TWI726921B - 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法 - Google Patents

底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI726921B
TWI726921B TW105132488A TW105132488A TWI726921B TW I726921 B TWI726921 B TW I726921B TW 105132488 A TW105132488 A TW 105132488A TW 105132488 A TW105132488 A TW 105132488A TW I726921 B TWI726921 B TW I726921B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
underfill
epoxy resin
phosphine
mass
Prior art date
Application number
TW105132488A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201713722A (zh
Inventor
出口央視
堀浩士
野尻直幸
Original Assignee
日商昭和電工材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=58487784&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI726921(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 日商昭和電工材料股份有限公司 filed Critical 日商昭和電工材料股份有限公司
Publication of TW201713722A publication Critical patent/TW201713722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI726921B publication Critical patent/TWI726921B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/38—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups together with di-epoxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/5033—Amines aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/17—Amines; Quaternary ammonium compounds
    • C08K5/18—Amines; Quaternary ammonium compounds with aromatically bound amino groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種流動性、填充性、成形性、耐溫度循環性及耐濕性優異的底部填充用樹脂組成物，以及藉由該底部填充用樹脂組成物將至少一部分密封而成的可靠性高的電子零件裝置及該電子零件裝置的製造方法。具體而言，所述底部填充用樹脂組成物為含有（A）環氧樹脂、（B）芳香族胺化合物、（C）無機填充材料及（D）有機磷化合物而成的底部填充用樹脂組成物。

Description

底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法
本發明是有關於一種底部填充（under fill）用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法。
先前以來，於電晶體（transistor）、積體電路（Integrated Circuit，IC）等電子零件裝置的半導體元件（以下亦稱為晶片（chip））的密封的領域中，就生產性及成本等方面而言，樹脂密封成為主流，應用各種樹脂組成物作為密封材料。其中，廣泛地使用含有環氧樹脂的樹脂組成物。其原因在於：環氧樹脂的作業性、成形性、電特性、耐濕性、耐熱性、機械特性、與嵌入（insert）品的接著性等對密封材料所要求的各種特性的平衡優異。
關於半導體元件的表面封裝，伴隨著電子零件裝置的小型化及薄型化，將裸晶（bare chip）直接封裝於配線基板上的所謂裸晶封裝成為主流。利用該裸晶封裝的半導體裝置例如可列舉板上晶片（Chip on Board，COB）、玻璃上晶片（Chip on Glass，COG）、載帶封裝（Tape Carrier Package，TCP）等，於該些半導體裝置中，廣泛地使用含有環氧樹脂的液狀樹脂組成物作為密封材料。 另外，於將半導體元件直接凸塊連接於以陶瓷、玻璃/環氧樹脂、玻璃/醯亞胺樹脂或聚醯亞胺膜等作為基板的配線基板（以下亦簡稱為「基板」）上而成的半導體裝置（覆晶）中，作為填充至經凸塊連接的半導體元件與配線基板的間隙（gap）中的底部填充材料，使用含有環氧樹脂的液狀樹脂組成物。 該些含有環氧樹脂的液狀樹脂組成物發揮保護電子零件不受溫濕度及機械外力的影響的重要作用。
於進行覆晶封裝的情形時，元件與基板的熱膨脹係數不同，於接合部中產生熱應力，故連接可靠性的確保為重要的課題。另外，對於裸晶而言，電路形成面未被充分保護，水分及離子性雜質容易滲入，故耐濕可靠性的確保亦為重要的課題。再者，為了保護晶片而於晶片側面形成圓角（fillet），但有由於因底部填充材料與晶片的熱膨脹差所引起的熱應力而樹脂產生裂縫、破壞晶片之虞。視底部填充材料的選定，於在溫度循環試驗等中反覆受到熱衝擊的情形時，有時連接部的保護不充分，故於低循環中接合部發生疲勞損壞。另外，若於底部填充材料中存在孔隙（void），則凸塊的保護不充分，故於該情形時亦有時於低循環中接合部發生疲勞損壞。
如此，流動性及溫度循環性良好的底部填充用樹脂組成物的需要不斷高漲，但若為了提高耐溫度循環性等而大量填充無機填充材料，則有時產生以下問題：底部填充用樹脂組成物的黏度明顯增大而流動性降低，成形性劣化。 作為解決該課題的發明，已知若為含有分別為既定量的（A）選自特定的環氧樹脂及特定的環氧化合物中的一種以上、（B）胺系硬化劑、（C）無機填充材料及（D）特定的矽酮微粒子的底部填充用樹脂組成物，則可降低樹脂組成物的黏度，流動性及耐溫度循環性優異（例如參照專利文獻1）。 另外，已知藉由將特定粒徑的二氧化矽與特定粒徑的非晶質二氧化矽併用而可達成低黏度化，成為流動性及耐溫度循環性優異的底部填充用樹脂組成物（例如參照專利文獻2）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-144661號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-149111號公報
[發明所欲解決之課題] 伴隨著近年來的半導體元件的高積體度化及多功能化，晶片尺寸不斷變大，另一方面，因多針腳（pin）化而推進凸塊的小徑化、窄間距化及窄間隙化，另外，伴隨著搭載設備的小型化而正進行晶片厚度的薄型化。由於窄間距化及窄間隙化，可使用的無機填充材料的粒徑變小，因此，難以向底部填充用樹脂組成物中大量填充無機填充材料。另外，低黏度樹脂的應用有導致玻璃轉移溫度（Tg）的降低及樹脂強度的降低之虞，故難以向底部填充用樹脂組成物中大量調配低黏度樹脂。因此，兼具高流動性及可靠性（例如耐溫度循環性及耐濕性等）日益變困難。 本發明是鑒於此種情況而成，其課題在於提供一種流動性、填充性、成形性、耐溫度循環性及耐濕性優異的底部填充用樹脂組成物，以及藉由該底部填充用樹脂組成物將至少一部分密封而成的可靠性高的電子零件裝置及該電子零件裝置的製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明者等人為了解決所述課題而反覆進行了潛心研究，結果發現，若為含有環氧樹脂、芳香族胺化合物、無機填充材料及有機磷化合物而成的底部填充用樹脂組成物，則可大量填充無機填充材料並且達成低黏度，結果可滿足流動性、填充性、成形性、耐溫度循環性及耐濕性。另外發現，藉由該底部填充用樹脂組成物將至少一部分密封而成的電子零件裝置的可靠性高。
即，本發明是關於以下的[1]～[11]。 [1] 一種底部填充用樹脂組成物，其是含有（A）環氧樹脂、（B）芳香族胺化合物、（C）無機填充材料及（D）有機磷化合物而成。 [2] 如所述[1]所記載的底部填充用樹脂組成物，其中（D）有機磷化合物為選自由膦化合物、氧化膦化合物、膦酸酯、亞磷酸酯、磷酸酯、磷烷（phosphorane）化合物、磷烯（phosphaalkene）化合物、磷炔（Phosphaalkyne）化合物及具有磷酸酯基的共聚物所組成的組群中的一種以上。 [3] 如所述[1]或[2]所記載的底部填充用樹脂組成物，其中（D）有機磷化合物為選自由三苯基膦、三(對甲氧基苯基)膦、三苯基氧化膦及具有磷酸酯基的共聚物所組成的組群中的一種以上。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物，其中（A）環氧樹脂為選自由雙酚型環氧樹脂及縮水甘油胺型環氧樹脂所組成的組群中的一種以上。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物，其中（B）芳香族胺化合物為選自由二乙基甲苯二胺、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷及二甲硫基甲苯二胺所組成的組群中的一種以上。 [6] 如所述[1]至[5]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物，其中相對於底部填充用樹脂組成物總量，（C）無機填充材料的含量為40質量%～80質量%。 [7] 如所述[1]至[6]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物，其中相對於底部填充用樹脂組成物總量，（C）無機填充材料的含量為60質量%～75質量%。 [8] 如所述[1]至[7]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物，其中相對於（C）無機填充材料，（D）有機磷化合物的含量為0.001質量%～10質量%。 [9] 如所述[1]至[8]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物，其藉由E型黏度計於110℃、剪切速度32.5 s-1 的條件下測定的黏度為0.01 Pa·s～0.25 Pa·s。 [10] 一種電子零件裝置，包括支撐構件、配置於所述支撐構件上的電子零件、及所述支撐構件與所述電子零件的連接部，並且 所述連接部的至少一部分是利用如所述[1]至[9]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物而密封。 [11] 一種電子零件裝置的製造方法，製造將支撐構件與電子零件經由連接部電性連接而成的電子零件裝置，並且所述電子零件裝置的製造方法包括以下步驟：使用如所述[1]至[9]中任一項所記載的底部填充用樹脂組成物將所述連接部的至少一部分密封。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種流動性、填充性、成形性、耐溫度循環性及耐濕性優異的底部填充用樹脂組成物，以及藉由該底部填充用樹脂組成物將至少一部分密封而成的可靠性高的電子零件裝置及該電子零件裝置的製造方法。
本說明書中，「步驟」的用語不僅是指獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區分的情形時，只要可達成該步驟的預期目的，則亦包含在該用語中。另外，本說明書中使用「～」所表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。 本說明書中，關於樹脂組成物中的各成分的含量，於樹脂組成物中存在多種相當於各成分的物質的情形時，只要無特別說明，則是指存在於樹脂組成物中的該多種物質的合計含量。 進而，本說明書中，「常溫」是指25℃。另外，「液狀」只要無特別說明，則是指於常溫下為液狀，是指於常溫下利用E型黏度計所測定的黏度為1,000 Pa·s以下。「固態狀」只要無特別說明，則是指於常溫下為固態狀、即固體。
[底部填充用樹脂組成物] 本發明的底部填充用樹脂組成物是含有（A）環氧樹脂、（B）芳香族胺化合物、（C）無機填充材料及（D）有機磷化合物而成。 以下，對本發明的底部填充用樹脂組成物的各成分及物性依序進行說明。
＜（A）環氧樹脂＞ （A）環氧樹脂可無特別限制地使用通常用於底部填充用樹脂組成物中的環氧樹脂，例如較佳為一分子中具有兩個以上的環氧基的環氧樹脂。 （A）環氧樹脂於常溫下可為固態狀亦可為液狀，就填充性的觀點而言，較佳為於常溫下為液狀。環氧樹脂、尤其是於常溫下為液狀的環氧樹脂（以下亦稱為「液狀環氧樹脂」）可使用底部填充用樹脂組成物中通常所使用的液狀環氧樹脂。該液狀環氧樹脂較佳為於常溫下利用E型黏度計所測定的黏度為例如0.0001 Pa·s～10 Pa·s。 此種（A）環氧樹脂例如可列舉：雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、氫化雙酚A等雙酚型環氧樹脂等二縮水甘油醚型環氧樹脂；鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等將由酚類與醛類所得的酚醛清漆樹脂加以環氧化而成的樹脂；藉由鄰苯二甲酸、二聚酸等多元酸與表氯醇的反應所得的縮水甘油酯型環氧樹脂；藉由對胺基苯酚、二胺基二苯基甲烷、異氰脲酸等胺化合物與表氯醇的反應所得的縮水甘油胺型環氧樹脂；藉由過乙酸等過酸將烯烴鍵氧化而獲得的線性脂肪族環氧樹脂及脂環族環氧樹脂等。（A）環氧樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 該些環氧樹脂中，就流動性的觀點而言，例如較佳為雙酚型環氧樹脂，就耐熱性、接著性及流動性的觀點而言，例如較佳為縮水甘油胺型環氧樹脂。因此，（A）環氧樹脂較佳為選自由雙酚型環氧樹脂及縮水甘油胺型環氧樹脂所組成的組群中的一種以上。 另外，就流動性的觀點而言，雙酚型環氧樹脂較佳為選自由雙酚A的二縮水甘油醚型環氧樹脂（雙酚A型環氧樹脂）及雙酚F的二縮水甘油醚型環氧樹脂（雙酚F型環氧樹脂）所組成的組群中的一種以上。於將雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂併用的情形時，其質量比（雙酚A型環氧樹脂：雙酚F型環氧樹脂）並無特別限制，就耐熱性、接著性及流動性的觀點而言，例如較佳為5：95～50：50，更佳為10：90～40：60，進而佳為20：80～40：60。
另外，就流動性的觀點而言，雙酚型環氧樹脂及縮水甘油胺型環氧樹脂均較佳為於常溫下為液狀。
雙酚型環氧樹脂及縮水甘油胺型環氧樹脂可單獨使用任一種，亦可組合使用兩種以上，就耐熱性、接著性及流動性的觀點而言，較佳為將雙酚型環氧樹脂與縮水甘油胺型環氧樹脂併用。
雙酚型環氧樹脂及縮水甘油胺型環氧樹脂的合計含量並無特別限制，就耐熱性、接著性及流動性的觀點而言，相對於(A)環氧樹脂總量，例如較佳為20質量%以上，更佳為30質量%以上，進而佳為50質量%以上，尤佳為80質量%以上。該合計含量的上限值並無特別限制，就黏度、玻璃轉移溫度及耐熱性等觀點而言，可於可獲得所需性狀及特性的範圍內決定，可為100質量%。
另外，於將雙酚型環氧樹脂與縮水甘油胺型環氧樹脂併用的情形時，其質量比(雙酚型環氧樹脂：縮水甘油胺型環氧樹脂)並無特別限制，就耐熱性、接著性及流動性的觀點而言，例如較佳為20：80~95：5，更佳為40：60~90：10，進而佳為60：40~80：20。
另外，本發明的底部填充用樹脂組成物中，亦可使用於常溫下為固態狀的環氧樹脂。
就流動性的觀點而言，相對於(A)環氧樹脂總量，於常溫下為固態狀的環氧樹脂的含量例如較佳為0質量%~20質量%，更佳為0質量%~10質量%，進而佳為0質量%~5質量%。
(A)環氧樹脂的環氧當量並無特別限制，就耐熱性的觀點而言，較佳為60g/mol~400g/mol，更佳為70g/mol~300 g/mol，進而佳為80 g/mol～250 g/mol。
此處，環氧當量為環氧基單位的樹脂的質量（g/eq），可依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 7236中規定的方法來測定。具體而言可藉由以下方式求出：使用三菱化學分析技術（Mitsubishi Chemical Analytech）股份有限公司的自動滴定裝置「GT-200型」，於200 ml燒杯中秤量2 g的環氧樹脂，滴加90 ml的甲基乙基酮，進行超音波清洗器溶解後，添加10 ml的冰醋酸及1.5 g的溴化鯨蠟基三甲基銨，利用0.1 mol/L的過氯酸/乙酸溶液進行滴定。
（A）環氧樹脂的純度以高為佳。尤其是水解性氯量與IC（Integrated Circuit）等元件上的鋁配線腐蝕有關，故以少為佳，就獲得耐濕性優異的底部填充用樹脂組成物的觀點而言，例如較佳為500 ppm以下。 此處所謂水解性氯量，是以如下的值作為尺度：將1 g的試樣的環氧樹脂溶解於30 ml的二噁烷中，添加5 ml的1N-KOH（氫氧化鉀）甲醇溶液並回流30分鐘後，藉由電位差滴定所求出的值。
本發明的底部填充用樹脂組成物中的（A）環氧樹脂的含量並無特別限制，就耐熱性、接著性及流動性的觀點而言，於將（C）無機填充材料除外的樹脂組成物的總量中，例如較佳為40質量%～90質量%，更佳為50質量%～80質量%，進而佳為55質量%～70質量%。
＜（B）芳香族胺化合物＞ （B）芳香族胺化合物只要為作為（A）環氧樹脂的硬化劑而發揮功能的芳香族胺化合物，則可無特別限制地使用。與作為環氧樹脂的硬化劑而已知的胺系硬化劑、酚系硬化劑及酸酐系硬化劑等相比較，若為芳香族胺化合物，則耐溫度循環性及耐濕性等更優異，可提高半導體裝置的可靠性。 （B）芳香族胺化合物例如較佳為一分子中含有兩個以上的選自由一級胺基及二級胺基所組成的組群中的一種以上（以下亦簡稱為「胺基」）的化合物，更佳為具有2個～4個所述胺基的化合物，進而佳為具有2個所述胺基的芳香族二胺化合物。另外，所述胺基較佳為一級胺基。 （B）芳香族胺化合物於常溫下可為固態狀，亦可為液狀，就底部填充用樹脂組成物的流動性的觀點而言，較佳為於常溫下為液狀。
於常溫下為液狀的芳香族胺化合物（亦稱為液狀芳香族胺化合物）例如可列舉：3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺、3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺等二乙基甲苯二胺，1-甲基-3,5-二乙基-2,4-二胺基苯、1-甲基-3,5-二乙基-2,6-二胺基苯、1,3,5-三乙基-2,6-二胺基苯、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,5,3',5'-四甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、二甲硫基甲苯二胺等。 （B）芳香族胺化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
該些化合物中，就保存穩定性的觀點而言，例如較佳為選自由二乙基甲苯二胺、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷及二甲硫基甲苯二胺所組成的組群中的一種以上，更佳為選自由二乙基甲苯二胺及3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷所組成的組群中的一種以上。
就保存穩定性的觀點而言，較佳為(B)芳香族胺化合物中的二乙基甲苯二胺的含量為20質量%~70質量%，更佳為30質量%~55質量%。
液狀芳香族胺化合物可使用市售品。市售品的液狀芳香族胺化合物例如可獲取：JER固W(JER Cure W)(日本環氧樹脂(Japan Epoxy Resin)股份有限公司製造，商品名)，卡亞哈德(Kayahard)(註冊商標)A-A、卡亞哈德(Kayahard)(註冊商標)A-B、卡亞哈德(Kayahard)(註冊商標)A-S(日本化藥股份有限公司製造，商品名)，東都胺(Tohto Amine)HM-205(東都化成(Tohto Kasei)股份有限公司製造，商品名)，艾迪科哈德那(Adeka Hardner)(註冊商標)EH-101(艾迪科(ADEKA)股份有限公司製造，商品名)，愛波米克(Epomic)(註冊商標)Q-640、愛波米克(Epomic)(註冊商標)Q-643(三井化學股份有限公司製造，商品名)，德達(DETDA)80(龍沙(Lonza)公司製造，商品名)等。
亦可於不損及本發明的效果的範圍內，併用(B)芳香族胺化合物以外的公知的其他硬化劑、例如酚系硬化劑及酸酐系硬化劑等，就填充性、成形性、耐溫度循環性及耐濕性的觀點而 言，相對於(B)芳香族胺化合物100質量份，其他硬化劑的含量例如較佳為20質量份以下，更佳為10質量份以下，進而佳為5質量份以下。
(B)芳香族胺化合物亦可使用於常溫下為固態狀的(B)芳香族胺化合物。
就流動性的觀點而言，相對於(B)芳香族胺化合物總量，於常溫下為固態狀的(B)芳香族胺化合物的含量例如較佳為0質量%~20質量%，更佳為0質量%~10質量%，進而佳為0質量%~5質量%。
(B)芳香族胺化合物的活性氫當量並無特別限制，就填充性、成形性、耐溫度循環性及耐濕性的觀點而言，例如較佳為10g/mol~200g/mol，更佳為20g/mol~120g/mol，進而佳為30g/mol~75g/mol。
本發明的底部填充用樹脂組成物中的(A)環氧樹脂與(B)芳香族胺化合物的當量比((A)環氧樹脂的環氧基的莫耳數/(B)芳香族胺化合物的活性氫的莫耳數)並無特別限制，就將各自的未反應成分抑制得少的觀點而言，例如較佳為0.7~1.6，更佳為0.8~1.4，進而佳為0.9~1.2。
<(C)無機填充材料>
(C)無機填充材料並無特別限制，例如可列舉：熔融二氧化矽、結晶二氧化矽等二氧化矽、碳酸鈣、黏土、氧化鋁(aluminum oxide)等氧化鋁(alumina)、氮化矽、碳化矽、氮化硼、矽酸鈣、鈦酸鉀、氮化鋁、氧化鈹、氧化鋯、鋯石、矽酸鎂石（forsterite）、塊滑石（steatite）、尖晶石、富鋁紅柱石（mullite）、二氧化鈦等的粉體，或將該些材料球形化而成的珠粒，玻璃纖維等。
亦可使用具有阻燃效果的無機填充材料作為（C）無機填充材料。具有阻燃效果的無機填充材料例如可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋅、鉬酸鋅等。 （C）無機填充材料可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 該些材料中，就獲取容易性、化學穩定性及材料成本的觀點而言，例如較佳為二氧化矽，更佳為熔融二氧化矽。（C）無機填充材料的粒子形狀並無特別限制，可為不定形狀亦可為球狀，就底部填充材料用樹脂組成物向微細間隙中的流動性及滲透性的觀點而言，可較佳地使用球狀二氧化矽、尤其是球狀熔融二氧化矽。
另外，（C）無機填充材料亦可進行表面處理。具體而言，（C）無機填充材料亦可使用矽烷偶合劑進行表面處理。矽烷偶合劑例如可列舉：胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、苯基矽烷系偶合劑、烷基矽烷系偶合劑、烯基矽烷系偶合劑、炔基矽烷系偶合劑、鹵代烷基矽烷系偶合劑、矽氧烷系偶合劑、氫矽烷系偶合劑、矽氮烷系偶合劑、烷氧基矽烷系偶合劑、氯矽烷系偶合劑、(甲基)丙烯酸矽烷系偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、異氰脲酸酯矽烷系偶合劑、脲基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、硫醚矽烷系偶合劑及異氰酸酯矽烷系偶合劑等。
（C）無機填充材料的體積平均粒徑並無特別限制，例如較佳為0.1 μm～10 μm，更佳為0.3 μm～5 μm，進而佳為0.5 μm～3 μm。藉由將（C）無機填充材料的體積平均粒徑設為0.1 μm以上，有於（A）環氧樹脂中的分散性提高，不易對底部填充用樹脂組成物賦予觸變性，底部填充用樹脂組成物的流動特性提高的傾向。另一方面，藉由設為10 μm以下，有容易抑制底部填充用樹脂組成物中的（C）無機填充材料的沈降的傾向，且有底部填充用樹脂組成物向微細間隙中的滲透性及流動性提高，可抑制孔隙及未填充部分的產生的傾向。 再者，所謂體積平均粒徑，為將粒子的總體積設為100%而求出粒徑的累計度數分佈曲線時，相當於體積50%的點的粒徑，可藉由使用雷射繞射散射法的粒度分佈測定裝置等進行測定。
本發明的底部填充用樹脂組成物中的（C）無機填充材料的含量並無特別限制，相對於底部填充用樹脂組成物總量，例如較佳為40質量%～80質量%，亦可設為50質量%～75質量%，亦可設為60質量%～75質量%。藉由將（C）無機填充材料的含量設為40質量%以上，有容易獲得熱膨脹係數的降低效果及耐溫度循環性的提高效果的傾向，藉由設為80質量%以下，有抑制底部填充用樹脂組成物的黏度的上升，流動性、滲透性及分配（dispense）性變良好的傾向。尤其就耐溫度循環性的提高效果的觀點而言，（C）無機填充材料的含量的下限值越高越佳。本發明中，即便如上文所述般提高（C）無機填充材料的含量，亦可將底部填充用樹脂組成物維持為低黏度。
＜（D）有機磷化合物＞ （D）有機磷化合物為於分子中具有有機基及磷原子的化合物。就流動性、填充性及耐溫度循環性的觀點而言，有機基較佳為碳數6～14的芳香族烴基。該芳香族烴基例如可列舉苯基、萘基、蒽基等。該芳香族烴基亦可經選自由碳數1～5的烷基及碳數1～5的烷氧基所組成的組群中的一種以上的取代基所取代。 藉由使用（D）有機磷化合物，有降低底部填充用樹脂組成物的黏度的效果。表現出該效果的準確理由雖不明，但推測原因在於：（D）有機磷化合物有吸附於所述（C）無機填充材料的表面而抑制無機填充材料彼此的氫結合的效果。另外推測，藉由（D）有機磷化合物的主骨架的立體效應，而使（C）無機填充材料的分散穩定化提高，由此可獲得防止（C）無機填充材料的沈降的效果。 （D）有機磷化合物例如可列舉：膦化合物、氧化膦化合物、膦酸酯、亞磷酸酯、磷酸酯、磷烷化合物、磷烯化合物、磷炔化合物、具有磷酸酯基的共聚物等。其中，就底部填充用樹脂組成物的流動性、填充性、耐溫度循環性及耐濕性的觀點而言，較佳為膦化合物、氧化膦化合物、具有磷酸酯基的共聚物。 （D）有機磷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
膦化合物例如可列舉：三苯基膦、二苯基(對甲苯基)膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三(烷基烷氧基苯基)膦、三(二烷基苯基)膦、三(三烷基苯基)膦、三(四烷基苯基)膦、三(二烷氧基苯基)膦、三(三烷氧基苯基)膦、三(四烷氧基苯基)膦、三烷基膦、二烷基芳基膦、烷基二芳基膦等。該些化合物中，就流動性、填充性、耐溫度循環性及耐濕性的觀點而言，較佳為三苯基膦、三(烷氧基苯基)膦。再者，三(烷氧基苯基)膦例如較佳為三(對甲氧基苯基)膦等。
氧化膦化合物例如可列舉：二苯基氧化膦、二苯基乙烯基氧化膦、三苯基氧化膦、(2,5-二羥基苯基)二苯基氧化膦、(對羥基苯基)二苯基氧化膦、雙(對羥基苯基)苯基氧化膦、三(對羥基苯基)氧化膦等。該些化合物中，就流動性、填充性、耐溫度循環性及耐濕性的觀點而言，較佳為三苯基氧化膦。
具有磷酸酯基的共聚物只要為分子內具有磷酸酯基的共聚物，則並無特別限制。簡便的是使用市售品，例如可使用畢克（BYK）-W9010（日本畢克化學（BYK Chemie Japan）股份有限公司製造，商品名）等。
本發明的底部填充用樹脂組成物中的（D）有機磷化合物的含量並無特別限制，相對於（C）無機填充材料總量，例如較佳為0.001質量%～10質量%，更佳為0.01質量%～5質量%，進而佳為0.01質量%～2質量%。
＜其他成分＞ 本發明的底部填充用樹脂組成物除了所述（A）成分～（D）成分以外，亦可含有其他成分。其他成分可列舉底部填充用樹脂組成物中可含有的公知的成分，例如可列舉：可撓劑、硬化促進劑、偶合劑、離子捕捉劑、著色劑、稀釋劑、調平劑、消泡劑等。
（可撓劑） 若使用可撓劑，則可獲得底部填充用樹脂組成物的耐熱衝擊性的提高效果及對半導體元件的應力降低效果。可撓劑並無特別限制，較佳為橡膠粒子。橡膠粒子例如可列舉：苯乙烯-丁二烯橡膠（Styrene Butadiene Rubber，SBR）、腈-丁二烯橡膠（Nitrile Butadiene Rubber，NBR）、丁二烯橡膠（Butadiene Rubber，BR）、胺基甲酸酯橡膠（Urethane Rubber，UR）、丙烯酸系橡膠（Acrylic Rubber，AR）、矽酮橡膠等的橡膠粒子。 可撓劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 矽酮橡膠粒子例如可列舉：將直鏈狀的聚二甲基矽氧烷、聚甲基苯基矽氧烷、聚二苯基矽氧烷等聚有機矽氧烷交聯而成的矽酮橡膠粒子；以矽酮樹脂將矽酮橡膠粒子的表面被覆而成的粒子；藉由乳化聚合等而獲得的包含固態狀矽酮粒子的核與丙烯酸系樹脂等有機聚合物的殼的核-殼聚合物粒子等。 該些矽酮橡膠粒子的形狀可為不定形狀亦可為球形，為了將底部填充用樹脂組成物的黏度抑制得低，較佳為使用球形的矽酮橡膠粒子。矽酮橡膠粒子可自東麗×道康寧矽酮（Toray-Dow corning Silicone）股份有限公司、信越化學股份有限公司等獲取市售品。
橡膠粒子的平均一次粒徑較佳為0.05 μm～10 μm，更佳為0.1 μm～5 μm。藉由平均一次粒徑為0.05 μm以上，有於底部填充用樹脂組成物中的分散性提高的傾向，藉由為10 μm以下，有低應力化效果提高的傾向，且有底部填充用樹脂組成物向微細間隙中的滲透性及流動性提高，容易抑制孔隙及未填充部分的產生的傾向。為了將底部填充用樹脂組成物均勻地改質，有利的是橡膠粒子的一次粒徑小。
於底部填充用樹脂組成物含有可撓劑的情形時，其含量較佳為將（C）無機填充材料除外的底部填充用樹脂組成物總體的1質量%～30質量%，更佳為2質量%～20質量%，進而佳為4質量%～12質量%。藉由將可撓劑的含量設為1質量%以上，有低應力效果增大的傾向，藉由設為30質量%以下，有底部填充用樹脂組成物的黏度降低，成形性及流動性提高的傾向。
（硬化促進劑） 就促進（A）環氧樹脂與（B）芳香族胺化合物的反應的觀點而言，本發明的底部填充用樹脂組成物視需要亦可含有硬化促進劑。 硬化促進劑並無特別限制，可使用先前公知的硬化促進劑。例如可列舉：1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯、5,6-二丁基胺基-1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7等環脒化合物；三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,4-二胺基-6-(2'-甲基咪唑基-(1'))-乙基-均三嗪、2-十七烷基咪唑等咪唑化合物；2-乙基-4-甲基咪唑四苯基硼酸鹽、N-甲基嗎啉四苯基硼酸鹽等苯基硼鹽等。該些化合物中，就透明性及硬化促進作用的觀點而言，較佳為咪唑化合物，更佳為2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。 另外，具有潛伏性的硬化促進劑可列舉：以含有在常溫下為固體的環氧化合物的殼將含有在常溫下為固體的具有胺基的化合物的核被覆而成的核-殼粒子。該核-殼粒子的市售品可使用：阿米固（Amicure）（註冊商標）（味之素（Ajinomoto）股份有限公司製造，商品名），使經微膠囊化的胺分散於雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂中而成的諾瓦固（Novacure）（註冊商標）（旭化成化學（Asahi Kasei Chemicals）股份有限公司製造，商品名）等。 硬化促進劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於本發明的底部填充用樹脂組成物含有硬化促進劑的情形時，硬化促進劑的含量只要為表現出（A）環氧樹脂與（B）芳香族胺化合物的硬化促進效果的量，則並無特別限制，只要根據所使用的硬化促進劑的種類等而適當選擇即可。例如相對於（A）環氧樹脂100質量份，較佳為0.1質量份～40質量份，更佳為0.5質量份～20質量份，進而佳為0.5質量份～5質量份。若相對於（A）環氧樹脂100質量份，硬化促進劑的含量為0.1質量份以上，則有低溫下的硬化性變良好的傾向，若為40質量份以下，則有硬化速度的控制變容易，適用期（pot life）及保存期限（shelf life）等保存穩定性提高的傾向。
（偶合劑） 就使（A）環氧樹脂與（C）無機填充材料的界面接著及（A）環氧樹脂與電子零件的構成構件的界面接著牢固的觀點、以及提高填充性的觀點而言，本發明的底部填充用樹脂組成物視需要亦可含有偶合劑。 偶合劑並無特別限制，可使用先前公知的偶合劑，例如可列舉：具有選自由一級胺基、二級胺基及三級胺基所組成的組群中的一種以上的胺基矽烷，環氧矽烷，巰基矽烷，烷基矽烷，脲基矽烷，乙烯基矽烷等矽烷系化合物；鈦系化合物；鋁螯合物類；鋁/鋯系化合物等。該些化合物中，就與二氧化矽的反應性的觀點而言，例如較佳為矽烷系化合物，更佳為環氧矽烷。 環氧矽烷例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷等。該些化合物中，就與二氧化矽的反應性的觀點而言，例如較佳為γ-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷。 偶合劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於本發明的底部填充用樹脂組成物含有偶合劑的情形時，偶合劑的含量並無特別限制，就使（A）環氧樹脂與（C）無機填充材料的界面接著及（A）環氧樹脂與電子零件的構成構件的界面接著牢固的觀點、以及提高填充性的觀點而言，相對於底部填充用樹脂組成物總量，例如較佳為0.05質量%～10質量%，更佳為0.1質量%～5質量%，進而佳為0.1質量%～3質量%。
＜離子捕捉劑＞ 就提高IC等半導體元件的耐遷移性、耐濕性及高溫放置特性的觀點而言，本發明的底部填充用樹脂組成物視需要亦可含有離子捕捉劑。 離子捕捉劑並無特別限制，例如可列舉下述組成式（I）或組成式（II）所表示的離子捕捉劑。   Mg1-x Alx (OH)2 (CO3 )x/2 ·mH2 O         （I）   （0＜X≦0.5，m為正數）   BiOx (OH)y (NO3 )z （II）   （0.9≦x≦1.1，0.6≦y≦0.8，0.2≦z≦0.4） （其中，2x＋y＋z＝3）
所述組成式（I）或組成式（II）所表示的化合物可以市售品的形式獲取。組成式（I）所表示的化合物的市售品例如可獲取「DHT-4A」（協和化學工業股份有限公司製造，商品名）。另外，所述組成式（II）所表示的化合物的市售品例如可獲取「IXE-500」（東亞合成股份有限公司製造，商品名）。 離子捕捉劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 離子捕捉劑的平均粒徑並無特別限制，例如較佳為0.1 μm～3 μm，最大粒徑例如較佳為10 μm以下。 於本發明的底部填充用樹脂組成物含有離子捕捉劑的情形時，離子捕捉劑的含量例如較佳為0.1質量%～3質量%，更佳為0.3質量%～1.5質量%。 另外，本發明的底部填充用樹脂組成物視需要亦可含有其他陰離子交換體。其他陰離子交換體並無特別限制，可使用先前公知的陰離子交換體，例如可列舉選自由鎂、鋁、鈦、鋯、銻等所組成的組群中的一種以上的元素的含水氧化物等，可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
關於本發明的底部填充用樹脂組成物，只要為可將所述各種成分充分地分散混合的方法，則可使用任意方法來製備。例如可藉由以下方式而獲得：秤量既定的調配量的所述各成分，使用擂潰機、研磨輥（mixing roll）、行星式混合機（planetary mixer）等混合機進行混合及混練，視需要進行脫泡。 混合及混練條件只要根據原料的種類等而適宜決定即可，較佳為選擇所述各成分充分地（較佳為均勻地）混合及分散的條件。
（底部填充用樹脂組成物的黏度） 本發明的底部填充用樹脂組成物較佳為於常溫下為液狀。即，於常溫下利用E型黏度計所測定的本發明的底部填充用樹脂組成物的黏度例如較佳為1,000 Pa·s以下。若所述黏度為1,000 Pa·s以下，則容易確保可應對近年來的電子零件的小型化、半導體元件的連接端子的精細間距化、配線基板的微細配線化的流動性及滲透性。 尤其底部填充時的底部填充用樹脂組成物的黏度亦重要，關於底部填充時的溫度（70℃～130℃）、例如110℃下的依據實施例中記載的方法所測定的底部填充用樹脂組成物的黏度，就所述相同的觀點而言，例如較佳為500 Pa·s以下，更佳為100 Pa·s以下，進而佳為10 Pa·s以下，進而更佳為3 Pa·s以下，尤佳為0.25 Pa·s以下，最佳為0.20 Pa·s以下。黏度的下限並無特別限制，就封裝性的觀點而言，例如較佳為0.01 Pa·s以上，更佳為0.5 Pa·s以上，進而佳為0.1 Pa·s以上。尤其該黏度較佳為0.01 Pa·s～0.25 Pa·s，更佳為0.01 Pa·s～0.20 Pa·s，進而佳為0.05 Pa·s～0.20 Pa·s。 所述黏度只要根據成為密封對象的電子零件及電子零件裝置的種類而適宜調整即可。黏度例如可藉由控制所述例示的各成分的種類、含量等而調整。
[電子零件裝置] 本發明的電子零件裝置為具有支撐構件、配置於所述支撐構件上的電子零件、及所述支撐構件與所述電子零件的連接部的電子零件裝置，並且所述連接部的至少一部分是利用所述本發明的底部填充用樹脂組成物而密封。由於連接部的至少一部分是利用所述本發明的底部填充用樹脂組成物而密封，故可謂該電子零件裝置含有本發明的底部填充用樹脂組成物的硬化物。 構成本發明的電子零件裝置的具備支撐構件及電子零件等的半導體裝置的較佳態樣與所述本發明的底部填充用樹脂組成物的用途的說明中列舉的半導體裝置相同。 本發明的電子零件裝置只要藉由本發明的底部填充用樹脂組成物將所述連接部的至少一部分密封即可，較佳為將所述連接部的50%以上密封，更佳為將所述連接部的80%以上密封，進而佳為將所述連接部全部密封。另外，亦可為以下態樣：所述支撐構件與所述電子零件的間隙的較佳為80體積%以上、更佳為90體積%以上、進而佳為100體積%經底部填充用樹脂組成物填滿。
[電子零件裝置的製造方法] 本發明的電子零件裝置的製造方法製造將支撐構件與電子零件經由連接部電性連接而成的電子零件裝置，並且所述電子零件裝置的製造方法包括以下步驟：使用本發明的底部填充用樹脂組成物將所述連接部的至少一部分密封。 本發明的電子零件裝置的製造方法中所用的具備支撐構件及電子零件等的半導體裝置的較佳態樣與所述本發明的底部填充用樹脂組成物的用途的說明中列舉的半導體裝置相同。 使用本發明的底部填充用樹脂組成物將支撐構件與電子零件的連接部密封的方法並無特別限制，可應用分配方式、注模方式、印刷方式等先前公知的方式。 [實施例]
繼而，藉由實施例對本發明加以更具體說明，但本發明不限定於該些實施例。 將實施例及比較例中進行的特性試驗的試驗方法彙總示於以下。
實施例及比較例中所得的底部填充用樹脂組成物的評價中所用的半導體裝置的規格如下所述。 ·半導體元件的尺寸：20 mm×20 mm×0.55 mm厚（電路：鋁的菊鏈（daisy chain）連接，鈍化：聚醯亞胺膜HD4000，日立化成杜邦微系統（Hitachi Chemical DuPont MicroSystems）股份有限公司製造） ·凸塊的種類：焊料球（Sn-Ag-Cu，直徑80 μm，7,744針腳） ·凸塊間距：190 μm ·基板（核）的種類：FR-5（阻焊劑（Solder Resist）SR7200，日立化成股份有限公司製造，60 mm×60 mm×0.8 mm厚） ·基板與晶片間的間隙：50 μm
[密封及硬化條件] 利用分配方式將80 mg的實施例及比較例中所得的底部填充用樹脂組成物於110℃的條件下塗佈（底部填充）於半導體裝置的基板與元件的間隙中後，於150℃下於空氣中硬化2小時，由此將間隙密封，製作半導體裝置。
[物性評價] 藉由以下的各試驗對實施例及比較例中所得的底部填充用樹脂組成物進行評價。將評價結果示於表1中。
（1）110℃黏度（流動性的評價） 藉由E型黏度計「AR2000」（TA儀器（TA INSTRUMENT）公司製造），使用40 mm平行板（間隙：500 μm），於剪切速度32.5 s-1 的條件下對底部填充用樹脂組成物的110℃下的黏度進行測定。就窄間隙時的流動性的觀點而言，較佳為0.25 Pa·s以下，更佳為0.20 Pa·s以下。
（2）含浸時間（填充性的評價） 將半導體裝置放置於經加熱至110℃的加熱板上，利用分配方式將100 mg的底部填充用樹脂組成物滴加於晶片的側面（一邊），測定直至底部填充用樹脂組成物滲透至相向側面為止的時間。較佳為110秒以下，更佳為100秒以下。
（3）孔隙的有無（成形性的評價） 利用超音波探傷裝置「AT-5500」（日立建機股份有限公司製造）對密封後的10個半導體裝置的內部進行觀察，研究孔隙的有無，對存在孔隙的半導體裝置的個數（存在孔隙的半導體裝置的個數/10）進行測定。存在孔隙的半導體裝置的個數越少，成形性越優異。
（4）可靠性的評價 （4-1）耐溫度循環性 以-55℃～125℃、各30分鐘的熱循環對進行底部填充用樹脂組成物的底部填充而製作的半導體裝置進行2,000循環處理，每1,000循環進行導通試驗，研究鋁配線及墊的斷線不良，以不良封裝數/評價封裝數進行評價。 （4-2）耐濕性 將進行底部填充用樹脂組成物的底部填充而製作的半導體裝置於130℃、85%RH的高加速應力試驗（Highly Accelerated Stress Test，HAST）條件下處理200小時後，藉由導通試驗來確認鋁配線及墊的斷線有無，以不良封裝數/評價封裝數進行評價。
[實施例1～實施例8、比較例1～比較例4] 將表1所示的各成分以表1所示的組成加以調配，利用三輥及真空擂潰機進行混練分散後，製作實施例1～實施例8及比較例1～比較例4的底部填充用樹脂組成物。再者，表1中的調配組成的單位只要無特別規定，則為質量份，空欄表示未調配。 另外，表1中的簡稱等如下所述。
（環氧樹脂） ·環氧樹脂1：將雙酚F環氧化所得的環氧當量160 g/mol的液狀二環氧樹脂（三菱化學股份有限公司製造，商品名「jER806」） ·環氧樹脂2：將雙酚A環氧化所得的環氧當量190 g/mol的液狀二環氧樹脂（三井化學股份有限公司製造，商品名「愛波米克（Epomic）（註冊商標）R140P」） ·環氧樹脂3：將胺基苯酚環氧化所得的環氧當量95 g/mol的三官能液狀環氧樹脂（三菱化學股份有限公司製造，商品名「jER630」）
（芳香族胺化合物） ·芳香族胺化合物1：活性氫當量45 g/mol的二乙基甲苯二胺（三菱化學股份有限公司製造，商品名「jER固W（jER Cure W）」） ·芳香族胺化合物2：活性氫當量63 g/mol的二乙基二胺基二苯基甲烷（日本化藥股份有限公司製造，商品名「卡亞哈德（Kayahard）（註冊商標）A-A」） （硬化劑） ·硬化劑3：酸酐當量168 g/mol的液狀酸酐（酸酐；日立化成股份有限公司製造，商品名「HN5500」） ·硬化劑4：活性氫141 g/mol的酚系硬化劑（明和化成股份有限公司製造，商品名「MEH8000H」）
（無機填充材料） ·二氧化矽：體積平均粒徑1 μm的球狀熔融二氧化矽
（有機磷化合物） ·有機磷化合物1：三苯基膦（北興化學工業股份有限公司製造，商品名「TPP」） ·有機磷化合物2：三(對甲氧基苯基)膦（北興化學工業股份有限公司製造，商品名「TPTP」） ·有機磷化合物3：三苯基氧化膦（北興化學工業股份有限公司製造，商品名「TPPO」） 有機磷化合物4：具有磷酸酯基的共聚物（日本畢克化學（BYK Chemie Japan）股份有限公司製造，商品名「畢克（BYK）-W9010」，酸值：129 mgKOH/g，不揮發成分為100%）
（其他成分） ·可撓劑：二甲基型固態矽酮橡膠粒子的表面經環氧基修飾的體積平均粒徑2 μm的球狀的矽酮橡膠粒子（東麗×道康寧（Toary-Dow corning）股份有限公司製造，商品名「EP-2601」） ·硬化促進劑：2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑（四國化成工業股份有限公司製造，商品名「2P4MHZ」） ·偶合劑：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名「KBM-403」） ·離子捕捉劑：鉍系離子捕捉劑（東亞合成股份有限公司製造，商品名「IXE-500」） ·著色劑：碳黑（三菱化學股份有限公司製造，商品名「MA-100」）
[表1] 表1
Figure 105132488-A0304-0001
 *1：相對於底部填充用樹脂組成物總量的含量 *2：相對於（C）無機填充材料的含量
於不使用（B）芳香族胺化合物、取而代之而使用酸酐系硬化劑或酚系硬化劑的比較例1及比較例2中，產生孔隙，且耐溫度循環性及耐濕性均不充分。於比較例2中，110℃下的流動性亦低，進而亦缺乏填充性。 另外，關於未使用（D）有機磷化合物的比較例3及比較例4，產生孔隙，另外隨之而耐溫度循環性差。進而，比較例3及比較例4的任一者中，110℃下的流動性均亦低，進而亦缺乏填充性。 根據實施例2及實施例6～實施例8的結果的對比得知，於使用三苯基膦（有機磷化合物1）作為（D）有機磷化合物的情形時，有可獲得最低黏度的效果，且填充性亦提高的傾向。 根據實施例1～實施例5的結果得知，藉由增加（D）有機磷化合物的添加量，低黏度效果增大，填充性亦提高。尤其於實施例3中成為以下結果：雖大量填充（70質量%）無機填充材料，但可維持低黏度，故未產生孔隙，耐溫度循環性及耐濕性最優異。 [產業上之可利用性]
本發明的底部填充用樹脂組成物例如可應用於在引線框架（lead frame）、經配線的載帶（tape carrier）、剛性及可撓性配線板、玻璃、矽酮晶圓等支撐構件上搭載有半導體晶片、電晶體、二極體、閘流體（thyristor）等主動元件、電容器、電阻器、電阻陣列、線圈、開關等被動元件等電子零件的半導體裝置。 尤其本發明的底部填充用樹脂組成物適合作為可靠性優異的覆晶用的底部填充用樹脂組成物。具體而言，適於在形成於剛性及可撓性配線板或玻璃上的配線上藉由凸塊連接來覆晶接合半導體元件的覆晶球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）/接點柵格陣列（Land Grid Array，LGA）、膜上晶片（Chip On Film，COF）等半導體裝置。
無
無

Claims (10)

  1. 一種底部填充用樹脂組成物，其是含有(A)環氧樹脂、(B)芳香族胺化合物、(C)無機填充材料及(D)有機磷化合物而成，其中所述(A)環氧樹脂含有雙酚型環氧樹脂及縮水甘油胺型環氧樹脂，所述雙酚型環氧樹脂與縮水甘油胺型環氧樹脂的質量比(雙酚型環氧樹脂：縮水甘油胺型環氧樹脂)為60：40~95：5，以及所述(D)有機磷化合物含有膦化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的底部填充用樹脂組成物，其中所述膦化合物為選自由三苯基膦、二苯基(對甲苯基)膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三(烷基烷氧基苯基)膦、三(二烷基苯基)膦、三(三烷基苯基)膦、三(四烷基苯基)膦、三(二烷氧基苯基)膦、三(三烷氧基苯基)膦、三(四烷氧基苯基)膦、三烷基膦、二烷基芳基膦及烷基二芳基膦所組成的組群中的一種以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的底部填充用樹脂組成物，其中所述雙酚型環氧樹脂含有雙酚A的二縮水甘油醚型環氧樹脂及雙酚F的二縮水甘油醚型環氧樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的底部填充用樹脂組成物，其中所述(B)芳香族胺化合物為選自由二乙基甲苯二胺、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷及二甲硫基甲苯二胺所組成的組群中的一種以上。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的底部填充用樹脂組成物，其中相對於所述底部填充用樹脂組成物總量，所述(C)無機填充材料的含量為40質量%~80質量%。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的底部填充用樹脂組成物，其中相對於所述底部填充用樹脂組成物總量，所述(C)無機填充材料的含量為60質量%~75質量%。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的底部填充用樹脂組成物，其中相對於所述(C)無機填充材料，所述(D)有機磷化合物的含量為0.001質量%~10質量%。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的底部填充用樹脂組成物，其藉由E型黏度計於110℃、剪切速度32.5s-1的條件下測定的黏度為0.01Pa．s~0.25Pa．s。
  9. 一種電子零件裝置，包括支撐構件、配置於所述支撐構件上的電子零件、及所述支撐構件與所述電子零件的連接部，並且所述連接部的至少一部分是利用如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的底部填充用樹脂組成物而密封。
  10. 一種電子零件裝置的製造方法，製造將支撐構件與電子零件經由連接部電性連接而成的電子零件裝置，並且所述電子零件裝置的製造方法包括以下步驟：使用如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的底部填充用樹脂組成物將所述連接部的至少一部分密封。
TW105132488A 2015-10-07 2016-10-07 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法 TWI726921B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-199761 2015-10-07
JP2015199761A JP6789495B2 (ja) 2015-10-07 2015-10-07 アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201713722A TW201713722A (zh) 2017-04-16
TWI726921B true TWI726921B (zh) 2021-05-11

Family

ID=58487784

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105132488A TWI726921B (zh) 2015-10-07 2016-10-07 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法
TW110114230A TWI778589B (zh) 2015-10-07 2016-10-07 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110114230A TWI778589B (zh) 2015-10-07 2016-10-07 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6789495B2 (zh)
KR (2) KR102582323B1 (zh)
CN (2) CN108137904B (zh)
TW (2) TWI726921B (zh)
WO (1) WO2017061580A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7003575B2 (ja) * 2017-10-30 2022-01-20 昭和電工マテリアルズ株式会社 アンダーフィル材、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
KR102146995B1 (ko) * 2017-12-29 2020-08-21 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
JP2019172738A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
EP3950763A4 (en) * 2019-03-27 2022-12-14 NHK Spring Co., Ltd. COMPOSITION OF HEAT-SETTING EPOXY RESIN, LAMINATED SHEET FOR PRINTED CIRCUIT BOARD, METAL-BASED PRINTED CIRCUIT BOARD AND CURRENT MODULE
JP7095724B2 (ja) * 2020-10-28 2022-07-05 昭和電工マテリアルズ株式会社 アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP7060068B2 (ja) * 2020-12-09 2022-04-26 味の素株式会社 樹脂組成物
CN114507415A (zh) * 2022-03-01 2022-05-17 郭亚莹 一种快速流动耐高温底部填充胶及其制备方法
CN117736550A (zh) * 2022-09-15 2024-03-22 华为技术有限公司 树脂组合物及其制备方法和应用
CN117701211B (zh) * 2024-02-04 2024-05-10 武汉市三选科技有限公司 一种高导热性的底部填充胶，其制备方法及应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200718740A (en) * 2005-09-28 2007-05-16 Cookson Singapore Pte Ltd Compositions effective to suppress void formation
CN102471464A (zh) * 2009-07-31 2012-05-23 住友电木株式会社 液态树脂组合物及使用其的半导体装置
CN104910845A (zh) * 2015-06-12 2015-09-16 深圳先进技术研究院 底部填充胶及其制备方法
TW201544519A (zh) * 2014-05-16 2015-12-01 納美仕有限公司 液狀封裝材、及使用其之電子元件

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101321799B (zh) * 2005-12-08 2011-06-15 日立化成工业株式会社 电子零件用液状树脂组合物及电子零件装置
JP5354753B2 (ja) 2011-01-13 2013-11-27 信越化学工業株式会社 アンダーフィル材及び半導体装置
JP5598343B2 (ja) 2011-01-17 2014-10-01 信越化学工業株式会社 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
TW201509981A (zh) * 2011-03-22 2015-03-16 Mitsubishi Rayon Co 環氧樹脂組成物、預浸體、纖維強化複合材料、電子裝置用殼體
JP6051557B2 (ja) * 2012-03-26 2016-12-27 日立化成株式会社 アンダーフィル用エポキシ樹脂液状封止材及び電子部品装置
WO2013147086A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社トクヤマ 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、高熱伝導性樹脂組成物及び高熱伝導性積層基板
CN105899569B (zh) * 2014-01-08 2018-04-10 信越化学工业株式会社 半导体密封用液体环氧树脂组合物和树脂密封半导体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200718740A (en) * 2005-09-28 2007-05-16 Cookson Singapore Pte Ltd Compositions effective to suppress void formation
CN102471464A (zh) * 2009-07-31 2012-05-23 住友电木株式会社 液态树脂组合物及使用其的半导体装置
TW201544519A (zh) * 2014-05-16 2015-12-01 納美仕有限公司 液狀封裝材、及使用其之電子元件
CN104910845A (zh) * 2015-06-12 2015-09-16 深圳先进技术研究院 底部填充胶及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113185807A (zh) 2021-07-30
WO2017061580A1 (ja) 2017-04-13
CN113185807B (zh) 2024-03-29
JP2017071704A (ja) 2017-04-13
KR20230141890A (ko) 2023-10-10
KR102582323B1 (ko) 2023-09-25
TWI778589B (zh) 2022-09-21
CN108137904A (zh) 2018-06-08
TW201713722A (zh) 2017-04-16
KR20180066069A (ko) 2018-06-18
TW202128876A (zh) 2021-08-01
KR102668254B1 (ko) 2024-05-21
JP6789495B2 (ja) 2020-11-25
CN108137904B (zh) 2021-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI726921B (zh) 底部填充用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法
JP6415104B2 (ja) 液状封止材、それを用いた電子部品
JP5277537B2 (ja) 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
TWI643897B (zh) Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin sealed semiconductor device
JP2007182562A (ja) 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置
TWI737245B (zh) 密封用液狀環氧樹脂組成物及電子零件裝置
JP5692212B2 (ja) 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
JP2004210901A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2007182561A (ja) 電子部品用液状樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置
JP7167912B2 (ja) 液状封止樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP6286959B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2019083225A (ja) アンダーフィル用液状樹脂組成物、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法
JP3925803B2 (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
JP2005105243A (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
JP6686433B2 (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP7095724B2 (ja) アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2015054952A (ja) エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP5924443B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5929977B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2008177521A (ja) 実装用封止材及び半導体装置
TW202136355A (zh) 底部填充材料、半導體封裝以及半導體封裝的製造方法
JP2019081816A (ja) アンダーフィル用液状樹脂組成物、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法