energie a sorties multiples |
JPH05320482A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 難燃性エポキシ樹脂組成物 |
JP3695521B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2005-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003105168A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2004059779A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Toyota Motor Corp | 金属酸化物微粒子分散エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
JP4481672B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2010-06-16 | 株式会社日本触媒 | 半導体封止材用微粒子および半導体封止用樹脂組成物 |
JP4516779B2 (ja) | 2004-04-14 | 2010-08-04 | 株式会社アドマテックス | 金属酸化物表面処理粒子、その製造方法および樹脂組成物の製造方法 |
TW200913181A (en) * | 2007-07-10 | 2009-03-16 | Arakawa Chem Ind | Optical semiconductor-sealing composition |
TW201302907A (zh) * | 2011-06-01 | 2013-01-16 | Sumitomo Bakelite Co | 液狀樹脂組成物及利用此液狀樹脂組成物之半導體裝置 |
JP5764423B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレームまたは光半導体装置用基板、ならびに光半導体装置 |
JP5756054B2 (ja) * | 2012-04-16 | 2015-07-29 | 信越化学工業株式会社 | Ledのリフレクター用熱硬化性樹脂組成物並びにこれを用いたled用リフレクター及び光半導体装置 |
-
2014
- 2014-11-28 CN CN201480072633.1A patent/CN105899569B/zh active Active
- 2014-11-28 WO PCT/JP2014/081557 patent/WO2015104917A1/ja active Application Filing
- 2014-11-28 US US15/103,371 patent/US9711378B2/en active Active
- 2014-11-28 EP EP14878027.3A patent/EP3064521B1/en active Active
- 2014-11-28 KR KR1020167018981A patent/KR101904509B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-28 JP JP2015556730A patent/JP6090614B2/ja active Active
- 2014-12-16 TW TW103143891A patent/TWI643897B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05331296A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 注型用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2002097255A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2008266512A (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2009142065A1 (ja) | 2008-05-21 | 2009-11-26 | ナガセケムテックス株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2012149111A (ja) | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160314992A1 (en) | 2016-10-27 |
TW201538611A (zh) | 2015-10-16 |
JPWO2015104917A1 (ja) | 2017-03-23 |
CN105899569A (zh) | 2016-08-24 |
CN105899569B (zh) | 2018-04-10 |
KR101904509B1 (ko) | 2018-10-04 |
EP3064521A1 (en) | 2016-09-07 |
TWI643897B (zh) | 2018-12-11 |
WO2015104917A1 (ja) | 2015-07-16 |
US9711378B2 (en) | 2017-07-18 |
JP6090614B2 (ja) | 2017-03-08 |
EP3064521B1 (en) | 2018-07-11 |
EP3064521A4 (en) | 2017-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101904509B1 (ko) | 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 수지 밀봉 반도체 장치 | |
US20180247834A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor apparatus | |
JP4892164B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
TWI726921B (zh) | 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法 | |
JP2009097014A (ja) | 封止用液状樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ | |
TWI629296B (zh) | 半導體密封用環氧樹脂組成物、半導體安裝結構體、及其製造方法 | |
US20140179832A1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same | |
US6323263B1 (en) | Semiconductor sealing liquid epoxy resin compositions | |
JP6233441B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2015193851A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
TW201829609A (zh) | 樹脂組合物、樹脂片及半導體裝置、以及半導體裝置之製造方法 | |
JP2009057575A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
CN113227192A (zh) | 密封用树脂组合物、半导体装置和半导体装置的制造方法 | |
TW201829538A (zh) | 半導體密封用熱固性樹脂組成物 | |
TW201806043A (zh) | 大面積的搭載有半導體元件的基材的封裝方法 | |
JP5708666B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2016040393A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2015180760A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2015110803A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP5924443B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP5929977B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
KR102507422B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 | |
JP7095724B2 (ja) | アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
KR101293791B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 | |
JP2006143950A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |